Полупроводниковые лазеры
Инжекционный механизм накачки. Величина смещающего напряжения. Основные характеристики полупроводниковых лазеров и их группы. Типичный спектр излучения полупроводникового лазера. Величины пороговых токов. Мощность излучения лазера в импульсном режиме.
| Рубрика | Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника |
| Вид | презентация |
| Язык | русский |
| Дата добавления | 19.02.2014 |
| Размер файла | 103,2 K |
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
HTML-версии работы пока нет.
Cкачать архив работы можно перейдя по ссылке, которая находятся ниже.
Подобные документы
Эрбиевые усилители оптического сигнала. Параметры волоконных усилителей. Выходная мощность сигнала и энергетическая эффективность накачки. Ширина и равномерность полосы усиления. Полупроводниковый лазер накачки "ЛАТУС-К". Конструкция лазера накачки.
дипломная работа [3,4 M], добавлен 24.12.2015Достоинства лазеров на свободных электронах. Механизм возникновения излучения. Временной период, действующий на электрон силы. Параметры лазера на свободных электронах. Частота изменения ускорения электрона. Рамановские лазеры на свободных электронах.
презентация [38,7 K], добавлен 19.02.2014Схема накачки редкоземельных элементов Tm3+, находящегося в диэлектрическом кристалле, сравнительные характеристики матриц. Характеристики кристалла. Спектры пропускания и люминесценции. Экспериментальное исследование генерационных характеристик лазера.
контрольная работа [750,7 K], добавлен 13.06.2012Общая характеристика работы лазеров. Рассмотрение импульсного "режима свободной генерации", генерации "пичков". Подробное изучение методов получения коротких мощных импульсов излучения лазера с использованием режима модуляции добротности резонатора.
реферат [123,4 K], добавлен 21.08.2015Основные характеристики и применение аргонового лазера. Вынужденное испускание фотонов возбужденными атомами. Процесс поглощения фотонов. Активная среда ионных лазеров. Уровни энергии для лазера на ионах аргона. Характерные значения выходной мощности.
реферат [1,6 M], добавлен 12.06.2011Типы лазеров: усилители, генераторы. Характеристики приборов: энергия импульса, расходимость лазерного луча, диапазон длин волн. Типы газоразрядных лазеров. Поперечная и продольная накачка электронным пучком. Принцип работы лазера на свободных электронах.
реферат [108,2 K], добавлен 11.12.2014Характеристика полупроводниковых источников излучения. Изучение принципов работы светоизлучающих диодов. Расчет квантового выхода, частоты излучения. Строение лазеров, электролюминесцентных и плёночных излучателей. Описание внутреннего фотоэффекта.
курсовая работа [330,7 K], добавлен 21.08.2015Характеристики полупроводниковых материалов. Классификация источников излучения. Светоизлучающие диоды. Лазер как прибор, генерирующий оптическое когерентное излучение на основе эффекта вынужденного или стимулированного излучения, его применение.
курсовая работа [551,5 K], добавлен 19.05.2011Особенности проектирования линзовой афокальной насадки для маломощного He–Ne лазера с возможностью управления расходимостью выходного лазерного излучения. Способы обеспечения его дискретного изменения с помощью механической смены линз объектива.
курсовая работа [377,8 K], добавлен 13.03.2014Оптические кабели и разъемы, их конструкции и параметры. Основные разновидности волоконно-оптических кабелей. Классификация приемников оптического излучения. Основные параметры и характеристики полупроводниковых источников оптического излучения.
курс лекций [6,8 M], добавлен 13.12.2009
