презентация Практические аспекты плазмохимического травления
Классификация процессов травления: ионное, реактивное и плазмохимическое. Основные частицы, участвующие в процессе плазменного травления: атомы, радикалы, ионы и электроны. Рабочие параметры процесса: давление газа и скорость его потока через реактор.
Нажав на кнопку "Скачать архив", вы скачаете нужный вам файл совершенно бесплатно.
Перед скачиванием данного файла вспомните о тех хороших рефератах, контрольных, курсовых, дипломных работах, статьях и других документах, которые лежат невостребованными в вашем компьютере. Это ваш труд, он должен участвовать в развитии общества и приносить пользу людям. Найдите эти работы и отправьте в базу знаний.
Мы и все студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будем вам очень благодарны.
Чтобы скачать архив с документом, в поле, расположенное ниже, впишите пятизначное число и нажмите кнопку "Скачать архив"
| Рубрика | Физика и энергетика |
| Вид | презентация |
| Язык | русский |
| Дата добавления | 02.10.2013 |
| Размер файла | 2,3 M |
Подобные документы
Устройство для получения высокочастотного индукционного разряда. Условия циклотронного резонанса. Виды реакторов высокочастотного емкостного разряда. Основные способы генерации плазмы. Зависимость скорости плазменного травления от параметров процесса.
презентация [1,9 M], добавлен 02.10.2013Основные принципы действия электронных, ионных и полупроводниковых приборов. Движение свободных частиц. Четыре группы частиц, используемых в полупроводниковых приборах: электроны, ионы, нейтральные атомы, или молекулы, кванты электромагнитного излучения.
реферат [619,2 K], добавлен 28.11.2008Описание травления полосовой стали в непрерывных травильных агрегатах. Расчет и выбор элементов силовой части тиристорного преобразователя и электропривода. Структурная схема внутреннего токового контура. Моделирование динамических характеристик скорости.
дипломная работа [1,1 M], добавлен 01.04.2013Сущность технологических приемов химического травления и контроля качества поверхности пластин кремния. Особенности термического вакуумного напыления алюминия на полупроводниковую подложку. Фотолитография в производстве полупроводниковых приборов.
методичка [588,6 K], добавлен 13.06.2013Система изготовления острий (зондов). СТМ для сканирующих туннельных микроскопов как прецизионный инструмент для изготовления острий (зондов) из вольфрамовой проволоки методом электрохимического травления. Конструкция СТМ, режимы и порядок работы.
презентация [13,3 M], добавлен 19.02.2016Высокая химическая стойкость гексаферрита стронция, его дешевизна и области применения. Общая характеристика магнитотвердых материалов. Структура и свойства постоянных магнитов. Способы получения мелкодисперсных гексаферритов. Анализ проблем производства.
отчет по практике [2,0 M], добавлен 13.10.2015Основные положения и исходные данные теории детонации Михельсона. Расчет температуры зажигания от раскаленных микротел. Нормальная скорость горения, скорость детонации и концентрация вещества. Неразрывность потока, скорость диффузии и закон импульсов.
контрольная работа [274,8 K], добавлен 24.08.2012Газ как агрегатное состояние вещества. Свойства водорода, кислорода, углекислого газа, этилена и аммиака. Текучесть и сопротивление деформации. Формулирование закона Авогадро. Сущность парникового эффекта. Фотоны, электроны, броуновские частицы и плазма.
презентация [1,2 M], добавлен 21.11.2013Основные параметры и свойства положительного столба (ПС) тлеющего и дугового разрядов. Метастабильные атомы в ПС. Явление катафореза в смеси газов. Основные механизмы накачки возбужденных энергетических уровней газа. Излучение ПС, параметры плазмы.
контрольная работа [511,1 K], добавлен 25.03.2016Расчет газодинамических параметров. Визуализация распределения скорости в прямом тракте газовода. Основные показатели статического давления при заданной высоте канала. Асимметрия распределения давления. Число Нуссельта, Рейнольдса, Прандтля, Стантона.
курсовая работа [15,1 M], добавлен 10.01.2015
