Розрахунок польового транзистора із затвором
Властивості напівпровідникового матеріалу в транзисторах Шотткі. Структура, принцип дії польових транзисторів із затвором. Підсилювачі потужності, генератори. Електрофізичні параметри елементів приладу. Розрахунок напруги відсікання і насичення.
| Рубрика | Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника |
| Предмет | Мікроелектроніка надвисоких частот |
| Вид | курсовая работа |
| Язык | украинский |
| Прислал(а) | Mamontov |
| Дата добавления | 13.12.2011 |
| Размер файла | 640,7 K |
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
Подобные документы
Класифікація та умовні позначення польових транзисторів. Конструкція пристроїв з ізольованим затвором. Схема МДН-транзистора з вбудованим або індукованим каналом. Розрахунок електричних параметрів і передаточних характеристик польового транзистора КП301.
контрольная работа [510,5 K], добавлен 16.12.2013Тунельний механізм переходу носіїв заряду. Розрахунок параметрів випрямного діода і біполярного транзистора, статичних характеристик польового транзистора з керуючим переходом. Визначення залежності генераційного струму p-n переходу від зворотної напруги.
курсовая работа [902,9 K], добавлен 23.01.2012Огляд схемотехніки електронних ключів на польових транзисторах. Розрахунок підсилювального каскаду із спільним емітером, автоколивального мультивібратора, генератора напруги, синхронного тригера. Знаходження теплового струму колектора. Вибір транзистора.
курсовая работа [656,0 K], добавлен 10.01.2015Принципова відмінність польових транзисторів від біполярних. Фізичні фактори,відповідальні за нелінійність ВАХ. Опір ділянки кола стік-витік транзистора у відкритому стані при концентрації донорів в каналі Nd.
курсовая работа [119,0 K], добавлен 08.08.2007Розрахунок вихідного каскаду безтрансформаторного двохтактного комплементарного підсилювача потужності на транзисторах з різною провідністю. Підбір вихідних транзисторів, включених по схемі зі спільним колектором; розрахунок емітерного повторювача.
курсовая работа [6,5 M], добавлен 25.01.2013Конструкция интегральной микросхемы на транзисторах. Преобразование и обработка входного сигнала. Технические условия для интегральных микросхем р-канального полевого транзистора с изолированным затвором. Нанесение пленки алюминия и фотолитография.
контрольная работа [1,8 M], добавлен 07.05.2013Загальні відомості, параметри та розрахунок підсилювача, призначення елементів і принцип роботи підсилювального каскаду. Розрахунок режиму роботи транзисторів, вибір пасивних елементів та номінальних значень пасивних і частотозадаючих елементів схеми.
курсовая работа [990,6 K], добавлен 16.11.2010Определение удельной емкости между затвором и подложкой. Равновесный удельный поверхностный заряд. Напряжение спрямления энергетических зон. Потенциал уровня Ферми. Крутизна МДП-транзистора в области насыщения. Расчет максимальной рабочей частоты.
контрольная работа [716,5 K], добавлен 13.08.2013Особливості розробки схеми підсилювача напруги, що складається із повторювача напруги на польових транзисторах і трьох каскадів підсилення. Підсилювачі можуть використовуватися для підготовки сигналу в системах керування механічними виконуючими вузлами.
курсовая работа [1,2 M], добавлен 01.02.2010Применение полевых транзисторов в усилителях. Виды полевых транзисторов (с управляющим переходом и с изолированным затвором). Преимущества и недостатки полевых транзисторов. Строение полевого транзистора с изолированным затвором со встроенным каналом.
курсовая работа [867,1 K], добавлен 09.05.2014
