Основные качества полупроводников
Полупроводники и их физические свойства. Генерация и рекомбинация свободных носителей заряда. Влияние донорных и акцепторных примесей. Понятие р-п -перехода и факторы, влияющие на его свойства. Полупроводниковые диоды и биполярные транзисторы, их виды.
| Рубрика | Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника |
| Вид | контрольная работа |
| Язык | русский |
| Дата добавления | 19.03.2011 |
| Размер файла | 1,2 M |
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
Uкэх.и.макс - максимально допустимое импульсное напряжение между коллектором и эмиттером при заданных условиях в цепи база - эмиттер.
Uкэ - напряжение коллектор - эмиттер транзистора.
Uкэ.нас - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора. Uэбо.макс - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер - база при токе коллектора, равном нулю.
Класификация биполярных транзисторов относительно основных параметров
|
Тип прибора |
Предельные значения параметров при Тп = 25 °С |
Значения параметров при Тп = 25 °С |
||||||||||
|
Ік.макс, мА |
Ік.и.макс, мА |
UкэR.гр, {Uкэо.макс}, B |
Uэбо. макс, B |
Рк.макс, {Рк.и.макс}, мВт |
h21, {h21Э} |
Uкб, {Uкэ}, B |
Iэ, {Iк}, мА |
Uкэ. нас, B |
Ікбо, мкА |
fгp, {fh21}, МГц |
||
|
1Т102 |
6 |
- |
5 |
5 |
30 |
20 |
5 |
1 |
- |
10 |
1 |
|
|
КТ214Е-1 |
50 |
100 |
{20} |
20 |
50 |
40 |
1 |
0,04 |
0,6 |
1 |
- |
|
|
М5А |
70 |
150 |
{15} |
10 |
75 |
{20.50} |
1 |
10 |
0,15 |
20 |
1 |
|
|
МП42А |
100 |
200 |
15 |
- |
200 |
{30.50} |
{1} |
{10} |
0,2 |
25 |
1 |
|
|
П41 |
20 |
150 |
15 |
10 |
150 |
30.100 |
5 |
1 |
- |
15 |
1 |
|
|
П40А |
20 |
150 |
30 |
5 |
150 |
20.80 |
5 |
1 |
- |
- |
- |
|
Тип прибора |
Предельные значения параметров при Тп = 25 °С |
Значения параметров при Тп = 25 °С |
||||||||||
|
Ік.макс, мА |
Ік.и.макс, мА |
Uкэя.макс, {икэо.гр}, B |
Uкбо. макс, B |
Рк.макс, {Р макс}, мВт |
h21, {h21Э} |
Uкб, {икэ}, B |
1э, {Ік}, мА |
Uкэ.нас, B |
Ікбо, {1кэк}, мкА |
fгp, {fh21}, МГц |
||
|
2Т127А-1 |
50 |
- |
{25} |
25 |
15 |
{15.60} |
{5} |
1 |
0,5 |
1 |
0,1 |
|
|
2Т127Б-1 |
50 |
- |
{25} |
25 |
15 |
{40.200} |
{5} |
1 |
0,5 |
1 |
0,1 |
|
|
М3А |
50 |
100 |
{15} |
15 |
75 |
{18.55} |
1 |
10 |
0,5 |
{20} |
1 |
|
|
МП9А |
20 |
150 |
{15} |
15 |
{150} |
15.45 |
5 |
1 |
- |
30 |
{1} |
|
|
МП113 |
20 |
100 |
10 |
10 |
{150} |
15.45 |
5 |
1 |
- |
3 |
{1} |
|
|
ТМ3А |
50 |
100 |
{15} |
15 |
75 |
{18.55} |
1 |
10 |
0,5 |
{20} |
1 |
|
Тип прибора |
Предельные значения параметров при Тп = 25 °С |
Значения параметров при Тп = 25 °С |
||||||||||
|
Ік.макс, мА |
Ік.и.макс, мА |
UкэR.гр, {Uкэо.макс}, B |
Uэбо. макс, B |
Рк.макс, {Рк.и.макс}, мВт |
h21, {h21Э} |
Uкб, {Uкэ}, B |
Iэ, {Iк}, мА |
Uкэ. нас, B |
Ікбо, мкА |
fгp, {fh21}, МГц |
||
|
1Т101Б |
10 |
- |
15 |
15 |
50 |
{60.120} |
5 |
1 |
- |
15 |
{5} |
|
|
2Т203В |
10 |
50 |
15 |
15 |
150 |
{60.200} |
5 |
1 |
- |
- |
10 |
|
|
КТ208Б |
150 |
300 |
20 |
20 |
200 |
40.120 |
1 |
30 |
0,4 |
- |
5 |
|
|
КТ209А |
300 |
500 |
15 |
15 |
200 |
20.60 |
1 |
30 |
0,4 |
- |
5 |
|
|
П28 |
6 |
- |
5 |
5 |
30 |
{33.100} |
5 |
0,5 |
- |
3 |
{5} |
|
|
П406 |
5 |
- |
{6} |
6 |
30 |
{20} |
6 |
1 |
- |
6 |
{10} |
|
Тип прибора |
Предельные значения параметров при Тп = 25 °С |
Значения параметров при Тп = 25 °С |
||||||||||
|
Ік.макс, мА |
Ік.и.макс, мА |
UкэR.гр, {Uкэо.макс}, B |
Uэбо. макс, B |
Рк.макс, {Рк.и.макс}, мВт |
h21, {h21Э} |
Uкб, {Uкэ}, B |
Iэ, {Iк}, мА |
Uкэ. нас, B |
Ікбо, мкА |
fгp, {fh21}, МГц |
||
|
П307 |
30 |
120 |
80 |
80 |
250 |
16.50 |
20 |
10 |
- |
3 |
20 |
|
|
П307А |
30 |
120 |
80 |
80 |
250 |
30.90 |
20 |
10 |
- |
3 |
20 |
|
|
П307Б |
15 |
120 |
80 |
80 |
250 |
50.150 |
20 |
10 |
- |
3 |
20 |
|
|
П307Г |
15 |
120 |
80 |
80 |
250 |
16.50 |
20 |
10 |
- |
3 |
20 |
|
|
П308 |
30 |
120 |
120 |
120 |
250 |
30.90 |
20 |
10 |
- |
3 |
20 |
|
Тип прибора |
Предельные значения параметров при Тп = 25 °С |
Значения параметров при Тп = 25 °С |
||||||||||||
|
Ік. макс, мА |
Ік.и. макс, мА |
Uкэя.макс, {Uкэо.гр}, [Uкэо.макс], B |
Uкбо. макс, B |
Uэбо. макс, B |
Рк.макс, мВт |
h21, {h21Э} |
Uкб, {икэ}, B |
Iэ, {Iк}, мА |
Uкэ. нас, B |
Ікбо, мкА |
fгр, {fмакс}, МГц |
Кш, дБ |
||
|
2Т3117А |
400 |
800 |
60 |
60 |
4 |
{300} |
40.200 |
5 |
200 |
0,5 |
5 |
200 |
- |
|
|
ГТ311Б |
50 |
- |
12 |
- |
2 |
150 |
30.180 |
3 |
15 |
0,3 |
5 |
- |
- |
|
|
КТ312Б |
30 |
60 |
35 |
- |
4 |
{225} |
25.100 |
2 |
20 |
0,8 |
10 |
- |
- |
|
|
КТ315И |
50 |
- |
60 |
- |
6 |
100 |
30 |
{10} |
{1} |
- |
1 |
250 |
- |
|
|
КТ339А |
25 |
- |
{25} |
40 |
4 |
260 |
25 |
10 |
7 |
- |
1 |
300 |
- |
|
|
КТ3102В |
100 |
200 |
{30} |
30 |
5 |
{250} |
200.500 |
5 |
2 |
- |
0,01 |
- |
10 |
|
Тип прибора |
Предельные значения параметров при Тп = 25 °С |
Значения параметров при Тп = 25 °С |
||||||||||||
|
Ік. макс, мА |
Ік.и. макс, мА |
Uкэя.макс, {Uкэо.гр}, [Uкэо.макс], B |
Uкбо. макс, B |
Uэбо. макс, B |
Рк.макс, мВт |
h21, {h21Э} |
Uкб, {икэ}, B |
Iэ, {Iк}, мА |
Uкэ. нас, B |
Ікбо, мкА |
fгр, {fмакс}, ГГц |
Кш, дБ |
||
|
1Т313А |
50 |
- |
{7} |
12 |
0,7 |
100 |
10.230 |
{3} |
15 |
0,7 |
5 |
0,3.1 |
8 |
|
|
ГТ376А |
10 |
- |
{7} |
7 |
0,25 |
35 |
10.150 |
5 |
2 |
- |
5 |
1 |
4 |
|
|
КТ326А |
50 |
- |
15 |
20 |
4 |
200 |
20.70 |
2 |
10 |
1,2 |
0,5 |
0,4 |
- |
|
|
КТ3127А |
20 |
- |
20 |
20 |
3 |
100 |
25.150 |
5 |
3 |
- |
1 |
0,6 |
5 |
|
|
КТ3128А |
20 |
- |
20 |
20 |
3 |
100 |
15.150 |
5 |
3 |
- |
1 |
0,8 |
5 |
|
|
П418Г |
10 |
- |
{7} |
10 |
0,3 |
50 |
8.70 |
1 |
10 |
- |
3 |
0,4 |
- |
|
Тип прибора |
Предельные значения параметров при Тп = 25 °С |
Значения параметров при Тп = 25 °С |
||||||||||||
|
Ік. макс, мА |
Ік.и. макс, мА |
UкэR.макс, {Uкэо.гр}, [Uкэо.макс], B |
Uкбо. макс, B |
Uэбо. макс, B |
Рк.макс, мВт |
h21, {h21Э} |
Uкб, {икэ}, B |
Iэ, {Iк}, мА |
Uкэ. нас, B |
Ікбо, мкА |
fгр, {fмакс}, ГГц |
Кш, дБ |
||
|
1Т311А |
50 |
- |
12 |
12 |
2 |
{150} |
15.180 |
3 |
15 |
0,3 |
5 |
0,3 |
8 |
|
|
2Т368Б |
30 |
60 |
15 |
15 |
4 |
{225} |
50.300 |
1 |
{10} |
- |
0,5 |
0,9 |
3,3 |
|
|
2Т396А-2 |
40 |
40 |
10 |
15 |
3 |
{30} |
40.250 |
2 |
{5} |
- |
0,5 |
2,1 |
- |
|
|
КТ325Б |
30 |
60 |
15 |
15 |
4 |
{225} |
70.210 |
5 |
{10} |
- |
0,5 |
0,8 |
- |
|
|
КТ325В |
30 |
60 |
15 |
15 |
4 |
{225} |
160.400 |
5 |
{10} |
- |
0,5 |
1 |
- |
|
|
КТ366В |
45 |
70 |
{10} |
15 |
4,5 |
{90} |
50.200 |
{1} |
15 |
0,25 |
0,1 |
1 |
- |
|
Тип прибора |
Предельные значения параметров при Тп = 25 °С |
Значения параметров при Тп = 25 °С |
|||||||||||
|
Ік. макс, А |
UкэR. макс, В |
Рк.макс, Вт |
Т,°С |
Тп. макс, °С |
Тмакс, °С |
h21Э |
Uкб, {Uкэ}, B |
Iэ, мА |
Ікбо, мкА |
fh21, МГц |
Rтп-с, °С / Вт |
||
|
ГТ402А |
0,5 |
25 |
0,6 |
- |
85 |
55 |
30.80 |
1 |
3 |
20 |
1 |
100 |
|
|
ГТ402Б |
0,5 |
25 |
0,6 |
- |
85 |
55 |
60.150 |
1 |
3 |
20 |
1 |
100 |
|
|
ГТ402В |
0,5 |
40 |
0,6 |
- |
85 |
55 |
30.80 |
1 |
3 |
20 |
1 |
100 |
|
|
КТ502А |
0,15 |
25 |
0,35 |
25 |
125 |
85 |
40.120 |
5 |
10 |
1 |
5 |
214 |
|
|
КТ502Б |
0,15 |
25 |
0,35 |
25 |
125 |
85 |
80.240 |
5 |
10 |
1 |
5 |
214 |
|
|
КТ502В |
0,15 |
40 |
0,35 |
25 |
125 |
85 |
40.120 |
5 |
10 |
1 |
5 |
214 |
|
Тип прибора |
Предельные значения параметров при Тп = 25 °С |
Значения параметров при Тп = 25 °С |
|||||||||||
|
Ік. макс, А |
UкэR. макс, В |
Рк.макс, Вт |
Т,°С |
Тп. макс, °С |
Тмакс, °С |
h21Э |
Uкб, {Uкэ}, B |
Iэ, мА |
Ікбо, мкА |
fh21, МГц |
Rтп-с, °С / Вт |
||
|
ГТ404Е |
0,5 |
25 |
0,6 |
25 |
85 |
55 |
60.150 |
1 |
3 |
25 |
1 |
100 |
|
|
ГТ404Ж |
0,5 |
40 |
0,6 |
25 |
85 |
55 |
30.80 |
1 |
3 |
25 |
1 |
100 |
|
|
ГТ404И |
0,5 |
40 |
0,6 |
25 |
85 |
55 |
60.150 |
1 |
3 |
25 |
1 |
100 |
|
|
КТ503А |
0,15 |
{25} |
0,35 |
- |
125 |
- |
40.120 |
5 |
{10} |
1 |
5 |
214 |
|
|
КТ503Б |
0,15 |
{25} |
0,35 |
- |
125 |
- |
80.240 |
5 |
{10} |
1 |
5 |
214 |
|
|
КТ503В |
0,15 |
{40} |
0,35 |
- |
125 |
- |
40.120 |
5 |
{10} |
1 |
5 |
214 |
|
Тип прибора |
Предельные значения параметров при Тп = 25 °С |
Значения параметров при Тп = 25 °С |
|||||||||||
|
Ік. макс, мА |
Ік.и. макс, мА |
Uкэя.макс, {Uкэо.гр}, [Uкэо.макс], B |
Uкбо. макс, B |
Uэбо. макс, B |
Рк.макс, мВт |
h21, {h21Э} |
Uкб, {икэ}, B |
Iэ, {Iк}, мА |
Uкэ. нас, B |
Ікбо, мкА |
fгр, {fмакс}, МГц |
||
|
2Т313А |
0,6 |
0,7 |
[50] |
60 |
5 |
1,5 |
30.120 |
10 |
1 |
0,5 |
0,5 |
200 |
|
|
2Т629АМ-2 |
1 |
- |
50 |
50 |
4,5 |
1 |
25.80 |
1,5 |
500 |
0,8 |
5 |
250 |
|
|
2Т632А |
0,1 |
0,35 |
[120] |
120 |
5 |
0,5 |
50 |
{10} |
1 |
0,5 |
1 |
200 |
|
|
КТ644Г |
0,6 |
1 |
40 |
60 |
5 |
1 |
100.300 |
10 |
150 |
0,4 |
0,1 |
200 |
|
|
П607А |
0,3 |
0,6 |
25 |
30 |
1,5 |
{1,5} |
60.200 |
{3} |
{250} |
2 |
300 |
60 |
|
|
П608 |
0,3 |
0,6 |
25 |
30 |
1,5 |
{1,5} |
40.120 |
{3} |
{250} |
2 |
300 |
90 |
|
Тип прибора |
Предельные значения параметров при Тп = 25 °С |
Значения параметров при Тп = 25 °С |
|||||||||||
|
Ік. макс, мА |
Ік.и. макс, мА |
Uкэя.макс, {Uкэо.гр}, [Uкэо.макс], B |
Uкбо. макс, B |
Uэбо. макс, B |
Рк.макс, мВт |
h21, {h21Э} |
Uкб, {икэ}, B |
Iэ, {Iк}, мА |
Uкэ. нас, B |
Ікбо, мкА |
fгр, {fмакс}, МГц |
||
|
2Т608Б |
0,4 |
0,8 |
60 |
60 |
4 |
0,5 |
50.160 |
5 |
200 |
1 |
10 |
200 |
|
|
КТ601А |
0,03 |
- |
100 |
100 |
2 |
0,5 |
16 |
{20} |
10 |
- |
{500} |
40 |
|
|
КТ603Е |
0,3 |
0,6 |
10 |
10 |
3 |
0,5 |
60.200 |
2 |
150 |
1 |
1 |
200 |
|
|
КТ605А |
0,1 |
0,2 |
250 |
300 |
5 |
0,4 |
10.40 |
40 |
20 |
8 |
[20] |
40 |
|
|
КТ645Б |
0,3 |
0,6 |
40 |
40 |
4 |
0,5 |
80 |
10 |
2 |
0,5 |
10 |
200 |
|
|
КТ646А |
1 |
1,2 |
50 |
60 |
4 |
1 |
40.200 |
5 |
200 |
0,85 |
10 |
200 |
|
Тип прибора |
Предельные значения параметров при Тп = 25 °С |
Значения параметров при Тп = 25 °С |
|||||||||||
|
Ік. макс, А |
Ік.и. макс, А |
Uкэя.макс, {Uкэо.гр}, [Uкэо.макс], B |
Uкбо. макс, B |
Uэбо. макс, B |
Рк.макс, Вт |
h21, {h21Э} |
Uкб, {икэ}, B |
Iэ, {Iк}, А |
Uкэ. нас, B |
Ікбо, мА |
fгр, {fмакс}, МГц |
||
|
1Т702В |
30 |
- |
{40} |
60 |
4 |
150 |
15.100 |
{1,5} |
30 |
0,6 |
12 |
0,12 |
|
|
2Т818А |
15 |
20 |
80 |
100 |
5 |
100 |
20 |
{5} |
{5} |
1 |
- |
3 |
|
|
ГТ703Д |
3,5 |
- |
[40] |
- |
- |
15 |
20.45 |
1 |
0,05 |
0,6 |
0,5 |
0,01 |
|
|
КТ814А |
1,5 |
3 |
25 |
- |
5 |
10 |
40 |
{2} |
{0,15} |
0,6 |
0,05 |
3 |
|
|
КТ835А |
3 |
- |
30 |
30 |
- |
- |
25 |
{1} |
{1} |
0,35 |
0,1 |
3 |
|
|
П210 |
12 |
- |
{60} |
- |
- |
60 |
15 |
- |
- |
- |
12 |
{0,1} |
|
Тип прибора |
Предельные значения параметров при Тп = 25 °С |
Значения параметров при Тп = 25 °С |
||||||||||
|
Ік.макс, А |
Ік.и.макс, А |
UкэR.гр, {Uкэо.макс}, B |
Uэбо. макс, B |
Рк.макс, {Рк.и.макс}, Вт |
h21, {h21Э} |
Uкб, {Uкэ}, B |
Iэ, {Iк}, А |
Uкэ. нас, B |
Ікбо, мА |
fгp, {fh21}, МГц |
||
|
2ТК235-40-1 |
25 |
40 |
90 |
6 |
{3300} |
10 |
5 |
20 |
1,5 |
5 |
- |
|
|
2Т704А |
2,5 |
4 |
[1000] |
4 |
15 |
10.100 |
15 |
1 |
5 |
[5] |
3 |
|
|
2Т819В-2 |
15 |
20 |
40 |
5 |
40 |
20 |
{5} |
{5} |
1 |
- |
3 |
|
|
2Т848А |
15 |
- |
400 |
7 |
35 |
20 |
5 |
15 |
1,5 |
5 |
3 |
|
|
ГТ705Д |
3,5 |
- |
{20} |
- |
15 |
90.250 |
1 |
{0,5} |
1 |
[1,5] |
{0,01} |
|
|
КТ815А |
1,5 |
3 |
25 |
5 |
10 |
40 |
2 |
0,15 |
0,6 |
{0,05} |
3 |
|
Тип прибора |
Предельные значения параметров при Тп = 25 °С |
Значения параметров при Тп = 25 °С |
||||||||||
|
Ік.макс, А |
Ік.и.макс, А |
UкэR.гр, {Uкэо.макс}, B |
Uэбо. макс, B |
Рк.макс, {Рк.и.макс}, Вт |
h21, {h21Э} |
Uкб, {Uкэ}, B |
Iэ, {Iк}, А |
Uкэ. нас, B |
Ікбо, мА |
fгp, {fh21}, МГц |
||
|
1Т910АД |
10 |
20 |
25 |
- |
35 |
50.320 |
10 |
{10} |
0,6 |
6 |
30 |
|
|
2Т505А |
1 |
2 |
250 |
5 |
5 |
25.140 |
{10} |
{0,5} |
1,8 |
0,1 |
20 |
|
|
ГТ906АМ |
10 |
- |
75 |
1,4 |
15 |
30.150 |
{10} |
{5} |
0,5 |
{8} |
- |
|
|
КТ837А |
7,5 |
- |
{60} |
15 |
30 |
10.40 |
5 |
2 |
2,5 |
0,15 |
- |
|
|
КТ865А |
10 |
- |
160 |
6 |
100 |
40.200 |
{4} |
{2} |
2 |
0,1 |
15 |
|
|
П601АИ |
- |
1,5 |
25 |
0,7 |
3 |
40.100 |
3 |
0,5 |
2 |
1,5 |
20 |
|
Тип прибора |
Предельные значения параметров при Тп = 25 °С |
Значения параметров при Тп = 25 °С |
||||||||||
|
Ік.макс, А |
Ік.и .макс, А |
UкэR.гр, {Uкэо.макс}, B |
Uэбо. макс, B |
Рк.макс, {Рк.и. макс}, Вт |
h21, {h21Э} |
Uкб, {Uкэ}, B |
Iэ, {Iк}, А |
Uкэ. нас, B |
Ікбо, мА |
fгp, {fh21}, МГц |
||
|
2Т504Б |
1 |
2 |
150 |
250 |
10 |
15.140 |
{5} |
{0,5} |
1 |
0,1 |
20 |
|
|
2Т803А |
10 |
- |
[60] |
- |
60 |
18.80 |
10 |
5 |
2,5 |
1 |
20 |
|
|
П701Б |
0,5 |
- |
[40] |
40 |
10 |
30.100 |
{10} |
0,5 |
7 |
0,1 |
20 |
|
|
П702 |
2 |
- |
{60} |
60 |
40 |
25 |
{10} |
{1,1} |
2,5 |
5 |
4 |
|
|
ТК135-25-0,5 |
16 |
25 |
{30} |
{50} |
80 |
10.100 |
5 |
12,5 |
2 |
10 |
6 |
|
|
ТК135-25-1 |
16 |
25 |
{60} |
{100} |
80 |
10.100 |
5 |
12,5 |
2 |
10 |
6 |
4. Интегральная микросхема
Интегральная микросхема -- микроэлектронное изделие, выполняющее определенную функцию преобразования и обработки сигналов и имеющее высокую плотность упаковки электрически соединенных элементов (или элементов и компонентов) и (или) кристаллов. Это изделие с точки зрения требований к испытаниям, приемке, поставке и эксплуатации рассматривается как единое целое. Термин «интегральная микросхема» имеет два подчиненных понятия: элемент ИС (или просто элемент) и компонент ИС (или просто компонент).
Элемент -- это часть ИС, реализующая функцию какого-либо простого электрорадиоэлемента (например, транзистора, диода, резистора, конденсатора). Элемент нельзя отделить от кристалла ИС (или ее подложки) как самостоятельное изделие, следовательно, его нельзя испытать, упаковать и эксплуатировать. Примеры интегральных элементов: пленочный резистор в гибридной ИС, транзистор в полупроводниковой ИС.
Компонент -- это часть ИС, также реализующая функцию какого-либо электрорадиоэлемента, однако компонент перед сборкой ИС был самостоятельным изделием в специальной упаковке (комплектующее изделие). Компонент в принципе может быть отделен от изготовленной ИС (например, для замены при ремонте). Примеры интегральных компонентов: бескорпусный транзистор, керамический конденсатор в гибридной ИС.
Классификация ИС
В зависимости от технологии изготовления ИС могут быть полупроводниковыми, пленочными или гибридными. В ГОСТ 17021--75 даются следующие определения этим трем разновидностям ИС.
В полупроводниковой ИС все элементы и межэлементные соединения выполнены в объеме и на поверхности полупроводника.
В пленочной ИС все элементы и межэлементные соединения выполнены только в виде пленок проводящих и диэлектрических материалов. Вариантами пленочных являются тонкопленочные и толстопленочные ИС.
Различие между тонкопленочными и толстопленочными ИС может быть количественным и качественным. К тонкопленочным условно относят ИС с толщиной пленок до 1 мкм, а к толстопленочным -- ИС с толщиной пленок свыше 1 мкм. Качественные различия определяются технологией изготовления пленок. Элементы тонкопленочной ИС наносятся на подложку, как правило, с помощью термовакуумного осаждения и катодного распыления, а элементы толстопленочной ИС изготавливаются преимущественно методом шелкографии с последующим выжиганием.
Наконец, к гибридным микросхемам относят ИС, содержащие, кроме элементов, простые и сложные компоненты (например, кристаллы полупроводниковых ИС). Частным случаем гибридной ИС является многокристальная ИС (совокупность нескольких бескорпусных ИС на одной подложке).
В зависимости от функционального назначения ИС делятся на две основные категории -- аналоговые и цифровые. Аналоговые ИС (АИС) предназначены для преобразования и обработки сигналов, изменяющихся по закону непрерывной функции. Частным случаем АИС является ИС с линейной характеристикой (линейная микросхема, ЛИС). К цифровым относятся ИС, с помощью которых преобразуются и обрабатываются сигналы, выраженные в двоичном или другом коде. Вариантом определения ЦИС является термин логическая микросхема (операции с двоичным кодом описываются логической алгеброй).
При появление микропроцессорной техники в 1981 г. в ГОСТ 17021--75 были добавлены четыре термина. Микропроцессор определен как устройство, управляемое программным способом, осуществляющее процесс обработки цифровой информации и управления. Это устройство изготовлено на основе одной или нескольких БИС.
Операционные усилители
Операционным усилителем (ОУ) принято называть интегральный усилитель постоянного тока с большим коэффициентом усиления, с помощью которого можно строить узлы аппаратуры с параметрами, зависящими только от свойств цепи отрицательной обратной связи, в которую он включен. ОУ можно использовать для построения самых разнообразных узлов аппаратуры (по различным источникам -- более 200).
К140УД1А, К140УД1Б, К140УД1В, КР140УД1А, КР140УД1Б, КР140УД1В
Микросхемы представляют собой операционные усилители средней точности без частотной коррекции. Содержат 22 интегральных элемента. Корпус К140УД1А-К140УД1В типа 301.12-1, масса не более 1,5 г, КР140УД1А-КР140УД1В -- типа 201.14-1. масса не более 1,5 г.
Условное графическое обозначение К140УД1, КР140УД1
Назначение выводов: К140УД1: 1 - напряжение питания (- Un); 2, 3, 12 -- контрольные; 4 - общий; 5 - выход; 7 - напряжение питания (+ Un); 9 - вход инвертирующий; 10 - вход неинвертирующий.
КР140УД1: 1 - напряжение питания (- Un); 2, 4, 14 - контрольные; 5 - общий; 7- выход; 8 - напряжение питания (+ Un); 10 - вход инвертирующий; 11 - вход неинвертирующий.
Общие рекомендации по применению
При одновременной подаче на входы ИС синфазного и дифференциального входных напряжений потенциал на каждом входе не должен превышать 1,5 и З В для К140УД1, КР140УД1А, 3 и 6 В для К140УД1Б, К140УДВ, КР140УДБ, КР140УДВ.
Электрические параметры
Номинальное напряжение питания:
К140УД1 А, КР140УД1А…………………… ± 6,3 В ± 0,5%
К140УД1Б, К140УД1В, КР140УД1Б,
КР140УД1В .......................................... .. ± 12,6 В ± 0,5%
Максимальное выходное напряжение:
при Uп = ± 6,3 В, Rн=5,05к0м, Uвх = ± 0,1 В:
К140УД1А ………………………………………………. >±2,8 В
КР140УД1А ………………………………………….... >ЗВ
при Uп = ± 12.6 В, Rн = 5,05 кОм:
К140УД1Б, К140УД1В, КР140УД1Б,
КР140УД1В при Uвх = -0,1 В……………………………….. >6В
К140УД1Б, К140УД1В при Uвх=0,1 В ..................................... >-5,7 В
Напряжение смещения нуля:
при Uп = ± 6,3 В, Rн =5,05 кОм для К140УД1А,
КР140УД1А ………………………………………………. < ±7 мВ
при Un = ± 12,6 В, Rн= 5,05 кОм:
К140УД1Б. К140УД1В, КР140УД1В………………………… <±7 мВ
КР140УД1Б …………………………………………. < ±5 мВ
Ток потребления:
К140УД1А, КР140УД1А…………………………… < 4,5 мА
К140УД1Б, К140УД1В, КР140УД1Б, КР140УД1В …< 10 мА
Входной ток:
При Un = ± 6,3 В, Rн =5,05 кОм
для К140УД1 А, КР140УД1А < 7 мкА
при Un = ± 12,6 В. Rн =5,05 кОм:
КР140УД1Б ……………… < 7,5 мкА
К140УД1Б, К140УД1В, КР140УД1В ……………… < 9 мкА
Разность входных токов
К140УД1А- К140УД1В, КР140УД1А- КР140УД1В………….. < 2,5 мкА
Коэффициент усиления напряжения:
при Un = ± 6,3 В, Uвх=0,1 В, Rн = 5,05 кОм
для К140УД1А, КР140УД1А..............500…4500
при Un = ± 12,6 В, Uвх = 0,1 В, Rн =5,05 кОм:
К140УД1Б ..……………………………….1350...12 000
КР140УД1Б ……………………….2000...12 000
КР140УД1В, К140УД1В……………………………….>8000
Коэффициент ослабления синфазного входного напряжения …...> 60 дБ
Средний температурный коэффициент напряжения смещения….<60мкВ/°С
Средний температурный коэффициент
разности входных токов при 7= - 45...+ 25 °С………………< ± 50 нА / °С
Максимальная скорость нарастания выходного напряжения:
К140УД1А ……………………………>1 В/мкс
К140УД1Б, К140УД1В …………………………..>3,5 В/мкс
КР140УД1А …………………………..> 0,2 В /мкс
КР140УД1Б, КР140УД1В…………………………..> 0,4 В/мкс
Время установления выходного напряжения ……………….<1,5 мкс
Входное сопротивление:
К140УД1А, КР140УД1А …………………………………..50 кОм
К140УД1Б, К140УД1В, КР140УД1Б, КР140УД1В ……………..30 кОм
Выходное сопротивление…………………………………..............300 Ом
Частота единичного усиления ……………………………0,1 МГц
Предельно допустимые режимы эксплуатации
Напряжение питания:
К140УД1А, КР140УД1А .. ……………… …………………? ± 6,6 В
в предельном режиме……………………………………………..? ± 7 В
К140УД1Б, К140УД1В, КР140УД1Б, КР140УД1В…………..? ± 13,2 В
в предельном режиме с учетом пульсаций ……………….? ± 14 В
Дифференциальное входное напряжение…………………………? ± 1 В
в предельном режиме ………………………..± 1,2 В
Синфазное входное напряжение:
К140УД1А, КР140УД1А………………………….?±ЗВ
в предельном режиме …………………………? ± 3,3 В
К140УД1Б, К140УД1В, КР140УД1Б, КР140УД1В……………..? 6 В
в предельном режиме ......………………………..? ± 6,3 В
Выходной ток …………………………..? 2 мА
в предельном режиме ……………………………..? 2,5 мА
Температура окружающей среды:
К140УД1 ………………………-45...+ 85 °С
КР140УД1 …………………………-45...+ 70 °С
К140УД2А, К140УД2Б
Микросхемы представляют собой операционный усилитель средней точности с составными транзисторами на входе, без частотной коррекции, где 47 интегральных элемента. Корпус типа 301.12-1, масса не более 1,5г.
Условное графическое обозначение К140УД2 (А, В)
Назначение выводов: 1 - напряжение питания (- Un); 2 - коррекция 1; 5 - выход; 7 - напряжение питания (+ Un); 8 - коррекция 2; 9 - вход инвертирующий; 10 - вход неинвертирующий; 11 - коррекция 3; 12 - коррекция 4.
Общие рекомендации по применению
Не рекомендуется подводить какие-либо электрические сигналы к выводам ИС, не используемым согласно электрической схеме (в том числе к шинам «питание» и «корпус»).
Замену ИС в аппаратуре рекомендуется проводить тольм при отключенных источниках питания.
Для обеспечения устойчивости работы ИС необходимо включать корректирующие цепи.
Длина проводника от корпуса ИС до конденсаторов или резисторов, не используемых для частотной коррекции и шунтирующих источник питания, не должна превышать 50 мм.
Электрические параметры
Номинальное напряжение питания:
К140УД2А ……………………± 12,6 В ± 5%
К140УД2Б …………………………..±6,3 В ±5%
Выходное напряжение:
При Un = ± 12,6 В …………………………..?±10В
При Un= ± 6,3 В ……………..? ± 3 В
Напряжение смещения нуля:
При Un=12,6В для К140УД2А……………………………………..... ?5мВ
при Un = ± 6,3 В………………………………………………………?7 мВ
Входной ток при Un = ± 12,6 В и Un =± 6,3 В…………………? ± 0,7 мкА
Разность входных токов при Un = ± 12,6 В и Un =± 6,3 В …... ?± 0,2 мкА
Ток потребления:
К140УД2А при Un = ± 12,6 В…………………………………………?8 мА
К140УД2Б при Un = ± 6.3 В ..……… ……………………….? 5 мА
Коэффициент усиления:
К140УД2А при Un = ± 12,6 В …………………………….30 ·103...240 ·103
К140УД2Б при Un= ±6,3 В .…………………………………. 2·103...50 ·103
Предельно допустимые режимы эксплуатации
Напряжение литания
К140УД2А . ……………………………………………± 13,3 В
в предельном режиме с учетом пульсаций……………………. ±15 В
К140УД2Б....................................................±6,6 В
в предельном режиме ……………………………………±7,5 В
Напряжение между входами при RГ? 1 кОм
К140УД2А . ... ……………………………………………………±4 В
в предельном режиме ..…………………………………………..± 5 В
К140УД2Б .. ……………………………….± 2 В
в предельном режиме . …………………………….± 2,8 В
Напряжение каждого входа относительно общей точки: при Rr> 1 кОм.
К140УД2А .........................................±6В
в предельном режиме…………………………………………….± 7 В
К140УД2Б…………………………………………….±ЗВ
в предельном режиме………………………………………………. ± 4 В
при Rr ?10 кОм.
К140УД2А…………………………………………………………. ±13,ЗВ
в предельном режиме ... ..…………………………………………..± 15 В
К140УД2Б . . . ..……………………………………………………..±6,6 В
в предельном режиме . .. .…………………………………………..±7,5 В
Выходной ток (пиковый):
К140УД2А . .……………………………………………………….13 мА
К140УД2Б…………………………………………………………..6 мА
Сопротивление нагрузки . ..…………………………………? 1 кОм
Емкости нагрузки .………………………………………….? 100 пФ
Температура окружающей среды………………………...-45...+ 70 °С
Цифровые интегральные схемы
Цифровые интегральные схемы применяются очень широко в различных электронных устройствах, не говоря уж об их очевидной области применения - вычислительной технике. Цифровые сигналы передают информацию либо в виде величины, кратной стандартному временному интервалу между ними, либо в виде двух уровней сигнала: низкого уровня (логический 0) и высокого уровня (логическая 1).
К155ИД4, КБ155ИД4-4, КМ155ИД4
Микросхемы представляют собой сдвоенный дешифратор- демультиплексор 2-4. Содержат 131 интегральный элемент. Корпус типа 238.16-1, масса не более 2 г. и типа 201.16-5, масса не более 2,5 г.
Условное графическое обозначение К155ИД4, КБ155ИД4-4, КМ155ИД4
Назначение выводов: 1 - информационный вход D; 2 - стробирующий вход ; 3 - адресный вход В; 4 - выход 8; 5 -- выход 4; 6 - выход 2; 7 - выход 1; 8 - общий; 9 - выход 1; 10 - выход 2; 11 - выход 4; 12 - выход 8; 13 - адресный вход А; 14 - стробирующий (инверсный) вход ; 15 - информационный (инверсный) вход ; 14 -- напряжение питания.
Электрические параметры
Номинальное напряжение питания 5 В ± 5%
Выходное напряжение низкого уровня ?0,4 В
Выходное напряжение высокого уровня ? 2,4 В
Напряжение на антизвонном диоде ?-1,5 В
Входной ток низкого уровня ? - 1,6 мА
Входной ток высокого уровня ? 0,04 мА
Входной пробивной ток ? 1 мА
Ток короткого замыкания -18. -55 мА
Ток потребления ? 40 мА
Потребляемая статическая мощность (30 МГц) ?210 мВт
Время задержки распространения при включении
по входу 2, по выходам 4--7,
по входам 14, 15 по выходам 9--12,
по входу 13 по выходам 5, 7, 9, 11,
по входу 3 по выходам 6, 7, 9, 10 ? 27 нс
по входу 3 по выходам 4, 5, 11, 12
по входу 13 по выходам 4, 6, 10, 12 ?32 нс
по входу 1 ло выходам 4-- 7 ?30 нс
Время распространения при выключении:
по входу 2, по выходам 4--7,
по входам 14, 15 по выходам 9--12,
по входу 13 по выходам 5, 7, 9, 11,
по входу 3 по выходам 6, 7,9, 10 ?20 нс
по входу 3 по выходам 4, 5, 11, 12,
по входу 13 по выходам 4, 6, 10, 12 ? 32 нс
по входу 1 по выходам 4--7 ? 24 нс
К155АГ1
Микросхема представляет собой одновибратор с логическим элементом на входе. Содержит 55 интегральных элементов. Корпус типа 201.14-1, масса не более 1 г.
Условное графическое обозначение К155АГ1
Назначение выводов: 1 --выход; 2, 8, 12, 13 -- свободные; 3, 4, 5 --входы; 6 -- выход; 7 -- общий; 9, 10, 11--для подключения времязадающей цепи; 14 -- напряжение питания.
Электрические параметры
Номинальное напряжение питания 5 В ± 5%
Выходное напряжение низкого уровня ?0,4 В
Выходное напряжение высокого уровня ? 2,4 В
Напряжение на антизвонном диоде ?-1,5 В
Входной ток низкого уровня.
по выводам 3, 4 ? -1,6 мА
по выводу 5 ?- 3,3 мА
Входной ток высокого уровня:
по выводам 3, 4 ?0,04мА, по выводу 5 ? 0,08 мА
Входной пробивной ток ?1 мА
Ток короткого замыкания . -18 ... - 55 мА
Ток потребления:
при UBX = 0 .?25 мА
при UВХ = 4,5 В ? 40 мА
Потребляемая статическая мощность . ?171 мВт
Время задержки распространения при включении:
по выводам 3, 4 ? 80 нс, по выводу 5 ? 65 нс
Время задержки распространения при выключении:
по выводам 3, 4 ? 70 нс, по выводу 5 ? 55 нс
Рекомендации по применению
Значение внешнего сопротивления между выводами 11 и 14:
1,4 кОм ?R ?40 кОм.
Максимальная емкость между выводами 10 и 11 не более 1000 мкФ.
полупроводник заряд примесь диод
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ
1 Портала О.Н., Халоян А.А., Божко З.В. СПРАВОЧНИК Радиокомпоненты и материалы: Под ред. Н.М. Корнильева - Киев. «Радиооматор», 1998.-720с.
2 Нефедов А.В. Интегральные микросхемы и их зарубежные аналоги Тома 1, 2 : - М.: Радио Софт, 200.
3 Лавриненко В.Ю. Справочник по полупроводниковым приборам: Киев: «Техника»,1984.
4 Харченко В.М. ОСНОВЫ ЭЛЕКТРОНИКИ:- М.: ЭНЕРГОИЗДАТ, 1982
5 Голомедова А.В. Транзисторы малой мощности :-М.: «Радио и связь», 1995
6 Петухов В.М. Биполярные транзисторы средней и большой мощности сверхвысокочастотные и их зарубежные аналоги Том 4 :-М.: «Радио и связь», 1997
7 Москатов Е.А. Справочник по полупроводниковым приборам_издание_1
8 Тарабрин Б.В. - Интегральные микросхемы Справочник:-М.: «Радио и связь», 1983
Размещено на Allbest.ru
Подобные документы
Электропроводимость полупроводников. Образование электронно-дырочной проводимости и ее свойства. Условное обозначение полупроводниковых приборов, классификация и основные параметры. Биполярные и МОП транзисторы. Светоизлучающие приборы и оптопары.
лекция [1,8 M], добавлен 17.02.2011Структура полупроводниковых материалов. Энергетические уровни и зоны. Электро- и примесная проводимость полупроводников. Виды движения носителей. Свойства электронно-дырочного перехода. Электропроводимость полупроводников в сильных электрических полях.
реферат [211,5 K], добавлен 29.06.2015Полупроводниковые приборы. Выпрямительные свойства диодов. Динамический режим работы диодов. Принцип действия диода. Шотки, стабилитроны, стабисторы, варикапы. Туннельные диоды. Обращённый диод. Статическая характеристика и применение обращённого диода.
реферат [515,0 K], добавлен 14.11.2008Классификация, температурные зависимости концентрации, подвижностей носителей заряда собственных и примесных полупроводников. Общая характеристика и основные сведения о кристаллическом строении полупроводниковых материалов Si и Ge, методика выращивания.
курсовая работа [1,5 M], добавлен 08.05.2009Сокращение времени переноса носителей через базу. Баллистические и аналоговые транзисторы. Горбообразные барьеры эмиттера и коллектора. Транзисторы с металлической базой. Приборы на квантово-размерных эффектах. Инерционность процесса туннелирования.
реферат [865,2 K], добавлен 21.08.2015Работа полупроводниковых электронных приборов и интегральных микросхем. Некоторые положения и определения электронной теории твердого тела. Кристаллическое строение полупроводников. Электронно-дырочный переход. Вольтамперная характеристика п-р перехода.
лекция [196,9 K], добавлен 15.03.2009Типы биполярных транзисторов и их диодные схемы замещения. Кремниевые и германиевые транзисторы. Физические явления в транзисторах. Схемы включения и статические параметры. Влияние температуры на статистические характеристики, динамические параметры.
реферат [116,3 K], добавлен 05.08.2009Устройство плоскостного биполярного транзистора. Концентрация основных носителей заряда. Схемы включения биполярных транзисторов. Статические характеристики биполярных транзисторов. Простейший усилительный каскад. Режимы работы и область применения.
лекция [529,8 K], добавлен 19.11.2008Роль полупроводников в микро- и оптоэлектронике. Классификация полупроводниковых материалов. Диапазон электрических параметров различных полупроводников. Особые физико-химические свойства кремния. Применение германия в полупроводниковых приборах.
контрольная работа [1,0 M], добавлен 15.12.2015Особенности влияния облучения на конструкционные материалы, электровакуумные приборы и интегральные схемы. Влияние ионизирующего облучения на резисторы, радиации на полупроводниковые диоды и транзисторы. Зависимость коэффициента усиления от радиации.
реферат [105,9 K], добавлен 20.09.2010
