Влияние дестабилизирующих, технологических и эксплуатационных факторов на радиоэлемент
Метод статических испытаний (метод Монте-Карло) для прогнозирования электро-радиоэлементов (конденсаторов). Влияние дестабилизирующих факторов на конденсаторы. Максимальное отклонение коэффициента влажности. Увеличение границы половины поля допуска.
Рубрика | Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника |
Вид | лабораторная работа |
Язык | русский |
Дата добавления | 20.12.2010 |
Размер файла | 17,1 K |
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
ИжГТУ
Кафедра «Радиотехника»
Отчет по лабораторной работе №3
по дисциплине «РКиМ»
на тему: «Влияние дестабилизирующих, технологических и эксплуатационных факторов на радиоэлемент »
Выполнил: студент гр. 4-33-1
Шабалин Д.А.
Проверил: преподаватель
Демаков Ю.П.
Ижевск
2007 г
Цель работы: Применить метод статических испытаний (метод Монте-Карло) для прогнозирования электро-радиоэлементов (конденсаторов); оценить влияние дестабилизирующих, технологических эксплуатационных факторов на радиоэлемент.
Описание установки:
Измеритель емкости
Тип исследуемого конденсатора:
К10-17-М1500-0,47нФ±5%
ОЖО.460.107.ТУ.
Ход работы: Определим паразитную емкость
Сп=13 пФ
Выборка конденсаторов:
С1'=483 пФ С10'=480 пФ
С2'=500 пФ С11'=485 пФ
С3'=490 пФ С12'=500 пФ
С4'=500 пФ С13'=494 пФ
С5'=494 пФ С14'=485 пФ
С6'=502 пФ С15'=495 пФ
С7'=496 пФ С16'=480 пФ
С8'=490 пФ С17'=476 пФ
С9'=495 пФ С18'=478 пФ
Определим истинное значение емкости:
Си=C'-Cп
Си1=470 пФ Си10=467 пФ
Си2=487 пФ Си11=472 пФ
Си3=477 пФ Си12=487 пФ
Си4=487 пФ Си13=481 пФ
Си5=481 пФ Си14=472 пФ
Си6=489 пФ Си15=482 пФ
Си7=483 пФ Си16=467 пФ
Си8=477 пФ Си17=463 пФ
Си9=482 пФ Си18=465 пФ
Построим гистограмму для полученных значений:
Р
0,5
0 463 469.5 476 482.5 489 С, пФ
Длина интервала: ?К=6,5 пФ
Среднее значение: Сср=477,72 пФ
Границы половины поля допуска: дС=5%
Исследуем влияние дестабилизирующих факторов на конденсаторы при:
Температуре эксплуатации: 0°
Число непрерывной работе: t=1000 часов
ТКЕ: бС,Т= - 1500*1Е-6 1/град
Максимальное отклонение ТКЕ: дб=100*1Е-6 1/град
КСЕ: вС=0
Максимальное отклонение КСЕ: дв=150*1Е-6 1/час
Коэффициент влажности: бв=0,1
Максимальное отклонение коэффициента влажности: дб=0,2
Значение емкостей конденсаторов, получившиеся в результате действия дестабилизирующих факторов:
С1=502,58 пФ С10=529,72 пФ
С2=530,44 пФ С11=527,87 пФ
С3=499,42 пФ С12=680,10 пФ
С4=464,26 пФ С13=661,14 пФ
С5=489,72 пФ С14=403,14 пФ
С6=576,34 пФ С15=469,36 пФ
С7=540,16 пФ С16=586,61 пФ
С8=519,58 пФ С17=552,49 пФ
С9=496,78 пФ С18=557,51 пФ
Построим гистограмму для полученных значений:
Р
0,5
0 403,14 453,83 477,72 501,62 680,1 С, пФ
Длина интервала: ?К=69,2 пФ
Среднее значение: Сср=529,84 пФ
Границы половины поля допуска: дС=39%
Таким образом, по гистограмме видно, что после влияния дестабилизирующих факторов увеличились границы половины поля допуска дС, длина интервала ?К, среднее значение Сср, вследствие чего осталось только 5 конденсаторов(С3, С4, С5, С15,), удовлетворяющих первоначальным условиям, что составляет 27% из всей выборки.
Исследуем влияние дестабилизирующих факторов на конденсаторы при:
Температуре эксплуатации: 50°
Число непрерывной работы: t=1000 часов
ТКЕ: бС,Т= - 1500*1Е-6 1/град
Максимальное отклонение ТКЕ: дб=100*1Е-6 1/град
КСЕ: вС=0
Максимальное отклонение КСЕ: дв=150*1Е-6 1/час
Коэффициент влажности: бв=0,1
Максимальное отклонение коэффициента влажности: дб=0,2
Значение емкостей конденсаторов, получившиеся в результате действия дестабилизирующих факторов:
С1=592,31 пФ С10=445,05 пФ
С2=481,46 пФ С11=467,69 пФ
С3=521,79 пФ С12=584,79 пФ
С4=512,31 пФ С13=400,61 пФ
С5=488,72 пФ С14=489,28 пФ
С6=618,93 пФ С15=456,35 пФ
С7=471,49 пФ С16=433,56 пФ
С8=599,65 пФ С17=348,62 пФ
С9=582,29 пФ С18=495,83 пФ
Построим гистограмму для полученных значений:
Р
0,5
0 348,6 453,83 477,72 501,62 618,93 С, пФ
Длина интервала: ?К=67,6 пФ
Среднее значение: Сср=499,48 пФ
Границы половины поля допуска: дС=44,1%
Таким образом, по гистограмме видно, что при увеличении температуры эксплуатации конденсаторов, еще больше увеличиваются границы половины поля допуска дС, но, однако, уменьшилось среднее значение конденсатора Сср и длина интервала ?К. Также можно отметить, что после действия данных дестабилизирующих факторов осталось 7 конденсаторов (С2, С5, С7, С11, С14, С15, С18,), удовлетворяющих первоначальным условиям, что составляет 38% из всей выборки.
Вывод:
В результате проведенной лабораторной работы, мы изучили влияние дестабилизирующих, технологических и эксплуатационных факторов на кремниевый конденсатор К10-17, изготовленный в соответствии с ОЖО.460.107.ТУ, который предназначен для работы в цепях постоянного, переменного токов и в импульсных режимах.
Применив метод статических испытаний (метод Монте-Карло) с помощью ЭВМ для прогнозирования электро-радиоэлементов (конденсаторов) после влияния дестабилизирующих, технологических и эксплуатационных факторов, были получены гистограммы. Анализируя их, мы выяснили, что дестабилизирующие факторы увеличивают границы половины поля допуска дС, длину интервала ?К, среднее значение Сср, по сравнению с номинальными значениями, в результате чего, часть выборки конденсаторов уже не входит в номинальное допустимое значение емкости, исследуемого электро-радиокомпонента. Также, необходимо отметить, что с увеличением температуры эксплуатации конденсатора (при постоянных других дестабилизирующих факторах) еще больше увеличиваются границы половины поля допуска дС.
Подобные документы
Виды высокочастотных конденсаторов. Удельная емкость. Применение конденсаторов большой номинальной емкости. Воздушные конденсаторы переменной емкости. Полупеременные конденсаторы. Конденсаторы специального назначения. Конденсаторы интегральных микросхем.
реферат [2,9 M], добавлен 09.01.2009Расчёты показателей надёжности изделий электронной техники при заданных условиях. Защита микросхем от внешних дестабилизирующих факторов: температуры и влажности. Обеспечение теплового режима работы интегральных микросхем (гибридных и полупроводниковых).
курсовая работа [408,3 K], добавлен 19.03.2012Анализ требований по устойчивости к внешним воздействиям. Выбор материалов для изготовления печатной платы и способов защиты устройства от дестабилизирующих факторов. Методы обеспечения надёжности РЭА, его ориентировочный расчёт. Сборка печатного узла.
курсовая работа [87,9 K], добавлен 30.01.2015Выпуск и применение интегральных микросхем. Конструирование и технология толстопленочных гибридных интегральных микросхем. Коэффициент формы резисторов. Защита интегральных микросхем от механических и других воздействий дестабилизирующих факторов.
курсовая работа [234,5 K], добавлен 17.02.2010Определение пределов варьирования коэффициента усиления методами "Максимума-минимума", "Наихудшего случая". Моделирование работы усилителя в программе OrCAD. Анализ ширины полосы пропускания УНЧ при вариациях номиналов элементов методом Монте-Карло.
курсовая работа [2,9 M], добавлен 14.07.2012Резисторы, конденсаторы их суть понятие и характеристика. Полупроводниковое соединение резисторов и конденсаторов. Топологическое решение и методы расчета. Емкость конденсаторов типа металл — диэлектрик — полупроводник. Коэффициент паразитной емкости.
реферат [1,2 M], добавлен 11.12.2008В методе непрерывных испытаний осуществляется непрерывный отбор и постановка изделий на испытания в течение контролируемого периода. В графическом методе планирования испытаний используется кривые распределения Пуассона. Испытания на ремонтопригодность.
реферат [145,6 K], добавлен 28.01.2009Классификация, конструкции конденсаторов, принцип действия. Электролитические, керамические, плёночные и оксидно-полупроводниковые конденсаторы. Основные параметры конденсаторов всех типов. Электрическая прочность конденсатора, стабильность емкости.
реферат [2,6 M], добавлен 09.01.2009Основные параметры, классификация и емкость конденсаторов. Номинальное, испытательное и пробивное напряжения. Электрическая прочность. Особенности керамических, стеклянных, слюдяных, металлобумажных и пленочных конденсаторов. Металлизация диэлектрика.
курсовая работа [2,3 M], добавлен 06.01.2014Основные понятия и классификация приборов для измерения напряженности электромагнитного поля и помех. Измерение напряженности электромагнитного поля. Метод эталонной антенны. Метод сравнения. Измерительные приемники и измерители напряженности поля.
реферат [31,8 K], добавлен 23.01.2009