Web-сайт "Процессоры Intel и их характеристики. История развития. Выбор логической структуры процессора"

Intel Pentium Mobile, ядро P55LM (январь 1997 г)

Процессоры производились по технологии - 350 нм, базировались на микроархитектуре P5, работали на тактовой частоте - 120-166 МГц, с системной шиной FSB - 60-66 МГц. Процессоры содержали КЭШ-память первого уровня (16 Кб - память программ и 16 Кб - память данных). Рабочее напряжение, в зависимости от модификации, изменялось от 2,2 до 3,6 В, а расчетная потребляемая мощность изменялась от 7,8 до 9 Вт.

Intel Pentium II, ядро Klamath (Май 1997 г)

Процессоры производились по технологии - 350 нм, и содержали два уровня КЭШ-памяти. Второй уровень КЭШ-памяти размещался отдельно от ядра, имел размер, равный 512 Кб, и работал на тактовой частоте, равной половине тактовой частоте процессора. Процессоры работали на тактовой частоте - 233-300 МГц, с системной шиной FSB, работающей на тактовой частоте - 66 МГц. Рабочее напряжение составляло 2,8 В, а потребляемая мощность - 34,8-43 Вт.

Intel Pentium MMX Mobile, ядро Tillamook (январь 1998 г)

Процессоры производились по технологии - 250 нм, содержали 4,5 млн. транзисторов, работали на тактовой частоте - 167-300 МГц, тактовая частота шины FSB - 66 МГц. Они имели встроенную КЭШ-память первого уровня - 32 Кб (16 Кб - память данных, и 16 Кб - память программ), и возможность подключать КЭШ-память второго уровня - до 1 Мб, располагающейся на материнской плате.

Intel Pentium II, ядро Deschutes (январь 1998 г)

Процессоры этой линейки работали на тактовой частоте - 267-450 МГц, с системной шиной FSB, работающей на тактовой частоте - 66-100 Мгц. Рабочее напряжение составляло 2-3,3 В, а потребляемая мощность - 16,8-27,1 Вт.

Intel Pentium II Mobile, ядро Tonga (апрель 1998 г)

Процессоры производились по технологии - 250 нм, содержали 7,5 млн. транзисторови имели два уровня КЭШ-памяти. Первый уровень КЭШ-памяти имел объем - 32 Кб (16 Кб - КЭШ-программ и 16 Кб - КЭШ- данных). Второй уровень КЭШ-памяти размещался отдельно от ядра, имел размер - 512 Кб, и работал на тактовой частоте, равной половине тактовой частоте процессора.

Процессоры работали на тактовой частоте, изменяющейся в диапазоне от 233 до 300 Мгц, с системной шиной FSB, работающей на тактовой частоте - 66 МГц. Рабочее напряжение составляло 1,6-1,7 В, а потребляемая мощность - 9-11,1 Вт.

Intel Celeron, ядро Covington (апрель 1998 г)

Процессоры базировались на ядре Deschutes, производились по технологии - 250 нм, не имели встроенную КЭШ-память второго уровня и работали на тактовой частоте - 267 и 300 МГц, с частотой шины FSB - 66 МГц.

Intel Pentium II Xeon, ядро Drake (июнь 1998 г)

Процессоры основывались на микроархитектуре P6, производились по технологии - 250 Нм. Содержали два уровня КЭШ-памяти (L2 КЭШ, в зависимости от модификации, изменялся от 512 кб до 2 Мб).

Работали процессоры на тактовой частоте - 400 МГц (Pentium II Xeon 400) и 450 МГц (Pentium II Xeon 450), с системной шиной FSB, работающей на тактовой частоте - 100 МГц. Рабочее напряжение составляло 2 В, а расчетная потребляемая мощность изменялась, в зависимости от модификации процессоров, от 30,8 Вт до 46,7 Вт.

Intel Celeron, ядро Mendocino (август 1998 г)

Процессоры основывались на микроархитектуре P6, и производились по технологии - 250 нм, со встроенной КЭШ-памятью второго уровня, объемом - 128 Кб. В зависимости от модификаций, тактовая частота изменялась от 300 до 533 МГц, частота шины FSB - 66 МГц.

1999 год

Intel Pentium II Mobile, ядро Dixon (1999 г)

Процессоры производились по технологии - 250 нм, с двумя уровнями КЭШ-памяти. КЭШ-память второго уровня (256 Кб) располагалась в ядре процессора и работала на тактовой частоте процессора.

Процессоры работали на тактовой частоте - 267-400 МГц, с системной шиной FSB, работающей на тактовой частоте - 66 МГц. Рабочее напряжение составляло 1,55-1,6 В, а потребляемая мощность - 10,3-13,1 Вт.

Intel Celeron Mobile, ядро Mendocino (январь 1999 г)

Процессоры работали на тактовой частоте - 267-467 МГц, с частотой шины FSB - 66 МГц, напряжением - 1,5-1,9 В, и мощностью - 7,9-20,7 Вт. Имели встроенную КЭШ-память второго уровня, объемом - 128 Кб.

Intel Pentium III, ядро Katmai (февраль 1999 г)

Производились процессоры по технологии - 250 нм. Ядро содержало 9,5 млн.транзисторов в кристалле площадью 128 мм2 (12,3 х 10,4 мм). Процессоры содержали два уровня КЭШ-памяти. Второй уровень КЭШ-памяти располагался вне ядра и работал на частоте в два раза меньше частоты работы процессора. Объем КЭШ-памяти второго уровня был 512 Кб.

Процессоры работали на тактовой частоте - 450-600 МГц, с системной шиной FSB, работающей на тактовой частоте - 100 МГц (Pentium III 450, Pentium III 500, Pentium III 550, Pentium III 600) и 133 МГц (Pentium III 533B, Pentium III 600B). Рабочее напряжение составляло 2-2,05 В, а потребляемая мощность - 25,3-34,5 Вт.

Intel Pentium III Xeon, ядро Tanner (март 1999 г)

Процессоры основывались на микроархитектуре P6, производились по технологии - 250 нм. Они содержали два уровня КЭШ-памяти (L2 КЭШ, в зависимости от модификации процессоров, изменялся от 512 Кб до 2 Мб). Работали процессоры на тактовой частоте - 500 МГц (Pentium III Xeon 500) и 550 МГц (Pentium III Xeon 550), с системной шиной FSB, работающей на тактовой частоте - 100 МГц. Рабочее напряжение составляло 2 В, а расчетная потребляемая мощность изменялась, в зависимости от модификации, от 36 Вт до 44 Вт.

Intel Pentium III, ядро Coppermine/Coppermine T (октябрь 1999 г)

Производились процессоры по технологии - 180 нм, содержали два уровня КЭШ-памяти (L2 КЭШ - 256 Кб, работающий на тактовой частоте, равной тактовой частоте процессора). Ядро насчитывало 29 млн. транзисторов.

Процессоры работали на тактовой частоте, равной 500-1133 МГц, с системной шиной FSB. тактовая частота шины FSB составляла 100 или 133 МГц. Рабочее напряжение составляло 1,6-1,76 В, а потребляемая мощность - 13,2-33 Вт.

Intel Pentium III Mobile, ядро Coppermine (октябрь 1999 г)

Производилась процессоры по технологии - 180 нм, содержали два уровня КЭШ-памяти. Первый уровень КЭШ-памяти имел объем, равный 32 Кб (16 Кб - КЭШ-память программ и 16 Кб - КЭШ-памятьданных), второй уровень КЭШ-памяти имел объем, равный 256 Кб. Работали процессоры на тактовой частоте, изменяющейся, в зависимости от модификации, от 400 МГц до 1 ГГц. В процессорах использовалась системная шина FSB, работающая на тактовой частоте - 100 МГц.

Intel Pentium III Xeon, ядро Cascades (октябрь 1999)

Процессоры основывались на микроархитектуре P6, производились по технологии - 180 нм. Они содержали два уровня КЭШ-памяти (L2 КЭШ, в зависимости от модификации процессоров, изменялся от 256 Кб до 2 Мб). Работали на тактовой частоте, изменяющейся, в зависимости от модификации, от 600 МГц до 1000 МГц, с системной шиной FSB, работающей на тактовой частоте - 100-133 МГц. Рабочее напряжение процессоров составляло 5-12 В, а расчетная потребляемая мощность изменялась, в зависимости от модификации, от 19,2 Вт до 39,3 Вт.

2000 год

Intel Celeron Mobile, ядро Coppermine (февраль 2000 г)

Процессоры основывались на микроархитектуре P6 и выпускались по технологии - 180 нм, имели КЭШ-память второго уровня - 128 Кб, использовали напряжение - 1,1-1,7 В, и мощность - 6,5-24 Вт. Работали на тактовой частоте - 400-900 МГц, при частоте шины FSB - 100-133 МГц.

Intel Celeron, ядро Coppermine (март 2000 г)

Процессоры основывались на микроархитектуре P6 и производились по технологии - 180 нм, со встроенной КЭШ-памятью второго уровня объемом, равным 128 Кб. Тактовая частота, в зависимости от модификаций процессоров, изменялась от 533 МГц до 1100 МГЦ, частота шины FSB - от 66 до 100 МГц.

Intel Pentium 4, ядро Willamette (ноябрь 2000 г)

Производились процессоры по технологии - 180 нм, и содержали два уровня КЭШ-памяти (L2 КЭШ - 256 Кб). Работали они на тактовой частоте, изменяющейся, в зависимости от модификации, от 1,3 ГГц до 2 ГГц. В качестве системной шины использовалась шина FSB, работающая на тактовой частоте - 400 МГц. Рабочее напряжение составляло 1,7/1,75 В, а потребляемая мощность - 51,6-75,3 Вт.

2001 год

Intel Xeon, ядро Foster (май 2001 г)

Процессоры основывались на микроархитектуре NetBurst, производились по технологии - 180 нм. Содержали два уровня КЭШ-памяти (L2 КЭШ -- 256 Кб), работали на тактовой частоте, изменяющейся, в зависимости от модификации, от 1400 МГц до 2000 МГц, с системной шиной FSB, работающей на тактовой частоте - 400 МГц. Рабочее напряжение составляло 1,75 В, а расчетная потребляемая мощность изменялась, в зависимости от модификации, от 56 до 77,5 Вт.

Intel Itanium, ядро Merced (июнь 2001 г)

Производились по технологии - 180 нм, и имели площадь ядра - 25 мм?. Работали процессоры на тактовой частоте - 733 МГц и 800 МГц, с системной шиной FSB, работающей на тактовой частоте - 266 МГц. Рабочее напряжение составляло 2 В, а расчетная потребляемая мощность - 150 Вт. В процессоре использовалось три уровня КЭШ-памяти (L3 КЭШ - 2-4 Мб).

Intel Pentium III, ядро Tualatin (июль 2001 г)

Производились процессоры по технологии - 130 нм, и содержали два уровня КЭШ-памяти. Второй уровень КЭШ-памяти составлял 256 Кб или 512 Кб (у процессоров с суффиксом S) и работал на тактовой частоте, равной тактовой частоте процессора. Работали процессоры на тактовой частоте, изменяющейся, в зависимости от модификации, от 1 ГГц до 1,4 ГГц. В качестве системной шины использовалась шина FSB, работающая на тактовой частоте - 133 МГц. Рабочее напряжение составляло 1,45-1,5 В, а потребляемая мощность - 28,7-32,2 Вт.

Intel Pentium III Mobile, ядро Tualatin (июль 2001 г)

Производились процессоры по технологии - 130 нм, имели два уровня КЭШ-памяти (L1 КЭШ данных - 16 Кб, L1 КЭШ программ - 16 Кб, L2 КЭШ - 512 Кб). В зависимости от модификаций, тактовая частота изменялась от 700 до 1333 МГц. Процессоры использовали системную шину FSB, тактовая частота которой, в зависимости от модификации процессоров, была 100 или 133 МГц.

Intel Celeron, ядро Tualatin (октябрь 2001 г)

Процессоры основывались на микроархитектуре P6, и производились по технологии - 130 нм, имели встроеную КЭШ-память второго уровня, объемом - 256 Кб. тактовая частотапроцессоров - 1000-1400 МГц, частота шины FSB - 100 МГц.

2002 год

Intel Pentium 4, ядро Northwood (январь 2002 г)

Процессоры производились по технологии - 130 нм, имели два уровня КЭШ-памяти (L2 КЭШ - 512 Кб) и работали на тактовой частоте, изменяющейся, в зависимости от модификации процессоров, от 1,6 ГГц до 3,06 ГГц. В качестве системной шины использовалась шина FSB, работающая на тактовой частоте - 400/533 МГц, в зависимости от модификации процессоров. Устанавливались в разъем Socket 478.

Intel Xeon, ядро Prestonia (февраль 2002 г)

Процессоры основывались на микроархитектуре NetBurst, производились по технологии - 130 нм. Содержали два уровня КЭШ-памяти (L2 КЭШ - 512 Кб). Работали на тактовой частоте, изменяющейся, в зависимости от модификации, от 1600 МГц до 3066 МГц, с системной шиной FSB, работающей на тактовой частоте - 400-533 МГц.

Intel Pentium 4-M, ядро Northwood (март 2002 г)

Производились процессоры по технологии - 130 нм, при этом размер ядра составлял 131 мм2. Процессоры содержали 2 уровня КЭШ-памяти (L2 КЭШ - 512 Кб), работали на тактовой частоте, изменяющейся, в зависимости от модификации, от 1,4 ГГц до 2 ГГц, с системной шиной FSB, работающей на тактовой частоте - 400 МГц. Напряжение составляло 1,3 В, а расчетная потребляемая мощность, в зависимости от модификации процессоров, изменялась от 25,8 Вт до 35 Вт.

Intel Xeon MP, ядро Foster MP (март 2002 г)

Производились процессоры по технологии - 180 нм, содержали 3 уровня КЭШ-памяти (L2 КЭШ - 256 Кб, L3 КЭШ: 1 Мб - для модификации Xeon MP 1.6, и 512 Кб - для остальных процессоров). Тактовая частота изменялась, в зависимости от модификации, от 1400 до 1600 МГц. В качестве системной шины использовалась шина FSB, работающая на тактовой частоте - 400 МГц. Рабочее напряжение составляло 1,75 В, а расчетная потребляемая мощность, в зависимости от модификации процессоров, изменялась от 64 до 72 Вт.

Intel Celeron Mobile, ядро Tualatin (апрель 2002 г)

Процессоры основывались на микроархитектуре P6, и производились по технологии -130 нм, имели встроеную КЭШ-память второго уровня, объемом, равным 256 Кб. Тактовая частота процессоров - 650-1333 МГц, частота шины FSB -100-133 МГц, напряжение - 1,1-1,5 В, потребляемая мощность - 7-24,4 Вт.

Intel Celeron, ядро Willamette (май 2002 г)

Процессоры базировались на микроархитектуре NetBurst и производились по технологии - 180 нм, имели встроеную КЭШ-память второго уровня, объемом, равным 128 Кб. Технические характеристики процессоров этой линейки следующие: тактовая частота - 1500-2000 МГц, частота шины FSB - 400 МГц, напряжение - 1,7 В.

Intel Celeron Mobile, ядро Northwood (июнь 2002 г)

Процессоры базировались на микроархитектуре NetBurst, производились по технологии - 130 нм, имели встроеную КЭШ-память объемом - 256 Кб. Работали на тактовой частоте - 1200-2500 МГц, с шиной FSB - 400 МГц. Рабочее напряжение - 1,3 В, потребляемая мощность - 20,8-35 Вт.

Intel Itanium 2, ядро McKinley (июль 2002 г)

Процессоры производились по технологии - 180 нм, содержали 221 миллион транзисторов в кристалле, размером 421 мм. Работали на тактовой частоте - 900-1000 МГц, с шиной FSB с пропускной способностью - 400 транзакций в секунду (400 MT/s). Процессоры содержали три уровня КЭШ-памяти: L1 КЭШ - 32 Кб, L2 КЭШ - 256 Кб, L3 КЭШ - 1,5-3 Мб.

Intel Celeron, ядро Northwood (сентябрь 2002 г)

Процессоры базировались на микроархитектуре NetBurst и отличались от процессоров Intel Celeron на базе ядра Willamette только более тонким техническим процессом производства (130 нм вместо 180 нм), позволившим уменьшить размер ядра, увеличить количество транзисторов и снизить напряжение. Технические характеристики процессоров этой линейки следующие:тактовая частота - 1800-2800 МГц, частота шины FSB - 400 МГц, напряжение - 1,475/1,525 В.

Intel Xeon MP, ядро Gallatin (ноябрь 2002 г)

Производились процессоры по технологии - 130 нм, содержали три уровня КЭШ-памяти (L2 КЭШ - 512 Кб, L3 КЭШ - 1 Мб, 2 Мб или 4 Мб, в зависимости от модификации процессоров). Тактовая частота изменялась, в зависимости от модификации процессоров, от 1500 до 3000 МГц. В качестве системной шины использовалась шина FSB, работающая на тактовой частоте - 400 МГц. Рабочее напряжение составляло 1,475-1,5 В, а расчетная потребляемая мощность, в зависимости от модификации, изменялась от 48 до 85 Вт.

2003 год

Intel Xeon, ядро Gallatin (март 2003 г)

Процессоры основывались на микроархитектуре NetBurst, производились по технологии - 130 нм. Содержали три уровня КЭШ-памяти (L2 КЭШ - 512 Кб, L3 КЭШ - 1-2 Мб). Работали на тактовой частоте, изменяющейся, в зависимости от модификации, от 2400 МГц до 3200 МГц, с системной шиной FSB, работающей на тактовой частоте - 533 МГц. Рабочее напряжение составляло 1,525 В, а расчетная потребляемая мощность изменялась, в зависимости от модификации процессоров, от 77 до 92 Вт.

Intel Pentium M, ядро Banias (март 2003 г)

Процессоры производились по технологии - 130 нм, и содержали два уровня КЭШ-памяти. Объем КЭШ-памяти второго уровня составлял 1 Мб. Тактовая частота изменялась от 900 МГц до 1,8 ГГц. В качестве системной шины использовалась шина FSB с пропускной способностью - 400 транзакций в секунду.

Intel Pentium 4 HT, ядро Northwood (май 2003 г)

Процессоры выпускались по технологии - 130 нм, имели два уровня КЭШ-памяти (L2 КЭШ - 512 Кб). Работали на тактовой частоте, изменяющейся, в зависимости от модификации процессора, от 2,4 ГГц до 3,4 ГГЦ, с системной шиной FSB, работающей на тактовой частоте - 800 МГц.

Intel Itanium 2, ядро Madison (июнь 2003 г)

Процессоры производились по технологии - 130 нм, содержали 410 млн.транзисторов в кристалле, площадью - 374 мм2. Тактовая частота, в зависимости от модификации, изменялась от 900 до 1666 МГц при частоте шины FSB -от 400 до 667 МГц, а расчетная потребляемая мощность - 90-122 Вт. Процессоры содержали три уровня КЭШ-памяти: L1 - 32 Кб, L2 - 256 Кб, L3 - 1,5-9 Мб.

Intel Mobile Pentium 4, ядро Northwood (июнь 2003 г)

Процессоры производились по технологии - 130 нм, содержали два уровня КЭШ-памяти (L2 КЭШ - 512 Кб). Работали процессоры на тактовой частоте, изменяющейся, в зависимости от модификации, от 2,4 ГГц до 3,06 ГГц. В качестве системной шины использовалась шина FSB, работающая на таковой частоте - 533 МГц. Рабочее напряжение составляло 1,2-1,55 В, а расчетная потребляемая мощность - 59,8-70 Вт.

Intel Itanium 2, ядро Deerfield (сентябрь 2003 г)

Процессор производился по технологии - 130 нм, имел тактовую частоту - 1000 МГц, с частотой шины FSB - 400 МГц, и содержал три уровня КЭШ-памяти: L1 - 32 Кб, L2 - 256 Кб, L3 - 1,5 Мб.

Intel Mobile Pentium 4 HT, ядро Northwood (сентябрь 2003 г)

Производились процессоры по технологии - 130 нм, имели два уровня КЭШ-памяти (L2 КЭШ - 512 Кб). Работали на тактовой частоте, изменяющейся, в зависимости от модификации процессоров, от 2,4 ГГц до 3,2 ГГц, с системной шиной FSB, работающей на тактовой частоте - 533 МГц. Рабочее напряжение составляло 1,2-1,55 В, а расчетная потребляемая мощность изменялась от 59,8 до 76 Вт.

Intel Pentium 4 Extreme Edition, ядро Gallatin (ноябрь 2003 г)

Производились процессоры по технологии - 130 нм, имели три уровня КЭШ-памяти (L3 КЭШ 2 Мб) и более быструю системную шину (по сравнению с существующими на тот момент линейками семейства Pentium 4). Системная шина FSB работала на тактовой частоте - 800 МГц, для моделей Pentium 4 EE 3.2, Pentium 4 EE 3.4, Pentium 4 EE 3.4, и 1066 МГц, для модели Pentium 4 EE 3.46. При этом тактовая частота процессоров, в зависимости от модификации, изменялась от 3,2 ГГц до 3,46 ГГц.

2004 год

Intel Celeron D, ядро Prescott (январь 2004 г)

Процессоры этой линейки были основаны на микроархитектуре Netburst и выпускались по технологии - 90 нм, с КЭШ-памятью второго уровня - 256 Кб. Технические характеристики процессоров были следующие: тактовая частота - 2133-3333 МГц, частота шины FSB - 533 МГц, напряжение - 1,25/1,4 В, мощность - 73-84 Вт.

Intel Celeron M, ядро Banias (январь 2004 г)

Процессоры производились по технологии - 130 нм, с КЭШ-памятью второго уровня - 512 Кб, поддерживали наборы инструкций: MMX, SSE, SSE2, работали на тактовой частоте - 600-1500 МГц, с шиной FSB - 400 МГц. Напряжение составляло 1,356-1,004 В, а мощность - 7-24,5 Вт.

Intel Itanium 2, ядро Hondo MCM (февраль 2004 г)

Компания Hewlett-Packard разместила на одной плате два процессорных модуля Itanium 2 (ядро Madison), созданных по технологическому процессу - 130 нм, и работающих на тактовой частоте - 1100 МГц, с шиной FSB - 400 МГц, и с четырьмя уровнями КЭШ-памяти: L2 - 2х256 Кб, L3 - 2х4 Мб, L4 - 32 Мб.

Intel Pentium 4, ядро Prescott (февраль 2004 г)

Производились процессоры по технологии - 90 нм, и содержали 125 млн.транзисторов в ядре размером - 122 мм2, имели два уровня КЭШ-памяти (L2 КЭШ - 1024 Кб) и работали на тактовой частоте, изменяющейся, в зависимости от модификации процессоров, от 2,4 ГГц до 3,06 ГГц. В качестве системной шины использовалась шина FSB, работающая на тактовой частоте - 533 МГц.

Intel Pentium 4 HT, ядро Prescott (февраль 2004 г)

Производились процессоры по технологии - 90 нм, имели два уровня КЭШ-памяти (L2 КЭШ - 1 или 2 Мб, в зависимости от модификации процессоров) и работали на тактовой частоте, изменяющейся, в зависимости от модификации, от 2,8 ГГц до 3,8 ГГц. В качестве системной шины использовалась шина FSB, работающая на тактовой частоте - 800 МГц, и только Pentium 4 HT 517 и Pentium 4 HT 524 использовали шину FSB, работающую на тактовой частоте - 533 МГц.

Intel Pentium M, ядро Dothan (май 2004 г)

Процессоры производились по технологии - 90 нм, и содержали два уровня КЭШ-памяти. Объем КЭШ-память второго уровня составлял 2 Мб. Тактовая частота изменялась от 1 до 2.27 ГГц. В качестве системной шины использовалась шина FSB c пропускной способностью - 400 или 533 транзакций в секунду, в зависимости от модификаций процессоров.

Intel Mobile Pentium 4 HT, ядро Prescott (июнь 2004 г)

Производились процессоры по технологии - 90 нм, имели два уровня КЭШ-памяти (L2 КЭШ - 1 Мб). Работали на тактовой частоте, изменяющейся, в зависимости от модификации, от 2,8 ГГц до 3,46 ГГц, с системной шиной FSB, работающей на тактовой частоте - 533 МГц. Рабочее напряжение составляло 1,25-1,4 В, а расчетная потребляемая мощность - 88 Вт.

Intel Xeon, ядро Nocona (июнь 2004 г)

Процессоры основывались на микроархитектуре NetBurst, производились по технологии - 90 нм. Содержали два уровня КЭШ-памяти (L2 КЭШ - 1 Мб). Работали на тактовой частоте, изменяющейся, в зависимости от модификации процессоров, от 2800 МГц до 3600 МГц, с системной шиной FSB, работающей на тактовой частоте - 800 МГц. Рабочее напряжение составляло 1,287-1,4 В (исключение составлял Xeon LV 2.8, работающий при напряжении - 1,1125-1,2 В, при этом расчетная потребляемая мощность составляла 55 Вт), а расчетная потребляемая мощность - 103 Вт.

Intel Celeron M, ядро Dothan (август 2004 г)

Процессоры производились по технологии - 90 нм, имели КЭШ-память второго уровня - 512-1024 Кб. Технические характеристики процессоров были следующими: тактовая частота - 0,9-1,7 ГГц, частота шины FSB - 400 МГц, напряжение - 0,876-1,292 В, мощность - 5-21 Вт.

Intel Itanium 2, ядро Fanwood (ноябрь 2004 г)

Всего было выпущено три модификации процессоров с технологией производства - 130 нм, работающих на тактовой частоте - 1300-1600 МГц, с шиной FSB - 400-533 МГц. Процессоры содержали три уровня КЭШ-памяти: L1 - 32 Кб, L2 - 256 Кб, L3 - 3 Мб.

2005 год

Intel Pentium 4 Extreme Edition, ядро Prescott (февраль 2005 г)

Производились процессоры по технологии - 90 нм, содержали два уровня КЭШ-памяти (L2 КЭШ - 2 Мб) и устанавливались в разъем LGA 775. Работали на тактовой частоте - 3,73 ГГц, с системной шиной FSB, работающей на тактовой частоте - 1066 МГц. Рабочее напряжение составляло 1,25-1,388 В.

Intel Xeon, ядро Irwindale (февраль 2005 г)

Процессоры производились по технологии - 90 нм, содержали два уровня КЭШ-памяти (L2 КЭШ - 2 Мб) и основывались на микроархитектуре NetBurst. Работали на тактовой частоте, изменяющейся, в зависимости от модификации, от 2800 МГц до 3800 МГц. В качестве системной шины использовалась шина FSB, работающая на тактовой частоте - 800 МГц.

Intel Xeon MP, ядро Cranford (март 2005 г)

Производились процессоры по технологии - 90 нм, содержали два уровня КЭШ-памяти (L2 КЭШ - 1 Мб). тактовая частота изменялась, в зависимости от модификации процессоров, от 3166 до 3667 МГц. В качестве системной шины использовалась шина FSB, работающая на тактовой частоте - 667 МГц. Рабочее напряжение составляло 1,2875-1,4 В, а расчетная потребляемая мощность - 110 Вт.

Intel Xeon MP, ядро Potomac (март 2005 г)

Производились процессоры по технологии - 90 нм, содержали три уровня КЭШ-памяти (L2 КЭШ - 1 Мб, L3 КЭШ - 4-8 Мб). тактовая частотаизменялась, в зависимости от модификации процессоров, от 2833 до 3333 МГц. В качестве системной шины использовалась шина FSB, работающая на тактовой частоте - 667 МГц. Рабочее напряжение составляло 1,25-1,4 В, а расчетная потребляемая мощность - 129 Вт.

Intel Pentium Extreme Edition, ядро Smithfield (май 2005 г)

Единственный представитель этой линейки производился по технологии - 90 нм, содержал два уровня КЭШ-памяти (L2 КЭШ - 1 Мб, для каждого ядра). Работал на тактовой частоте - 3,2 ГГц. В качестве системной шины использовалась шина FSB, работающая на тактовой частоте - 800 МГц. Рабочее напряжение составляло 1,2-1,4 В, а расчетная потребляемая мощность - 130 Вт.

Intel Xeon, ядро Paxville DP (октябрь 2005 г)

Процессор основывался на микротехнологии NetBurst, производился по технологии - 90 нм, содержал два уровня КЭШ-памяти (по 2 Мб КЭШ-памяти второго уровня для каждого ядра). Работал на тактовой частоте - 2800 МГц. В качестве системной шины использовалась шина FSB, работающая на тактовой частоте - 800 МГц. Рабочее напряжение процессора составляло 1,2875-1,4125 В, а расчетная потребляемая мощность - 135 Вт.

Intel Xeon MP, ядро Paxville MP (декабрь 2005 г)

Производились процессоры по технологии - 90 нм, содержали два уровня КЭШ-памяти. Второй уровень КЭШ-памяти распределялся по 1 Мб на каждое ядро, в модификациях процессоров Xeon 7020, Xeon 7030, и по 2 Мб, в модификациях процессоров Xeon 7040, Xeon 7041. Тактовая частота изменялась, в зависимости от модификации, от 2667 до 3000 МГц. В качестве системной шины использовалась шина FSB, работающая на тактовой частоте - 667 МГц, у модификаций Xeon 7020, Xeon 7040, и 800 МГц, у модификаций Xeon 7030 и Xeon 7041. Рабочее напряжение составляло 1,2625-1,4125 В, а расчетная потребляемая мощность - 165 Вт.

2006 год

Intel Core Duo, ядро Yonah (январь 2006 г)

Технические характеристики, в зависимости от модификаций процессоров, изменялись в диапазоне: тактовая частота - 1,06-2,33 ГГц, частота системной шины - 533-667 МГц, потребляемая мощность - 9-31 Вт, КЭШ-память второго уровня - 2 Мб.

Intel Pentium 4 HT, ядро Cedar Mill (январь 2006 г)

Процессоры производились по технологии - 65 нм, содержали два уровня КЭШ-памяти (L2 КЭШ - 2 Мб). Работали на тактовой частоте, изменяющейся, в зависимости от модификации процессоров, от 3 ГГц до 3,6 ГГц. В качестве системной шины использовалась шина FSB, работающая на тактовой частоте - 800 МГц.

Intel Core Solo, ядро Yonah (январь 2006 г)

Технические характеристики, в зависимости от модификаций процессоров, изменялись в диапазоне: тактовая частота - 1,06-1,86 ГГц, частота системной шины - 533-667 МГц, потребляемая мощность - 5,5-31 Вт, КЭШ-память второго уровня - 2 Мб, технология производства - 65 нм.

Intel Pentium D, ядро Presler (январь 2006 г)

Производились процессоры по технологии - 65 нм, содержали два уровня КЭШ-памяти (L2 КЭШ - 2 Мб, для каждого ядра). Процессоры работали на тактовой частоте, изменяющейся, в зависимости от модификации процессоров, от 2,8 ГГц до 3,6 ГГц. В качестве системной шины использовалась шина FSB, работающая на тактовой частоте - 800 МГц. Рабочее напряжение составляло 1,2-1,3375 В, а расчетная потребляемая мощность изменялась, в зависимости от модификации, от 95 до 130 Вт.

Intel Pentium Extreme Edition, ядро Presler (январь 2006 г)/a>

Производились процессоры по технологии - 65 нм, имели два уровня КЭШ-памяти (L2 КЭШ - 2 Мб, для каждого ядра). Они работали на тактовой частоте, изменяющейся, в зависимости от модификации процессоров, от 3,46 ГГц до 3,73 ГГц. В качестве системной шины использовалась шина FSB, работающая на тактовой частоте - 1066 МГц. Рабочее напряжение составляло 1,2-1,3375 В, а расчетная потребляемая мощность - 130 Вт.

Intel Celeron, ядро Sossaman (март 2006 г)

Процессоры основывались на микроархитектуре Pentium-M, производились по технологии - 65 нм, с КЭШ-памятью второго уровня - 1 Мб, размер ядра составлял 90,3 мм2, включая в себя 151 миллион транзисторов. Работали на тактовой частоте - 1,67 ГГц (Celeron 1.66) и 1,83 ГГц (Celeron 1.83), с частотой системной шины (FSB) - 667 МГц. Рабочее напряжение составляло 1,1125-1,25 В, а потребляемая мощность - 27 Вт.

Intel Xeon DP, ядро Sossaman (март 2006 год)

Процессоры основывались на микроархтектуре Pentium M, производились по технологии - 65 нм, и содержали два уровня КЭШ-памяти (L2 КЭШ - 2 Мб). Тактовая частота изменялась, в зависимости от модификации, от 1,67 до 2,17 ГГц. В качестве системной шины использовалась шина FSB, работающая на тактовой частоте - 667 МГц.

Intel Celeron M, ядро Yonah (апрель 2006 г)

Процессоры производились по технологии - 65 нм, содержали КЭШ-памятьвторого уровня - 512-1024 Кб. Технические характеристики процессоров были следующие: тактовая частота - 1,07-2 ГГц, частота шины FSB - 533 МГц, напряжение - 0,95-1,3 В, мощность - 5,5-27 Вт.

Intel Celeron D, ядро Cedar Mill (май 2006 г)

Процессоры линейки были основаны на микроархитектуре Netburst и выпускались по технологии - 65 нм. Они содержали 125 млн. транзисторов, имели два уровня КЭШ-памяти (КЭШ-память второго уровня - 512 Кб). Технические характеристики процессоров были следующие: тактовая частота - 3066-3600 МГц, частота шины FSB - 533 МГц, напряжение - 1,25-1,3 В, мощность - 65-86 Вт.

Intel Pentium D, ядро Smithfield (май 2006 год)

Процессоры производились по технологии - 90 нм, содержали два уровня КЭШ-памяти (L2 КЭШ - 2 Мб). Работали на тактовой частоте, изменяющейся, в зависимости от модификации, от 2,66 ГГц до 3,2 ГГц. В качестве системной шины использовалась шина FSB, работающая на тактовой частоте - 533 МГЦ, для Pentium D 805, и на частоте 800 МГц, для остальных модификаций процессоров.

Intel Xeon, ядро Dempsey (май 2006 год)

Процессоры основывались на микроархитектуре NetBurst, производились по технологии - 65 нм, имели два ядра площадью - 81 мм2 каждое, и содержали по два уровня КЭШ-памяти, причем второй уровень имел объем 2 Мб для каждого ядра. Работали процессоры на тактовой частоте, изменяющейся, в зависимости от модификации, от 2500 МГц до 3773 МГц. В качестве системной шины использовалась шина FSB, работающая у Xeon 5020, Xeon 5030, Xeon 5040, Xeon 5050 на тактовой частоте - 667 МГц, а у остальных процессоров - на тактовой частоте, равной 1066 МГц. Рабочее напряжение составляло 1,075-1,35 В, а расчетная потребляемая мощность, в зависимости от модификации процессоров, изменялась от 95 до 130 Вт.

Intel Xeon, ядро Woodcrest (июнь 2006 г)

Процессоры основывались на микроархитектуре Core, производились по технологии - 65 нм, и содержали два уровня КЭШ-памяти (L2 КЭШ - 4 Мб). Тактовая частота изменялась, в зависимости от модификации, от 1,6 до 3 ГГц. В качестве системной шины использовалась шина FSB, работающая на тактовой частоте - 1066 МГц или 1333 МГц, в зависимости от модификации процессоров. Рабочее напряжение составляло 1,0-1,5 В, а расчетная потребляемая мощность, в зависимости от модификации, изменялась от 35 Вт до 80 Вт.

Intel Itanium 2, ядро Montecito (июль 2006 г)

Всего в линейке было шесть модификаций процессоров, производимых по технологическому процессу - 90 нм, и содержащих более 1,7 млрд. транзисторов.

Процессоры работали на тактовой частоте - 1,4-1,6 ГГц, с системной шиной FSB - 400-533 МГц, имели три уровня КЭШ-памяти: L2 - 256 Кб, L3 - 6-24 Мб.

Intel Core 2 Duo, ядро Conroe (июль 2006 г)

Процессоры производились по технологии - 65 нм, имели два уровня КЭШ-памяти (L2 КЭШ - 2-4 Мб). Тактовая частота, в зависимости от модификации, изменялась от 1,8 ГГц до 3 ГГц при частоте шины FSB - 800-1333 МГц. Рабочее напряжение составляло 0,85-1,5 В, а максимальная потребляемая мощность - 65 Вт.

Intel Core 2 Extreme, ядро Conroe XE (июль 2006 г)

Линейка содержала всего одну модификацию процессора Intel Core 2 Extreme X6800, производимую по технологии - 65 нм, с двумя уровнями КЭШ-памяти (L2 КЭШ - 4 Мб). Процессор работал на тактовой частоте - 2,93 МГц, с шиной FSB - 1066 МГц.

Intel Core 2 Duo Mobile, ядро Merom (август 2006 г)

Все процессоры производились по технологии - 65 нм, работали на тактовой частоте - 1,07-2,6 Гц, с тактовой частотой шины FSB - 533-800 МГц.

Intel Xeon MP, ядро Tulsa (август 2006 г)

Производились процессоры по технологии - 65 нм, содержали три уровня КЭШ-памяти: L2 КЭШ - по 1 Мб на каждое ядро, L3 КЭШ объемом - 4 Мб, для Xeon 7110N, Xeon 7110M, Xeon 7120N, Xeon 7120M, объемом - 8 Мб, для Xeon 7130N, Xeon 7130M, и объемом - 16 Мб, для Xeon 7140N, Xeon 7140M, Xeon 7150N. Тактовая частота процессоров изменялась, в зависимости от модификации, от 2500 до 3500 МГц. В качестве системной шины использовалась шина FSB, работающая на тактовой частоте - 667 или 800 МГц, в зависимости от модификации.

Intel Xeon, ядро Conroe (сентябрь 2006 г)

Процессоры основывались на микроархитектуре Core, производились по технологии - 65 нм, и содержали два уровня КЭШ-памяти (L2 КЭШ - 4 Мб). Тактовая частота изменялась, в зависимости от модификации, от 1,87 до 3 ГГц. В качестве системной шины использовалась шина FSB, работающая на тактовой частоте - 1066 МГц, для модификаций Xeon 3040, Xeon 3050, Xeon 3060, Xeon 3070, и на частоте - 1333 МГц, для модификаций Xeon 3065, Xeon 3075, Xeon 3085. Рабочее напряжение составляло 0,85-1,5 В, а расчетная потребляемая мощность - 65 Вт.

Intel Core 2 Extreme, ядро Kentsfield XE (ноябрь 2006 г)

Это первые в мире четырехядерные процессоры. Выпускались они по технологии - 65 нм, содержали 582 млн. транзисторов в кристалле, размером - 286 мм2, работали на тактовой частоте - 2,67-3 ГГц, с шиной FSB - 1066-1333 МГц (коэффициент умножения - свободный), содержали два уровня КЭШ-памяти (КЭШ-память первого уровня: 32 Кб - память данных, и 32 Кб - память команд, для каждого ядра, и КЭШ-память второго уровня - 8 Мб).

Intel Xeon, ядро Clovertown (ноябрь 2006 г)

Процессоры основывались на микроархитектуре Core, производились по технологии - 65 нм, и содержали два уровня КЭШ-памяти (два блока КЭШ-памяти второго уровня по 4 Мб каждый). Тактовая частота изменялась от 1,6 ГГц до 3 ГГц. В качестве системной шины использовалась шина FSB, работающая на тактовой частоте - 1066 или 1333 МГц, в зависимости от модификации. Рабочее напряжение составляло 1,1-1,25 В, для процессоров с пониженным энергопотреблением (индекс L в названии), и 1,0-1,5 В, для остальных процессоров. Расчетная потребляемая мощность изменялась, в зависимости от модификаций, от 40 до 150 Вт.

2007 год

Intel Core 2 Quad, ядро Kentsfield (январь 2007 г)

Они производились по технологии - 65 нм, содержали 582 млн. транзисторов. тактовая частота, в зависимости от модификации, изменялась от 2,13 до 2,67 ГГц при частоте шины FSB - 1066 МГц. Процессор содержал два уровня КЭШ-памяти (по 32 Кб КЭШ-памяти команд и 32 Кб КЭШ-памяти данных первого уровня для каждого ядра, и 8 Мб КЭШ-памяти второго уровня).

Intel Pentium Mobile, ядро Yonah (январь 2007 г)

Линейка состоит из трех модификаций процессоров, производимых по технологии - 65 нм, и основывающихся на улучшенной микроархитектуре Pentium M. Процессоры содержали два уровня КЭШ-памяти (L2 КЭШ - 1 Мб), работали на тактовой частоте - 1,6-1,87 ГГц, с системной шиной FSB - 533 МГц. Рабочее напряжение составляло 0,762-1,3 В, а потребляемая мощность - 31 Вт.

Intel Xeon, ядро Allendale (январь 2007 г)

Процессоры основывались на микроархитектуре Core, производились по технологии - 65 нм, и содержали два уровня КЭШ-памяти (L2 КЭШ - 2 Мб). тактовая частота изменялась, в зависимости от модификации, от 1,87 до 2,13 ГГц. В качестве системной шины использовалась шина FSB, работающая на тактовой частоте - 1066 МГц. Рабочее напряжение составляло 0,85-1,5 В, а расчетная потребляемая мощность - 65 Вт.

Intel Xeon, ядро Kentsfield (январь 2007 г)

Процессоры основывались на микроархитектуре Core, производились по технологии - 65 нм, и содержали два уровня КЭШ-памяти (два блока КЭШ-памяти второго уровня по 4 Мб каждое). Тактовая частота изменялась от 2,13 ГГц до 2,67 ГГц. В качестве системной шины использовалась шина FSB, работающая на тактовой частоте - 1066 МГц. Рабочее напряжение составляло 0,85-1,5 В, а расчетная потребляемая мощность, в зависимости от модификации процессоров, изменялась от 95 до 105 Вт.

Intel Celeron Single-Core, ядро Merom (апрель 2007 г)

Процессоры были основаны на микроархитектуре Core и выпускались по технологии - 65 нм, с КЭШ-памятью второго уровня - 512-1024 Кб. Технические характеристики процессоров были следующими: тактовая частота- от 933 МГц до 2,27 ГГц, частота шины FSB - 533-667 МГц, напряжение - 0,8-1,3 В, мощность - 5,5-31 Вт.

Intel Celeron Dual-Core, ядро Merom (апрель 2007 г)

Процессоры были основаны на микроархитектуре Core и выпускались по технологии - 65 нм, с КЭШ-памятью второго уровня - 512-1024 Кб. Работали на тактовой частоте - 1,67-1,87 ГГц, с частотой шины FSB - 533-667 МГц. Рабочее напряжение составляло 1,075-1,175 В, а мощность - 35 Вт.

Intel Celeron, ядро Conroe-L (июнь 2007 г)

Процессоры производились по технологии - 65 нм, имели два уровня КЭШ-памяти (L1 КЭШ-данных - 32 Кб, L1 КЭШ-программ - 32 Кб, L2 КЭШ - 512 Кб). Работали на тактовой частоте - 1,2-2,2 ГГц, с частотой шины FSB - 533-800 МГц.

Intel Pentium, ядро Conroe (июнь 2007 г)

Процессоры основывались на микроархитектуре Core, производились по технологии - 65 нм, и содержали КЭШ-память второго уровня объемом - 1 Мб. Работали на частоте - 1,6-2,4 ГГц, с частотой шины FSB - 800 МГц. Рабочее напряжение, в зависимости от модификации, изменялось от 0,85 до 1,5 В, а потребляемая мощность составляла 65 Вт.

Intel Core 2 Extreme Mobile, ядро Merom XE (июль 2007 г)

Процессоры производились по технологии - 65 нм, содержали 291 млн.транзисторов в ядре. Тактовая частота - 2,6 ГГц, для X7800, и 2,8 ГГц, для X7900, при частоте шины FSB - 800 МГц. Рабочее напряжение изменялось от 1,0375 до 1,3 В, расчетная потребляемая мощность составляла 44 Вт.

Intel Core 2 Solo, ядро Merom-L (сентябрь 2007 г)

Процессоры производились по технологии - 65 нм, содержали 291 млн. транзисторов в ядре. Работали на тактовой частоте - 1,07-1,2 ГГц, с частотой шины FSB - 533 МГц. Рабочее напряжение составляло 0,86-0,975 В, а расчетная мощность - 5,5 Вт.

Intel Xeon MP, ядро Tigerton (сентябрь 2007 г)

Процессоры основывались на микроархитектуре Core, производились по технологии - 65 нм, и содержали два уровня КЭШ-памяти (два блока КЭШ-памяти второго уровня по 4, 3 или 2 Мб каждый, в зависимости от модификации процессоров). Тактовая частотаизменялась от 1,6 ГГц до 2,93 ГГц. В качестве системной шины использовалась шина FSB, работающая на тактовой частоте - 1066 МГц. Рабочее напряжение составляло 1,2-1,35 В (исключением был процессор с пониженным энергопотреблением - Xeon L7345, работающий при напряжении - 1,10-1,25 В, с расчетной потребляемой мощностью - 50 Вт). Расчетная потребляемая мощность изменялась, в зависимости от модификаций процессоров, от 80 до 130 Вт.

Intel Pentium Mobile, ядро Merom (квартал 4 2007 г)

Процессоры основывались на микроархитектуре Core, производились по технологии - 65 нм, и содержали КЭШ-память второго уровня объемом - 1 Мб. Работали на частоте - 1,47-2,17 ГГц, с частотой шины FSB - 533-667 МГц. Рабочее напряжение изменялось от 1,075 до 1,175 В, а потребляемая мощность составляла 35 Вт.

Intel Itanium 2, ядро Montvale (ноябрь 2007 г)

Процессоры работали на тактовой частоте - 1,6-1,66 ГГц, с частотой шины FSB - 533-667 МГц. Имели три уровня КЭШ-памяти: КЭШ-памятьвторого уровня - 256 Кб, КЭШ-память третьего уровня - 8-24 Мб.

Intel Core 2 Extreme, ядро Yorkfield XE (ноябрь 2007 г)

Процессоры этой линейки выпускались по технологии - 45 нм, что позволило дополнительно поднять тактовую частоту (по сравнению с процессорами Intel Core 2 Extreme на ядре Kentsfield XE), которая, в зависимости от модификации процессоров, изменялась от 3 до 3,2 ГГц, при частоте шины FSB - 1333-1600 МГц (коэффициент умножения - свободный). Процессоры содержали два уровня КЭШ-памяти (L2 КЭШ - 12 Мб), устанавливались в разъем LGA 771, напряжение на ядре составляло 0,85-1,3625 В, а максимальная потребляемая мощность - 130-150 Вт.

Intel Xeon, ядро Wolfdale (ноябрь 2007 г)

Процессоры основывались на микроархитектуре Penryn, производились по технологии - 45 нм, и содержали два уровня КЭШ-памяти (L2 КЭШ - 6 Мб). Тактовая частота изменялась от 1,87 ГГц до 3,5 ГГц. В качестве системной шины использовалась шина FSB, работающая на тактовой частоте - 1066 МГц и 1333 МГц, в зависимости от модификации процессоров. Рабочее напряжение составляло 0,85-1,3625 В, а расчетная потребляемая мощность, в зависимости от модификации, изменялась от 20 до 85 Вт.

2008 год

Intel Celeron, ядро Allendale (январь 2008 г)

Процессоры основывались на микроархитектуре Core, производились по технологии - 65 нм, и содержали КЭШ-память второго уровня объемом - 512 Мб. Процессоры работали на частоте - 1,6-2,4 ГГц, с частотой шины FSB - 800 МГц. Рабочее напряжение, в зависимости от модификации, изменялось от 0,962 до 1,312 В, а потребляемая мощность - 65 Вт.

Intel Core 2 Duo, ядро Wolfdale (январь 2008 г)

Процессоры базировались на микроархитектуре Penryn и производились по технологии - 45 нм. Различалось две группы процессоров: 1) с КЭШ-памятью второго уровня - 3 Мб, и 2) с КЭШ-памятью второго уровня - 6 Мб. В процессорах использовалась тактовая частота - 2,53-3,33 ГГц, с частотой шины FSB - 1066-1333 МГц.

Intel Core 2 Duo Mobile, ядро Penryn (январь 2008 г)

Все процессоры производились по технологии - 45 нм, работали на тактовой частоте - 1,2-2,8 Гц, с тактовой частотой шины FSB - 800-1066 МГц.

Intel Core 2 Extreme Mobile, ядро Penryn XE (январь 2008 г)

Процессоры производились по технологии - 45 нм, содержали 410 млн. транзисторов в ядре. Тактовая частота процессоров - 2,8 ГГц, для X9000, и 3,07 ГГц, для X9100, при частоте шины FSB - 800 и 1066 МГц соответственно. Коэффициент умножения - свободный, что позволяло легко их разгонять. Рабочее напряжение - 1,062-1,150 В, расчетная потребляемая мощность - 44 Вт.

Intel Xeon, ядро Yorkfield-6M (январь 2008 г)

Процессоры основывались на микроархитектуре Penryn, производились по технологии - 45 нм, и содержали два уровня КЭШ-памяти (два блока КЭШ-памяти второго уровня по 3 Мб каждый). Тактовая частота изменялась от 2,5 ГГц до 2,67 ГГц. В качестве системной шины использовалась шина FSB, работающая на тактовой частоте - 1333 МГц. Рабочее напряжение составляло 0,85-1,3625 В, а расчетная потребляемая мощность - 95 Вт.

Intel Xeon, ядро Yorkfield (январь 2008 г)

Процессоры основывались на микроархитектуре Penryn, производились по технологии - 45 нм, и содержали два уровня КЭШ-памяти (два блока КЭШ-памяти второго уровня по 6 Мб каждый). Тактовая частота изменялась от 2,67 ГГц до 3,17 ГГц. В качестве системной шины использовалась шина FSB, работающая на тактовой частоте - 1333 МГц. Рабочее напряжение составляло 0,85-1,3625 В, а расчетная потребляемая мощность - 65 Вт, для Intel Xeon L3360, и 95 Вт, для остальных модификаций.

Intel Xeon, ядро Wolfdale-CL (февраль 2008 г)

Процессоры основывались на микроархитектуре Penryn, производились по технологии - 45 нм, и содержали два уровня КЭШ-памяти (L2 КЭШ - 3 Мб, для процессоров Xeon L3014, и 6 Мб, для процессоров Xeon E3113). Тактовая частота составляла 2,3 ГГц (Xeon L3014) и 3 ГГц (Xeon E3113). В качестве системной шины использовалась шина FSB, работающая на тактовой частоте - 1066 МГц (Xeon L3014) и 1333 МГц (Xeon E3113).

Intel Xeon, ядро Yorkfield-CL (март 2008 г)

Процессоры основывались на микроархитектуре Penryn, производились по технологии - 45 нм, и содержали два уровня КЭШ-памяти (два блока КЭШ-памяти второго уровня по 3 Мб каждый, для модификаций Xeon X3323, и по 6 Мб, для остальных модификаций процессоров). Тактовая частота изменялась от 2,5 ГГц до 2,83 ГГц. В качестве системной шины использовалась шина FSB, работающая на тактовой частоте - 1333 МГц. Рабочее напряжение составляло 0,85-1,3625 В, а расчетная потребляемая мощность - 80 Вт.

Intel Atom, ядро Silverthorne (апрель 2008 г)

Производились процессоры по технологии - 45 нм, содержали 47 млн. транзисторов в ядре и содержали КЭШ-память второго уровня - 512 Кб. Работали на тактовой частоте - от 800 МГц до 2,13 ГГц, с шиной FSB с частотой - 400-533 МГц. Рабочее напряжение составляло 0,712-1,1 В, а расчетная потребляемая мощность - 0,65-2,5 Вт.

Intel Core 2 Solo, ядро Penryn-L (май 2008 г).

Технические характеристики процессоров были следующими: технология производства - 45 нм, транзисторов в ядре - 410 млн.,тактовая частота - 1,2-1,4 ГГц, частота шины FSB - 800 МГц, рабочее напряжение - 1,05-1,15 В, расчетная мощность - 5,5 Вт.

Intel Atom, ядро Diamondville (июнь 2008 г)

Производились процессоры по технологии - 45 нм, содержали 47 млн. транзисторов в ядре и КЭШ-память второго уровня - 512 Кб. Работали на тактовой частоте - 1,6-1,67 ГГц, с шиной FSB - 533-667 МГц. Рабочее напряжение составляло 0,9-1,1625 В, а расчетная потребляемая мощность - 2,5-8 Вт.

Intel EP80579, ядро Tolapai (июль 2008 г)

Технические характеристики, в зависимости от модификаций процессоров линейки, изменялись в диапазоне: тактовая частота - 600-1200 МГц, потребляемая мощность - 11-21 Вт, технология производства - 90 нм.

Intel Pentium, ядро Wolfdale (август 2008 г)

Процессоры основывались на микроархитектуре Penryn, производились по технологии - 45 нм, и содержали КЭШ-память второго уровня объемом - 1-2 Мб. Процессоры работали на частоте - 2,2-3,33 ГГц, с частотой шины FSB - 800-1066 МГц. Рабочее напряжение процессоров изменялось от 0,85 до 1,3625 В, а потребляемая мощность составляла 65 Вт.

Intel Core 2 Quad, ядро Yorkfield (август 2008 г)

Работали процессоры на тактовой частоте - 2,33-3 ГГц, с частотой шины FSB - 1333 МГц, при напряжении - 0,85-1,3625 В, и максимальной потребляемой мощности - 65-95 Вт.

Intel Core 2 Quad Mobile, ядро Penryn QC (август 2008 г)

Процессоры производились по технологии - 45 нм, и основывались на микроархитектуре Penryn. Технические характеристики, в зависимости от модификаций процессоров, изменялись в диапазоне: тактовая частота - 2-2,26 ГГц, частота системной шины - 1066 МГц, потребляемая мощность - 45 Вт, суммарная КЭШ-память второго уровня - 6-12 Мб.

Intel Core 2 Extreme Mobile, ядро Penryn QC XE (август 2008 г)

Процессор производился по технологии - 45 нм, ядро содержало 820 млн.транзисторов. Тактовая частотасоставляла 2,53 ГГц при частоте шины FSB - 1066 МГц. Множитель частоты - свободный, что позволяло легко разгонять процессор. Рабочее напряжение - 1,050-1,175 В, расчетная мощность - 45 Вт.

Intel Celeron single-core, ядро Penryn (сентябрь 2008 г)

Процессоры основывавались на микроархитектуре Penryn, производились по технологии - 45 нм, и содержали КЭШ-память второго уровня объемом - 1 Мб. Работали на частоте - 1,2-2,3 ГГц, с частотой шины FSB - 800 МГц.

Intel Xeon MP, ядро Dunnington (сентябрь 2008 г)

Процессоры основывались на микроархитектуре Penryn, производились по технологии - 45 нм, и содержали три уровня КЭШ-памяти. Четырехядерные процессоры содержали по два блока КЭШ-памяти второго уровня объемом - 3 Мб каждый, и, в зависимости от модификации процессоров, от 8 до 16 Мб - КЭШ-памяти третьего уровня. Шестиядерные процессоры содержали по три блока КЭШ-памяти второго уровня объемом - 3 Мб каждый, и, в зависимости от модификации процессоров, от 8 до 16 Мб - КЭШ-память третьего уровня.

Тактовая частота процессоров изменялась от 2133 до 2667 МГц. В качестве системной шины использовалась шина FSB, работающая на тактовой частоте - 1066 МГц. Рабочее напряжение составляло 0,9-1,45 В. Расчетная потребляемая мощность изменялась, в зависимости от модификаций процессоров, от 50 до 130 Вт.

Intel Core i7, ядро Bloomfield (ноябрь 2008 г)

Процессоры основывались на микроархитектуре Nehalem, производились по технологии - 45 нм, содержали 731 млн. транзисторов в ядре, три уровня КЭШ-памяти (L3 КЭШ - 8 Мб, с технологией Smart Cache), встроенный контроллер памяти, поддерживающий память DDR3-800/1066 до 24 Гб. Работали на тактовой частоте - 2,67-3,33 ГГц (с технологиейTurbo Boost 2,93 - 3,6 ГГц), с шиной QPI.

Intel Xeon, ядро Harpertown (ноябрь 2008 г)

Процессоры основывались на микроархитектуре Penryn, производились по технологии - 45 нм, и содержали два уровня КЭШ-памяти (два блока КЭШ-памяти второго уровня, по 6 Мб каждый). Тактовая частота изменялась от 2 ГГц до 3,4 ГГц. В качестве системной шины использовалась шина FSB, работающая на тактовой частоте - 1333 или 1600 МГц, в зависимости от модификации процессоров. Рабочее напряжение составляло 0,85-1,35 В. Расчетная потребляемая мощность изменялась, в зависимости от модификаций процессоров, от 40 до 50 Вт, для процессоров с пониженным энергопотреблением (индекс L в названии процессора), и от 80 до 150 Вт, для остальных процессоров.

2009 год

Intel Pentium Dual-Core Mobile, ядро Penryn (январь 2009 г)

Процессоры основывались на микроархитектуре Penryn, производились по технологии - 45 нм, и содержали КЭШ-память второго уровня объемом - 1-2 Мб. Работали на частоте - 1,3-2,3 ГГц, с частотой шины FSB - 800 МГц. Рабочее напряжение изменялось от 1,05 до 1,15 В, а потребляемая мощность составляла 10-35 Вт.

Intel Xeon, ядро Bloomfield (март 2009 г)

Процессоры основывались на микроархитектуре Nehalem, производились по технологии - 45 нм, и содержали три уровня КЭШ-памяти (КЭШ-память второго уровня - по 256 Кб для каждого ядра, КЭШ-память третьего уровня - 8 Мб, для четырехядерных процессоров, и 4 Мб, для двухядерных процессоров). Тактовая частота изменялась от 2,4 до 3,33 ГГц. В качестве системной шины использовалась шина QPI с пропускной способностью - 6,4 ГТ/с (млрд. транзакций в секунду), для процессоров Xeon W3570 и Xeon W3580, и 4,8 ГТ/с, для остальных модификаций процессоров. Рабочее напряжение составляло 0,8-1,225 В, для двухядерных процессоров, и 0,8-1,375 В, для четырехядерных процессоров. Расчетная потребляемая мощность - 130 Вт.

Intel Xeon, ядро Gainestown (март 2009 г)