Правило 5. Если есть вероятность превышения значения dV_D/dt или dV_COM/dt, необходимо включить RC демпфер между T1 и T2. Если есть вероятность превышения значения dI_COM/dt, необходимо включить последовательно с нагрузкой катушку индуктивности в несколько mH. Альтернатива - использование HI-Com триаков.

Правило 6. Если есть вероятность превышения V_DRM триака во время переходных процессов, необходимо принять следующие меры: Ограничить высокий dI_T/dt не насыщаемой катушкой индуктивности на несколько mH последовательно с нагрузкой; Использовать MOB параллельно питанию в комбинации с фильтром к источнику питания.

Правило 7. Продуманная схема управления затвором и отказ от работы в квадранте 3+ увеличивает значение dI_T/dt.

Правило 8. Если есть вероятность превышения значения dI_T/dt необходимо установить последовательно с нагрузкой индуктивность в несколько mH или терморезистор с обратным температурным коэффициентом. Для резистивных нагрузок можно использовать режим включения при нулевой разности потенциалов.

Правило 9. При монтаже триака (тиристора) необходимо избегать приложения чрезмерных механических усилий. Перед пайкой необходимо закрепить прибор одним из трёх выше перечисленных способов. Особое внимание необходимо уделить плотности прилегания корпуса прибора к радиатору.

Правило 10. Для надёжной работы прибора, необходимое значение R_{th j-a} должно быть достаточно низко, чтобы держать температуру перехода в пределах T_j max при самой высокой ожидаемой температуре окружающей среды.

Заключение

Полупроводники - это сравнительно новые материалы, с помощью которых на протяжении последних десятилетий удаётся разрешать ряд чрезвычайно важных электротехнических задач.

Полупроводниковые приборы можно встретить в обычном радиоприемнике и в квантовом генераторе - лазере, в крошечной атомной батарее и в микропроцессорах.

Инженеры не могут обходиться без полупроводниковых выпрямителей, переключателей и усилителей. Замена ламповой аппаратуры полупроводниковой позволила в десятки раз уменьшить габариты и массу электронных устройств, снизить потребляемую ими мощность и резко увеличить надежность.

В настоящее время насчитывается свыше двадцати различных областей, в которых с помощью полупроводников разрешаются важнейшие вопросы эксплуатации машин и механизмов, контроля производственных процессов, получения электрической энергии, усиления высокочастотных колебаний и генерирования радиоволн, создания с помощью электрического тока тепла или холода, и для осуществления многих других процессов.

В ходе работы над темой исследования было выполнено следующее:

- подобрана, изучена и проанализирована научная, научно-популярная, учебная, методическая, нормативная литература по теме дипломной работы и смежным областям науки и техники;

- сформулирована гипотеза исследования, поставлены задачи;

- изучены основные теоретические сведения о физических процессах в полупроводниках;

- в ходе проведения лабораторных экспериментов, подтверждены основные теоретические сведения о физических процессах, протекающих в полупроводниках;

- разработаны лабораторные работы по изучению полупроводниковых приборов;

- разработано методическое обеспечение лабораторных работ;

- разработаны лабораторные комплексы и установки по изучению физики полупроводниковых приборов и электроники;

- созданы лабораторные комплексы и установки по изучению физики полупроводниковых приборов и электроники;

- сделаны выводы.

Итогом проделанной в ходе исследования работы явилась разработка и методическое описание ряда лабораторных работ, способствующих практическому закреплению знаний студентов в области физики полупроводниковых приборов и электроники.

Основной вывод - несмотря на острую нехватку времени, отведенного на изучение дисциплин, связанных с электроникой и физикой полупроводниковых приборов, в частности, организовать учебную работу по их изучению в высшем учебном заведении возможно. Причем сделать это можно силами самого вуза, без значительного привлечения денежных средств.

Обзор разработок приводится в приложениях.

Список использованных источников

1. Д.А. Браун. Новые материалы в технике.-Издательство ЅВысшая школаЅ, М. - 1965,194 с.

2. А.с. 281651 СССР МПК Н 01 5/00. Полупроводниковый генератор/ Б.С. Муравский. В.И. Кузнецов. Заявл. 03.12.68., Опублик. 21.03.73. Бюл.N7.

3. Кнаб О.Д. БИСПИН - новый тип полупроводниковых приборов // Электронная промышленность. 1989. N8

4. Шалимова К.В. «Физика полупроводников» Изд. «Энергия» 1976

5. Степаненко И.П. Основы теории транзисторов и транзисторных схем. / Москва, Энергия, 1973.

6. Муравский Б.С. Черный В.Н. Яманов И.Л. Потапов А.Н. Жужа М.А. Неравновесные электронные процессы в транзисторных структурах с туннельно-прозрачным окислом // Микроэлектроника. 1989. т. 1

7. Стриха В.И. Теоретические основы контакта металл-полупроводник. // Киев. «Наукова думка», 1974.

Размещено на Allbest.ru