Определение параметров полупроводниковых приборов по их статическим вольтамперным характеристикам

Предельные эксплуатационные данные выпрямительного диода Д302. Назначение и электрические параметры стабилитрона КС156А. Определение параметров биполярного транзистора ГТ308Б по их статическим вольтамперным характеристикам, его входное сопротивление.

Рубрика Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника
Вид курсовая работа
Язык русский
Дата добавления 21.11.2014
Размер файла 2,1 M

Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже

Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.

Размещено на http://www.allbest.ru

Размещено на http://www.allbest.ru

МОСКОВСКИЙ АВИАЦИОННЫЙ ИНСТИТУТ

(НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ УНИВЕРСИСТЕТ)

Курсовая работа по дисциплине

«Электроника и схемотехника»

На тему:

«Определение параметров полупроводниковых приборов по их

статическим вольтамперным характеристикам»

Выполнил:

студент учебной группы К-21

Хохлов В.В.

Проверил:

Доцент Полубедов В.С.

Содержание

1. Выпрямительный диод Д302

1.1 Назначение выпрямительного диода Д302

1.2 Электрические параметры выпрямительного диода Д302Д

1.3 Предельные эксплуатационные данные выпрямительного диода Д302

1.4 Вольтамперные характеристики выпрямительного диода Д302

1.5 Определение параметров выпрямительного диода Д302 по их статическим вольтамперным характеристикам

2. Стабилитрон КС156А

2.1 Назначение стабилитрона КС156А

2.2 Электрические параметры стабилитрона КС156А

2.3 Предельные эксплуатационные данные стабилитрона КС156А

2.4 Вольтамперные характеристики стабилитрона КС156А

2.5 Определение параметров стабилитрона КС156А по их статическим вольтамперным характеристикам

3. Биполярный транзистор ГТ308Б

3.1 Назначение биполярного транзистора ГТ308Б

3.2 Электрические параметры биполярного транзистора ГТ308Б

3.3 Предельные эксплуатационные данные биполярного транзистора ГТ308Б

3.4 Вольтамперные характеристики биполярного транзистора ГТ308Б

3.5 Определение параметров биполярного транзистора ГТ308Б по их статическим вольтамперным характеристикам

1. Выпрямительный диод Д302

1.1 Назначение выпрямительного диода Д302

Выпрямительным диодом (или выпрямителем) называют компонент электрической цепи, преобразующий переменный ток в постоянный. Обычно это полупроводниковый диод, оказывающий высокое сопротивление току, текущему в одном направлении, и низкое сопротивление току, текущему в обратном направлении.

Д302 - сплавной германиевый диод, предназначенный для выпрямления переменного тока. Выпускается в металлическом сварном герметизированном корпусе с винтом и гайкой для крепления на теплоотводящем шасси.

Рисунок 1 - Выпрямительный диод Д302

1.2 Электрические параметры выпрямительного диода Д302Д

Постоянное прямое напряжение не более………………………..0,3В;

Средний обратный ток при Uобр=Uобр.макс…………………....0,8мА;

1.3 Предельные эксплуатационные данные выпрямительного диода Д302

Средний выпрямительный ток, А:

-При температуре от 20 до 60°С…………………….…………….1,0 А;

-при 50 °С…………………………………………………………...1,0 А;

-при 70 °С…………………………………………………………...0,8 А;

-при 20 °С и f=5000…………………………………….…………..1,0 А;

Обратное напряжение (амплитудное значение), В:

-при температуреот +20 до -60°С ………………………………..200 В;

-при 50 °С…………………………………………………………..120 В;

-при 70 °С…………………………………………………………....50 В;

-при 20 °С и f=5000…………………………………….…………..150 В;

Диапазон рабочих температур окружающей среды.....от -55 до +55°С

Относительная влажность при 40°С……………………….…...до 98%;

Давление окружающего воздуха………...……...…....От 7•102 до 2•105;

Вибрация в диапазоне частот от 10 до 600Гц с ускорением…до 7,5g;

Постоянные линейные ускорения…………….…..……...….…до 25g;

Ударные ускорения…………….…..…………….…..…...……..до 75g;

Гарантийная наработка не менее……….….…………….………5000 ч;

1.4 Вольтамперные характеристики выпрямительного диода Д302

Рисунок 2 - Вольтамперная характеристика выпрямительного диода Д302

1.5 Определение параметров выпрямительного диода Д302 по их статическим вольтамперным характеристикам

S - крутизна вольтамперной характеристики;

Ri- внутреннее сопротивление по переменному току;

R0 - внутреннее сопротивление по постоянному току;

КВЫП- коэффициент выпрямления;

2. Стабилитрон КС156А

2.1 Назначение стабилитрона КС156А

Полупроводниковым стабилитроном называется полупроводниковый кремневый диод, нормальным режимом работы которого является режим электрического пробоя. Вольтамперная характеристика полупроводниковых кремневых диодов в области электрического пробоя имеет участок, который характеризуется тем, что при изменении тока в больших приделах, величина напряжения на диоде остаётся практически постоянной.

Это свойство использовано для создания приборов осуществляющих стабилизацию напряжения.

КС156А - стабилитрон кремниевыйпредназначенный для применения в схемах стабилизаторов напряжения и тока, в схемах ограничения импульсов и в качестве источников опорного напряжения. Выпускается в металлическом герметичном корпусе со стеклянными изоляторами, и имеют гибкие выводы. Масса диода не более 1 г.

Рисунок 3 - Стабилитрон КС156А

2.2 Электрические параметры стабилитрона КС156А

Напряжение стабилизации (при Iст.ном=10мА), …………………......5,6 В

Ток стабилизации, при котором измеряется напряжение стабилизации………………………………………………………...10мА;

Дифференциальное сопротивление (при Iст.ном=10мА), ………....46 Ом;

Разброс напряжения стабилизации (при Iст.ном=10мА),…………...±10%;

Температурный коэффициент напряжения стабилизации притемпературе -40 до+100°С не более………………………0,15%/°С;

Диапазон рабочих температур окружающей среды от -60 до +100°С

Относительная влажность при 40°С……………………………..До 98%;

Давление окружающего воздуха……………….от 2,7* до 3*Па;

Постоянные ускорения………………………………………....До 25±5g;

Вибрационные ускорения в диапазоне частот 20-600Гц…….…До 7,5g;

Гарантийная наработка не менее………………………………….5000 ч;

2.3 Предельные эксплуатационные данные стабилитрона КС156А

Максимальный ток стабилизации:

-при температуре от -40 до +50°С ………………………………….55 мА;

-при температуре при 100°С ……..…………….…………………...18 мА;

Минимальный ток стабилизации:

-при температуре от -55 до +100°С ………………………………….3 мА;

Максимальная рассеиваемая мощность:

-при температуре от -40 до +50°С ………………………………..300мВт;

-при температуре 100°С ………………………………………….100 мВт;

Относительная влажность при 40°С…………………………..…до 98%;

Ударные многократные ускорения…………………………….….до 75g;

Вибрационные ускорения в диапазоне частот 10-600 Гц……....до 7,5g;

2.4 Вольтамперные характеристики стабилитрона КС156А

Рисунок 4 - Вольтамперная характеристика стабилитрона

2.5 Определение параметров стабилитрона КС156А по их статическим вольтамперным характеристикам

RД- дифференциальное сопротивление;

R0- сопротивление по постоянному току;

Uст - напряжение стабилизации;

Iст - ток стабилизации;

Iст.макс, Iст.мин - максимальный и минимальный ток стабилизации;

3. Биполярный транзистор ГТ308Б

3.1 Назначение биполярного транзистора ГТ308Б

Биполярный транзистор - это полупроводниковый прибор, состоящий из трех областей с различными типами проводимости и двумя взаимодействующими р-n переходами.

Основное назначение транзистора - усиление или переключение электрических сигналов. В зависимости от чередования областей полупроводниковых слоев различают n-p-n и p-n-p транзисторы.

Транзистор ГТ308Б - германиевый сплавно-диффузионный p-n-p.Предназначен для усиления, генерирования и преобразования электрических колебаний высокой частоты и работы в импульсных схемах. Выпускается в металлическом герметичном корпусе со стеклянными изоляторами и имеет гибкие выводы. Вывод коллектора электрически соединён с корпусом транзистора; вывод эмиттера обозначен на корпусе цветной точкой. Масса транзистора не более 2 г.

Рисунок 5 - Биполярный транзистор ГТ308Б

3.2 Электрические параметры биполярного транзистора ГТ308Б

Обратный ток коллектора при, не более………………………….2 мкА;

Обратный ток эмиттера при ; не более………………...50мкА;

Статистический коэффициент усиления тока базы при =1В,………………………………………………………………..50-120;

Модулькоэффициента усиления тока базы при.………….6,0;

Напряжение насыщенности между базой и эмиттером при неболее……………………………………………..0,5 В;

Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером при, не более………………………………………........1,2 В;

Ёмкость коллектора при, не более…………...8 пФ;

Ёмкость эмиттера при, не более…………….25 пФ;

Постоянная времени цепи обратной связи при ,, не более……………………………………………………....400пс;

Время рассасывания при не более…………………….1 мкс;

3.3 Предельные эксплуатационные данные биполярного транзистора ГТ308Б

Ток коллектора..………………………………………………….….50мА;

Импульсный ток коллектора при фимп=5 мкс…………………….120 мА;

Напряжение между коллектором и базой, при отключенном эмиттере……………………………………………………….………12 В;

Импульсное напряжение между коллектором и базой при отключённом эмиттере и фимп=1 мкс………………………………...30 В;

Напряжение между коллектором и эмиттером:

-при коротком замыкании эмиттера с базой…………..……….……15В;

-при Rб=1 кОм………………………………………………………...12 В;

-при запирающем напряжении на базе………………………….…..20 В;

Мощность на коллекторе………………………………………...150 мВт;

Импульсная мощность на коллекторе при фимп=5 мкс…….….360 м ВТ;

Диапазон рабочих температур окружающей среды…….от -55 до 60°С;

Давление окружающего воздуха…………………от 7* до 3*Па;

Относительная влажность при 40°С……………………………..до 98%;

Постоянные ускорения…………………………………………..до 150 g;

Многократные ударные ускорения…………………………...…до 150g;

Вибрационные нагрузки в диапазоне частот 10-2000 Гц с ускорением…………………………………………………………….15 g;

Гарантийная наработка не менее………………………………...10000 ч;

3.4 Вольтамперные характеристики биполярного транзистора ГТ308Б

Рисунок 6 - Входные характеристики транзистора

Рисунок 7 - Выходные характеристики транзистора

3.5 Определение параметров биполярного транзистора ГТ308Б по их статическим вольтамперным характеристикам

h11- входное сопротивление при коротком замыкании во входной цепи;

h12- коэффициент обратной связи по напряжению при холостом ходе во входной цепи;

h21- коэффициент передачи тока при коротком замыкании в выходной цепи;

h22- выходная проводимость при холостом ходе во входной цепи;

полупроводниковый диод стабилитрон транзистор

Список литературы

Справочник по полупроводниковым диодам,транзисторам и интегральным схемам. Под общей редакцией Н.Н. Горюнова. - Издание 3.

1982 г.

Катаранов Б.А.,Палаженко А.В.,Сиротинский И.Л.Электроника.Учебное пособие к практическим занятиям. - Изд. СВИ РВ, 1996 г.

Размещено на Allbest.ru


Подобные документы

  • Характеристика выпрямительного диода, стабилитрона, биполярного транзистора. Электрические параметры полупроводникового прибора, предельные эксплуатационные данные. Определение параметров полупроводников по их статическим вольтамперным характеристикам.

    контрольная работа [883,8 K], добавлен 09.11.2010

  • Определение параметров транзистора по его статическим характеристикам. Построение комбинационной логической схемы на электромагнитных реле. Разработка электрических схем параллельного и последовательного суммирующих счётчиков. Состояние триггеров.

    курсовая работа [290,5 K], добавлен 13.01.2016

  • Характеристика полупроводниковых диодов, их назначение, режимы работы. Исследование вольтамперной характеристики выпрямительного полупроводникового диода, стабилитрона и работы однополупериодного полупроводникового выпрямителя. Определение сопротивления.

    лабораторная работа [133,6 K], добавлен 05.06.2013

  • Принцип действия полупроводниковых диодов различного назначения. Прямое и обратное включение выпрямительного диода. Статическое и динамическое сопротивление. Исследования стабилитрона и светодиода. Стабилизация напряжений в цепях переменного тока.

    лабораторная работа [230,6 K], добавлен 12.05.2016

  • Модели биполярного транзистора в программе схемотехнического анализа PSpice. Представление уравнений, описывающих статические и электрические характеристики преобразователя. Зависимость параметров полупроводникового прибора от температуры и площади.

    курсовая работа [510,2 K], добавлен 01.11.2010

  • Исследование статических характеристик биполярного транзистора. Наружная область с наибольшей концентрацией примеси. Схема подключения к источникам питания. Дифференциальное входное сопротивление. Дифференциальное сопротивление перехода база-эмиттер.

    лабораторная работа [46,2 K], добавлен 02.08.2009

  • Биполярные транзисторы, режимы работы, схемы включения. Инверсный активный режим, режим отсечки. Расчет h-параметров биполярного транзистора. Расчет стоко-затворных характеристик полевого транзистора. Определение параметров электронно-лучевой трубки.

    курсовая работа [274,4 K], добавлен 17.03.2015

  • Расчет основных электрических, технологических и эксплуатационных параметров выпрямительного диффузионного диода на основании заданной структуры (характера распределения примеси) и электрических характеристик. Построение графиков зависимости параметров.

    курсовая работа [254,5 K], добавлен 15.10.2010

  • Отличия энергетических диаграмм проводников, полупроводников и диэлектриков. Принцип работы биполярного транзистора. Фотодиод: принцип работы, параметры и назначение. Определение параметров биполярных транзисторов, включенных но схеме с обидим эмиттером.

    контрольная работа [1,4 M], добавлен 05.07.2014

  • Расчет основных электрических параметров полевого транзистора (сопротивление полностью открытого канала, напряжение отсечки, ёмкость затвора). Определение передаточной характеристики, связанных с нею параметров (начальный ток стока, напряжение насыщения).

    реферат [574,2 K], добавлен 07.10.2011

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу.