Исследование полупроводниковых выпрямительных диодов
Изучение свойств германиевого и кремниевого выпрямительных полупроводниковых диодов при изменении температуры окружающей среды. Измерение их вольт-амперных характеристик и определение основных параметров. Расчет дифференциального сопротивления диода.
Рубрика | Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника |
Вид | лабораторная работа |
Язык | русский |
Дата добавления | 13.03.2013 |
Размер файла | 29,7 K |
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
Размещено на http://allbest.ru/
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования
САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ АЭРОКОСМИЧЕСКОГО ПРИБОРОСТРОЕНИЯ
Отчет по лабораторной работе №1:
«Исследование полупроводниковых выпрямительных диодов»
Преподаватель: Абрамов А.П.
Работу выполнил Гусейнов П.
Санкт-Петербург 2012
Цель работы: изучение свойств германиевого и кремниевого выпрямительных полупроводниковых диодов при изменении температуры окружающей среды, измерение их вольт - амперных характеристик и определение основных параметров.
Схемы измерений
а)
б)
Схемы исследования вольт - амперной характеристики выпрямительного диода: а - прямой ветви ВАХ, б - обратной ветви ВАХ.
Таблицы измеренных и расчетных данных:
Таблица 1.1
Токр. ср (0С) |
Тип диода |
Iпр, мкA |
2,0 |
10 |
20 |
30 |
40 |
80 |
120 |
160 |
200 |
240 |
280 |
|
20 |
ГД304 |
Uпр, В |
0,04 |
0,1 |
0,13 |
0,15 |
0,16 |
0,19 |
0,2 |
0,22 |
0,23 |
0,23 |
0,24 |
|
20 |
КД202А |
Uпр, В |
0,45 |
0,56 |
0,59 |
0,61 |
0,62 |
0,62 |
0,67 |
0,67 |
0,69 |
0,7 |
0,7 |
|
50 |
ГД304 |
Uпр, В |
0,02 |
0,08 |
0,12 |
0,13 |
0,14 |
0,17 |
0,18 |
0,2 |
0,21 |
0,21 |
0,21 |
Таблица 1.2
Токр. ср (0С) |
Тип диода |
U об, В |
-1 |
-2 |
-3 |
-4 |
-5 |
-6 |
-7 |
-8 |
-9 |
-10 |
|
20 |
ГД304 |
I об, мкА |
0,28 |
0,28 |
0,28 |
0,28 |
0,28 |
0,28 |
0,28 |
0,28 |
0,28 |
0,28 |
|
50 |
ГД304 |
I об, мкА |
1,8 |
1,8 |
1,8 |
1,8 |
1,9 |
1,9 |
1,9 |
2 |
2 |
2 |
Рабочие формулы :
уравнение вольт - амперной характеристики идеализированного p-n-перехода
где: I0 - обратный ток насыщения;
цТ - температурный потенциал, равный (0,026 В) при комнатной температуре (Т = 300 К);
U - напряжение, прикладываемое к диоду.
прямое и обратное дифференциальные сопротивления диода
r i .пр = ДUпр / ДIпр;r i. обр = ДUобр / ДIобр.
Расчет прямого тока для ВАХ германиевого диода по формуле
германиевый кремниевый полупроводниковый диод
I(U=0.1)=12.5 I(U=0.12)=19.4 I(U=0.14)=41.8 I(U=0.16)=126 I(U=0.18)=271 I(U=0.2)=582
Расчет дифференциального сопротивления диода :
(20) r i .пр = 1.25 Ом
(50) r i .пр = 0.2 Ом
Вывод
В результате работы были исследованы германиевый и кремниевый выпрямительные диоды. В результате работы были получены характеристики прямой и обратной ветви.
Размещено на Allbest.ru
Подобные документы
Характеристика полупроводниковых диодов, их назначение, режимы работы. Исследование вольтамперной характеристики выпрямительного полупроводникового диода, стабилитрона и работы однополупериодного полупроводникового выпрямителя. Определение сопротивления.
лабораторная работа [133,6 K], добавлен 05.06.2013Классификация, структура, принцип работы, обозначение и применение полупроводниковых диодов, их параметры. Расчет вольтамперных характеристик при малых плотностях тока. Особенности переходных характеристик диодов с р-базой. Методы производства диодов.
курсовая работа [923,5 K], добавлен 18.12.2009Разработка прибора, предназначенного для изучения полупроводниковых диодов. Классификация полупроводниковых диодов, характеристика их видов. Принципиальная схема лабораторного стенда по изучению вольтамперных характеристик полупроводниковых диодов.
курсовая работа [1,2 M], добавлен 20.11.2013Принцип действия полупроводниковых диодов различного назначения. Прямое и обратное включение выпрямительного диода. Статическое и динамическое сопротивление. Исследования стабилитрона и светодиода. Стабилизация напряжений в цепях переменного тока.
лабораторная работа [230,6 K], добавлен 12.05.2016Анализ конструктивных особенностей полупроводниковых диодов. Диодные матрицы и сборки. Структура диода Ганна с перевернутым монтажом. Основные ограничители напряжения. Расчет характеристик диода Ганна. Смесительные и переключательные СВЧ-диоды.
курсовая работа [365,9 K], добавлен 18.12.2009Назначение и классификация полупроводниковых приборов, особенности их применения в преобразователях энергии и передаче информации. Система обозначений диодов и тиристоров, их исследование на стенде. Способы охлаждения расчет нагрузочной способности.
дипломная работа [3,9 M], добавлен 28.09.2014Общие рекомендации к выполнению лабораторных работ. Изучение электронного осциллографа. Исследование выпрямительного и туннельного диодов. Исследование дифференциального включения операционного усилителя. Изучение свойств интегрирующего усилителя.
учебное пособие [939,5 K], добавлен 25.03.2009Виды и обозначение диодов. Основные параметры выпрямительных диодов. Диоды Шоттки в системных блоках питания, характеристики, особенности применения и методы проверки. Проявление неисправностей диодов Шоттки, их достоинства. Оценка возможности отказа.
курсовая работа [52,6 K], добавлен 14.05.2012Исследование параметров и характеристик туннельных диодов, а также принципа их работы и свойств. Анализ способности туннельного диода усиливать, генерировать и преобразовывать электромагнитные колебания. Обзор методов изготовления и применения диодов.
реферат [712,9 K], добавлен 02.02.2012Принципы работы полупроводниковых приборов. Физические основы электроники. Примесная электропроводность полупроводников. Подключение внешнего источника напряжения к переходу. Назначение выпрямительных диодов. Физические процессы в транзисторе, тиристоры.
лекция [4,4 M], добавлен 24.01.2014