Исследование вольт-амперной характеристики транзисторных структур распределенным p+-n переходом и активными контактами различных типов

Проведенный анализ вольт-амперных характеристик транзисторных структур с распределенным р⁺-n-переходом и активными контактами (АК) двух типов (в виде МТОП и в виде локального n⁺-p-диода) показывает, что их особенности во многом обусловлены взаимным влиянием процессов, протекающих в АК и распределенном p⁺-n-переходе, а для объяснения возникновения неустойчивого тока необходимо учитывать влияние протекания начального тока АК вдоль распределенного p⁺-n-перехода на высоту его барьера. Установлено, что распределенный p⁺-n-переход находится в двух пространственно разделенных состояниях с противоположными уровнями смещения (бисмещенное состояние). А также исследована зависимость дифференциальной полной проводимости структур МТОП и БИСПИН от напряжения на АК при различных режимах распределенного p⁺-n-перехода.

металл транзисторный полупроводник амперный

Список использованных источников

1 Барышев М.Г. Фотоэффект в эпитаксиальной p⁺-n-структуре с n_областью переменной толщины и контактом туннельный окисел-металл / М.Г. Барышев, Б.С. Муравский, И.Л. Яманов // ФТП. 1995. Т. 29. № 1. С. 91-95.

2 Барышев М.Г. Исследования электрофизических характеристик органических полупроводниковых пленок / М.Г. Барышев, Г.П. Ильченко, И.В. Сидоров // Известия высших учебных заведений. Физика. 2007. № 6. С.80--83.

3 Константинов О.В. Условия существования медленных и быстрых рекомбинационных волн в полупроводниках / О.В. Константинов, В.И. Перель, Г.В. Царенков // ФТП. 1976. Т. 10, вып. 8. С. 1576-1578.

4 Косман М.С. Возникновение колебаний тока в кремнии при высоких импульсных напряжениях / М.С. Косман, Б.С Муравский // Физика твердого тела. 1961. Т. 3, № 11. С. 2504-2506.

5 Латышева А.П. Электрический транспорт в структурах с кремниевыми нанокристаллами / А.П. Латышева, А.С. Гаврилюк // Сборник тезисов международной конференции студентов, аспирантов и молодых ученых по фундаментальным наукам «Ломоносов-2006», МГУ, 14 апреля 2006. М., 2006.

6 Муравский Б.С. и др. Исследование кинетики поверхностно-барьерной неустойчивости тока / Б.С. Муравский, В.Г. Долуденко// Физика и техника полупроводников. 1972. Т. 6, № 11. C. 2114-2122.

7 Барышев М.Г. Исследования электрофизических характеристик органических полупроводниковых пленок /М.Г. Барышев, Г.П.Ильченко, И.В. Сидоров // Известия высших учебных заведений. Физика. 2007. № 6. С.80--83.

8 Барышев М.Г.Фотоэффект в эпитаксиальной p⁺-n-структуре с n_областью переменной толщины и контактом туннельный окисел-металл / М.Г. Барышев, Б.С. Муравский, // ФТП. 1995. Т. 29. № 1. С. 91- 95.

9 Барышев М.Г. Размерные эффекты в слоистых полупроводниковых структурах: дис. … канд. физ.-мат. наук. Краснодар, 1995.

10 Богданов В.Д. Устройство для синхронного детектирования АМ сигналов /В.Д. Богданов // Радио. 1990. № 3. С. 53-55.

11 Богданович М.И. и др. Цифровые интегральные микросхемы. Минск, 1991.

12 Булгаков С.С. БИСПИН -- новый прибор микроэлектроники /О.Д. Кнаб, С.С.Булгаков, А.П. Лысенко // Обзоры по электронной технике. Сер. 2, Полупроводниковые приборы. 1990. Вып. 6. С. 53-77.

13 Ильченко Г.П. Использование Туннелистора и БИСПИНа для системы автоматического управления технологическими процессами в сельском хозяйстве /Г.П. Ильченко, Б.С. Муравский, В.В. Магеровский // Электрификация сельскохозяйственного производства: сб. тр. КГАУ. Краснодар, 1995. С. 130-137.

14 Ильченко Г.П. Использование функционального датчика с частотным выходом для контроля режимов обработки плодов и овощей /Г.П.Ильченко, Б.С. Муравский // Современные технологии и оборудование в области переработки и хранения сельскохозяйственной продукции: сб. тр. КНИИХП. Краснодар, 1997. С. 68-72.

15 Кнаб О.Д. Применение БИСПИН-структур /О.Д.Кнаб,С.С. Булгаков // Электронная промышленность. 1989. Вып. 9. C. 26-30.

16 Сидоров И.В. Использование эффекта неустойчивости тока в тонких пленках анилина расположенного на поверхности водного раствора фуксина для создания функциональных приборов / И.В. Сидоров, М.Г. Барышев, А.Н. Коржов // Современные наукоемкие технологии. 2006. № 4. С. 92--93.

17 Chiko K. Properties of a Shottky Barrier Transistor and the Carrier-Coupling Devices / K. Chiko, T. Suzuuky, J. Misushima // Procedeedings of the 4th Conference on Solid State Devices. Tokyo, 1972. P. 195-200.

Размещено на Allbest.ru