Исследование биполярного транзистора в ключевом режиме
Экспериментальное определение характеристики биполярного транзистора в ключевом режиме, являющегося основой импульсных ключей. Измерение коэффициентов коллекторного тока с использованием мультиметра. Вычисление коэффициента насыщения транзистора.
| Рубрика | Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника |
| Вид | лабораторная работа |
| Язык | русский |
| Дата добавления | 18.06.2015 |
| Размер файла | 33,1 K |
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
Размещено на http://www.allbest.ru
Лабораторная работа №2
Тема: Исследование биполярного транзистора в ключевом режиме
Цель: Изучить работу и экспериментально определить характеристику биполярного транзистора в ключевом режиме, являющегося основой импульсных ключей
Приборы и оборудование: мультиметр М830В, мультиметр EC-890G, мультиметр UT70A, блок питания, транзистор.
Теоретические сведения
Транзистор в ключевом режиме является основой ключевых схем импульсных и цифровых устройств. Назначение транзистора в ключевом режиме является замыкание и размыкание нагрузки.
Ход работы
Для измерения коллекторного тока используем мультиметр М830В. Подключим его. А в качестве вольтметра берем мультиметр ЕС-890G.
Получаем напряжение питания U=10 B.
Так как кнопка не нажата, поэтому тока базы нету.
Ток, проникающий через транзистор I=1 мкА.
Напряжение между коллектором и эмиттером Uкэ=10В. Транзистор закрыт.
Нажмём кнопку и подадим ток в базу. Для этого берем мультиметр UT70A и подключаем его как милиамперметр.
Базовый ток стал Iб=0.9 мА.
В тоже время коллекторный ток стал: Iк=18,8 мА. А напряжение коллектора стало Uк=0.3 В.
Вычислим коэффициент насыщения по формуле:
S=(Iб/Iк)*в, при в=50
S=(0.9/18.8)*50=2.4 S=2.4
Вывод: в ходе выполнения лабораторной работы мы опытным путем исследовали биполярный транзистор в ключевом режиме. В ходе исследования мы вычислили коэффициент насыщения транзистора, который равен S=2.4.
ключ биполярный транзистор
Контрольные вопросы
1)В каком состоянии будет схема, если базу транзистора соединить с эмиттером?
Чрез базу-эмиттер ничего течь не будет, а через эмиттер-коллектор ток покоя.
Когда через эмиттер-базу ничего не течет - транзистор закрывается и через эмиттер-коллектор перестает течь ток.
2) Что произойдёт, если резистор Rвх увеличить по сравнению с величиной в Rк , необходимой для открывания транзистора?
Если увеличить Rвх уменьшится ток базы. Также благодаря уменьшению входного тока, он не будет обладать высокой нагрузочной способностью.
3) Что необходимо изменить в схеме, если вместо n-p-n транзистора КТ 315 использовать аналогичный p-n-p транзистор КТ 361?
Необходимо поменять полярность питания.
Размещено на Allbest.ru
Подобные документы
Принцип действия и основные физические процессы в транзисторе. Дифференциальные коэффициенты передачи токов транзистора. Вольт-амперные статические характеристики и параметры. Методика снятия семейства статических характеристики биполярного транзистора.
лабораторная работа [142,9 K], добавлен 08.11.2013Свойства и возможности усилительных каскадов. Схема каскада с использованием биполярного транзистора, расчет параметров. Семейство статических входных и выходных характеристик. Расчет усилительного каскада по постоянному току графоаналитическим методом.
контрольная работа [235,3 K], добавлен 03.02.2012Практические навыки схемного введения биполярного транзистора в заданный режим покоя. Определение основных свойств транзистора в усилительном и ключевых режимах. Овладение методикой работы в учебной лаборатории в программно-аппаратной среде NI ELVIS.
лабораторная работа [1,3 M], добавлен 04.03.2015Исследование статических характеристик биполярного транзистора, устройство и принцип действия. Схема включения p-n-p транзистора в схеме для снятия статических характеристик. Основные технические характеристики. Коэффициент обратной передачи напряжения.
лабораторная работа [245,9 K], добавлен 05.05.2014Структура биполярного транзистора, сущность явления инжекции и экстракции неосновных носителей заряда. Распределение примесей в активной области транзистора. Топология биполярного транзистора, входные и выходные характеристики, сопротивление коллектора.
курсовая работа [409,8 K], добавлен 01.05.2014Технология изготовления биполярного транзистора КТ3107. Анализ процессов в биполярном транзисторе. Статистическая характеристика и эквивалентные схемы биполярного транзистора. Его работа на высоких частотах, в импульсном режиме. Математическая модель.
курсовая работа [4,2 M], добавлен 11.02.2008Выбор транзистора и расчет тока базы и эмиттера в рабочей точке. Эквивалентная схема биполярного транзистора, включенного по схеме общим эмиттером. Вычисление коэффициентов усиления по напряжению, току и мощности; коэффициента полезного действия.
курсовая работа [681,4 K], добавлен 19.09.2012Модель Эберса-Молла и Гуммеля-Пуна, основанные на суперпозиции нормального и инверсного биполярного транзистора и токовых режимов его работы при инжекции из коллектора. Генераторы тока и их неидеальность в зарядовой модели, резисторные конфликты.
реферат [350,7 K], добавлен 13.06.2009Биполярные транзисторы, режимы работы, схемы включения. Инверсный активный режим, режим отсечки. Расчет h-параметров биполярного транзистора. Расчет стоко-затворных характеристик полевого транзистора. Определение параметров электронно-лучевой трубки.
курсовая работа [274,4 K], добавлен 17.03.2015Модели биполярного транзистора в программе схемотехнического анализа PSpice. Представление уравнений, описывающих статические и электрические характеристики преобразователя. Зависимость параметров полупроводникового прибора от температуры и площади.
курсовая работа [510,2 K], добавлен 01.11.2010
