Скачивание началось.
Взамен отправьте на сайт одну из ваших хороших работ

Пожалуйста, не загружайте работы, только-что скачанные из Интернета. Подберите работу, в которую вложены ваши знания и труд - работу, которой вы хотели бы поделиться с другими студентами. Они будут признательны вам.

Если вас поджимают сроки, рекомендуем обратиться в компанию Multiwork. Перейдите по ссылке, чтобы узнать стоимость уникальной работы и сделать заказ у профессионалов.

Главная База знаний "Allbest" Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника Исследование спектральных свойств кристалла Tm:CaF2

курсовая работа  Исследование спектральных свойств кристалла Tm:CaF2

Определение возможности генерации на кристалле Tm:CaF2 в области 2 мкм в схемах лазеров с продольной диодной накачкой. Физические свойства кристалла. Спектры пропускания образцов кристалла CaF2. Расчет квантового генератора на лазерном кристалле.

Нажав на кнопку "Скачать архив", вы скачаете нужный вам файл совершенно бесплатно.
Перед скачиванием данного файла вспомните о тех хороших рефератах, контрольных, курсовых, дипломных работах, статьях и других документах, которые лежат невостребованными в вашем компьютере. Это ваш труд, он должен участвовать в развитии общества и приносить пользу людям. Найдите эти работы и отправьте в базу знаний.
Мы и все студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будем вам очень благодарны.

Чтобы скачать архив с документом, в поле, расположенное ниже, впишите пятизначное число и нажмите кнопку "Скачать архив"

   __    ___    ___   ____   __ 
  / /   / _ \  / _ \ |___ \ /_ |
 / /_  | (_) || (_) |  __) | | |
| '_ \  > _ <  > _ <  |__ <  | |
| (_) || (_) || (_) | ___) | | |
 \___/  \___/  \___/ |____/  |_|
                                
                                

Введите число, изображенное выше:

Рубрика Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника
Вид курсовая работа
Язык русский
Дата добавления 14.07.2012
Размер файла 4,9 M

Подобные документы

  • Создание лазера на кристалле YAlO3 с диодной накачкой и исследование генерационных характеристик

    Схема накачки редкоземельных элементов Tm3+, находящегося в диэлектрическом кристалле, сравнительные характеристики матриц. Характеристики кристалла. Спектры пропускания и люминесценции. Экспериментальное исследование генерационных характеристик лазера.

    контрольная работа [750,7 K], добавлен 13.06.2012

  • Разработка компонентов инфраструктуры сервисного обслуживания встроенной памяти гибкой автоматизированной системы на кристалле

    Этапы разработки компонентов инфраструктуры сервисного обслуживания кристалла памяти ГАС. Общие представления системы на кристалле. Характеристика номенклатуры выпускаемой памяти на кристалле. Принципы создания сервисного обслуживания систем на кристалле.

    дипломная работа [2,3 M], добавлен 06.06.2010

  • Зонная модель твердого тела. Уравнение Шредингера для кристалла

    Cпособы точного решения уравнения Шредингера. Любое твердое тело представляет собой систему, состоящую из огромного числа ядер и ещё большего числа электронов. Обобществление электронов в кристалле. Электронные облака внутренних оболочек атома.

    реферат [81,7 K], добавлен 10.12.2008

  • Разработка полупроводникового гетеролазера для использования в ВОЛС III поколения

    Расчет полупроводниковой лазерной структуры на основе соединений третей и пятой групп для волоконно-оптических линий связи III поколения. Выбор структуры кристалла. Расчет параметров, РОС-резонатора, внутреннего квантового выхода, оптического ограничения.

    курсовая работа [803,5 K], добавлен 05.11.2015

  • Выращивание плёнки GeSi и CaF2 на кремниевых подложках

    Пластическая релаксация напряжений несоответствия. Исследование механизмов зарождения и распространения дислокаций несоответствия в полупроводниковых гетеросистемах. Влияние ориентации подложки на морфологию и дефектообразование в плёнках СaF2 и GeSi.

    дипломная работа [5,2 M], добавлен 07.06.2011

  • Расчет транзистора

    Физическая сущность и области практического использования физического эффекта электростатической эмиссии. Модель структуры кристалла, статические характеристики и условное графическое обозначение дрейфового транзистора. Расчет резисторного каскада УНЧ.

    контрольная работа [631,7 K], добавлен 30.05.2015

  • Малошумящий интегральный усилитель

    Особенности проектирования малошумящего полевого транзистора с затвором Шоттки, определение толщины его обедненной области, значения порогового напряжения перекрытия канала и геометрических размеров. Разработка конструкции и топологии кристалла.

    курсовая работа [748,2 K], добавлен 22.08.2013

  • Выращивание монокристалла с заданными свойствами

    Основные свойства материалов. Обзор современного состояния производства полупроводниковых соединений. Расчет легирования кристалла. Технологический процесс выращивания монокристаллического фосфида галлия марки ФГДЦЧ-5-17. Допущения Пфанна и Боомгардта.

    курсовая работа [1,2 M], добавлен 02.04.2014

  • Юстировка оптического резонатора и исследование условий генерации гелий-неонового лазера

    Описание конструкции оптического квантового генератора типа ЛГ-75. Методы юстировки, их характеристика. Оценка критического угла разъюстировки для одного из гелий-неоновых лазеров. Юстировка с помощью диоптрийной трубки, особенности данного процесса.

    лабораторная работа [61,1 K], добавлен 05.06.2014

  • Расчет статического преобразователя частоты

    Расчет потерь в инверторе. Максимальное значение среднего выпрямленного тока. Расчет потерь в выпрямителе для установившегося режима электропривода. Максимальное допустимое переходное сопротивление охладитель – окружающая среда, температура кристалла.

    курсовая работа [74,2 K], добавлен 17.02.2015

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу.

© 2000 — 2023, ООО «Олбест» Все права защищены