Физика полупроводников с пониженной размерностью

Энергетический спектр электронов и плотность электронных состояний в низкоразмерных объектах. Важнейшие квантовомеханические характеристики тел. Спектр неограниченного кристалла 3D-электронного газа. Электронный газ в квантовой проволоке или точке.

Рубрика Физика и энергетика
Предмет Физика
Вид лекция
Язык русский
Прислал(а) Аs-arik
Дата добавления 24.04.2014
Размер файла 484,6 K

Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже

Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.


Подобные документы

  • Методы изготовления квантовых точек. Перспективы их использования в устройствах и приборах. Однофотонное поглощение света. Сравнительный анализ энергетического спектра и плотности электронных состояний в массивном полупроводнике, проволоке и точке.

    курсовая работа [548,5 K], добавлен 29.04.2014

  • Характеристики полупроводниковых двумерных структур. Прямоугольная потенциальная яма конечной глубины. Параболическая и треугольная квантовые ямы. Квантовые проволоки и точки. Влияние напряжений на валентную зону. Экситонные эффекты в квантовых ямах.

    контрольная работа [4,6 M], добавлен 24.08.2015

  • Электронное строение атомов переходных элементов. Физические свойства редкоземельных металлов, их применение. Решение уравнения Шредингера для кристалла. Современные методы расчета зонной структуры. Расчет электрона энергетического спектра неодима.

    дипломная работа [1000,2 K], добавлен 27.08.2012

  • Понятие фононов в физике. Фононы как истинные степени свободы в кристаллическом твердом теле. Основы теории динамики кристаллической решетки. Статистика, описывающая фононы, – статистика Бозе-Эйнштейна. Фононный спектр и плотность фононных состояний.

    курсовая работа [295,4 K], добавлен 15.08.2011

  • Правило интервалов Ланде. Кратность вырождения энергетических состояний. Нахождение термов электронных конфигураций. Возможные наборы состояний эквивалентных p-электронов. Правила отбора в приближении LS-связи. Степень вырождения состояний электрона.

    презентация [108,0 K], добавлен 19.02.2014

  • Основные свойства полупроводников. Строение кристаллов. Представления электронной теории кристаллов. Статистика электронов в полупроводниках. Теория явлений переноса. Гальваномагнитные и термомагнитные явления. Оптический свойства полупроводников.

    книга [3,8 M], добавлен 21.02.2009

  • Описание полупроводников, характеристика их основных свойств. Физические основы электронной проводимости. Строение кристалла кремния. Направленное движение электронов и дырок под действием электрического поля, p-n переход. Устройство транзисторов.

    презентация [2,4 M], добавлен 20.04.2016

  • Получение уравнения Шрёдингера. Изучение условий, налагаемых на волновые функции, собственные функции и собственный значения. Движение частицы в потенциальной яме; скачек потенциала. Бесконечно глубокая потенциальная яма. Дискретный спектр и резонансы.

    контрольная работа [228,0 K], добавлен 18.04.2015

  • Зависимость показателя преломления от частоты падающего света. Разложение сложного излучения в спектр. Уравнение движения электронов атомов вещества под действием поля световой волны. Скорости ее распространения. Суммарный дипольный момент атомов.

    презентация [229,6 K], добавлен 17.01.2014

  • Понятие и общая характеристика, физическое обоснование динамики блоховского электрона. Его эффективная масса, зонная структура типичных полупроводников и плотность состояний. Принципы и описание главных этапов процесса заполнения электронных состояний.

    презентация [271,4 K], добавлен 25.10.2015

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу.