Расчет каскада предварительного усиления на биполярном транзисторе

Выбор транзистора и расчет тока базы и эмиттера в рабочей точке. Эквивалентная схема биполярного транзистора, включенного по схеме общим эмиттером. Вычисление коэффициентов усиления по напряжению, току и мощности; коэффициента полезного действия.

Рубрика Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника
Вид курсовая работа
Язык русский
Дата добавления 19.09.2012
Размер файла 681,4 K

Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже

Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.

Размещено на http://www.allbest.ru/

Министерство образования и науки Российской Федерации

Государственное образовательное учреждение

высшего профессионального образования

"Курский государственный университет"

Кафедра нанотехнологий

Пояснительная записка к курсовому проекту

по курсу "Схемотехника"

Расчет каскада предварительного усиления на биполярном транзисторе

Курск 2012

1. Рассчитать параметры элементов принципиальной схемы однотактного усилительного каскада (УК) предварительного усиления на биполярном транзисторе, включенном по схеме с общим эмиттером и стабилизацией тока покоя с помощью последовательной ООС (ООС по току), режим работы каскада по постоянному току, входное и выходное сопротивления, коэффициенты усиления по напряжению, току и мощности, коэффициент полезного действия.

2. Провести моделирование рассчитанного усилительного каскада. Сравнить результаты моделирования с результатами расчета.

ИСХОДНЫЕ ДАННЫЕ

1. Принципиальная схема усилительного каскада представлена на рисунке 1.

транзистор эмиттер биполярный ток

2. Параметры входного и выходного сигналов, нагрузки и допустимого уровня частотных искажений М представлены соответственно в таблицах 1 и 2.

Таблица 1

Параметр

Ед. изм

Первая цифра номера варианта

Uвх

В

0,1

0,2

0,3

0,4

Uвых

В

1

2

3

4

fв

кГц

1000

800

600

400

fн

кГц

500

400

300

200

Таблица 2

Параметр

Ед. изм

Вторая цифра номера варианта

Rн

Ом

100

200

300

400

Cн

пФ

6

5

5

4

М

дБ

3

3

2

2

МЕТОДИКА РАСЧЕТА

1. Расчет положения рабочей точки транзистора

Задаться:

- сопротивлением в цепи коллектора

;(1)

- падением напряжения на Rэ + Roc (на Rэ если Roc отсутствует в схеме)

.(2)

Определить:

- эквивалентное сопротивление нагрузки УК по переменному току

,(3)

где - выходное сопротивление каскада;

- требуемое значение напряжение коллектор-эмиттер в рабочей точке (с учетом температурной нестабильности - плюс 10%) (рисунок 2)

,(4)

Где - амплитуда выходного напряжения;

U - напряжение начального нелинейного участка выходных статических характеристик транзистора, U=(1...2) В;

- требуемое значение тока коллектора в рабочей точке (с учетом температурной нестабильности - плюс 10%) (рисунок 2)

;(5)

- среднюю мощность, рассеиваемую на коллекторе

, (6)

которая не должна превышать предельного значения Ркmax взятого из справочных данных на транзистор;

Рисунок 2

требуемое значение напряжения источника питания Е

,(7)

гдеU=IR- падение напряжения на R.

При этом напряжение источника питания E не должно превышать U используемого транзистора и должно соответствовать рекомендованному ряду:

Е=(5; 6; 6,3; 9; 10; 12; 12,6; 15; 20; 24; 27; 30; 36) B.

Если в результате расчета Е не будет соответствовать значению из рекомендованного ряда, то путем вариации в формуле следует подогнать значение Е под ближайшее из рекомендованного ряда;

- напряжение на базе в рабочей точке

,(8)

где - напряжение база-эмиттер в рабочей точке, =(0,6…0,9)В (для кремниевых транзисторов);

- напряжение на коллекторе в рабочей точке

.(9)

2. Выбор транзистора и расчет тока базы и эмиттера в рабочей точке

Выбрать транзистор (из приведенных в таблице 3 или в [6]. [7]) с учетом следующих предельных параметров:

- предельно допустимое напряжение коллектор-эмиттер

;(10)

- предельно допустимое напряжение коллектор-база

;(11)

- предельно допустимый ток коллектора

;(12)

- предельно допустимая мощность, рассеиваемая на коллекторе

;(13)

- граничная частота усиления транзистора по току в схеме с ОЭ

.(14)

Определить:

- ток базы в рабочей точке

;(15)

- ток эмиттера в рабочей точке

.(16)

Таблица 3

Наименов. Параметра

Ед. изм.

Наименование транзистора (n-p-n)

2SC1815

2SC2001

2SC2120

2SC2665

2N1711

2N2222А

2N2923

Uкб max

В

60

30

35

50

75

60

25

Uкэ max

В

50

25

30

50

50

30

25

Iк max

А

0,15

0,7

0,8

2

0,5

0,8

0,1

Pк max

Вт

0,4

0,6

0,6

0,9

0,8

0,5

0,36

fТ

МГц

80

50

120

100

70

250

100

в

-

50

200

180

130

75

150

100

фос

псек

300

2500

1300

3000

2500

480

1000

Ск

пФ

3

25

13

30

25

8

10

Наименов. Параметра

Ед. изм.

Наименование транзистора (n-p-n)

2N3903

2N4400

2N4123

2N4264

2N5223

2N5232

2N5769

Uкб max

В

60

60

40

30

25

70

40

Uкэ max

В

40

40

30

15

20

50

15

Iк max

А

0,2

0,6

0,2

0,2

0,1

0,1

0,2

Pк max

Вт

0,625

0,625

0,31

0,35

0,625

0,33

0,35

fТ

МГц

250

200

250

300

150

50

100

в

-

50

80

80

70

200

300

40

фос

псек

400

650

400

400

400

400

400

Ск

пФ

4

6,5

4

4

4

4

4

Примечание: Емкость коллекторного перехода Ск приведена для случая когда напряжение коллектор-база Uкб ном равно 10 В.

3. Расчет эквивалентных параметров транзистора

При использовании транзисторов до (0,2…0,3) возможно использование упрощенных эквивалентных моделей транзисторов, параметры элементов которых легко определяются на основе справочных данных. Эквивалентная схема биполярного транзистора, включенного по схеме с ОЭ, приведена на рисунке 3.

Рисунок 3 - Эквивалентная схема биполярного транзистора, включенного по схеме с ОЭ

Определить на основе справочных данных транзистора:

- распределенное сопротивление базы

,(17)

где - постоянная времени цепи внутренней обратной связи в транзисторе на ВЧ; - емкость коллекторного перехода при (паспортные данные);

- сопротивление эмиттерного перехода

,(18)

Где ;

- сопротивление коллекторного перехода

,(19)

- емкость коллекторного перехода при

;(20)

- входную проводимость [См]

;(21)

- крутизну передаточной характеристики [А/В]

.(22)

3. Расчет параметров каскада

Задаться током базового делителя, образованного резисторами R и R:

.(23)

Определить:

- сопротивления резисторов базового делителя:

;(24)

;(25)

Номиналы сопротивлений резисторов должны соответствовать ряду Е48;

- требуемый коэффициент усиления каскада по напряжению в области средних частот

[дБ](26)

- глубину ООС последовательной связи по току

(27)

- сопротивление резисторов обратной связи и термостабилизации:

;(28)

;(29)

Номиналы сопротивлений резисторов должны соответствовать ряду Е48;

- мощности, рассеиваемые на резисторах:

(30)

;(31)

;(32)

;(33)

.(34)

(35)

Номиналы мощностей резисторов должны в 1,3…2 раза превышать значения рассеиваемых на резисторах мощностей и соответствовать следующему ряду:

PR = (0,062; 0,125; 0,25; 0,5; 1; 2) Вт;

- входное сопротивление каскада

(36)

где- входное сопротивление транзистора с ОЭ;

- эквивалентное сопротивление базового делителя (параллельное соединение и );

- коэффициент усиления по току

[дБ](37)

- коэффициент усиления по мощности

[дБ](38)

- мощность, потребляемая каскадом

(39)

- коэффициент полезного действия

(40)

коэффициент частотных искажений в области низких частот, вносимых каждой из емкостей

,(41)

где n - количество емкостей в схеме (n=3);

- значение емкостей разделительного и эмиттерного конденсаторов

;(42)

;(43)

.(44)

Номиналы емкостей конденсаторов должны соответствовать ряду Е12;

- максимально допустимое рабочее напряжение конденсаторов:

;(45)

;(46)

.(47)

Максимально допустимые рабочие напряжения конденсаторов должны соответствовать следующему ряду:

UC = (6,3; 10; 16; 20; 25; 35; 50) B;

- максимально допустимое значение постоянной времени каскада в области высоких частот

;(48)

- ожидаемое значение постоянной времени каскада

,(49)

где - постоянная времени передачи тока базы транзистора;

- постоянная времени перезаряда емкости коллекторного перехода;

- постоянная времени нагрузки.

Если , то ожидаемые искажения будут не более заданных. В противном случае, т.е. когда , возможно уменьшение путем снижения (уменьшение номинала ), после чего следует уточнить положение рабочей точки и т.д., т.е. проделать цикл вычислений, аналогичный рассмотренному.

Результаты расчета параметров элементов принципиальной схемы, параметров и положения рабочей точки каскада предварительного усиления свести соответственно в таблицы 4 - 7.

Провести моделирование каскада предварительного усиления (рисунок 4). Оценить положение рабочей точки, коэффициент усиления каскада по напряжению в средине, начале и конце диапазона рабочих частот: на частотах .

Результаты моделирования (оценки параметров) занести соответственно в таблицы 7 и 8.

Сравнить результаты расчета и моделирования.

Рисунок 4 - Пример моделирования каскада предварительного усиления в среде NI Multisim 10

Литература

1. Расчет электронных схем. Примеры и задачи: Учеб. пособие для вузов по спец. электрон. техники/ Г.И. Изъюрова, Г.В. Королев, В.А.Терехов и др. - М: Высшая школа, 1987. - 335 с.

2. Остапенко Г.С. Усилительные устройства: Учеб. пособие для вузов. - М: Радио и связь, 1989. - 400 с.

3. Войшило Г.В. Усилительные устройства Учебник для вузов. - М: Радио и связь, 1983. - 264 с.

4. Савченко С.А. Расчет усилителей низкой частоты: Учеб. Пособие. - Челябинск: ЧГАУ, 1997. - 74 с.

5. Павлов В.Н., Ногин В.Н. Схемотехника аналоговых электронных устройств: Учебник для вузов. - М.: Горячая линия - Телеком, 2001. - 320 с.

6. www.alltransistors.com/.

7. www.datasheetcatalog.com/datasheets_pdf/

Размещено на Allbest.ru


Подобные документы

  • Определение основных характеристик усилительных каскадов в биполярном транзисторе по схеме с общим эмиттером с температурной стабилизацией. Режим покоя между коллектором и эмиттером. Определение коэффициентов усиления по напряжению. Режим покоя каскада.

    лабораторная работа [47,7 K], добавлен 18.06.2015

  • Расчет и компьютерное моделирование усилителя на примере усилительного каскада на биполярном транзисторе в схеме включения с общим эмиттером. Выбор параметров, соответствующих максимальному использованию транзистора. Электрическая схема каскада.

    курсовая работа [1,1 M], добавлен 09.05.2013

  • Свойства и возможности усилительных каскадов. Схема каскада с использованием биполярного транзистора, расчет параметров. Семейство статических входных и выходных характеристик. Расчет усилительного каскада по постоянному току графоаналитическим методом.

    контрольная работа [235,3 K], добавлен 03.02.2012

  • Расчет элементов схемы по постоянному току. Определение координат рабочей точки транзистора на выходных характеристиках. Графоаналитическтй расчет параметров усилителя, каскада по переменному сигналу. Нахождение постоянного тока и мощности в режиме покоя.

    курсовая работа [5,3 M], добавлен 14.03.2014

  • Расчет усилительного каскада, включенного по схеме с ОЭ. Компоненты схемы, ее расчет по постоянному току. Анализ схемы усилительного каскада с общим эмиттером, реализованной на биполярном транзисторе, ее моделирование с помощью MathCad15.0 и Micro-Cap9.0.

    курсовая работа [1,9 M], добавлен 23.03.2012

  • МП 40 - транзисторы германиевые сплавные, усилительные низкочастотные с ненормированным коэффициентом шума на частоте 1кГц. Паспортные данные транзистора. Структурная схема каскада с общим эмиттером. Динамические характеристики усилительного каскада.

    курсовая работа [120,0 K], добавлен 19.10.2014

  • Описание характеристик транзистора. Построение практической схемы каскада с общим эмиттером. Выбор режима работы усилителя. Алгоритм расчета делителя в цепи базы, параметров каскада. Оценка нелинейных искажений каскада. Выбор резисторов и конденсаторов.

    курсовая работа [1,0 M], добавлен 03.03.2014

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу.