Силові IGBT і MOSFET транзистори

Особливості застосування силових транзисторів IGBT і MOSFET, які стали основними елементами, вживаними в могутніх імпульсних перетворювачах. Технічні характеристики драйверів для захисту від перевантажень: драйвер трьохфазного моста та нижнього плеча.

Рубрика Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника
Предмет Радіоелектроніка
Вид реферат
Язык украинский
Прислал(а) vip
Дата добавления 06.11.2010
Размер файла 231,5 K

Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже

Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.


Подобные документы

  • Разработка структурной функциональной схемы устройства, его аппаратного обеспечения: выбор микроконтроллера, внешней памяти программ, устройства индикации, IGBT транзистора и драйвера IGBT, стабилизатора напряжения. Разработка программного обеспечения.

    курсовая работа [495,1 K], добавлен 23.09.2011

  • Основні вимоги, що пред'являються до головних електроприводам екскаваторів. Мікропроцесорні засоби для захисту двигунів змінного струму від перевантажень. Технічні параметри зразку пристрою захисту екскаваторних двигунів. Структурна схема пристрою.

    курсовая работа [2,6 M], добавлен 18.06.2015

  • Призначення та класифікація згладжувальних фільтрів. Однокаскадні згладжувальні фільтри з R, L та C елементами. Схема електрична принципова ємнісного фільтра з мостовим однофазним випрямлячем. Особливості роботи дроселя. Засади застосування транзисторів.

    курсовая работа [1,4 M], добавлен 13.07.2013

  • Розрахнок підсилювача імпульсних сигналів на транзисторах. Вибрані транзистори і прийнята схема забезпечують отримання заданих параметрів без застосування високочастотної корекції. Кількість підсилювальних каскадів є оптимальною з технічних міркувань.

    реферат [666,1 K], добавлен 18.01.2011

  • Биполярные транзисторы с изолированным затвором (РТ) новой технологии (IGBT) против полевых МОП транзисторов. Улучшенные динамические характеристики. Рабочие частоты и токи. Положительный температурный коэффициент. Потери проводимости и переключения.

    статья [176,9 K], добавлен 27.09.2009

  • Технічна характеристика будови, принципу роботи і сфера застосування діодів – двоелектродного електронного приладу що володіє різною провідністю залежно від напряму струму. Пристрій і характеристика транзисторів і їх активної міжелектродної провідності.

    реферат [420,1 K], добавлен 14.10.2010

  • Принцип дії інвертора. Перетворювачі на основі автогенератора Ройєра. Застосування дроселів насичення для забезпечення перемикання транзисторів при зменшенні струму бази. Самозахист від короткого замикання внаслідок розмикання декількох транзисторів.

    курсовая работа [1,4 M], добавлен 13.07.2013

  • Технічні характеристики, особливості та область застосування прецизійних резисторів: точність, робоча напруга і частотний діапазон. Переваги і недоліки, стабільність і збереженість товстоплівкових, тонкоплівкових, композиційних і дротяних резисторів.

    реферат [527,7 K], добавлен 24.03.2011

  • Дослідження динамічних властивостей імпульсних автоматичних систем. Поняття й визначення передатної функції розімкнутої імпульсної системи. Оцінка стійкості системи, складання її характеристичних рівнянь. Якість процесів у лінійних імпульсних системах.

    реферат [251,4 K], добавлен 25.11.2010

  • Аналіз та стан засобів радіорелейного зв’язку, принципи їх побудови. Особливості та технічні характеристики радіорелейних станцій, що знаходяться на озброєнні в українській армії. Перспективні схемо-технічні рішення для побудови радіорелейного комплексу.

    дипломная работа [187,8 K], добавлен 23.01.2010

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу.