Принцип работы фоточувствительных приборов с зарядовой связью
Типы структур фотоприемных ячеек фоточувствительных приборов с зарядовой связью (ФПЗС). Накопление заряда в пикселях ФПЗС и его перенос. Метод краевой функции рассеяния. Зависимость модуляции от параметров. Моделирование ФПЗС с обратной засветкой.
| Рубрика | Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника |
| Вид | дипломная работа |
| Язык | русский |
| Дата добавления | 03.07.2014 |
| Размер файла | 1,9 M |
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
temp_ramp name=n21 temperature=950<C> time=10<min> N2
temp_ramp name=n21 temperature=950<C> time=400<min> N2
temp_ramp name=n21 temperature=950<C> time=15<min> N2
temp_ramp name=n21 temperature=950<C> time=50<min> N2 trate=-2<C/min>
temp_ramp name=n21 temperature=850<C> time=25<min> N2 last
diffuse temp.ramp=n21
# ( No22 MASK for STOP KANAL )
# Etch(material=Nitride, remove=115nm, rate(a1=1000), over=1)
# ( No 27 OXIDE REMOVING ALL - 250 nm )
etch oxide thickness=0.255 rate= {1} etchstop.overetch=0.01
# ( No 28 LOCAL OXIDATION )
temp_ramp name=n28 temperature=850<C> time=40<min> N2
temp_ramp name=n28 temperature=850<C> time=35<min> N2 trate=4.286<C/min>
temp_ramp name=n28 temperature=1000<C> time=16<min> N2
temp_ramp name=n28 temperature=1000<C> time=10<min> O2
temp_ramp name=n28 temperature=1000<C> time=55<min> H2O
temp_ramp name=n28 temperature=1000<C> time=15<min> N2
temp_ramp name=n28 temperature=1000<C> time=50<min> N2 trate=-3<C/min>
temp_ramp name=n28 temperature=850<C> time=25<min> N2 last
diffuse temp.ramp=n28
# ( 'No 30 OXIDE REMOVING IN LOCOS' )
etch oxide thickness=0.04 rate= {1} etchstop.overetch=0.01
# ( No 30 NITRIDE REMOVING ALL - 110 nm )
etch nitride thickness=0.115 rate= {1} etchstop.overetch=0.01
# ( No 30 OXIDE REMOVING DO DOROZKI SKRAIBIROVANIA )
etch oxide thickness=0.0425 rate= {1} etchstop.overetch=0.01
# ( No 32 oxidation 35 nm )
temp_ramp name=n32 temperature=850<C> time=40<min> N2
temp_ramp name=n32 temperature=850<C> time=25<min> N2 trate=4<C/min>
temp_ramp name=n32 temperature=950<C> time=16<min> N2
temp_ramp name=n32 temperature=950<C> time=10<min> O2
temp_ramp name=n32 temperature=950<C> time=8<min> gas.flow=O2_H2
temp_ramp name=n32 temperature=950<C> time=15<min> N2
temp_ramp name=n32 temperature=950<C> time=35<min> N2 trate=-4.286<C/min>
temp_ramp name=n32 temperature=800<C> time=25<min> N2 last
diffuse temp.ramp=n32
# ( No 33 TRAVLENIE 35 nm )
etch oxide thickness=0.035 rate= {1} etchstop.overetch=0.02
# ( No 34 Oxidation 50 nm UNDER GATE )
gas_flow name=O2_0.1_N2_0.9 flowO2=0.1 flowN2=0.9
gas_flow name=O2_0.5_H2_0.4 flowO2=0.5 flowH2=0.4
temp_ramp name=n34 temperature=800<C> time=30<min> N2
temp_ramp name=n34 temperature=800<C> time=14<min> trate=7.143<C/min> gas_flow=O2_0.1_N2_0.9
temp_ramp name=n34 temperature=900<C> time=6<min> gas_flow=O2_0.1_N2_0.9
temp_ramp name=n34 temperature=900<C> time=5<min> O2
temp_ramp name=n34 temperature=900<C> time=22<min> gas_flow=O2_0.5_H2_0.4
temp_ramp name=n34 temperature=900<C> time=10<min> N2
temp_ramp name=n34 temperature=900<C> time=67<min> N2 trate=-1.493<C/min>
temp_ramp name=n34 temperature=800<C> time=25<min> N2 last
diffuse temp.ramp=n34
# ( No 35 DEPOSIT NITRIDE 65 nm )
deposit nitride thickness=0.065 type=isotropic
# ( No 36 SI3N4 OXIDATION )
temp_ramp name=n36 temperature=850<C> time=40<min> N2
temp_ramp name=n36 temperature=850<C> time=35<min> N2 trate=4.286<C/min>
temp_ramp name=n36 temperature=1000<C> time=16<min> N2
temp_ramp name=n36 temperature=1000<C> time=10<min> N2
temp_ramp name=n36 temperature=1000<C> time=50<min> N2
temp_ramp name=n36 temperature=1000<C> time=15<min> N2
temp_ramp name=n36 temperature=1000<C> time=50<min> N2 trate=-4<C/min>
temp_ramp name=n36 temperature=800<C> time=25<min> N2 last
diffuse temp.ramp=n36
# ( Arsenicum IMPLANT )
implant Arsenic energy=380 dose=1.25e12
# ( diffusion 7)
temp_ramp name=n_impl temperature=850<C> time=25<min> N2
temp_ramp name=n_impl temperature=850<C> time=15<min> N2
temp_ramp name=n_impl temperature=850<C> time=35<min> N2 trate=4.286<C/min>
temp_ramp name=n_impl temperature=1000<C> time=420<min> N2
temp_ramp name=n_impl temperature=1000<C> time=50<min> N2 trate=-4<C/min>
temp_ramp name=n_impl temperature=800<C> time=25<min> N2 last
diffuse temp.ramp=n_impl
# ( No 40 SI3N4 OXIDATION )
diffuse temp.ramp=n36
# ( No 41 1-nd POLYSILICON DEPOSITION (0.5-0.6 mkm )
deposit poly thickness=0.55
#element=P concentration=1e20
# ( No 43 DIFFUSIA FOSFORA - TEMPERATURES )
temp_ramp name=n_41 temperature=900<C> time=90<min> N2
diffuse temp.ramp=n_41
temp_ramp name=n_43 temperature=850<C> time=101<min> N2
temp_ramp name=n_43 temperature=850<C> time=15<min> N2 trate=-3.333<C/min>
temp_ramp name=n_43 temperature=800<C> time=25<min> N2 last
diffuse temp.ramp=n_43
# ( No 49 1-GO POLY-Si OXIDATION )
temp_ramp name=n49 temperature=850<C> time=40<min> N2
temp_ramp name=n49 temperature=850<C> time=35<min> N2 trate=4.286<C/min>
temp_ramp name=n49 temperature=1000<C> time=16<min> N2
temp_ramp name=n49 temperature=1000<C> time=10<min> N2
temp_ramp name=n49 temperature=1000<C> time=16<min> N2
temp_ramp name=n49 temperature=1000<C> time=15<min> N2
temp_ramp name=n49 temperature=1000<C> time=50<min> N2 trate=-4<C/min>
temp_ramp name=n49 temperature=800<C> time=25<min> N2 last
diffuse temp.ramp=n49
# ( No 53 OTZIG 900gr - 10min )
temp_ramp name=n_53 temperature=900<C> time=10<min> N2 last
diffuse temp.ramp=n_53
# ( No 59 DIFFUSIA FOSFORA - TEMPERATURES )
diffuse temp.ramp=n_43
# ( No 66 oxidation 25 nm )
temp_ramp name=n66 temperature=850<C> time=40<min> N2
temp_ramp name=n66 temperature=850<C> time=10<min> N2
temp_ramp name=n66 temperature=850<C> time=30<min> N2
temp_ramp name=n66 temperature=850<C> time=65<min> N2
temp_ramp name=n66 temperature=850<C> time=35<min> N2 trate=-1.428<C/min>
temp_ramp name=n66 temperature=800<C> time=25<min> N2 last
diffuse temp.ramp=n66
# ( 26.036 IMPLANTATION STOK )
implant Arsenic energy=100 dose=1.25e15 tilt=7 rotation=0
implant Arsenic energy=100 dose=1.25e15 tilt=7 rotation=90
implant Arsenic energy=100 dose=1.25e15 tilt=7 rotation=180
implant Arsenic energy=100 dose=1.25e15 tilt=7 rotation=270
temp_ramp name=n_26.036 temperature=900<C> time=30<min> N2 last
diffuse temp.ramp=n_26.036
#etch resist
deposit oxide thickness=0.5 type=isotropic
# ( 32.140 OXIDATION 250 A - TEMPERATURES ONLY!!! )
temp_ramp name=n32.140 temperature=850<C> time=20<min> N2
temp_ramp name=n32.140 temperature=850<C> time=18<min> N2
temp_ramp name=n32.140 temperature=850<C> time=40<min> N2 last
diffuse temp.ramp=n32.140
# ( 32.121 SiO2 FIRM )
temp_ramp name=n32.121 temperature=850<C> time=20<min> N2
temp_ramp name=n32.121 temperature=850<C> time=10<min> N2 trate=7<C/min>
temp_ramp name=n32.121 temperature=920<C> time=90<min> N2
temp_ramp name=n32.121 temperature=920<C> time=20<min> N2 trate=-3.5<C/min>
temp_ramp name=n32.121 temperature=850<C> time=10<min> N2 last
diffuse temp.ramp=n32.121
# ( 32.125 HETTER ONLY TEMPERATURE )
temp_ramp name=n32.125 temperature=1040<C> time=5<min> trate=6<C/min>
temp_ramp name=n32.125 temperature=1070<C> time=13<min>
temp_ramp name=n32.125 temperature=1070<C> time=80<min> trate=-3.625<C/min>
temp_ramp name=n32.125 temperature=780<C> time=5<min> last
diffuse temp.ramp=n32.125
# ( No 78 OTZIG 850gr - 30min )
temp_ramp name=n78 temperature=850<C> time=70<min> N2
temp_ramp name=n78 temperature=850<C> time=15<min> N2 trate=-3.333<C/min>
temp_ramp name=n78 temperature=800<C> time=25<min> N2 last
diffuse temp.ramp=n78
# ( No 80 OPLAVLENIE BFSS - 850gr - 30min )
diffuse temp.ramp=n78
# ( No 81 OTZIG 550gr - 20min )
temp_ramp name=n81 temperature=850<C> time=70<min> N2
diffuse temp.ramp=n81
struct tdr=1_new_ccd1d_14.04.14
Размещено на Allbest.ru
Подобные документы
Проведение анализа устройства и применения фоточувствительных приборов с зарядовой связью (ФПЗС) на метало-диэлектрик-полупроводниковых интегральных схемах. Физические механизмы, определяющие перенос зарядов. Металл, используемый для получения контактов.
курсовая работа [1,3 M], добавлен 09.12.2015Разработка системы на основе микроконтроллера для обработки изображения, принимаемого от прибора с зарядовой связью (ПЗС). Принцип работы ПЗС. Схема электрическая принципиальная. Программы для захвата сигналов от ПЗС на микроконтроллер и их обработки.
курсовая работа [1,3 M], добавлен 22.09.2012Физические принципы работы фотоприемников на приборах с зарядовой связью. Матричный ПЗС с разделением цветовых сигналов. Технологии комплементарных структур метал–оксид–полупроводник (КМОП). Фотоприёмники с координатной адресацией; телевизионный сигнал.
презентация [1,8 M], добавлен 14.12.2013Понятие и функциональные особенности прибора с зарядовой связью (ПЗС). Физические основы работы и конструкции ПЗС. Понятие и характеристика формирователя сигналов изображений (ФСИ). Строчные и матричные ФСИ на ПЗС. Перспективы развития ФСИ на ПЗС.
реферат [1,9 M], добавлен 16.08.2010Конструкции полевых транзисторов с управляющим р-п переходом. Стоко-затворная и стоковая (выходная) характеристики, параметры и принцип действия транзисторов. Структура транзисторов с изолированным затвором. Полупроводниковые приборы с зарядовой связью.
реферат [822,3 K], добавлен 21.08.2015Сравнительный анализ существующих способов построения телевизионных камер на приборах с зарядовой связью (ПЗС). Этапы синтеза схем управления вертикальным и горизонтальным переносом зарядов в матрице ПЗС. Разработка блока обработки видеосигнала.
курсовая работа [2,8 M], добавлен 27.11.2013Проектирование многокаскадного усилителя переменного тока с отрицательной обратной связью. Расчет статических и динамических параметров электронного устройства, его схематическое моделирование на ЭВМ с использованием программного продукта Microcap 3.
курсовая работа [664,4 K], добавлен 05.03.2011Методика проектирования многокаскадного усилителя переменного тока с обратной связью. Расчет статических и динамических параметров усилителя, его моделирование на ЭВМ с использованием программного продукта MicroCap III, корректировка параметров.
курсовая работа [1,7 M], добавлен 13.06.2010Структурная схема усилителя с одноканальной обратной связью. Выбор и расчет режима работы выходного каскада. Расчет необходимого значения глубины обратной связи. Определение числа каскадов усилителя. Выбор транзисторов предварительных каскадов.
курсовая работа [531,0 K], добавлен 23.04.2015Основные понятия оптики. Построение изображений с помощью интегральных линз Френеля. Защита интеллектуальной собственности, водяные знаки. Методика расчета кремниевых фотодиодов. Обработка и реконструкция изображений. Камеры и приборы с зарядовой связью.
реферат [554,3 K], добавлен 19.07.2010
