Разработка гибридной интегральной схемы усилителя электрических сигналов низкой частоты
Разработка структурной и принципиальной схемы устройства. Расчет двухкаскадной схемы усилителя низкой частоты с использованием полевого и биполярного транзисторов. Выбор навесных элементов и определение конфигурации пленочных элементов усилителя частоты.
Рубрика | Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника |
Вид | курсовая работа |
Язык | русский |
Дата добавления | 22.03.2014 |
Размер файла | 220,7 K |
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
Размещено на http://www.allbest.ru/
Размещено на http://www.allbest.ru/
СОДЕРЖАНИЕ
Техническое задание
Введение
1. Разработка структурной схемы
2. Разработка принципиальной схемы
3. Разработка интегральной микросхемы
3.1 Выбор навесных элементов и расчет конфигурации пленочных элементов
3.2 Расчет амплитудно-частотной характеристики
Список литературы
ТЕХНИЧЕСКОЕ ЗАДАНИЕ
Разработать принципиальную схему и выполнить расчет двухкаскадной схемы усилителя низкой частоты с использованием полевого и биполярного транзисторов.
1. Напряжение источника питания .
2. Коэффициент усиления по напряжению .
3. Входное сопротивление .
4. Сопротивление нагрузки .
5. Номинальное выходное напряжение .
6. Нижняя рабочая частота .
7. Верхняя рабочая частота .
8. Коэффициент частотных искажений на нижней рабочей частоте .
9. Коэффициент частотных искажений на верхней рабочей частоте .
10. Тип входа - несимметричный.
11. Тип выхода - несимметричный.
Исходные данные для варианта 10 сведены в таблицу 1.
Таблица 1
№ вар. |
, В |
, МОм |
, кОм |
, В |
, Гц |
, кГц |
, дБ |
, дБ |
Тип входа |
Тип выхода |
||
10 |
-12 |
8 |
0.33 |
2 |
2 |
50 |
10 |
1 |
1 |
Н |
Н |
ВВЕДЕНИЕ
усилитель частота транзистор пленочный
Курсовое проектирование является важным этапом в освоении изучаемого предмета, позволяющим применить на практике знания, полученные в процессе проработки лекционного курса.
Проектирование заключается в разработке и полном расчете электрической схемы гибридной интегральной схемы (ГИС) - усилителя электрических сигналов низкой частоты (УНЧ).
Особенностью проектирования ГИС-УНЧ является то, что невозможно получить единственное однозначное решение, необходимо достичь определенного компромисса между выдвигаемыми требованиями, зачастую достаточно противоречивыми.
Сферы использования ГИС очень разнообразны, широко применяются подобные микросхемы в системах автоматического управления, в вычислительной технике, измерительных приборах, устройствах голосовой связи. Применение ГИС позволяет снизить массо-габаритные показатели аппаратуры, повысить энергоэффективность, надежность, снизить эксплуатационные расходы.
1. РАЗРАБОТКА СТРУКТУРНОЙ СХЕМЫ
Рис.1. Структурная схема разрабатываемого устройства
В общем случае техническому заданию соответствует двухкаскадная схема усилителя с использованием полевого и биполярного транзисторов.
Обобщенная структурная схема разрабатываемого устройства состоит из следующих блоков:
- Входной узел. Служит для согласования между источником сигнала и первым каскадом усилителя.
- Первый каскад. Служит для основного усиления и должен обладать большим входным сопротивлением. Напряжение источника питания, в соответствии с заданием . Следовательно, выбираем транзистор с каналом типа. Коэффициент передачи рассчитывается исходя из коэффициентов передачи всех остальных каскадов.
- Второй каскад. Должен обеспечить малое выходное сопротивление разрабатываемого устройства и достаточную амплитуду выходного сигнала. Исходя из напряжения питания, биполярный транзистор должен быть структуры .
- Выходной узел. Служит для согласования второго каскада с нагрузкой. В разрабатываемом устройстве для этого служат разделительные конденсаторы, которые не дают пройти постоянной составляющей в нагрузку. Т.к. это разделительные конденсаторы, то они определяют АЧХ в области нижних частот.
Коэффициент частотных искажений многокаскадного усилителя равен произведению коэффициентов частотных искажений отдельных каскадов:
(1)
Обычно коэффициент частотных искажений выражают в децибелах
(2)
Согласно заданию коэффициент частотных искажений на нижней и верхней граничных частотах усилителя и в данном случае определяется выражением. Распределим искажения поровну между двумя каскадами: .
2. РАЗРАБОТКА ПРИНЦИПИАЛЬНОЙ СХЕМЫ
Принципиальная схема усилителя представлена на рис. 2.
Рис. 2. Принципиальная схема усилителя с несимметричным входом и несимметричным выходом
С учетом комплекса требований ТЗ к разрабатываемому устройству выберем двухкаскадную схему с непосредственной связью между каскадами. Это позволит уменьшить количество элементов и расширить полосу пропускания в области нижних частот.
Первый каскад предлагается выполнить на полевом транзисторе включенном в схему с общим истоком (ОИ), такое включение позволит выполнить требования ТЗ по входному сопротивлению, получить в первом каскаде достаточное усиление и низкий коэффициент шума всего усилителя.
Второй каскад выполняется на биполярном транзисторе по схеме эмиттерного повторителя (схема с общим коллектором) (ОК).
В нашем случае коэффициент усиления устройства равен произведению коэффициентов усиления входящих в него каскадов:
(3)
где - коэффициент передачи входного узла;
- коэффициент передачи первого каскада;
- коэффициент передачи второго каскада;
- коэффициент передачи выходного узла.
Так как выходной каскад имеет коэффициент усиления достаточно близкий к единице, но все же меньше, а входной и выходной узлы не являются активными каскадами, зададим ориентировочно произведение :
Ориентировочно определим коэффициент усиления первого каскада:
(4)
После распределения частотных искажений и усиления между каскадами произведем расчет транзисторных каскадов. Будем использовать графоаналитический метод.
Расчет первого каскада:
На рис. 3 приведены семейство выходных характеристик ПТ 2П201А с переходом и каналом типа.
Рис. 3. Семейство выходных характеристик ПТ 2П201А
Определим минимальное напряжение сток -исток в точке покоя:
(5)
где =1,5 В - напряжение отсечки выбранного транзистора ;
=2 В - номинальное выходное напряжение;
- 0,5 В - напряжение запаса, обеспечивающее роботу транзистора в рабочей области стоковых характеристик.
В
Выбираем рабочую точку при нулевом смещении на затворе.. Такой выбор упрощает принципиальную схему и топологию, так как нет необходимости в сопротивлении в цепи стока , и конденсаторе большей емкости , шунтирующего это сопротивление для устранения отрицательной обратной связи.
Определим динамическое внутреннее сопротивление в рабочей точке:
(6)
Определяем сопротивление резистора в цепи стока R2:
, (7)
где ток стока в рабочей точке
В нашем случае , коэффициент усиления каскада в большей степени определяется величиной и для расчета коэффициента усиления воспользуемся формулой:
, (8)
где - крутизна в рабочей точке.
(9)
Подставив значения в формулу (8) получим коэффициент усиления напряжения первого каскада:
Расчет второго каскада: Основная задача второго каскада - согласование сопротивления нагрузки с высоким выходным сопротивлением предшествующего каскада и обеспечение необходимой мощности.
Определим минимальную постоянную составляющую коллекторного напряжения:
В (10)
Определяем амплитуду тока нагрузки:
(11)
Ток покоя транзистора выходного каскада должен в 2-3 раза превышать амплитуду тока нагрузки. Выбираем :
Напряжение на базе транзистора выходного каскада равно напряжению сток- исток транзистора первого каскада:
В (12)
Падение напряжения на сопротивлении в цепи эмиттера:
В (13)
Постоянная составляющая коллекторного напряжения:
В (14)
что не меньше определенного ранее по формуле (10).
Так как по ТЗ задана отрицательная полярность питающего напряжения, выбираем транзистор структуры n-p-n, у которого максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер должно быть не менее 12 В (напряжение питания) и ток коллектора не менее 5 мА.
Выбираем транзистор 2Т370А-1 с параметрами:
На выходных статических характеристиках транзистора (рис. 4) выбираем рабочую точку А, с координатами:
.
.
В
Рис. 4. Семейство входных и выходных характеристик транзистора 2Т370А-1
Входное сопротивление транзистора в рабочей точке:
Ом (15)
Коэффициент передачи тока:
(16)
Величина сопротивления в цепи эмиттера:
(17)
Коэффициент передачи выходного каскада:
(18)
где (19)
Подставив рассчитанные значения в формулу (18) получим :
Входное сопротивление второго каскада:
(20)
Общий коэффициент усиления по напряжению:
Коэффициент усиления получился выше требуемого, поэтому уменьшим коэффициент передачи входного устройства до значения - 0,968.
Сопротивление источника сигнала при этом составит:
(21)
Общий коэффициент усиления:
Требования ТЗ выполнены.
Рассчитаем величины емкостей разделительных конденсаторов, переведя заданные коэффициенты частотных искажений по каскадам в разы.
Коэффициент частотных искажений на нижней частоте рабочего диапазона определяется разделительными конденсаторами:и. Распределим искажения между этими конденсаторами в равных частях:
(22)
(23)
Определим величину корректирующего конденсатора:
(24)
3. РАЗРАБОТКА ИНТЕГРАЛЬНОЙ МИКРОСХЕМЫ
3.1 Выбор навесных элементов и расчет конфигурации пленочных элементов
Выбор навесных элементов:
В разрабатываемой интегральной микросхеме навесными элементами являются транзисторы VТ1 и VT2 с размерами:
2П201А-1:
2Т370А-1:
Резистор R1, который определяет входное сопротивления устройства выбираем из стандартного ряда ряд Е24, R3 =330 кОм с размерами: L=6мм, В=2,2 мм
Навесные элементы необходимо устанавливают не ближе 500мкм от пленочных элементов и не ближе 600мм от контактных площадок; минимально допустимое расстояние между навесными элементами 300 мкм. Длина проволочных выводов навесных элементов допускается от 600 мкм до 5 мм. Расчет пленочных резисторов:
Расчет максимальной рассеиваемой мощность каждого резистора и выбор конфигурации и размера.
, (25)
где Ii - ток, протекающий через резистор.
.
Далее определим коэффициент формы:
, (26)
где величина сопротивления;
- удельное поверхностное сопротивление.
Для изготовления резисторов выбираем сплав РС3001 с высоким удельным поверхностным сопротивлением. Удельное сопротивление сплава , удельная мощность рассеяния .
Подставив в (29) числовые значения, получим:
Так как , то резистор будет прямоугольной формы
Так как то резистор будет прямоугольником, у которого длина чуть меньше ширины.
Расчёт длины резистора:
, (27)
где расчетная мощность резистора;
удельная мощность материала.
*
*Округление производится до десятых долей в большую сторону.
Ширина резисторов определяется из формулы:
(28)
*Округление производится до десятых долей в большую сторону.
Полученные значения длины и ширины резисторов больше минимальных: , .
Расчёт плёночных конденсаторов:
Для плёночных конденсаторов в качестве диэлектрика выбираем окись тантала, как имеющую большую удельную ёмкость , в качестве материала обкладок - алюминий.
Рассчитаем площади конденсаторов:
(29)
Ввиду большой площади элементов и , более целесообразным представляется применение навесных элементов с номиналами из стандартного ряда Е24:
- К10-17, номинал 27 нФ, размеры: , .
- К53-26, номинал 4,7 мкФ, размеры: , .
Для проводников и контактных площадок выбираем медь с подслоем ванадия для улучшения адгезии к подложке. Толщину проводников и контактных площадок примем 0,5 - 1 мкм. Размеры контактных площадок 200х250 мкм и более.
Тонкопленочные элементы ГИС выполним путем термического, катодного или ионо-плазменного напыления на диэлектрическую подложку соответствующего материала через диэлектрические маски.
Формирование конфигурации тонкопленочных элементов выполним с применением метода фотолитографии .
3.2 Расчет амплитудно-частотной характеристики
АЧХ в области нижних частот:
Расчет относительного коэффициента усиления в области нижних частот проведем по формуле:
(30)
В качестве в формулу (30) будем подставлять величины , ,,,,,.
Результаты расчетов сведены в таблицу 2.
Таблица 2
0,076 |
-22,38 |
||
0,248 |
-12,12 |
||
0,673 |
-3,44 |
||
0,801 |
-1,92 |
||
0,892 |
-1,00 |
||
0,949 |
-0,46 |
||
0,971 |
-0,26 |
АЧХ в области верхних частот: Определим относительный коэффициент усиления на частотах:,, , ,
(31)
Для частоты :
Результаты дальнейших расчетов сведены в таблицу 3.
Таблица 3.
0,969 |
-0,28 |
||
0,890 |
-1,01 |
||
0,699 |
-3,11 |
||
0,364 |
-8,77 |
||
0,192 |
-14,34 |
Проверка соответствия расчетных и заданных значений и :
(32)
Сквозная АЧХ устройства изображена рис.5.
Рис. 5. Амплитудно-частотная характеристика
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ
1. Методические указания. Новосибирск. 2006.
2. Ефимов И.Е., Горбунов Ю.И., Козырь И.Я. Микроэлектроника. Проектирование, виды микросхем, новые направления. -М.: Высшая школа, 1978.
3. Степаненко И. П. Основы микроэлектроники: учебное пособие для вузов. - М.: сов. Радио, 1980.
4. Справочник под редакцией Перельмана Б. Л. «Транзисторы для аппаратуры широкого применения» - М: «Радио и связь» 1981
5. Игнатов А. Н., Калинин С. В., Савиных В. Л. Основы электроники. Учебное пособие. Новосибирск 2005.
Размещено на Allbest.ru
Подобные документы
Понятие и назначение усилителя низкой частоты. Разработка и расчет принципиальной схемы. Проектирование усилителя низкой частоты, состоящего из двух каскадов и RC-цепочки связи. Анализ работы схемы при помощи программы Electronics Workbench Version 5.12.
курсовая работа [1,0 M], добавлен 27.08.2010Расчет мощности сигнала на входе усилителя низкой частоты, значения коллекторного тока оконечных транзисторов, емкости разделительного конденсатора, сопротивления резистора, напряжения на входе усилителя. Разработка и анализ принципиальной схемы.
курсовая работа [111,1 K], добавлен 13.02.2015Разработка структурной схемы усилителя низкой частоты. Расчет структурной схемы прибора для усиления электрических колебаний. Исследование входного и выходного каскада. Определение коэффициентов усиления по напряжению оконечного каскада на транзисторах.
курсовая работа [1,1 M], добавлен 01.07.2021Расчёт параметров усилителя низкой частоты на биполярном транзисторе. Схема транзисторного усилителя низкой частоты. Выбор биполярного транзистора, расчет элементов схемы. Аналитический расчёт параметров усилительного каскада на полевом транзисторе.
курсовая работа [381,5 K], добавлен 03.12.2010Проектирование бестрансформаторного усилителя низкой частоты, расчет коэффициента усиления и диапазона возможных значений. Определение схемы выходного каскада и типов транзисторов каскадов усиления. Расчет электрической принципиальной схемы усилителя.
курсовая работа [138,4 K], добавлен 29.06.2015Составление структурной схемы усилителя низкой частоты радиоприемника и принципиальной схемы выходного каскада. Расчет входного сопротивления плеча. Основные параметры биполярного транзистора. Расчет двухтактного транзисторного каскада мощного усиления.
курсовая работа [1,0 M], добавлен 07.12.2012Общие сведения об усилителях звуковой частоты. Электрический расчет схемы прибора. Разработка узлов радиоэлектронной аппаратуры. Определение номиналов пассивных и активных элементов схемы усилителя низкой частоты, которые обеспечивают работу устройства.
курсовая работа [355,0 K], добавлен 13.10.2017Анализ существующих систем навигации и принципов их работы. Разработка структурной схемы передающего устройства ультракоротковолновой радиостанции. Расчет элементов принципиальной схемы предварительного усилителя, усилителя низкой и высокой частоты.
дипломная работа [1,6 M], добавлен 27.06.2014Методика и основные этапы разработки схемы усилителя низкой частоты с заданными в техническом задании параметрами. Формирование и синтез структурной схемы. Разработка и расчет принципиальной схемы. Анализ данного спроектированного устройства на ЭВМ.
контрольная работа [122,8 K], добавлен 09.10.2010Выбор структурной схемы многокаскадного усилителя низкой частоты. Расчет показателей выходного, предокочечного и входного каскадов электронного устройства. Оценка параметров частотного искажения, фазовых сдвигов и усиления по напряжению, мощности и току.
курсовая работа [220,0 K], добавлен 03.12.2010