Измерение удельного сопротивления четырехзондовым методом и определение типа проводимости по знаку термоЭДС
Определение удельного сопротивления полупроводникового образца с использованием четырехзондовой методики; а также типа проводимости по знаку термоЭДС с использованием термозонда с учетом и без учета поправочных коэффициентов; метрологические показатели.
Рубрика | Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника |
Вид | практическая работа |
Язык | русский |
Дата добавления | 22.09.2011 |
Размер файла | 6,9 M |
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
Размещено на http://www.allbest.ru/
Федеральное агентство по образованию
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования
Ивановский государственный химико-технологический университет
Измерение удельного сопротивления четырехзондовым методом
и определение типа проводимости по знаку термоЭДС
Выполнили:
Князьков А. Вовцын Д. А
Проверил:доц. Шутов Д.А.
г. Иваново, 2011 г
Цель работы:
Определить удельное сопротивление полупроводникового образца с использованием четырехзондовой методики, а также определить тип проводимости полупроводникового образца по знаку термоЭДС с использованием термозонда.
четырехзондовый полупроводниковый сопротивление проводимость
Теоретическое введение:
В микроэлектронике для определения удельного сопротивления широко используют четырехзондовую методику в связи с ее высокими метрологическими показателями, простой реализации и широкого круга изделий, в которых можно контролировать данную величину (полупроводниковые пластины, объемные монокристаллы, полупроводниковые слоистые структуры).
Метод основан на явлении растекания тока в точке контакта металлического острия зонда с полупроводником. Через одну пару зондов пропускается электрический ток, а вторая используется для измерения напряжения. Как правило, используются два типа расположения зондов - в линию или по вершинам квадрата.
Соответственно, для данных типов расположений зондов используются следующие расчетные формулы:
1. Для расположения зондов в линию на равных расстояниях:
2. Для расположения зондов по вершинам квадратов:
В случае, если необходимо учитывать геометрические размеры образцов (если не выполняется условие d,l,h>>s), в формулы вводятся поправочные коэффициенты, приведенные в соответствующих таблицах.
Если в полупроводнике создать градиент температуры, в нем будет наблюдаться градиент концентраций носителей заряда. В результате возникнет диффузионный поток носителей заряда и связанный с ним диффузионный ток. В образце возникнет разность потенциалов, которую принято называть термоЭДС.
Знак термоЭДС зависит от типа проводимости полупроводника. Так как в полупроводниках два типа носителей заряда, диффузионный ток складывается из двух составляющих, а знак термоЭДС зависит от преобладающего типа носителей заряда.
Установив знак термоЭДС с помощью гальванометра, можно сделать вывод о типе проводимости данного образца.
Схема экспериментальной установки:
1. Для определения удельного сопротивления образцов:
1,2 - токовые зонды; 2,3 - потенциальные зонды; ИН - источник постоянного напряжения.
2. Для определения типа проводимости образцов:
1 - термозонд; 2 - холодный зонд; 3 - исследуемый образец; 4 - резистивный нагреватель; 5 - источник питания нагревателя; 6 - нуль-гальванометр.
Экспериментальные данные:
1. Определение типа проводимости:
№ образца |
1 |
2 |
3 |
4 |
|
Тип проводимости |
электронный |
электронный |
электронный |
дырочный |
2. Определение удельного сопротивления:
№ образца |
I14, мА |
U23, B |
Толщина образца, мкм |
|
1 |
2 |
0,06 |
390 |
|
0,059 |
||||
0,057 |
||||
0,059 |
||||
0,056 |
||||
2 |
2 |
0,059 |
370 |
|
0,071 |
||||
0,064 |
||||
0,067 |
||||
0,07 |
||||
3 |
2 |
7,86 |
540 |
|
5,33 |
||||
4,32 |
||||
4,5 |
||||
4,89 |
||||
4 |
2 |
6,7 |
2530 |
|
10,8 |
||||
10,6 |
||||
8,7 |
||||
8,3 |
Расчетная часть:
Измерения проводились с помощью стандартной четырехзондовой головки с расположением зондов в линию на расстоянии s= 1,3 мм друг от друга. Для каждого образца было проведено пять измерений в разных его точках.
Расчет проводился как с учетом, так и без учета поправочных коэффициентов. Поправочный коэффициент для каждого образца определялся из соотношения d/sи брался из соответствующих таблиц.
Расчет удельного сопротивления без учета поправочного коэффициента производился по формуле:
Расчет удельного сопротивления с учетом поправочных коэффициентов производился по формуле:
В результате были получены следующие значения удельного сопротивления для исследуемых образцов:
№ образца |
d/s |
с безучета , Ом•м |
сc учетом , Ом•м |
||
1 |
0,3 |
2,4492 |
4,22 |
10,33562 |
|
2,40838 |
10,16336 |
||||
2,32674 |
9,818843 |
||||
2,40838 |
10,16336 |
||||
2,28592 |
9,646582 |
||||
2 |
0,28 |
2,40838 |
4,72 |
11,36755 |
|
2,89822 |
13,6796 |
||||
2,61248 |
12,33091 |
||||
2,73494 |
12,90892 |
||||
2,8574 |
13,48693 |
||||
3 |
0,415 |
320,8452 |
2,58 |
827,7806 |
|
217,5706 |
561,3321 |
||||
176,3424 |
454,9634 |
||||
183,69 |
473,9202 |
||||
199,6098 |
514,9933 |
||||
4 |
1,94 |
273,494 |
1,287 |
351,9868 |
|
440,856 |
567,3817 |
||||
432,692 |
556,8746 |
||||
355,134 |
457,0575 |
||||
338,806 |
436,0433 |
Пример расчета:
= 0,390/1,3 = 0,3
Вывод:
В ходе выполнения данной работы были определены тип проводимости и удельное сопротивление с учетом и без учета поправочных коэффициентов для трех полупроводниковых образцов. В результате установлено, что для каждого образца эти величины имеют следующие значения:
Образец |
Тип проводимости |
с без учета , Ом•см |
сc учетом , Ом•см |
|
1 |
Электронный |
0,024 |
0,1 |
|
2 |
Электронный |
0,027 |
0,12 |
|
3 |
Электронный |
2,19 |
5,56 |
|
4 |
Дырочный |
3,68 |
4,73 |
Сопоставляя полученные значения удельного сопротивления с табличными, с учетом определенного типа проводимости можно сделать вывод, что исследованные образцы под номерами 1,2 принадлежат к марке монокристаллического кремния КЭФ 3В, образец №3 к марке КЭФ 1А, а образец №4 к марке КДБ 1А.
Размещено на Allbest.ru
Подобные документы
Основные понятия тонких пленок. Механизм конденсации атомов на подложке. Рост зародышей и формирование сплошных пленок. Расчет удельного сопротивления островка. Определение удельного сопротивления обусловленного рассеянием электронов на атомах примеси.
курсовая работа [550,5 K], добавлен 31.03.2015Определение влияния покрытий стенок на характеристики прямоугольного волновода в полосе частот. Взаимосвязь удельной проводимости материала и коэффициента затухания. Расчет волнового сопротивления, предельной передаваемой мощности; выбор длины волновода.
курсовая работа [165,3 K], добавлен 05.01.2011Принципы действия приборов для измерения электрического тока, напряжения и сопротивления; расчет параметров многопредельного амперметра магнитоэлектрической системы и четырехплечего уравновешенного моста постоянного тока; метрологические характеристики.
курсовая работа [2,2 M], добавлен 18.06.2012Характеристика полупроводниковых диодов, их назначение, режимы работы. Исследование вольтамперной характеристики выпрямительного полупроводникового диода, стабилитрона и работы однополупериодного полупроводникового выпрямителя. Определение сопротивления.
лабораторная работа [133,6 K], добавлен 05.06.2013Эквивалентная схема измерения температуры с использованием термопреобразователя сопротивления. Анализ модели датчика температуры. Выбор источника опорного напряжения. Расчет коэффициента усиления и напряжения смещения дифференциального усилителя.
курсовая работа [883,7 K], добавлен 26.12.2013Широкое применение проволочных переменных резисторов в электронной аппаратуре и их основные достоинства. Резистор переменного сопротивления с круговым вращением подвижной системы. Расчет резистивного элемента, контактной пружины, частотных характеристик.
курсовая работа [56,0 K], добавлен 14.03.2010Изучение требований, предъявляемых к тонкопленочным резисторам. Физическая природа удельного электрического сопротивления пленок. Изучение методов осаждения пленок. Способы конструирования тонкопленочных резисторов. Выбор геометрии и площади резистора.
реферат [3,2 M], добавлен 07.11.2010Геометрические параметры антенны. Определение оптимального сопротивления активного вибратора. Определение расстояний между вибраторами. Построение диаграммы направленности антенны. Расчет коэффициента направленного действия и входного сопротивления.
курсовая работа [177,3 K], добавлен 24.10.2013Классификация воздействий в электрических цепях. Анализ линейных электрических цепей при гармонических воздействиях. Анализ параллельной цепи переменного тока. Напряжения, сопротивления и проводимости.
реферат [160,7 K], добавлен 07.04.2007Подбор комплексного сопротивления нагрузки для передачи сигнала максимальной мощности от приемника к усилителю. Измерение величин реактивного сопротивления передачи и комплекса сопротивления нагрузки. Условие передачи максимума мощности в радиотехнике.
презентация [117,3 K], добавлен 07.02.2014