Исследование биполярного транзистора
Исследование статических характеристик биполярного транзистора, устройство и принцип действия. Схема включения p-n-p транзистора в схеме для снятия статических характеристик. Основные технические характеристики. Коэффициент обратной передачи напряжения.
Рубрика | Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника |
Вид | лабораторная работа |
Язык | русский |
Дата добавления | 05.05.2014 |
Размер файла | 245,9 K |
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
Размещено на http://www.allbest.ru/
Исследование биполярного транзистора
Цель работы: Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора.
Изучить его ВАХ в схеме включения с общей базой и определить параметры транзистора.
Рисунок 1. Схема включения p-n-p транзистора в схеме с ОБ для снятия статических характеристик
Тип транзистора: Транзисторы МП26А германиевые сплавные p-n-p универсальные низкочастотные. Предназначены для усиления и переключения сигналов низкой частоты. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Обозначение типа приводится на боковой поверхности корпуса. Масса транзистора не более 2 г.
Основные технические характеристики транзистора МП26А:
* Структура транзистора: p-n-p
* Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 200 мВт;
* fh21б - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 0,2 МГц;
* Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 70 В;
* Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 70 В;
* Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 400 мА;
* Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 75 мкА;
* h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно: 20…50;
* Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 15 пФ;
* Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 2,2 Ом;
* tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 1500 пс
Снимем и построим две входные характеристики транзистора IЭ=f(VЭБ) транзистора МП26A в схеме с ОБ при VКБ=0В и VКБ=10В. Первую характеристику будем снимать до напряжения, при котором IЭ=0,9IКМАКС, а вторую - до значения, при котором выполняется условие
PК=VКБIК PКМАКС.
Iэ= = = 20 мА
Результаты измерений входной ВАХ-ки транзистора МП26А в схеме с ОБ при VКБ=0В
Iэ, мА |
0 |
0,02 |
0,04 |
0,06 |
0,08 |
0,1 |
0,2 |
0,4 |
0,6 |
|
Vэб, В |
0 |
0,053 |
0,072 |
0,084 |
0,094 |
0,1 |
0,127 |
0,157 |
0,177 |
|
Iэ, мА |
0,8 |
1 |
2 |
4 |
6 |
8 |
10 |
20 |
||
Vэб, В |
0,192 |
0,2 |
0,248 |
0,3 |
0,35 |
0,38 |
0,41 |
0,51 |
Результаты измерений входной ВАХ-ки транзистора МП26А в схеме с ОБ при VКБ=10В
Iэ, мА |
0 |
0,02 |
0,04 |
0,06 |
0,08 |
0,1 |
0,2 |
0,4 |
0,6 |
0,8 |
|
Vэб, В |
0 |
0,028 |
0,048 |
0,058 |
0,066 |
0,72 |
0,91 |
0,113 |
0,125 |
0,133 |
|
Iэ, мА |
1 |
2 |
4 |
6 |
8 |
10 |
|||||
Vэб, В |
0,14 |
0,164 |
0,192 |
0,2 |
0,222 |
0,234 |
По данным приведённым в таблице начертим график:
==0.0176
Рассчитаем h-параметры транзистора МП26А в схеме с ОБ в активной области по снятой ВАХ-ке.
Найдем входное сопротивление при по формуле
:
1);
2) .
Найдем дифференциальный коэффициент обратной передачи напряжения при по формуле :
;
2. Снял выходные характеристики Iк =f(Vкб):
Результаты измерений выходной ВАХ-ки транзистора МП26А в схеме с ОБ при IЭ=2 мА
Iк, мА |
0 |
0,2 |
0,4 |
0,6 |
0,8 |
1 |
1,2 |
1,6 |
2 |
2,01 |
|
Vкб, В |
0,23 |
0,222 |
0,217 |
0,204 |
0,193 |
0,184 |
0,182 |
0,154 |
-0,5 |
-2 |
|
Iк, мА |
2,03 |
2,05 |
2,07 |
||||||||
Vкб, В |
-2,01 |
-10 |
-20 |
Результаты измерений выходной ВАХ-ки транзистора МП26А в схеме с ОБ при IЭ=5мА
Iк, мА |
0 |
0,2 |
0,4 |
0,6 |
0,8 |
1 |
1,4 |
1,6 |
2 |
2,5 |
3 |
|
Vкб, В |
0,301 |
0,296 |
0,288 |
0,285 |
0,282 |
0,279 |
0,278 |
0,273 |
0,263 |
0,255 |
0,221 |
|
Iк, мА |
3,5 |
4 |
4,2 |
4,4 |
4,6 |
4,7 |
4,8 |
4,85 |
4,86 |
4,87 |
5 |
|
Vкб, В |
0,213 |
0,2 |
0,174 |
0,164 |
0,15 |
0,146 |
0,06 |
-0,2 |
-5 |
-10 |
-20 |
Результаты измерений выходной ВАХ-ки транзистора МП26А в схеме с ОБ при IЭ=10 мА
Iк, мА |
0 |
0,2 |
0,4 |
0,6 |
0,8 |
1 |
2 |
4 |
6 |
|
Vкб, В |
0,362 |
0,362 |
0,36 |
0,358 |
0,357 |
0,355 |
0,345 |
0,319 |
0,284 |
|
Iк, мА |
8 |
9 |
9,4 |
9,5 |
9,58 |
9,77 |
10 |
|||
Vкб, В |
0,235 |
0,195 |
0 |
-2 |
-5,01 |
-10 |
-20 |
По данным приведённым в таблице начертим график:
биполярный транзистор напряжение схема
3. Найдем дифференциальный коэффициент передачи тока эмиттера :
h21= ==0,98 при Vкb=-10 B;
Найдем выходную проводимость транзистора :
h22===3,3*10-6См
h22===9,3*10-6См
h22===28*10-6См
В данной лабораторной работе мы ознакомились с устройством и принципом действия биполярного транзистора МП26A. Сняли ВАХ-ки и определили основные параметры данного транзистора. Определили основные входные характеристики при Vкб=0В и при Vкб=10В, а так же выходные характеристики при Iэ= 2 мА, Iэ= 5 мА, Iэ=10 мА.
По полученным ВАХ-кам, используя формулы, мы рассчитали h-параметры транзистора:
- входное сопротивление :
при VКБ=0В;
при VКБ=10В;
- коэффициент обратной передачи напряжения при Iэ=5 мА
;
- дифференциальный коэффициент передачи тока эмиттера :
при Vкb=-10 B;
- выходная проводимость транзистора :
Iэ=2 мА;
Iэ=5 мА;
Iэ=10 мА.
Полученные значения соответствуют приведенным типовым значениям и не превышают их.
- коэффициент обратной передачи напряжения лежит в пределах 10-1 - 10-3.
- входное сопротивление лежит в пределах 102 - 105 Ом.
- выходная проводимость лежит в пределах 10-4 - 10-6 Ом-1.
- дифференциальный коэффициент передачи тока эмиттера ~<1.
Транзистор МП26А является транзистором с p-n-p структурой, и обладает прямой проводимостью.
Размещено на Allbest.ru
Подобные документы
Принцип действия и основные физические процессы в транзисторе. Дифференциальные коэффициенты передачи токов транзистора. Вольт-амперные статические характеристики и параметры. Методика снятия семейства статических характеристики биполярного транзистора.
лабораторная работа [142,9 K], добавлен 08.11.2013Исследование полупроводниковых диодов. Изучение статических характеристик и параметров биполярного плоскостного транзистора в схеме с общим эмиттером. Принцип действия полевого транзистора. Электронно-лучевая трубка и проверка с ее помощью радиодеталей.
методичка [178,3 K], добавлен 11.12.2012Рассмотрение пакета Electronics Workbench, проведение исследований. Знакомство с наиболее важными параметрами биполярного транзистора "2N3947". Анализ схемы снятия статистических характеристик. Основные способы увеличения напряжения питания на величину.
контрольная работа [146,8 K], добавлен 22.03.2015Исследование статических характеристик биполярного транзистора. Наружная область с наибольшей концентрацией примеси. Схема подключения к источникам питания. Дифференциальное входное сопротивление. Дифференциальное сопротивление перехода база-эмиттер.
лабораторная работа [46,2 K], добавлен 02.08.2009Устройство, эквивалентная схема биполярного транзистора. Назначение эмиттера и коллектора. Основные параметры, принцип действия и схемы включения n–p–n транзистора. Режимы его работы в зависимости от напряжения на переходах. Смещение эмиттерного перехода.
реферат [266,3 K], добавлен 18.01.2017Свойства и возможности усилительных каскадов. Схема каскада с использованием биполярного транзистора, расчет параметров. Семейство статических входных и выходных характеристик. Расчет усилительного каскада по постоянному току графоаналитическим методом.
контрольная работа [235,3 K], добавлен 03.02.2012Биполярные транзисторы, режимы работы, схемы включения. Инверсный активный режим, режим отсечки. Расчет h-параметров биполярного транзистора. Расчет стоко-затворных характеристик полевого транзистора. Определение параметров электронно-лучевой трубки.
курсовая работа [274,4 K], добавлен 17.03.2015Экспериментальное определение характеристики биполярного транзистора в ключевом режиме, являющегося основой импульсных ключей. Измерение коэффициентов коллекторного тока с использованием мультиметра. Вычисление коэффициента насыщения транзистора.
лабораторная работа [33,1 K], добавлен 18.06.2015Практические навыки схемного введения биполярного транзистора в заданный режим покоя. Определение основных свойств транзистора в усилительном и ключевых режимах. Овладение методикой работы в учебной лаборатории в программно-аппаратной среде NI ELVIS.
лабораторная работа [1,3 M], добавлен 04.03.2015Структура биполярного транзистора, сущность явления инжекции и экстракции неосновных носителей заряда. Распределение примесей в активной области транзистора. Топология биполярного транзистора, входные и выходные характеристики, сопротивление коллектора.
курсовая работа [409,8 K], добавлен 01.05.2014