Определение параметров модели биполярного транзистора в программе OrCAD 9.2
Модели биполярного транзистора в программе схемотехнического анализа PSpice. Представление уравнений, описывающих статические и электрические характеристики преобразователя. Зависимость параметров полупроводникового прибора от температуры и площади.
| Рубрика | Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника |
| Вид | курсовая работа |
| Язык | русский |
| Дата добавления | 01.11.2010 |
| Размер файла | 510,2 K |
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
1
NS
Коэффициент неидеальности перехода подложки
1
PTF
Дополнительный фазовый сдвиг на граничной частоте транзистора fГР=1/(2Рtf)
градус
0
QCO
Множитель, определяющий заряд в эпитаксиальной области
Кл
0
RB
Объемное сопротивление базы (максимальное) при нулевом смещении перехода база-эмиттер
Ом
0
RBM*
Минимальное сопротивление базы при больших токах
Ом
RB
RC
Объемное сопротивление коллектора
Ом
0
RCO
Сопротивление эпитаксиальной области
Ом
0
RE
Объемное сопротивление эмиттера
Ом
0
TF
Время переноса заряда через базу в нормальном режиме
с
0
TR
Время переноса заряда через базу в инверсном режиме
с
0
TRB1
Линейный температурный коэффициент RB
0C-1
0
TRB2
Квадратичный температурный коэффициент RB
0C-2
0
TRC1
Линейный температурный коэффициент RC
0C-1
0
TRC2
Квадратичный температурный коэффициент RC
0C-2
0
TRE1
Линейный температурный коэффициент RE
0C-1
0
TRE2
Квадратичный температурный коэффициент RE
0C-2
0
TRM1
Линейный температурный коэффициент RBM
0C-1
0
TRM2
Квадратичный температурный коэффициент RBM
0C-2
0
T_ABS
Абсолютная температура
0C
T_MEASURED
Температура измерений
0C
T_REL_GLOBAL
Относительная температура
0C
T_REL_LOCAL
Разность между температурой транзистора и модели-прототипа
0C
VAF (VA)*
Напряжение Эрли в нормальном режиме
В
?
VAR (VB)*
Напряжение Эрли в инверсном режиме
В
?
VJC (PC)
Контактная разность потенциалов перехода база-коллектор
В
0,75
VJE (PE)
Контактная разность потенциалов перехода база-эмиттер
В
0,75
VJS (PS)
Контактная разность потенциалов перехода коллектор-подложка
В
0,75
VO
Напряжение, определяющее перегиб зависимости тока эпитаксиальной области
В
10
VTF
Напряжение, характеризующее зависимость TF от смещения база-коллектор
В
?
XCJC
Коэффициент расщепления емкости база-коллектор CJC
1
XCJC2
Коэффициент расщепления емкости база-коллектор CJC
1
ХТВ
Температурный коэффициент BF и BR
0
XTF
Коэффициент, определяющий зависимость TF от смещения база-коллектор
0
ХТI (РТ)
Температурный коэффициент IS
3
* Только для модели Гуммеля-Пуна
Подобные документы
Принцип действия и основные физические процессы в транзисторе. Дифференциальные коэффициенты передачи токов транзистора. Вольт-амперные статические характеристики и параметры. Методика снятия семейства статических характеристики биполярного транзистора.
лабораторная работа [142,9 K], добавлен 08.11.2013Биполярные транзисторы, режимы работы, схемы включения. Инверсный активный режим, режим отсечки. Расчет h-параметров биполярного транзистора. Расчет стоко-затворных характеристик полевого транзистора. Определение параметров электронно-лучевой трубки.
курсовая работа [274,4 K], добавлен 17.03.2015Характеристика выпрямительного диода, стабилитрона, биполярного транзистора. Электрические параметры полупроводникового прибора, предельные эксплуатационные данные. Определение параметров полупроводников по их статическим вольтамперным характеристикам.
контрольная работа [883,8 K], добавлен 09.11.2010Экспериментальное определение характеристики биполярного транзистора в ключевом режиме, являющегося основой импульсных ключей. Измерение коэффициентов коллекторного тока с использованием мультиметра. Вычисление коэффициента насыщения транзистора.
лабораторная работа [33,1 K], добавлен 18.06.2015Физико-топологическая модель как модель расчета электрических параметров. Расчет распределения концентрации акцепторной и донорной примеси, скорости диффузии, расчет остальных параметров биполярного транзистора. Определение напряжения лавинного пробоя.
реферат [433,1 K], добавлен 12.06.2009Структура биполярного транзистора, сущность явления инжекции и экстракции неосновных носителей заряда. Распределение примесей в активной области транзистора. Топология биполярного транзистора, входные и выходные характеристики, сопротивление коллектора.
курсовая работа [409,8 K], добавлен 01.05.2014Рассмотрение пакета Electronics Workbench, проведение исследований. Знакомство с наиболее важными параметрами биполярного транзистора "2N3947". Анализ схемы снятия статистических характеристик. Основные способы увеличения напряжения питания на величину.
контрольная работа [146,8 K], добавлен 22.03.2015Модель Эберса-Молла и Гуммеля-Пуна, основанные на суперпозиции нормального и инверсного биполярного транзистора и токовых режимов его работы при инжекции из коллектора. Генераторы тока и их неидеальность в зарядовой модели, резисторные конфликты.
реферат [350,7 K], добавлен 13.06.2009Коллекторные характеристики БПТ. Дифференциальное сопротивление эмиттерного перехода в активном режиме. Коэффициент внутренней обратной связи по напряжению. Малосигнальные Т-образные модели БПТ. Параметры основной П-образной модели. Системы параметров.
реферат [330,5 K], добавлен 14.12.2008Практические навыки схемного введения биполярного транзистора в заданный режим покоя. Определение основных свойств транзистора в усилительном и ключевых режимах. Овладение методикой работы в учебной лаборатории в программно-аппаратной среде NI ELVIS.
лабораторная работа [1,3 M], добавлен 04.03.2015
