Распределение примесей в процессе выращивания мультикристаллического кремния

Расчёт компоновки загрузки из полупроводникового и металлургического кремния для выращивания мультикремния. Количественный химический анализ слитков мультикремния. Анализ профилей распределения примесей в слитках в приближении перемешивания расплава.

Рубрика Физика и энергетика
Вид дипломная работа
Язык русский
Дата добавления 08.06.2017
Размер файла 1,1 M

Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже

Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.

6.Басин А.С., Шишкин A.В. Получение кремниевых пластин для солнечной энергетики: Методы и технологии. Новосибирск, Институт теплофизики СО РАН. - 2000. - с. 87.

7.Нашельский А.Я., Пульнер Э.О. Современное состояние технологии кремния для солнечной энергетики. // Высокочистые вещества. - 1996. - № 1. - С. 102-110.

8.Bathey B.R., Cretella M.C. Review solar grade silicon. // Journal of Materials Science. - 1982. - V. 17. - № 11. - P. 3077-3096.

9. Мюллер Г. Выращивание кристаллов из расплава: Конвекция и неоднородность: Пер. с англ. - М.: Мир. - 1991. - 143 с. - ил.

10. Чернов А.А., Гиваргизов Е.И., Багдасаров Х.С. и др. Современная кристаллография. Т.3. Образование кристаллов. М.: Наука. 1980. 407 с.

11.Влияние скорости вращения тигля на рост и макроструктуру мультикристаллического кремния /А.И. Непомнящих [и др.] // Неорганические материалы. 2014. Т. 50,№ 12. С. 12811286.

12. Подготовка термодинамических свойств индивидуальных веществ к физико-химическому моделированию высокотемпературных технологических процессов/ А.А. Тупицын [и др.]. Иркутск : Изд-во Иркут. гос. ун-та, 2009. - 303 с

13.Современные масс-спектрометры высокого разрешения для прецизионного элементного анализа в индуктивно связанной аргоновой плазме и источнике тлеющего разряда/ С.Лапшин., О.Прошенкина/ оборудование и материалы. 2012(4) --№1 -- С. 28 -- 36.

14.Влияние скорости вращения тигля на рост и макроструктуру мультикристаллического кремния /А.И. Непомнящих [и др.] // Неорганические материалы. 2014. Т. 50,№ 12. С. 12811286.

15.Особенности роста мультикристаллического кремния из металлургического кремния высокой чистоты/ А.И. Непомнящих [и др.] // Письма в ЖТФ. 2011.Т. 37,№ 15.С. 103108.

16.Martorano M.A., Oliveira T.S., Ferreira Neto J.B., Tsubaki T.O. Macrosegregation of impurities in directionally solidified silicon // Metallurgical and Materials Transactions A: Physical Metallurgy and Materials Science. 2011. V. 42. № 7. P. 1870-1886.

17. Пресняков Р.В., Непомнящих А.И., Бердников В.С. Влияние режима роста на макроструктуру мультикристаллического кремния. / Тезисы докладов VIII международной конференции и VII школы молодых учёных «Кремний-2011». Москва: Изд-во МИсиС. - 2011. - C. 60-61.

18.Современная кристаллография / А.А.Чернов [ и др.] // Образование кристаллов. М.: Наука.1980.г.Т.3.407 с.

ПРИЛОЖЕНИЕ 1. Диапазоны измерения концентрации примесей, характеристики погрешности (при доверительной вероятности Р=0,95)

Элемент

Диапазон измерения, ppmw

(10-4 вес. %)

Показатель точности (границы интервала, в котором находится погрешность измерения), ±Д

Al

От 1,0 до 10,0 вкл

Св.10,0 до 100,0 вкл

Св.100 до 1000 вкл

Св.1000 до 7000 вкл

Св.7000 до 15000 вкл

0,76Х

0,48 Х

0,30 Х

0,20 Х

0,16 Х

B

От 0,15 до 1,0 вкл

Св.1,0 до 7,0 вкл

Св.7,0 до 40,0 вкл

Св.40,0 до 130 вкл

0,68 Х

0,44 Х

0,29 Х

0,22 Х

V

От 0,10 до 0,60 вкл

Св.0,60 до 3,60 вкл

Св.3,6 до 20,0 вкл

Св.20,0 до 100,0 вкл

Св.100 до 500 вкл

0,67 Х

0,44 Х

0,29 Х

0,20 Х

0,14 Х

Ge

От 0,002 до 0,050 вкл

Св.0,05 до 0,50 вкл

Св.0,50 до 5,0 вкл

0,64 Х

0,48 Х

0,32 Х

Fe

От 5,0 до 25,0 вкл

Св.25,0 до 125 вкл

Св.125 до 700 вкл

Св.700 до 3500 вкл

Св.3500 до 20000 вкл

0,76 Х

0,51 Х

0,34 Х

0,23 Х

0,15 Х

Ca

От 2,0 до 10,0 вкл

Св.10,0 до 50,0 вкл

Св.50,0 до 300 вкл

Св.300 до 2500 вкл

Св.2500 до 16000 вкл

0,67 Х

0,48 Х

0,33 Х

0,21 Х

0,14 Х

Co

От 0,010 до 0,070 вкл

Св.0,070 до 0,50 вкл

Св.0,50 до 3,50 вкл

Св.3,5 до 25,0 вкл

Св.25,0 до 200 вкл

0,61 Х

0,40 Х

0,27 Х

0,18 Х

0,12 Х

Mg

От 1,0 до 5,0 вкл

Св.5,0 до 20,0 вкл

Св.20,0 до 80,0 вкл

Св.80,0 до 200 вкл

0,68 Х

0,51 Х

0,39 Х

0,32 Х

Mn

От 0,020 до 0,20 вкл

Св.0,20 до 2,0 вкл

Св.2,0 до 20,0 вкл

Св.20,0 до 200,0 вкл

Св.200 до 500 вкл

0,74 Х

0,48 Х

0,32 Х

0,21 Х

0,17 Х

Cu

От 0,010 до 0,20 вкл

Св.0,20 до 5,0 вкл

Св.5,0 до 100,0 вкл

Св.100 до 1000 вкл

0,64 Х

0,41 Х

0,28 Х

0,20 Х

Ni

От 0,02 до 0,20 вкл

Св.0,20 до 2,0 вкл

Св.2,0 до 20,0 вкл

Св.20,0 до 150,0 вкл

Св.150 до 350 вкл

0,64 Х

0,42 Х

0,27 Х

0,19 Х

0,16 Х

Ti

От 1 до 4 вкл

Св.4 до 15вкл

Св.15 до 60 вкл

Св.60 до 250 вкл

Св.250 до 1000 вкл

Св.1000 до 2500 вкл

0,75 Х

0,49 Х

0,32 Х

0,20 Х

0,13 Х

0,094 Х

P

От 0,50 до 3,0 вкл

Св.3,0 до 15,0 вкл

Св.15,0 до 60,0 вкл

Св.60,0 до 200 вкл

0,72 Х

0,45 Х

0,30 Х

0,21 Х

Cr

От 0,10 до 0,40 вкл

Св.0,40 до 1,50 вкл

Св.1,50 до 5,0 вкл

Св.5,0 до 15,0 вкл

Св.15,0 до 50,0 вкл

Св.50,0 до 110 вкл

0,62 Х

0,41 Х

0,29 Х

0,20 Х

0,14 Х

0,11 Х

Zr

От 0,080 до 1,00 вкл

Св.1,0 до 10,0 вкл

Св.10,0 до 100,0 вкл

Св.100 до 500 вкл

0,69 Х

0,46 Х

0,31 Х

0,23 Х

ПРИЛОЖЕНИЕ 2. Распределение концентраций примесей в слитке №1 (в ppmw)

ПРИЛОЖЕНИЕ 3. Распределение концентраций примесей в слитке №2 (в ppmw

ПРИЛОЖЕНИЕ 4. Распределение концентраций примесей в слитке №3 (в ppmw)

ПРИЛОЖЕНИЕ 5. Распределение концентраций примесей в слитке №4 (в ppmw)

Размещено на Allbest.ru


Подобные документы

  • Получение поликристаллического кремния. Методы получения газовых соединений Si, поликристаллических кремния из моносилана SiH4. Восстановление очищенного трихлорсилана. Установка для выращивания монокристаллического кремния. Мировой рынок поликремния.

    дипломная работа [2,3 M], добавлен 14.12.2011

  • Дифракция быстрых электронов на отражение как метод анализа структуры поверхности пленок в процессе молекулярно-лучевой эпитаксии. Анализ температурной зависимости толщины пленки кремния и германия на слабо разориентированой поверхности кремния.

    курсовая работа [1,0 M], добавлен 07.06.2011

  • Изучение свойств карбида кремния. Понятие омического контакта. Разработка и оптимизация технологии воспроизводимого получения омических контактов к карбиду кремния n- и р-типа проводимости на основе выявления факторов, влияющих на его формирование.

    курсовая работа [165,7 K], добавлен 10.05.2014

  • Получение и люминесцентные свойства легированного эрбием монокристаллического кремния. Влияние дефектов и примесей на интенсивность сигнала фотолюминесценции ионно-имплантированных слоев. Безизлучательная передача возбуждений между оптическими центрами.

    дипломная работа [1,2 M], добавлен 06.01.2016

  • Кристаллическая структура и полупроводниковые свойства карбида кремния и нитрида алюминия. Люминесцентные свойства SiC и твердых растворов (SiC)1-x(AlN)x. Технологическая установка для выращивания растворов. Электронный микроскоп-микроанализатор ЭММА-2.

    дипломная работа [175,9 K], добавлен 09.09.2012

  • Значение и использование монокристаллического кремния при производстве солнечных элементов повышенной эффективности. Природа и механизм возникновения дефектов для пар железо-бор в составе элементов при различных условиях эксплуатации и освещения.

    реферат [104,0 K], добавлен 23.10.2012

  • Особенности частичного насыщения поверхностных атомов кремния метильными группами и методов моделирования кластера минимального размера. Иммобилизация метильных групп на поверхность димеризованного гидрогенизированного кластера в различных соотношениях.

    доклад [1,1 M], добавлен 26.01.2011

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу.