Распределение примесей в процессе выращивания мультикристаллического кремния
Расчёт компоновки загрузки из полупроводникового и металлургического кремния для выращивания мультикремния. Количественный химический анализ слитков мультикремния. Анализ профилей распределения примесей в слитках в приближении перемешивания расплава.
| Рубрика | Физика и энергетика |
| Вид | дипломная работа |
| Язык | русский |
| Дата добавления | 08.06.2017 |
| Размер файла | 1,1 M |
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
6.Басин А.С., Шишкин A.В. Получение кремниевых пластин для солнечной энергетики: Методы и технологии. Новосибирск, Институт теплофизики СО РАН. - 2000. - с. 87.
7.Нашельский А.Я., Пульнер Э.О. Современное состояние технологии кремния для солнечной энергетики. // Высокочистые вещества. - 1996. - № 1. - С. 102-110.
8.Bathey B.R., Cretella M.C. Review solar grade silicon. // Journal of Materials Science. - 1982. - V. 17. - № 11. - P. 3077-3096.
9. Мюллер Г. Выращивание кристаллов из расплава: Конвекция и неоднородность: Пер. с англ. - М.: Мир. - 1991. - 143 с. - ил.
10. Чернов А.А., Гиваргизов Е.И., Багдасаров Х.С. и др. Современная кристаллография. Т.3. Образование кристаллов. М.: Наука. 1980. 407 с.
11.Влияние скорости вращения тигля на рост и макроструктуру мультикристаллического кремния /А.И. Непомнящих [и др.] // Неорганические материалы. 2014. Т. 50,№ 12. С. 12811286.
12. Подготовка термодинамических свойств индивидуальных веществ к физико-химическому моделированию высокотемпературных технологических процессов/ А.А. Тупицын [и др.]. Иркутск : Изд-во Иркут. гос. ун-та, 2009. - 303 с
13.Современные масс-спектрометры высокого разрешения для прецизионного элементного анализа в индуктивно связанной аргоновой плазме и источнике тлеющего разряда/ С.Лапшин., О.Прошенкина/ оборудование и материалы. 2012(4) --№1 -- С. 28 -- 36.
14.Влияние скорости вращения тигля на рост и макроструктуру мультикристаллического кремния /А.И. Непомнящих [и др.] // Неорганические материалы. 2014. Т. 50,№ 12. С. 12811286.
15.Особенности роста мультикристаллического кремния из металлургического кремния высокой чистоты/ А.И. Непомнящих [и др.] // Письма в ЖТФ. 2011.Т. 37,№ 15.С. 103108.
16.Martorano M.A., Oliveira T.S., Ferreira Neto J.B., Tsubaki T.O. Macrosegregation of impurities in directionally solidified silicon // Metallurgical and Materials Transactions A: Physical Metallurgy and Materials Science. 2011. V. 42. № 7. P. 1870-1886.
17. Пресняков Р.В., Непомнящих А.И., Бердников В.С. Влияние режима роста на макроструктуру мультикристаллического кремния. / Тезисы докладов VIII международной конференции и VII школы молодых учёных «Кремний-2011». Москва: Изд-во МИсиС. - 2011. - C. 60-61.
18.Современная кристаллография / А.А.Чернов [ и др.] // Образование кристаллов. М.: Наука.1980.г.Т.3.407 с.
ПРИЛОЖЕНИЕ 1. Диапазоны измерения концентрации примесей, характеристики погрешности (при доверительной вероятности Р=0,95)
|
Элемент |
Диапазон измерения, ppmw (10-4 вес. %) |
Показатель точности (границы интервала, в котором находится погрешность измерения), ±Д |
|
|
Al |
От 1,0 до 10,0 вкл Св.10,0 до 100,0 вкл Св.100 до 1000 вкл Св.1000 до 7000 вкл Св.7000 до 15000 вкл |
0,76Х 0,48 Х 0,30 Х 0,20 Х 0,16 Х |
|
|
B |
От 0,15 до 1,0 вкл Св.1,0 до 7,0 вкл Св.7,0 до 40,0 вкл Св.40,0 до 130 вкл |
0,68 Х 0,44 Х 0,29 Х 0,22 Х |
|
|
V |
От 0,10 до 0,60 вкл Св.0,60 до 3,60 вкл Св.3,6 до 20,0 вкл Св.20,0 до 100,0 вкл Св.100 до 500 вкл |
0,67 Х 0,44 Х 0,29 Х 0,20 Х 0,14 Х |
|
|
Ge |
От 0,002 до 0,050 вкл Св.0,05 до 0,50 вкл Св.0,50 до 5,0 вкл |
0,64 Х 0,48 Х 0,32 Х |
|
|
Fe |
От 5,0 до 25,0 вкл Св.25,0 до 125 вкл Св.125 до 700 вкл Св.700 до 3500 вкл Св.3500 до 20000 вкл |
0,76 Х 0,51 Х 0,34 Х 0,23 Х 0,15 Х |
|
|
Ca |
От 2,0 до 10,0 вкл Св.10,0 до 50,0 вкл Св.50,0 до 300 вкл Св.300 до 2500 вкл Св.2500 до 16000 вкл |
0,67 Х 0,48 Х 0,33 Х 0,21 Х 0,14 Х |
|
|
Co |
От 0,010 до 0,070 вкл Св.0,070 до 0,50 вкл Св.0,50 до 3,50 вкл Св.3,5 до 25,0 вкл Св.25,0 до 200 вкл |
0,61 Х 0,40 Х 0,27 Х 0,18 Х 0,12 Х |
|
|
Mg |
От 1,0 до 5,0 вкл Св.5,0 до 20,0 вкл Св.20,0 до 80,0 вкл Св.80,0 до 200 вкл |
0,68 Х 0,51 Х 0,39 Х 0,32 Х |
|
|
Mn |
От 0,020 до 0,20 вкл Св.0,20 до 2,0 вкл Св.2,0 до 20,0 вкл Св.20,0 до 200,0 вкл Св.200 до 500 вкл |
0,74 Х 0,48 Х 0,32 Х 0,21 Х 0,17 Х |
|
|
Cu |
От 0,010 до 0,20 вкл Св.0,20 до 5,0 вкл Св.5,0 до 100,0 вкл Св.100 до 1000 вкл |
0,64 Х 0,41 Х 0,28 Х 0,20 Х |
|
|
Ni |
От 0,02 до 0,20 вкл Св.0,20 до 2,0 вкл Св.2,0 до 20,0 вкл Св.20,0 до 150,0 вкл Св.150 до 350 вкл |
0,64 Х 0,42 Х 0,27 Х 0,19 Х 0,16 Х |
|
|
Ti |
От 1 до 4 вкл Св.4 до 15вкл Св.15 до 60 вкл Св.60 до 250 вкл Св.250 до 1000 вкл Св.1000 до 2500 вкл |
0,75 Х 0,49 Х 0,32 Х 0,20 Х 0,13 Х 0,094 Х |
|
|
P |
От 0,50 до 3,0 вкл Св.3,0 до 15,0 вкл Св.15,0 до 60,0 вкл Св.60,0 до 200 вкл |
0,72 Х 0,45 Х 0,30 Х 0,21 Х |
|
|
Cr |
От 0,10 до 0,40 вкл Св.0,40 до 1,50 вкл Св.1,50 до 5,0 вкл Св.5,0 до 15,0 вкл Св.15,0 до 50,0 вкл Св.50,0 до 110 вкл |
0,62 Х 0,41 Х 0,29 Х 0,20 Х 0,14 Х 0,11 Х |
|
|
Zr |
От 0,080 до 1,00 вкл Св.1,0 до 10,0 вкл Св.10,0 до 100,0 вкл Св.100 до 500 вкл |
0,69 Х 0,46 Х 0,31 Х 0,23 Х |
ПРИЛОЖЕНИЕ 2. Распределение концентраций примесей в слитке №1 (в ppmw)
ПРИЛОЖЕНИЕ 3. Распределение концентраций примесей в слитке №2 (в ppmw
ПРИЛОЖЕНИЕ 4. Распределение концентраций примесей в слитке №3 (в ppmw)
ПРИЛОЖЕНИЕ 5. Распределение концентраций примесей в слитке №4 (в ppmw)
Размещено на Allbest.ru
Подобные документы
Получение поликристаллического кремния. Методы получения газовых соединений Si, поликристаллических кремния из моносилана SiH4. Восстановление очищенного трихлорсилана. Установка для выращивания монокристаллического кремния. Мировой рынок поликремния.
дипломная работа [2,3 M], добавлен 14.12.2011Дифракция быстрых электронов на отражение как метод анализа структуры поверхности пленок в процессе молекулярно-лучевой эпитаксии. Анализ температурной зависимости толщины пленки кремния и германия на слабо разориентированой поверхности кремния.
курсовая работа [1,0 M], добавлен 07.06.2011Изучение свойств карбида кремния. Понятие омического контакта. Разработка и оптимизация технологии воспроизводимого получения омических контактов к карбиду кремния n- и р-типа проводимости на основе выявления факторов, влияющих на его формирование.
курсовая работа [165,7 K], добавлен 10.05.2014Получение и люминесцентные свойства легированного эрбием монокристаллического кремния. Влияние дефектов и примесей на интенсивность сигнала фотолюминесценции ионно-имплантированных слоев. Безизлучательная передача возбуждений между оптическими центрами.
дипломная работа [1,2 M], добавлен 06.01.2016Кристаллическая структура и полупроводниковые свойства карбида кремния и нитрида алюминия. Люминесцентные свойства SiC и твердых растворов (SiC)1-x(AlN)x. Технологическая установка для выращивания растворов. Электронный микроскоп-микроанализатор ЭММА-2.
дипломная работа [175,9 K], добавлен 09.09.2012Значение и использование монокристаллического кремния при производстве солнечных элементов повышенной эффективности. Природа и механизм возникновения дефектов для пар железо-бор в составе элементов при различных условиях эксплуатации и освещения.
реферат [104,0 K], добавлен 23.10.2012Особенности частичного насыщения поверхностных атомов кремния метильными группами и методов моделирования кластера минимального размера. Иммобилизация метильных групп на поверхность димеризованного гидрогенизированного кластера в различных соотношениях.
доклад [1,1 M], добавлен 26.01.2011Исследование особенностей технологических путей создания микрорельефа на фронтальной поверхности солнечных элементов на основе монокристаллического кремния. Основные фотоэлектрические параметры полученных структур, их анализ и направления изучения.
статья [114,6 K], добавлен 22.06.2015Классификация твердых тел по электропроводности. Процесс образования пары электрон - дырка. Преимущества использования кремния в качестве полупроводникового материала. Структура кристаллической решетки типа "алмаз". Электронно-дырочный p-n-переход.
презентация [823,2 K], добавлен 09.07.2015Энергетическая зонная структура и абсолютный минимум зоны проводимости у кремния. Измерение спектра собственного поглощения образца кремния с помощью электронно-вычислительного комплекса СДЛ-2. Оценка ширины запрещенной зоны исследуемого полупроводника.
курсовая работа [376,2 K], добавлен 08.06.2011
