Анализ теплового режима блока

Расчет температуры корпуса и пакета плат одноблочной ЭВМ. Схема соединения тепловых сопротивлений. Способ монтажа микросхем на плате. Определение теплового сопротивления при передаче тепловой энергии (теплоты) кондукцией для микросхемы, способы улучшения.

Рубрика Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника
Вид лабораторная работа
Язык русский
Дата добавления 08.11.2012
Размер файла 695,1 K

Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже

Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.

Размещено на http://www.allbest.ru

Лабораторная работа №2

Цель работы

Закрепление знаний, полученных при изучении теоретических основ проектирования средств обеспечения тепловых режимов конструкции ЭВМ, и приобретение навыков постановки и решения двух из семи основных теплофизических задач, возникающих при проектировании.

Выполнение

Описание конструкции: блок специализированной ЭВМ реализован в герметичном литом неоребренном корпусе из алюминиевого сплава. Корпус покрашен черным муаром. В блок входят четыре субблока бескаркасной конструкции, без теплоотводящих шин. Субблоки ориентированы вертикально и вставляются во фрезерованные направляющие.

Проектное задание: выполнить анализ теплового режима блока, считая температуру корпуса микросхемы равной температуре нагретой зоны, проверить, обеспечивается ли нормальный тепловой режим. В случае необходимости доработать конструкцию блока и/или субблока с целью улучшения передачи тепловой энергии излучением в окружающую среду и/или кондукцией от основания микросхемы к корпусу блока. Подбирая характеристики покрытий и конструкционных материалов, а также размеры деталей, добиться, чтобы обеспечивался нормальный тепловой режим работы микросхем.

Обоснование выбора задач.

Решаемые задачи: в данной лабораторной работе необходимо решить две задачи:

Задача №7 - расчет температуры корпуса и пакета плат одноблочной ЭВМ

Данную задачу необходимо решить, поскольку это требуется по условию проектного задания (требуется выполнить анализ теплового режима блока, то есть определения перегрева корпуса, пакета плат и их среднеповерхностной температуры).

Задача №3 - определение теплового сопротивления при передаче теплоты кондукцией.

Данную задачу необходимо решить, поскольку блок герметично закрыт. Для определения теплового режима необходимо расчитать среднеповерхностною температуру корпуса и пакета плат одноблочной ЭВМ в герметичном исполнении, т.е. решить задачу 7. Для решения этой задачи потребуется найти тепловое сопротивление теплопроводности зона - корпус Рзкт. Рзкт может быть расчитанно после составления компоновочной схемы субблока в результате решения задачи 3, в которой определяется Рц - тепловое сопротивление от МС, расположенной в середине горизонтального ряда к корпусу блока.

Для задачи №7

Область применения

Одноблочные ЭВМ в герметичном неоребренном корпусе с вертикально ориентированными субблоками бескаркасной конструкции. Охлаждение естественное, среда внутри корпуса - воздух.

Тепловая модель

Ограничения и допущения

Корпус и нагретая зона (пакет плат) являются изотермическими поверхностями

Давление внутри корпуса больше 133 кПа

Есть гравитация

Эффективная ширина Bэф каналов между субблоками больше 2-3 мм (возможен теплообмен за счет естественной конвекции)

Платы субблоков имеют одинаковые размеры, причем Sэф,Bэф<<Lx,Ly,Lz

Ширина зазора между крайними платами и корпусом > Bэф

Теплота от субблоков передается к воздуху внутри корпуса естественной конвекцией в каналах (тепловое сопротивление Rзвк), от плат к корпусу - излучением (Rзкл) и теплопроводностью (Rзкт), от воздуха внутри корпуса к корпусу - естественной конвекцией (Rвк), от корпуса в окружающую среду - естественной конвекцией и излучением (тепловые сопротивления Rкск и Rксл соответственно).

Ограничения на исходные данные

Длина корпуса ЭВМ L1: 20 ... 1000 мм

Ширина корпуса ЭВМ L2: 50 ... 800 мм

Высота корпуса ЭВМ L3: 50 ... 800 мм

Число плат в пакете: 2 ... 100

Толщина платы S: 0.5 ... 4 мм

Расстояние между платами B: 4 ... 50 мм

Мощность, рассеиваемая пакетом плат: (0.005 ... 300)*(число плат в пакете)

Давление внутри корпуса: 133 КПа ... 200 Кпа

Температура окружающей среды: -50 ... 60 °С

Точность приближения перегревов: 0.001 ... 5

Предполагаемое соотношение перегревов (зона-воздух)/(воздух-корпус)=a1/a2, причем a1+a2=1

(a1: 0.1 ... 0.95)

(a2: 0.9 ... 0.05)

Число микросхем в канале: 1 ... 500 для одного канала

Длина корпуса микросхемы: 2 ... 60 мм

Ширина корпуса микросхемы: 2 ... 30 мм

Высота корпуса микросхемы: 0.1 ... 50 мм

Для задачи №3

Область применения

 Блоки (одноблочные ЭВМ) с вертикально или горизонтально ориентированными субблоками. Субблоки могут быть каркасной или бескаркасной конструкции, с теплопроводящими шинами или без них.

В конструкции с теплопроводящими шинами считается, что зазор между микросхемой и шиной заполнен теплопроводящей смазкой, в субблоках без теплопроводящих шин микросхемы посажены на лак. Направляющие блоки могут быть заполнены или не заполнены теплопроводящей смазкой.

 Данная задача может решаться для одного из трех вариантов конструкции:

1. Субблок с теплопроводящими шинами и с каркасом.

2. Субблок без теплопроводящих шин, но с каркасом.

3. Субблок без теплопроводящих шин и без каркаса.

Ограничения на исходные данные

 Расстояние от правого края микросхемы до каркаса L1 : 1 .. 460 мм

Расстояние от левого края микросхемы до каркаса L2 : 1 .. 460 мм

L1+L2=50 .. 500 мм

Длина платы Lk : 50 .. 500 мм

Толщина каркаса Hк: 1 .. 5 мм

Толщина стенки каркаса Bк: 0.2 .. 2 мм

Ширина каркаса Dк: 1 .. 12 мм

Ширина теплопроводящей шины Bш: 2 .. 40 мм

Толщина теплопроводящей шины Нш: 0.1 .. 2 мм

Зазор между микросхемой и теплопроводящей шиной Нз: 0.01 .. 1 мм

Длина корпуса микросхемы Lm: 2.. 60 мм

Ширина корпуса микросхемы Bm :2 .. 30 мм

Высота направляющей субблока Dm : 1.. 10 мм

Зазор между каркасом субблока и направляющей блока Lз: 0.01 .. 1 мм

Коэффициент теплопроводности материала теплопроводящей шины: 40 .. 400 Вт/(м*К)

Коэффициент теплопроводности материала субблока: 40 .. 400 Вт/(м*К)

Коэффициент теплопередачи контактной пары шина-каркас субблока: 500 .. 60000 Вт/(м*К)

Коэффициент теплопередачи контактной субблок - каркас субблока: 2000 .. 20000 Вт/(м*К)

Коэффициент теплопроводности теплопроводящей смазки в зазоре между основанием микросхемы и теплопроводящей шиной: 0.5 .. 50 Вт/(м*К)

Эскиз схемы субблока

Схема субблока без каркаса и теплоотводящих шин

1-Микросхема

2-Зазор

3-Направляющая субблока

4-Плата

 

При составлении схемы соединения тепловых сопротивлений считаем, что тепловая энергия от микросхемы передается через тепловые сопротивления:

Rк1 контакта между основанием корпуса микросхемы и печатной платой

Rп1 и Rп2 печатной платы до ее каждого края

Rк2 контакта печатная плата -- корпус (направляющая) блока.

С учетом симметричности схема соединения тепловых сопротивлений имеет вид:

Схема субблока с каркасом и теплоотводящими шинами

рис.2 Схема субблока с каркасом и теплоотводящими шинами.

Cхема тепловых сопротивлений:

1-Микросхема

2-Зазор

3-Шина

4-Плата

5-Каркас

6-Направляющая субблока

 

При составлении схемы соединения тепловых сопротивлений сделано предположение, что в данной конструкции кондукцией по печатной плате можно пренебречь. Считаем, что тепловая энергия от микросхемы передается через тепловые сопротивления:

 Rз зазор между основанием корпуса микросхемы и теплопроводящей шиной

Rш1 и Rш2 тепловой шины до каждого края платы

Rк1 контакта шина -- каркас субблока

Rст стенки каркаса субблока

Rк2 контакта или зазора каркас субблока -- корпус ( направляющая ) блока.

Выбор компоновочной схемы:

Исходные данные:

Длина корпуса блока L1 = 110 мм,

Ширина корпуса блока L2 = 250 мм,

Высота корпуса блока L3 = 250 мм,

Длина пакета плат Lx = 66 мм,

Ширина пакета плат Ly = 240 мм,

Высота пакета плат Lz = 220 мм,

Толщина платы субблока S(Нп) = 1.5 мм,

Расстояние между платами B = 20 мм,

Зазор между субблоком и направляющей LЗ = 0.1 мм,

Зазор между микросхемой и платой Нз = 0.1 мм,

Длина корпуса микросхемы Lм = 18 мм,

Ширина корпуса микросхемы Вм = 6 мм,

Высота корпуса микросхемы Нм = 3 мм,

Высота направляющей субблока Dн = 3 мм,

Мощность рассеиваемая блоком Ф = 36 Вт,

Мощность рассеиваемая микросхемой Ф = 90 мВт,

Давление внутри блока - 133 кПа,

Допустимая температура блока Тбд = 60 С,

Допустимая температура микросхем Тд = 75 С,

Температура окружающей среды Т = 32 С,

Точность приближения перегрева е = 1 С,

Удельная тепловая проводимость контакта

основание микросхемы - плата субблока 40 Вт/М2ЧК,

Коэффициент теплопроводности материала платы субблока 0.33 Вт/МЧК,

Заполнение направляющих блока теплопроводящей смазкой - Да,

Коэффициент теплопроводности смазки между платой и направляющей 1 Вт/МЧК,

Способ монтажа микросхем на плате - односторонний.

Так как мощность рассеиваемая блоком равна 36 Вт, а мощность рассеиваемая микросхемой - 90 мВт, то, учитывая количество субблоков - 4, мы получаем, что на плате должно располагаться 100 микросхем. Пусть на горизонтальном и вертикальном ряду будет по 20 ИМС. Тогда количество микросхем в горизонтальном ряду Nm = 20, количество горизонтальных рядов микросхем на субблоке N = 5, количество субблоков в блоке M = 4.

240=15+10+18*10+9*x

220=2,5+2,5+6*10+9*y

Получаем: L1=207,5мм , L2=106,5мм

Для этих размеров:

Тепловое сопротивление при передаче теплоты кондукцией для микросхемы

Rсм : 719,9671 K/Вт.

Рассчитаем =Rц*2*(Nm*Nm+2*Nm)/3*(Nm+1)*N*M

=502,83 К/Вт

Для муара черного (e=0,89):

Перегрев корпуса: 15,04 °C

Среднеповерхностная температура корпуса: 47,04 °C

Перегрев пакета плат: 29,99 °C

Среднеповерхностная температура пакета плат: 77,02°C

В результате решения задачи №7 удалось добиться попадания температуры корпуса (47,04 °С) в требуемые рамки (60 °С). Однако температура пакета плат (77,04 °С) превышает допустимую (75 °С).

Для уменьшения среднеповерхностной температуры пакета лат в первую очередь увеличим степень черноты поверхности корпуса ЭВМ.

Выберем из таблицы лак черный матовый, имеющий максимальную степень черноты. Решим задачу №7 с новым параметром.

Для лака черного (e=0,97):

Перегрев корпуса: 14,37 °C

Среднеповерхностная температура корпуса: 46,37 °C

Перегрев пакета плат: 29,16 °C

Среднеповерхностная температура пакета плат: 75,53 °C

Так как среднеповерхностная температура плат приблизилась к желаемой (75,54 °C), но все еще превышает допустимую (75°C) , необходимо принять меры по отводу теплоты. Для этого используем теплоотводящие шины и субблок с каркасом, что позволит уменьшить тепловое сопротивление теплопроводности зона-корпус.

Рассмотрим субблок с теплоотводящими шинами и каркасом.

Тепловое сопротивление при передаче теплоты кондукцией для микросхемы

Rсм : 29,5795 K/Вт.

=20,63 К/Вт.

Выводы

В данной работе мы провели анализ теплового режима блока. Оценили различные способы улучшения передачи тепловой энергии, такие как: покраска корпуса и доработка конструкции (введение в конструкцию субблока теплоотводящих шин и каркаса). В результате этой оценки сделали вывод, что покраска лаком корпуса блока не является достаточно эффективной для обеспечения нормального теплового режима. Для решения этой проблемы необходима доработка конструкции субблока, введение теплоотводящих шин и каркаса.

тепловой блок плата сопротивление

1. Размещено на www.allbest.ru


Подобные документы

  • Создание радиоэлектронных аппаратов, расчет теплового режима. Выбор конструкции и расчет параметров радиатора. Коэффициент теплоотдачи радиатора. Расчет теплового режима блока. Выбор системы охлаждения. Зависимость перегрева корпуса от удельной мощности.

    курсовая работа [1,9 M], добавлен 18.02.2013

  • Конструкция современной ЭВМ. Требования по условиям эксплуатации. Интегральные микросхемы, используемые в печатной плате. Разработка конструкции блока. Задачи компоновки и покрытия. Критерии оптимального размещения модулей. Расчет теплового режима.

    курсовая работа [609,6 K], добавлен 16.08.2012

  • Конструкционные проблемы теплового режима металлических пленок бескорпусных полупроводниковых интегральных микросхем: диаграмма нагрева и расчет надежности эскизного проекта. Интенсивность отказов конструкции и структуры проводника металлизации.

    реферат [1,2 M], добавлен 13.06.2009

  • Описание схемы контроля и автоматизации регулировки температуры распределенного теплового объекта. Анализ динамических свойств объекта управления, расчет переходного процесса с учетом датчика. Изучение алгоритма управления на базе контроллера ТРМ-32.

    курсовая работа [1,5 M], добавлен 14.01.2015

  • Схема блока радиоэлектронного средства (РЭС) в герметичном исполнении. Расчет поверхности, удельной мощности, перегрева и температуры корпуса блока. Сущность и классификация систем охлаждения РЭС. Интенсивность теплопередачи различных способов охлаждения.

    презентация [428,1 K], добавлен 27.12.2013

  • Анализ исходных данных и выбор конструкции. Разработка коммутационной схемы. Расчет параметров элементов. Тепловой расчет микросхемы в корпусе. Расчет паразитных емкостей и параметров надежности микросхемы. Разработка технологии изготовления микросхем.

    курсовая работа [150,4 K], добавлен 12.06.2010

  • Методика расчета теплового режима микроэлектронной аппаратуры (МЭА). Характеристика и способы передачи тепловой энергии, рассеиваемой в радиоэлектронном блоке. Анализ путей защиты блоков МЭА от механических воздействий при эксплуатации и транспортировке.

    реферат [149,6 K], добавлен 19.09.2010

  • Выбор конструкции, материалов и покрытий. Расчет теплового режима. Расчет платы на ударопрочность и вибропрочность. Определение допустимой длины проводников печатной платы. Анализ технологичности оригинальных деталей. Технология общей сборки блока.

    дипломная работа [429,6 K], добавлен 25.05.2012

  • Приборы радиолучевого типа. Выбор и обоснование элементной базы. Схемотехническая отработка конструкции охранного устройства. Обоснование компоновки блока и его частей. Расчет теплового режима, вибропрочности и надежности. Разработка конструкции блока.

    курсовая работа [1,2 M], добавлен 21.03.2013

  • Расчёты показателей надёжности изделий электронной техники при заданных условиях. Защита микросхем от внешних дестабилизирующих факторов: температуры и влажности. Обеспечение теплового режима работы интегральных микросхем (гибридных и полупроводниковых).

    курсовая работа [408,3 K], добавлен 19.03.2012

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу.