Силові IGBT і MOSFET транзистори
Особливості застосування силових транзисторів IGBT і MOSFET, які стали основними елементами, вживаними в могутніх імпульсних перетворювачах. Технічні характеристики драйверів для захисту від перевантажень: драйвер трьохфазного моста та нижнього плеча.
| Рубрика | Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника |
| Вид | реферат |
| Язык | украинский |
| Дата добавления | 06.11.2010 |
| Размер файла | 231,5 K |
Соглашение об использовании материалов сайта
Просим использовать работы, опубликованные на сайте, исключительно в личных целях. Публикация материалов на других сайтах запрещена.
Данная работа (и все другие) доступна для скачивания совершенно бесплатно. Мысленно можете поблагодарить ее автора и коллектив сайта.
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
Подобные документы
Разработка структурной функциональной схемы устройства, его аппаратного обеспечения: выбор микроконтроллера, внешней памяти программ, устройства индикации, IGBT транзистора и драйвера IGBT, стабилизатора напряжения. Разработка программного обеспечения.
курсовая работа [495,1 K], добавлен 23.09.2011Основні вимоги, що пред'являються до головних електроприводам екскаваторів. Мікропроцесорні засоби для захисту двигунів змінного струму від перевантажень. Технічні параметри зразку пристрою захисту екскаваторних двигунів. Структурна схема пристрою.
курсовая работа [2,6 M], добавлен 18.06.2015Призначення та класифікація згладжувальних фільтрів. Однокаскадні згладжувальні фільтри з R, L та C елементами. Схема електрична принципова ємнісного фільтра з мостовим однофазним випрямлячем. Особливості роботи дроселя. Засади застосування транзисторів.
курсовая работа [1,4 M], добавлен 13.07.2013Розрахнок підсилювача імпульсних сигналів на транзисторах. Вибрані транзистори і прийнята схема забезпечують отримання заданих параметрів без застосування високочастотної корекції. Кількість підсилювальних каскадів є оптимальною з технічних міркувань.
реферат [666,1 K], добавлен 18.01.2011Биполярные транзисторы с изолированным затвором (РТ) новой технологии (IGBT) против полевых МОП транзисторов. Улучшенные динамические характеристики. Рабочие частоты и токи. Положительный температурный коэффициент. Потери проводимости и переключения.
статья [176,9 K], добавлен 27.09.2009Технічна характеристика будови, принципу роботи і сфера застосування діодів – двоелектродного електронного приладу що володіє різною провідністю залежно від напряму струму. Пристрій і характеристика транзисторів і їх активної міжелектродної провідності.
реферат [420,1 K], добавлен 14.10.2010Принцип дії інвертора. Перетворювачі на основі автогенератора Ройєра. Застосування дроселів насичення для забезпечення перемикання транзисторів при зменшенні струму бази. Самозахист від короткого замикання внаслідок розмикання декількох транзисторів.
курсовая работа [1,4 M], добавлен 13.07.2013Технічні характеристики, особливості та область застосування прецизійних резисторів: точність, робоча напруга і частотний діапазон. Переваги і недоліки, стабільність і збереженість товстоплівкових, тонкоплівкових, композиційних і дротяних резисторів.
реферат [527,7 K], добавлен 24.03.2011Дослідження динамічних властивостей імпульсних автоматичних систем. Поняття й визначення передатної функції розімкнутої імпульсної системи. Оцінка стійкості системи, складання її характеристичних рівнянь. Якість процесів у лінійних імпульсних системах.
реферат [251,4 K], добавлен 25.11.2010Аналіз та стан засобів радіорелейного зв’язку, принципи їх побудови. Особливості та технічні характеристики радіорелейних станцій, що знаходяться на озброєнні в українській армії. Перспективні схемо-технічні рішення для побудови радіорелейного комплексу.
дипломная работа [187,8 K], добавлен 23.01.2010
