Средства отображения информации
Обоснование выбора типа индикатора в соответствии с режимом стробирования. Построение буферной микросхемы. Расчет формирователей строк или столбцов. Синтез знакогенератора. Характеристики германиевого транзистора. Выбор резисторов по номинальному ряду.
| Рубрика | Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника |
| Вид | контрольная работа |
| Язык | русский |
| Дата добавления | 29.12.2010 |
| Размер файла | 298,3 K |
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
Министерство образования и науки Украины
НТУ «ХПИ»
Кафедра промышленной и биомедицинской электроники
Расчетно-графическое задание
по дисциплине: «Средства отображения информации»
Подготовила: студентка
группы ЭМС 47-в
Демидова Евгения
Принял: Макаров В.А.
Харьков 2010
Задание
1. Произвести выбор типа индикатора в соответствии с режимом стробирования. ЭО должен гореть при совпадении низкого напряжения (логический «0») на строке и столбце.
2. Произвести выбор буферной микросхемы (регистра).
3. Произвести расчет формирователей строк или столбцов.
4. В соответствии с заданием синтезировать знакогенератор.
IH = IF =20 мА
UVD =2,2 B
IИМП = IH*q1/2 =20*51/2 =44,72 мА
I2 = IИМП*7 =7*44,72 =313,04 мА
R1 =……= R7 =(E - UVD - UВЫХ(0) ) / IИМП =(5 - 2,2 - 0,4 )/ 44,72*10-3=53,66 Ом
Выбираем резисторы по номинальному ряду резисторов из сетки Е24.
R1 =……= R7 =51 Ом
I2 = IС
Далее следует выбрать транзисторы, исходя из рассчитанного ранее тока.
В результате подбора транзисторов был выбран германиевый транзистор p-n-p ГТ320А, который отвечает всем поставленным требованиям.
IС =150 мА
IС И =300 мА
UСЕ =12 В
UВЕ =3 В
=20 - 80
Выбрав средний коэффициент , получим данные для дальнейшего расчета.
I1 = I2 / = 313,04 / 40 =7,8 мА
UС* =Е - UВЕ - UВЫХ =5 -3 - 0,4=1,6 В
R8 =……= R12 = UС* / I1 = 1,6 / 7,8*10-3=205 Ом
Выбираем резисторы по номинальному ряду резисторов из сетки Е24.
R8 =……= R12 =200 Ом
И для выполнения условия задания нужно выбрать индикатор КWM - 20571CGB
В качестве регистра можно взять микросхему 555АП6 (DD1 на рисунке1), в качестве дешифратора -- микросхему К155 ИД7 (DD2 на рисунке1).
Рисунок 1.Функциональная схема
Ст.1=11101011=EB
Ст.2=10000000=80
Ст.3=11101011=EB
Ст.4=10000000=80
Ст.5=11101011=EB
Ст.1=10111101=BD
Ст.2=10111110=BE
Ст.3=10101110=AE
Ст.4=10010110=96
Ст.5=10111001=B9
Ст.1=11001110=C1
Ст.2=10111110=BE
Ст.3=10111110=BE
Ст.4=10111110=BE
Ст.5=11011101=DD
Ст.1=11001110=CE
Ст.2=10110110=B6
Ст.3=10110110=B6
Ст.4=10110110=B6
Ст.5=10111001=B9
Ст.1=11110001=F1
Ст.2=11101110=EE
Ст.3=11101110=EE
Ст.4=11101110=EE
Ст.5=11111101=FD
Подобные документы
Конструирование микросхемы по электрической принципиальной схеме. Обоснование выбора материала подложки. Расчет тонкопленочных конденсаторов, резисторов. Диапазон рабочих температур. Выбор навесных элементов. Расчет показателя надежности микросхемы.
контрольная работа [48,2 K], добавлен 28.09.2012Характеристика систем отображения информации (СОИ), функциональная схема СОИ телевизионного типа. Расчет числа знаков на экране системы и кодов символов в буферном запоминающем устройстве. Выбор мультиплексора, расчет ПЗУ и регистра знакогенератора.
курсовая работа [699,6 K], добавлен 18.09.2010Описание характеристик транзистора. Построение практической схемы каскада с общим эмиттером. Выбор режима работы усилителя. Алгоритм расчета делителя в цепи базы, параметров каскада. Оценка нелинейных искажений каскада. Выбор резисторов и конденсаторов.
курсовая работа [1,0 M], добавлен 03.03.2014Расчет номинальных значений резисторов однокаскадного усилителя. Построение передаточной характеристики схемы на участке база-коллектор биполярного транзистора. Принципиальная электрическая схема усилителя, схема для нахождения потенциалов на эмиттере.
курсовая работа [975,5 K], добавлен 13.01.2014Использование параметрических феррорезонансных стабилизаторов напряжения. Конструктивно-технологическое исполнение интегральной микросхемы. Расчет интегрального транзистора и его характеристики. Разработка технических требований и топологии микросхемы.
курсовая работа [140,6 K], добавлен 15.07.2012Разработка конструкции, топологии и технологического процесса интегральной микросхемы по заданной электрической схеме. Топологический расчет транзистора и полупроводникового кристалла. Расчет геометрических размеров резисторов и конденсаторов.
курсовая работа [1,3 M], добавлен 18.02.2010Выбор и обоснование элементной базы, унифицированных узлов, установочных изделий и материалов конструкций. Выбор конденсаторов и резисторов. Расчет конструктивно-технологических параметров печатной платы. Обеспечение электромагнитной совместимости.
дипломная работа [2,7 M], добавлен 17.10.2013Критерии выбора типа транзистора для усилительного каскада (напряжение между коллектором и эмиттером). Расчет режима работы по постоянному и переменному току, значений резисторов, конденсаторов, индуктивностей. Ознакомление с программой Micro Cap 8.
курсовая работа [2,1 M], добавлен 16.02.2010Основные параметры и характеристики, выбор режима работы транзистора. Расчет малосигнальных параметров. Определение основных параметров схемы замещения. Расчет основных параметров каскада. Оценка нелинейных искажений. Выбор резисторов и конденсаторов.
курсовая работа [964,4 K], добавлен 01.10.2014Характеристика электронно-лучевых индикаторов, конструкция, недостатки и преимущества, распространение в области отображения информации. Использование в жидких кристаллах "твист-эффекта" для индикации. Принципы отображения информации на больших экранах.
реферат [3,1 M], добавлен 12.08.2009
