Исследование полупроводниковых выпрямительных диодов

Изучение свойств германиевого и кремниевого выпрямительных полупроводниковых диодов при изменении температуры окружающей среды. Измерение их вольт-амперных характеристик и определение основных параметров. Расчет дифференциального сопротивления диода.

Рубрика Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника
Вид лабораторная работа
Язык русский
Дата добавления 13.03.2013
Размер файла 29,7 K

Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже

Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.

Размещено на http://allbest.ru/

Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования

САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ АЭРОКОСМИЧЕСКОГО ПРИБОРОСТРОЕНИЯ

Отчет по лабораторной работе №1:

«Исследование полупроводниковых выпрямительных диодов»

Преподаватель: Абрамов А.П.

Работу выполнил Гусейнов П.

Санкт-Петербург 2012

Цель работы: изучение свойств германиевого и кремниевого выпрямительных полупроводниковых диодов при изменении температуры окружающей среды, измерение их вольт - амперных характеристик и определение основных параметров.

Схемы измерений

а)

б)

Схемы исследования вольт - амперной характеристики выпрямительного диода: а - прямой ветви ВАХ, б - обратной ветви ВАХ.

Таблицы измеренных и расчетных данных:

Таблица 1.1

Токр. ср (0С)

Тип диода

Iпр, мкA

2,0

10

20

30

40

80

120

160

200

240

280

20

ГД304

Uпр, В

0,04

0,1

0,13

0,15

0,16

0,19

0,2

0,22

0,23

0,23

0,24

20

КД202А

Uпр, В

0,45

0,56

0,59

0,61

0,62

0,62

0,67

0,67

0,69

0,7

0,7

50

ГД304

Uпр, В

0,02

0,08

0,12

0,13

0,14

0,17

0,18

0,2

0,21

0,21

0,21

Таблица 1.2

Токр. ср (0С)

Тип диода

U об, В

-1

-2

-3

-4

-5

-6

-7

-8

-9

-10

20

ГД304

I об, мкА

0,28

0,28

0,28

0,28

0,28

0,28

0,28

0,28

0,28

0,28

50

ГД304

I об, мкА

1,8

1,8

1,8

1,8

1,9

1,9

1,9

2

2

2

Рабочие формулы :

уравнение вольт - амперной характеристики идеализированного p-n-перехода

где: I0 - обратный ток насыщения;

цТ - температурный потенциал, равный (0,026 В) при комнатной температуре (Т = 300 К);

U - напряжение, прикладываемое к диоду.

прямое и обратное дифференциальные сопротивления диода

r i .пр = ДUпр / ДIпр;r i. обр = ДUобр / ДIобр.

Расчет прямого тока для ВАХ германиевого диода по формуле

германиевый кремниевый полупроводниковый диод

I(U=0.1)=12.5 I(U=0.12)=19.4 I(U=0.14)=41.8 I(U=0.16)=126 I(U=0.18)=271 I(U=0.2)=582

Расчет дифференциального сопротивления диода :

(20) r i .пр = 1.25 Ом

(50) r i .пр = 0.2 Ом

Вывод

В результате работы были исследованы германиевый и кремниевый выпрямительные диоды. В результате работы были получены характеристики прямой и обратной ветви.

Размещено на Allbest.ru


Подобные документы

  • Характеристика полупроводниковых диодов, их назначение, режимы работы. Исследование вольтамперной характеристики выпрямительного полупроводникового диода, стабилитрона и работы однополупериодного полупроводникового выпрямителя. Определение сопротивления.

    лабораторная работа [133,6 K], добавлен 05.06.2013

  • Классификация, структура, принцип работы, обозначение и применение полупроводниковых диодов, их параметры. Расчет вольтамперных характеристик при малых плотностях тока. Особенности переходных характеристик диодов с р-базой. Методы производства диодов.

    курсовая работа [923,5 K], добавлен 18.12.2009

  • Разработка прибора, предназначенного для изучения полупроводниковых диодов. Классификация полупроводниковых диодов, характеристика их видов. Принципиальная схема лабораторного стенда по изучению вольтамперных характеристик полупроводниковых диодов.

    курсовая работа [1,2 M], добавлен 20.11.2013

  • Принцип действия полупроводниковых диодов различного назначения. Прямое и обратное включение выпрямительного диода. Статическое и динамическое сопротивление. Исследования стабилитрона и светодиода. Стабилизация напряжений в цепях переменного тока.

    лабораторная работа [230,6 K], добавлен 12.05.2016

  • Анализ конструктивных особенностей полупроводниковых диодов. Диодные матрицы и сборки. Структура диода Ганна с перевернутым монтажом. Основные ограничители напряжения. Расчет характеристик диода Ганна. Смесительные и переключательные СВЧ-диоды.

    курсовая работа [365,9 K], добавлен 18.12.2009

  • Назначение и классификация полупроводниковых приборов, особенности их применения в преобразователях энергии и передаче информации. Система обозначений диодов и тиристоров, их исследование на стенде. Способы охлаждения расчет нагрузочной способности.

    дипломная работа [3,9 M], добавлен 28.09.2014

  • Общие рекомендации к выполнению лабораторных работ. Изучение электронного осциллографа. Исследование выпрямительного и туннельного диодов. Исследование дифференциального включения операционного усилителя. Изучение свойств интегрирующего усилителя.

    учебное пособие [939,5 K], добавлен 25.03.2009

  • Исследование параметров и характеристик туннельных диодов, а также принципа их работы и свойств. Анализ способности туннельного диода усиливать, генерировать и преобразовывать электромагнитные колебания. Обзор методов изготовления и применения диодов.

    реферат [712,9 K], добавлен 02.02.2012

  • Виды и обозначение диодов. Основные параметры выпрямительных диодов. Диоды Шоттки в системных блоках питания, характеристики, особенности применения и методы проверки. Проявление неисправностей диодов Шоттки, их достоинства. Оценка возможности отказа.

    курсовая работа [52,6 K], добавлен 14.05.2012

  • Принципы работы полупроводниковых приборов. Физические основы электроники. Примесная электропроводность полупроводников. Подключение внешнего источника напряжения к переходу. Назначение выпрямительных диодов. Физические процессы в транзисторе, тиристоры.

    лекция [4,4 M], добавлен 24.01.2014

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу.