Исследование биполярного транзистора

Исследование статических характеристик биполярного транзистора, устройство и принцип действия. Схема включения p-n-p транзистора в схеме для снятия статических характеристик. Основные технические характеристики. Коэффициент обратной передачи напряжения.

Рубрика Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника
Вид лабораторная работа
Язык русский
Дата добавления 05.05.2014
Размер файла 245,9 K

Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже

Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.

Размещено на http://www.allbest.ru/

Исследование биполярного транзистора

Цель работы: Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора.

Изучить его ВАХ в схеме включения с общей базой и определить параметры транзистора.

Рисунок 1. Схема включения p-n-p транзистора в схеме с ОБ для снятия статических характеристик

Тип транзистора: Транзисторы МП26А германиевые сплавные p-n-p универсальные низкочастотные. Предназначены для усиления и переключения сигналов низкой частоты. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Обозначение типа приводится на боковой поверхности корпуса. Масса транзистора не более 2 г.

Основные технические характеристики транзистора МП26А:

* Структура транзистора: p-n-p

* Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 200 мВт;

* fh21б - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 0,2 МГц;

* Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 70 В;

* Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 70 В;

* Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 400 мА;

* Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 75 мкА;

* h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно: 20…50;

* Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 15 пФ;

* Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 2,2 Ом;

* tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 1500 пс

Снимем и построим две входные характеристики транзистора IЭ=f(VЭБ) транзистора МП26A в схеме с ОБ при VКБ=0В и VКБ=10В. Первую характеристику будем снимать до напряжения, при котором IЭ=0,9IКМАКС, а вторую - до значения, при котором выполняется условие

PК=VКБIК PКМАКС.

Iэ= = = 20 мА

Результаты измерений входной ВАХ-ки транзистора МП26А в схеме с ОБ при VКБ=0В

Iэ, мА

0

0,02

0,04

0,06

0,08

0,1

0,2

0,4

0,6

Vэб, В

0

0,053

0,072

0,084

0,094

0,1

0,127

0,157

0,177

Iэ, мА

0,8

1

2

4

6

8

10

20

Vэб, В

0,192

0,2

0,248

0,3

0,35

0,38

0,41

0,51

Результаты измерений входной ВАХ-ки транзистора МП26А в схеме с ОБ при VКБ=10В

Iэ, мА

0

0,02

0,04

0,06

0,08

0,1

0,2

0,4

0,6

0,8

Vэб, В

0

0,028

0,048

0,058

0,066

0,72

0,91

0,113

0,125

0,133

Iэ, мА

1

2

4

6

8

10

Vэб, В

0,14

0,164

0,192

0,2

0,222

0,234

По данным приведённым в таблице начертим график:

==0.0176

Рассчитаем h-параметры транзистора МП26А в схеме с ОБ в активной области по снятой ВАХ-ке.

Найдем входное сопротивление при по формуле

:

1);

2) .

Найдем дифференциальный коэффициент обратной передачи напряжения при по формуле :

;

2. Снял выходные характеристики Iк =f(Vкб):

Результаты измерений выходной ВАХ-ки транзистора МП26А в схеме с ОБ при IЭ=2 мА

Iк, мА

0

0,2

0,4

0,6

0,8

1

1,2

1,6

2

2,01

Vкб, В

0,23

0,222

0,217

0,204

0,193

0,184

0,182

0,154

-0,5

-2

Iк, мА

2,03

2,05

2,07

Vкб, В

-2,01

-10

-20

Результаты измерений выходной ВАХ-ки транзистора МП26А в схеме с ОБ при IЭ=5мА

Iк, мА

0

0,2

0,4

0,6

0,8

1

1,4

1,6

2

2,5

3

Vкб, В

0,301

0,296

0,288

0,285

0,282

0,279

0,278

0,273

0,263

0,255

0,221

Iк, мА

3,5

4

4,2

4,4

4,6

4,7

4,8

4,85

4,86

4,87

5

Vкб, В

0,213

0,2

0,174

0,164

0,15

0,146

0,06

-0,2

-5

-10

-20

Результаты измерений выходной ВАХ-ки транзистора МП26А в схеме с ОБ при IЭ=10 мА

Iк, мА

0

0,2

0,4

0,6

0,8

1

2

4

6

Vкб, В

0,362

0,362

0,36

0,358

0,357

0,355

0,345

0,319

0,284

Iк, мА

8

9

9,4

9,5

9,58

9,77

10

Vкб, В

0,235

0,195

0

-2

-5,01

-10

-20

По данным приведённым в таблице начертим график:

биполярный транзистор напряжение схема

3. Найдем дифференциальный коэффициент передачи тока эмиттера :

h21= ==0,98 при Vкb=-10 B;

Найдем выходную проводимость транзистора :

h22===3,3*10-6См

h22===9,3*10-6См

h22===28*10-6См

В данной лабораторной работе мы ознакомились с устройством и принципом действия биполярного транзистора МП26A. Сняли ВАХ-ки и определили основные параметры данного транзистора. Определили основные входные характеристики при Vкб=0В и при Vкб=10В, а так же выходные характеристики при Iэ= 2 мА, Iэ= 5 мА, Iэ=10 мА.

По полученным ВАХ-кам, используя формулы, мы рассчитали h-параметры транзистора:

- входное сопротивление :

при VКБ=0В;

при VКБ=10В;

- коэффициент обратной передачи напряжения при Iэ=5 мА

;

- дифференциальный коэффициент передачи тока эмиттера :

при Vкb=-10 B;

- выходная проводимость транзистора :

Iэ=2 мА;

Iэ=5 мА;

Iэ=10 мА.

Полученные значения соответствуют приведенным типовым значениям и не превышают их.

- коэффициент обратной передачи напряжения лежит в пределах 10-1 - 10-3.

- входное сопротивление лежит в пределах 102 - 105 Ом.

- выходная проводимость лежит в пределах 10-4 - 10-6 Ом-1.

- дифференциальный коэффициент передачи тока эмиттера ~<1.

Транзистор МП26А является транзистором с p-n-p структурой, и обладает прямой проводимостью.

Размещено на Allbest.ru


Подобные документы

  • Принцип действия и основные физические процессы в транзисторе. Дифференциальные коэффициенты передачи токов транзистора. Вольт-амперные статические характеристики и параметры. Методика снятия семейства статических характеристики биполярного транзистора.

    лабораторная работа [142,9 K], добавлен 08.11.2013

  • Исследование полупроводниковых диодов. Изучение статических характеристик и параметров биполярного плоскостного транзистора в схеме с общим эмиттером. Принцип действия полевого транзистора. Электронно-лучевая трубка и проверка с ее помощью радиодеталей.

    методичка [178,3 K], добавлен 11.12.2012

  • Рассмотрение пакета Electronics Workbench, проведение исследований. Знакомство с наиболее важными параметрами биполярного транзистора "2N3947". Анализ схемы снятия статистических характеристик. Основные способы увеличения напряжения питания на величину.

    контрольная работа [146,8 K], добавлен 22.03.2015

  • Исследование статических характеристик биполярного транзистора. Наружная область с наибольшей концентрацией примеси. Схема подключения к источникам питания. Дифференциальное входное сопротивление. Дифференциальное сопротивление перехода база-эмиттер.

    лабораторная работа [46,2 K], добавлен 02.08.2009

  • Устройство, эквивалентная схема биполярного транзистора. Назначение эмиттера и коллектора. Основные параметры, принцип действия и схемы включения n–p–n транзистора. Режимы его работы в зависимости от напряжения на переходах. Смещение эмиттерного перехода.

    реферат [266,3 K], добавлен 18.01.2017

  • Свойства и возможности усилительных каскадов. Схема каскада с использованием биполярного транзистора, расчет параметров. Семейство статических входных и выходных характеристик. Расчет усилительного каскада по постоянному току графоаналитическим методом.

    контрольная работа [235,3 K], добавлен 03.02.2012

  • Биполярные транзисторы, режимы работы, схемы включения. Инверсный активный режим, режим отсечки. Расчет h-параметров биполярного транзистора. Расчет стоко-затворных характеристик полевого транзистора. Определение параметров электронно-лучевой трубки.

    курсовая работа [274,4 K], добавлен 17.03.2015

  • Экспериментальное определение характеристики биполярного транзистора в ключевом режиме, являющегося основой импульсных ключей. Измерение коэффициентов коллекторного тока с использованием мультиметра. Вычисление коэффициента насыщения транзистора.

    лабораторная работа [33,1 K], добавлен 18.06.2015

  • Практические навыки схемного введения биполярного транзистора в заданный режим покоя. Определение основных свойств транзистора в усилительном и ключевых режимах. Овладение методикой работы в учебной лаборатории в программно-аппаратной среде NI ELVIS.

    лабораторная работа [1,3 M], добавлен 04.03.2015

  • Структура биполярного транзистора, сущность явления инжекции и экстракции неосновных носителей заряда. Распределение примесей в активной области транзистора. Топология биполярного транзистора, входные и выходные характеристики, сопротивление коллектора.

    курсовая работа [409,8 K], добавлен 01.05.2014

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу.