Конструкция фотоприемника
Этапы разработки и перспективы внедрения проекта по созданию бюджетного лазерного комплекса на базе полупроводникового лазера, предназначенного для обработки органических материалов. Исследование основных параметров и характеристик фотоприемника.
| Рубрика | Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника |
| Предмет | Радиоэлектроника |
| Вид | курсовая работа |
| Язык | русский |
| Прислал(а) | Юрий |
| Дата добавления | 15.07.2015 |
| Размер файла | 883,0 K |
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
Подобные документы
Разработка устройства, срабатывающего при освещении фотоприемника-светодиода лазерной указкой с расстояния до 3 м. Схема приемника подаваемых лазерной указкой сигналов. Печатная плата устройства и размещение элементов на ней. Расчет делителей напряжения.
курсовая работа [2,3 M], добавлен 10.06.2010Определение требуемой ширины полосы частот ФП и длительности тактового интервала. Особенности расчета минимальной мощности оптического излучения на входе фотоприемника. Выбор типа транзистора входного каскада усилителя ФПУ. Выбор необходимого фотодиода.
курсовая работа [1,3 M], добавлен 14.01.2013Закономерности протекания тока в p–n переходе полупроводников. Построение вольтамперных характеристик стабилитрона, определение тока насыщения диода и напряжения пробоя (напряжения стабилизации). Расчет концентрации основных носителей в базе диода.
лабораторная работа [171,4 K], добавлен 27.07.2013Схема накачки редкоземельных элементов Tm3+, находящегося в диэлектрическом кристалле, сравнительные характеристики матриц. Характеристики кристалла. Спектры пропускания и люминесценции. Экспериментальное исследование генерационных характеристик лазера.
контрольная работа [750,7 K], добавлен 13.06.2012Характеристика полупроводниковых диодов, их назначение, режимы работы. Исследование вольтамперной характеристики выпрямительного полупроводникового диода, стабилитрона и работы однополупериодного полупроводникового выпрямителя. Определение сопротивления.
лабораторная работа [133,6 K], добавлен 05.06.2013Стабилитрон - диод для стабилизации напряжения. Экспериментальное исследование характеристик полупроводникового стабилитрона. Использование программы Electronics Workbench. Схемы прямого и обратного включения стабилитрона, понятие его рабочих участков.
лабораторная работа [52,9 K], добавлен 12.01.2010Требования регистра к навигационному оборудованию морских судов. Расчет пьезоэлектрического преобразователя. Разработка математической модели обработки навигационной информации и формирования управляющих сигналов. Расчет надежности корреляционного лага.
дипломная работа [1,2 M], добавлен 03.06.2014Инжекционный механизм накачки. Величина смещающего напряжения. Основные характеристики полупроводниковых лазеров и их группы. Типичный спектр излучения полупроводникового лазера. Величины пороговых токов. Мощность излучения лазера в импульсном режиме.
презентация [103,2 K], добавлен 19.02.2014Модернизация более ранней разработки устройства на базе микроконтроллера MCS-48, предназначенного для увлажнения дыхательной смеси. Проектная процедура ПЛИС типа SOPC, реализованная на базе микроконтроллера MCS-48. Проектирование структурной схемы.
курсовая работа [523,2 K], добавлен 03.05.2015Разработка измерительного программно-аппаратного комплекса, предназначенного для измерения параметров электрических сигналов в радиомодуле телевизора. Выбор элементной базы и материалов конструкции. Расчет электрического режима заданного узла пульта.
курсовая работа [1,2 M], добавлен 27.03.2012
