Усилительные свойства биполярных транзисторов

Основные свойства биполярного транзистора и особенности использования его в усилителях. Оценка малосигнальных параметров. Коэффициент усиления напряжения. Зависимости коэффициентов усиления напряжения, тока и входного сопротивления от рабочей точки.

Рубрика Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника
Вид лабораторная работа
Язык русский
Дата добавления 13.12.2015
Размер файла 362,0 K

Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже

Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.

Размещено на http://www.allbest.ru/

Санкт- Петербургский политехнический университет

Институт металлургии машиностроения и транспорта

Кафедра: Мехатроники и робототехники при Центральном научно-исследовательском институте робототехники и технической кибернетики(ЦНИИ РТК)

Отчет по лабораторной работе №101

«Усилительные свойства биполярных транзисторов»

Работу выполнили студенты группы 33328/1:

Мухин Р.С.

Фурин И.О.

(Бригада №3)

Работу принял:

Лавров А.П.

Санкт-Петербург

2015г.

Цель работы:

Изучить основные свойства биполярного транзистора и особенности использования его в усилителях.

Измерительные приборы:

Название

Назначение

Погрешность

Милливольтметр В3-38

Измерение действующего значения синусоидального напряжения

Погрешность измерения напряжения не выше 6% от максимума установленного предела измерения

Генераторы сигналов ГЗ-33, Г3-112

Источник синусоидального напряжения заданной часто- ты и амплитуды

Погрешность по установ- ленной на приборе частоте не превышает (0,02 f+1 Гц)

Частотомер Ч3-33

Измерение частоты электри- ческих колебаний

Погрешность измерения частоты не превышает 1/t, где t -- время измерения.

Осциллограф универсальный двух- канальный С1-83

Исследование формы элек- трических колебаний, изме- рение напряжений и времен- ных интервалов исследуе- мых сигналов

Погрешности измерения менее 8% при размерах изображения от 2 до 6 дел. по вертикали или от 4 до 8 дел. по горизонтали

Ход выполнения работы:

Выбор рабочей точки и оценка малосигнальных параметров.

1) Для рабочей точки был выбран коллекторный ток Iк=3 мА и UK поддерживалось на уровне 5,5-6,0 В.

2) Проведем оценку малосигнальных y параметров для РТ:

Справочными данные транзистора КТ201Б:

в h21 ? 50 и UY = 140 В, UТ=25 мВ

y11= 2.4*10-3 См у12=-4,3*10-7 См

y21=0.12 См у22= 2,1*10-5 См

Исследование усилителя с общим эмиттером.

3) Схема усилителя с общим эмиттером представлена справа на рисунке 1.

RL=620 Ом, Cбл=150 мкФ, RБ=1 кОм

4) Измерим коэффициенты усиления напряжения, тока, мощности и входное сопротивление.

f=2,5 кГц U0=7.4 мВ U1=5 мВ U2=220мВ

Rвх= U1/IБ=5*10-3/(2,4*10-3/103) =2 кОм

Коэффициент усиления напряжения:

|Ku|= U2/ U1=220/5=44

Коэффициент усиления тока:

Ki=Iк/Iб= ( U2/RL)/((U0- U1)/Rб)= (220*10-3/620)/(2.4*10-3/103)=147.85

Коэффициент усиления мощности:

Kp=|Ku|*|Ki|= 6.5*103

5) Вычислим малосигнальные параметры и сравним с теоретическими расчетами на стр. 2:

биполярный транзистор усилитель сопротивление

y11(пр)=1/ Rвх=0.5*10-3 См y11(теор)= 2.4*10-3 См

y21(пр)=S?|Ku|/ RL=0.07 См y21(теор)=0.12 См

в(пр)= y21/ y11=70 в(теор)=50

6) Исследуем зависимости коэффициентов усиления напряжения, тока и входного сопротивления от рабочей точки. Данные измерений представлены в табл.1:

|Ku|= U2/ U1 ; Ki= ( U2/RL)/((U0- U1)/Rб ); Rвх =U1/IБ

Таблица 1. Зависимость коэффициентов усиления напряжения, тока и входного сопротивления от рабочей точки

Iк , мА

U0 , мВ

U1, мВ

U2, мВ

|Ku|

Ki

Rвх, Ом

1

7,4

5,8

110

18,97

110,89

3625,00

1,5

7,4

5,5

140

25,45

118,85

2894,74

2

7,4

5,2

170

32,69

124,63

2363,64

2,5

7,4

5,1

200

39,22

140,25

2217,39

3

7,4

5

220

44,00

147,85

2083,33

3,5

7,4

4,7

260

55,32

155,32

1740,74

4

7,4

4,3

290

67,44

150,88

1387,10

4,5

7,4

4

320

80,00

151,80

1176,47

5

7,4

4

320

80,00

151,80

1176,47

Рисунок 2. График зависимости коэффициента усиления напряжения от рабочей точки.

Рисунок 3. График зависимости коэффициента усиления тока от рабочей точки.

Рисунок 4. График зависимости входного сопротивления тока от рабочей точки.

7) Снимем АХ U2=f(U1):

Таблица 2. Амплитудная характеристика U2=f(U1).

U1, мВ

U2, В

0,004

0,16

0,010

0,36

0,016

0,56

0,022

0,70

0,028

0,90

0,034

1

Рисунок 5. График амплитудной характеристики U2=f(U1).

3. Исследование эмиттерного повторителя с общим коллектором.

9) Схема эмиттерного повторителя с общим коллектором представлена справа на рисунке 6:

Рисунок 6. Схема эмиттерного повторителя с общим коллектором

RL=620 Ом

10) Измерим коэффициенты усиления напряжения, тока, мощности и входное сопротивление.

Рабочая точка: IK=2.9 мА U0=10 мВ U1=8,4 мВ U2=8мВ

в h21 ? 50 и UY = 140 В, UТ=25 мВ f=2,5 кГц

Rвх= U1/IБ=8,4*10-3/(1,6*10-3/10*103) =52.5 кОм

Коэффициент усиления напряжения:

|Ku|= U2/ U1=8/8,4=0,95

Коэффициент усиления тока:

Ki=Iк/Iб= ( U2/RL)/((U0- U1)/Rб)= (8,4*10-3/620)/(1,6*10-3/10*103) =84.6

Коэффициент усиления мощности:

Kp=|Ku|*|Ki|= 80

11) Вычислим коэффициенты усиления и сравним с расчетами:

y11= 2.32*10-3 См

y21= S= Iк=/Uт =0.116 См

Ku'=-S*RL=-0.116*620=-71.92

Ku=| Ku'|/(1+| Ku'|)=0.986 |Ku|= 0,95

Ki=1+ y21/ y11=51 Ki=84.6

Kp= Ku* Ki=0.986*51=50,3 Kp= 80

Rвх=(1+| Ku'|)/y11=31.43*103 Rвх=52.5

12) Измерим выходное сопротивление эмиттерного повторителя:

RL'=50 Ом U2'=16 мВ

RL"=20 Ом U2"=10 мВ

Rвых=( U2'- U2")/( U2"/ RL"- U2'/ RL')=33.33 Ом

Rвых=1/S=1/0.116=9

13) Снимем АХ U2=f(U1):

Таблица 2. Амплитудная характеристика U2=f(U1) эмиттерного повторителя.

U1, В

U2, В

1,2

0,8

1

0,7

0,8

0,6

0,6

0,4

0,4

0,3

0,2

0,2

0,007

0,0056

Рисунок 7. График амплитудной характеристики U2=f(U1) эмитерного повторителя.

Вывод

В ходе выполнения лабораторной работы были изучены основные свойства биполярного транзистора и особенности использования его в усилителях.

Размещено на Allbest.ru


Подобные документы

  • Выбор транзистора и расчет тока базы и эмиттера в рабочей точке. Эквивалентная схема биполярного транзистора, включенного по схеме общим эмиттером. Вычисление коэффициентов усиления по напряжению, току и мощности; коэффициента полезного действия.

    курсовая работа [681,4 K], добавлен 19.09.2012

  • Классификация биполярных транзисторов по типу рабочего материала и механизму передачи тока в структуре. Технологические разновидности БТ. Основные свойства сплавных и планарных транзисторов. Ширина диапазона рабочих частот БТ. Способы повышения усиления.

    контрольная работа [2,3 M], добавлен 15.01.2011

  • Транзистор как электронный полупроводниковый усилительный прибор, предназначенный для усиления сигналов. Знакомство с особенностями и сферами применения полевых и биполярных транзисторов. Общая характеристика схем включения биполярного транзистора.

    реферат [1,5 M], добавлен 21.05.2016

  • Свойства и возможности усилительных каскадов. Схема каскада с использованием биполярного транзистора, расчет параметров. Семейство статических входных и выходных характеристик. Расчет усилительного каскада по постоянному току графоаналитическим методом.

    контрольная работа [235,3 K], добавлен 03.02.2012

  • Определение параметров структурно-физических математических моделей диодов и полевых транзисторов, малосигнальных и структурно-физических моделей биполярных транзисторов. Исследование элементов системы моделирования и анализа радиоэлектронных цепей.

    курсовая работа [1,3 M], добавлен 17.03.2011

  • Методы определения параметров операционных усилителей, входных токов, напряжения смещения, дифференциального входного и выходного сопротивлений, скорости нарастания выходного напряжения, коэффициентов усиления инвертирующего и неинвертирующего усилителей.

    контрольная работа [151,0 K], добавлен 02.12.2010

  • Определение параметров резистора и индуктивности катушки, углов сдвига фаз между напряжением и током на входе цепи. Расчет коэффициента усиления напряжения, добротности волнового сопротивления цепи. Анализ напряжения при активно-индуктивной нагрузке.

    контрольная работа [1,2 M], добавлен 11.06.2011

  • Режим работы биполярного транзистора и основные физические процессы. Устройство и способы включения бипролярного транзистора. Определение напряжения источников питания. Расчёт коллекторной цепи транзисторов оконечного каскада и параметров цепей смещения.

    курсовая работа [418,8 K], добавлен 09.08.2010

  • Исследование статических характеристик биполярного транзистора, устройство и принцип действия. Схема включения p-n-p транзистора в схеме для снятия статических характеристик. Основные технические характеристики. Коэффициент обратной передачи напряжения.

    лабораторная работа [245,9 K], добавлен 05.05.2014

  • Биполярный транзистор ГТ310Б, его характеристика. Уравнение нагрузочной прямой по постоянному току. Определение H и G – параметров, величины эквивалентной схемы биполярного транзистора, частот, сопротивления нагрузки и динамических коэффициентов усиления.

    контрольная работа [144,3 K], добавлен 09.11.2008

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу.