Конструктивно-технологические варианты исполнения элементов КМДП-БИС
Особенности функционирования схем с взаимодополняющими транзисторами (КМДП). Конструктивно-технологические варианты их исполнения. Преимущества, недостатки и перспективы использования КМДП-структур. Конструкции элементов КМДП-БИС на сапфировых подложках.
| Рубрика | Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника |
| Вид | реферат |
| Язык | русский |
| Дата добавления | 12.06.2009 |
| Размер файла | 1,4 M |
Соглашение об использовании материалов сайта
Просим использовать работы, опубликованные на сайте, исключительно в личных целях. Публикация материалов на других сайтах запрещена.
Данная работа (и все другие) доступна для скачивания совершенно бесплатно. Мысленно можете поблагодарить ее автора и коллектив сайта.
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
Подобные документы
Комплементарные МДП-схемы интегральных микросхем и построение их логических элементов: динамическая мощность и составляющие элементов с вентильным и блокирующим КМДП-транзисторами. Упаковка транзисторов в кристаллах микропроцессорных технологий.
реферат [1,5 M], добавлен 12.06.2009Принцип работы полевого транзистора. Методы обеспечения большого коэффициента передачи тока. Функционально-интегрированные биполярно-полевые структуры. Структура и эквивалентная электрическая схема элемента инжекционно-полевой логики с диодами Шотки.
реферат [1,4 M], добавлен 12.06.2009Конструктивно-технологические параметры печатной платы, выбор элементов и материалов для полевого транзистора, расчет надежности акустического реле. Операционная карта процесса изготовления согласно технологическим операциям и методам производства.
курсовая работа [60,8 K], добавлен 01.07.2008Конструкции МДП-транзисторов (металл - диэлектрик – полупроводник) в микросхемах с алюминиевой металлизацией. Материалы, используемые в качестве диэлектрика. Применение поликремниевых затворов транзисторов. Преимущество диэлектрической подложки.
реферат [915,7 K], добавлен 22.02.2009Технологический процесс гибридных микросхем. Процессы формирования на подложках пассивных пленочных элементов и проводников соединений. Контроль пассивных элементов на подложках. Технология получения ситалла. Резка слитков и ломка пластин на платы.
курсовая работа [871,3 K], добавлен 03.12.2010Основные частотные свойства структурных схем. Динамический диапазон обобщенной структуры устойчивых D-элементов. Собственная компенсация доминирующих параметров активных элементов. Базовый алгоритм структурного синтеза схем с собственной компенсацией.
магистерская работа [932,5 K], добавлен 08.03.2011Адаптивные и интеллектуальные сборочные роботизированные технологические комплексы (РТК). Высокая точность взаимного положения собираемых элементов, оснащение системами адаптивного управления. Ориентирование ощупыванием, экстремальные устройства.
контрольная работа [567,1 K], добавлен 19.05.2010Схемотехнические параметры. Конструктивно–технологические данные. Классификация интегральных микросхем и их сравнение. Краткая характеристика полупроводниковых интегральных микросхем. Расчёт полупроводниковых резисторов, общие сведения об изготовлении.
курсовая работа [3,8 M], добавлен 13.01.2009Конструктивно-технологические особенности сборки и монтажа бескорпусных БИС на гибком полиимидном носителе. Бескопрусная технология как реализация минимизации площади. ТАВ-технология и бескорпусная защита ИМС, смонтированных на полиимидных носителях.
реферат [2,5 M], добавлен 13.06.2012Основные варианты построения электрической структурной схемы радиоприёмника. Выбор и обоснование принципиальных схем, каскадов, блоков радиоприёмника и коммутации диапазонов. Электрический расчёт входных цепей, элементов сопряжения и гетеродинов.
курсовая работа [560,0 K], добавлен 27.08.2012
