Исследование характеристик и параметров биполярного транзистора
Рассмотрение пакета Electronics Workbench, проведение исследований. Знакомство с наиболее важными параметрами биполярного транзистора "2N3947". Анализ схемы снятия статистических характеристик. Основные способы увеличения напряжения питания на величину.
| Рубрика | Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника |
| Вид | контрольная работа |
| Язык | русский |
| Дата добавления | 22.03.2015 |
| Размер файла | 146,8 K |
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
Размещено на http://www.allbest.ru/
Исследование характеристик и параметров биполярного транзистора
Введение
Цель работы: первичное знакомство с пакетом Electronics Workbench, в процессе которого студентам следует научиться строить схемы на экране монитора, подключать измерительные приборы, изменять параметры элементов и запускать схему в работу.
Исследование характеристик и параметров биполярного транзистора подразумевает снятие статических характеристик транзистора и вычисление с их помощью параметров транзистора. Эти характеристики и параметры потребуются в дальнейших лабораторных работах.
1. Результаты работы и их анализ
1.1 Нами был выбран полевой транзистор «2N3947»
Снимем входную и проходную статические характеристики выбранного биполярного транзистора. Для этого целесообразно использовать отдельные источники питания для коллектора и базы (еще удобнее для питания базовой цепи пользоваться источником тока - см. рис. 2.1)
Рис. 2.1 - Схема снятия статистических характеристик
Характеристики снимем при фиксированном напряжении на коллекторе 5 В. Целесообразные значения тока коллектора 0,515 мА. С учетом этого выбираются значения тока источника в цепи базы.
Результаты измерений занесем в таблицу 2.1:
Таблица 2.1 - Статистические характеристики транзистора
|
Iб, мкА |
Iк, мА |
Uб, мВ |
|
|
5 |
0,84 |
693 |
|
|
10 |
1,82 |
713 |
|
|
15 |
2,79 |
725 |
|
|
20 |
3,74 |
733 |
|
|
25 |
4,67 |
739 |
|
|
30 |
5,58 |
744 |
|
|
35 |
6,48 |
749 |
|
|
40 |
7,35 |
753 |
|
|
45 |
8,21 |
756 |
|
|
50 |
9,06 |
760 |
|
|
55 |
9,89 |
762 |
|
|
60 |
10,7 |
765 |
|
|
65 |
11,5 |
768 |
|
|
70 |
12,3 |
770 |
|
|
75 |
13,1 |
772 |
|
|
80 |
13,8 |
774 |
|
|
85 |
14,6 |
776 |
|
|
90 |
15,3 |
778 |
Построим характеристики и для дальнейшего использования.
Рис. 2.2 - Входная статическая характеристика
Рис. 2.3 - Проходная статическая характеристика
Выберем положение рабочей точки по входной характеристике и обеспечим ее в схеме питания фиксированным током базы:
Iб0 = 60 мкА; Iк0 = 10.7 мА; Uб0 = 0.765 мВ
Для того чтобы напряжение на коллекторе осталось примерно тем же, следует обеспечить соответствующее увеличение напряжения питания по формулам (2.1) и (2.2)
(2.1)
(2.2)
Рисунок 2.4 - Схема питания фиксированным током базы
Получим: E= 15.7 В; Uк0= 5 В; Rк = 1000 Ом; Ik0= 0.0107 А; Rб= 248.83 Ом
Перейдем к схеме коллекторной стабилизации (рис.8, б) и обеспечим тот же режим работы транзистора.
. (2.3)
Рисунок 2.5 - Схема коллекторной стабилизации
По формуле (2.3) получим: Iб0= 0,00006 А; Uб0= 0,765 В
Поставим в цепь эмиттера сопротивление (рисунок 2.6) и, задавшись током делителя, равным десятикратному току базы, обеспечим тот же самый режим работы в схеме эмиттерной стабилизации. При этом увеличим напряжение питания на величину, соответствующую падению напряжения на сопротивлении в цепи эмиттера В.
(2.4)
(2.5)
(2.6)
Рисунок 2.6 - Схема эмиттерной стабилизации
По формулам (2.4 - 2.6) получим: Uэ= 10.76 А; Rэ= 1000 Ом; Iк0= 10.7 мА; Iб0= 60 мкА; Iдел= 0.6 мА; Rб1 =19 кОм; Rб2 = 22.62 кОм;
Найдем дополнительные характеристики транзистора 2N3947 Zвх и S из формул (2.7) и (2.8).
(2.7)
(2.8)
биполярный транзистор статистический
Таблица 2.1 - Характеристики транзистора
|
Iб0 мкА |
Iк0 мА |
Uб В |
Zvx Ом |
S |
|
|
13 |
2.24 |
0,01 |
769,2308 |
0,224 |
|
|
20.6 |
2.94 |
0,01 |
485,4369 |
0,294 |
|
|
22.9 |
3.46 |
0,01 |
436,6812 |
0,346 |
- Размещено на Allbest.ru
Подобные документы
Исследование статических характеристик биполярного транзистора, устройство и принцип действия. Схема включения p-n-p транзистора в схеме для снятия статических характеристик. Основные технические характеристики. Коэффициент обратной передачи напряжения.
лабораторная работа [245,9 K], добавлен 05.05.2014Биполярные транзисторы, режимы работы, схемы включения. Инверсный активный режим, режим отсечки. Расчет h-параметров биполярного транзистора. Расчет стоко-затворных характеристик полевого транзистора. Определение параметров электронно-лучевой трубки.
курсовая работа [274,4 K], добавлен 17.03.2015Принцип действия и основные физические процессы в транзисторе. Дифференциальные коэффициенты передачи токов транзистора. Вольт-амперные статические характеристики и параметры. Методика снятия семейства статических характеристики биполярного транзистора.
лабораторная работа [142,9 K], добавлен 08.11.2013Исследование статических характеристик биполярного транзистора. Наружная область с наибольшей концентрацией примеси. Схема подключения к источникам питания. Дифференциальное входное сопротивление. Дифференциальное сопротивление перехода база-эмиттер.
лабораторная работа [46,2 K], добавлен 02.08.2009Свойства и возможности усилительных каскадов. Схема каскада с использованием биполярного транзистора, расчет параметров. Семейство статических входных и выходных характеристик. Расчет усилительного каскада по постоянному току графоаналитическим методом.
контрольная работа [235,3 K], добавлен 03.02.2012Исследование полупроводниковых диодов. Изучение статических характеристик и параметров биполярного плоскостного транзистора в схеме с общим эмиттером. Принцип действия полевого транзистора. Электронно-лучевая трубка и проверка с ее помощью радиодеталей.
методичка [178,3 K], добавлен 11.12.2012Описание характеристик транзистора. Построение практической схемы каскада с общим эмиттером. Выбор режима работы усилителя. Алгоритм расчета делителя в цепи базы, параметров каскада. Оценка нелинейных искажений каскада. Выбор резисторов и конденсаторов.
курсовая работа [1,0 M], добавлен 03.03.2014Режим работы биполярного транзистора и основные физические процессы. Устройство и способы включения бипролярного транзистора. Определение напряжения источников питания. Расчёт коллекторной цепи транзисторов оконечного каскада и параметров цепей смещения.
курсовая работа [418,8 K], добавлен 09.08.2010Экспериментальное определение характеристики биполярного транзистора в ключевом режиме, являющегося основой импульсных ключей. Измерение коэффициентов коллекторного тока с использованием мультиметра. Вычисление коэффициента насыщения транзистора.
лабораторная работа [33,1 K], добавлен 18.06.2015Практические навыки схемного введения биполярного транзистора в заданный режим покоя. Определение основных свойств транзистора в усилительном и ключевых режимах. Овладение методикой работы в учебной лаборатории в программно-аппаратной среде NI ELVIS.
лабораторная работа [1,3 M], добавлен 04.03.2015
