курсовая работа  Исследование p-n перехода

Понятие p-n перехода и методы его создания. Резкие и плавные p-n переходы, их зонные диаграммы. Зонная диаграмма несимметричного p-n перехода. Потенциальный барьер и распределение контактного потенциала. Методика расчета вольт-амперной характеристики.

Нажав на кнопку "Скачать архив", вы скачаете нужный вам файл совершенно бесплатно.
Перед скачиванием данного файла вспомните о тех хороших рефератах, контрольных, курсовых, дипломных работах, статьях и других документах, которые лежат невостребованными в вашем компьютере. Это ваш труд, он должен участвовать в развитии общества и приносить пользу людям. Найдите эти работы и отправьте в базу знаний.
Мы и все студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будем вам очень благодарны.

Чтобы скачать архив с документом, в поле, расположенное ниже, впишите пятизначное число и нажмите кнопку "Скачать архив"

                              
  ##    #     ##    #     ##  
 #  #  ##    #     ##    #    
    #   #    #      #    #    
   #    #    ###    #    ###  
  #     #    #  #   #    #  # 
 #      #    #  #   #    #  # 
 ####   #     ##    #     ##  
                              
                              

Введите число, изображенное выше:

Рубрика Физика и энергетика
Вид курсовая работа
Язык русский
Дата добавления 19.12.2011
Размер файла 566,6 K

Подобные документы

  • Понятие и содержание процесса фазового перехода первого рода как изменения агрегатного состояния вещества. Основные стадии данного перехода и его особенности, физическое обоснование и закономерности. Сущность теории Зельдовича. Бистабильная система.

    презентация [199,0 K], добавлен 22.10.2013

  • Определение величины обратного тока диодной структуры. Расчет вольт-амперной характеристики идеального и реального переходов. Зависимости дифференциального сопротивления, барьерной и диффузионной емкости, толщины обедненного слоя от напряжения диода.

    курсовая работа [362,1 K], добавлен 28.02.2016

  • Расчет температуры перехода одного тиристора, количества параллельных ветвей, последовательно соединенных тиристоров в ветви. Выбор схемы тиристорного ключа. Расчет параметров выравнивающих RCD-цепочек. Выражение вольт-амперной характеристики.

    курсовая работа [311,2 K], добавлен 16.07.2009

  • Понятие фазового перехода и твердой растворимости. Типы фазовых диаграмм. Системы, их значение в микроэлектронике. Фазовые диаграммы, в которых в качестве одной из компонент фигурирует именно кремний. Двухфазная диаграмма и процесс отвердевания.

    реферат [1,1 M], добавлен 23.06.2010

  • Описание технологии изготовления электронно-дырочного перехода. Классификация разработанного электронно-дырочного перехода по граничной частоте и рассеиваемой мощности. Изучение основных особенностей использования диодных структур в интегральных схемах.

    курсовая работа [1,0 M], добавлен 14.11.2017

  • Статическая нагрузочная диаграмма электропривода. Определение мощности резания для каждого перехода, коэффициента загрузки, мощности на валу двигателя, мощности потерь в станке при холостом ходе. Расчет машинного (рабочего) времени для каждого перехода.

    контрольная работа [130,5 K], добавлен 30.03.2011

  • Жидкая и газообразная фазы вещества. Экспериментальное исследование Томаса Эндрюса фазового перехода двуокиси углерода. Взаимодействие молекул друг с другом и давление фазового перехода. Непрерывность газообразного и жидкого состояния вещества.

    презентация [306,3 K], добавлен 23.04.2013

  • Теоретические сведения о свойствах полупроводников. Предоставление энергетических диаграмм p-n перехода в условиях равновесия. Получение вольтамперной и вольтфарадной характеристик по заданным значениям напряжения и тока. Расчет концентрации примеси.

    лабораторная работа [141,4 K], добавлен 21.01.2011

  • Математическое толкование симметрийно-физического перехода. Построение математической модели безвихревой электродинамики. Уравнения электромеханической связи. Уравнение симметрийно-физического перехода в электромагнитных явлениях.

    статья [94,3 K], добавлен 29.10.2006

  • Физические основы фотоэлектрического метода, р-п перехода в полупроводниках. Диоды и триоды. Структура для термовольтаических преобразователей. Расчет распределения примеси при одностадийной и двухстадийная диффузии. Расчет глубины залегания р-п перехода.

    курсовая работа [1,3 M], добавлен 24.09.2010

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу.