Физика полупроводников с пониженной размерностью
Энергетический спектр электронов и плотность электронных состояний в низкоразмерных объектах. Важнейшие квантовомеханические характеристики тел. Спектр неограниченного кристалла 3D-электронного газа. Электронный газ в квантовой проволоке или точке.
Рубрика | Физика и энергетика |
Вид | лекция |
Язык | русский |
Дата добавления | 24.04.2014 |
Размер файла | 484,6 K |
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
Размещено на http://www.allbest.ru/
Физика полупроводников с пониженной размерностью
1. Энергетический спектр электронов и плотность электронных состояний в низкоразмерных объектах
1.1 Важнейшие квантовомеханические характеристики тел
Энергетический спектр электронов Е и плотность квантовых состоянии n(Е)-важнейшие характеристики объекта, определяющие его электронные свойства и реакцию на внешние воздействия. Энергетический спектр - это совокупность возможных значений энергий частицы в данных условиях. Если энергия квантуется, то энергетический спектр называется дискретным (квантовым), если может принимать непрерывный ряд значений - спектр называется сплошным (непрерывным).
Плотность состоянии n(Е)- это число квантовых состояний электронов на единицу объема, площади или длины (в зависимости от размерности объекта), отнесенные к единичному интервалу энергии, т.е.
где dn(E) - число возможных состоянии в интервале от Е до Е+ dЕ
1.2 Энергетический спектр неограниченного кристалла 3D-электронного газа
Электроны в таком кристалле могут двигаться свободно в любом направлении. Кинетическая энергия электрона
где px, py, pz и kx, ky, kz - пространственные компоненты импульса и волнового вектора соответственно. В пределах зоны проводимости величина Е может принимать непрерывный ряд значений. Расстояние между соседними уровнями в энергетической зоне ~ 10-22эВ. Зависимость Е от составляющих волнового вектора (kx, ky, kz) вблизи дна проводимости представлена на (рис.1).
График функции n(Е) на (рис.2) - парабола
В пределах одной энергетической зоны функции Е(kx, ky, kz) и n(Е) непрерывны. Поэтому электронные свойства неограниченного кристалла под влиянием внешних воздействий изменяются непрерывно.
1.3 Энергетический спектр КЯ (2D-электронного газа)
Движение электронов в КЯ ограничено в одном направлении (вдоль оси y) и оно может рассматриваться как движение в бесконечной яме (рис.3).
Если ширина ямы вдоль оси у равна а, то в области 0<y<а электрон имеет нулевую потенциальную энергию. Бесконечно высокий потенциальный барьер делает невозможным нахождение электрона за границами этой области. Т. о., волновая функция электрона должна обращаться в нуль на границах потенциальной ямы, т. е. при у = 0 и у = а. Такому условию отвечают стоячие волны с длиной волны (n = 1,2,..) (4).
Тогда разрешенные значения волнового вектора будут дискретны
Как следствие, энергии разрешенных энергетических состояний электрона в яме тоже будут дискретными. Спектр этих состояний имеет вид
Целое число n является квантовым числом, обозначающим квантовое состояние.
Т.о., электрон, помещенный в ограниченную область пространства, может занимать только дискретные энергетические уровни. Самое низкое состояние имеет энергию
которая всегда > 0. Е1 - энергия основного состояния. Ненулевая минимальная энергия отличает квантово-механическую систему от классической, для которой энергия частицы, находящейся на дне потенциальной ямы, тождественно = 0. Значение Е1=0 нарушало бы принцип неопределенности Гейзенберга - .
Для КЯ в нашем случае энергия движения электрона квантуется и имеет вид:
Величины En называются квантоворазмерными уровнями. Т.к. движение электронов не ограничено вдоль осей x,y,z, то энергия эта не квантуется и полную энергию электрона можно представить в виде:
m* - const для движения во всех направлениях Следовательно, энергетический спектр электрона в КЯ двухмерного нанообъекта дискретно-непрерывный. Каждому размерному уровню En соответствует множество возможных значений Е (подзона) за счет свободного движения электрона вдоль осей x и z. Эта совокупность энергии называется двухмерной подзоной размерного квантования. График зависимости E(kx, kz) - система параболоидов.
Можно пока сказать, что функция плотности состояний по энергии в подзоне определяется формулой
n2D(E) от энергии не зависит и имеет ступенчатый характер т.к. каждая размерная подзона вносит одинаковый вклад равный
1.4 Электронный газ в квантовой проволоке (1D-газ)
В отличие от КЯ, квантовая проволока имеет не один а два нанометровых размера. Электроны могут свободно двигаться только в одном направлении вдоль оси х. Т.о. вклад в энергию дают кинетическая составляющая вдоль оси х и квантованные значения в двух других направлениях у и z:
где - энергия размерных уровней. Зона проводимости в КП разбивается на одномерные подзоны (рис.6).
Плотность состоянии на ед. длины n(Е) имеет ряд резких пиков, соответствующих размерным уровням. Это означает, что большинство электронов в подзоне имеет энергии вблизи соответствующего размерного уровня.
энергетический квантовомеханический электронный газ
1.5 Электронный газ в квантовой точке (0D-газ)
В КТ энергия свободных электронов должна квантоваться для движений во всех трех направлениях x,y и z. Энергетический спектр электронов в квантовой точке полностью дискретен, как у отдельного атома и энергия определяется формулой
где n1n2n3 = 1,2,3,… dx,dy,dz -размеры области в трех измерениях.
Квантовая точка может содержать до 104…106 атомов, сохраняя наномасштабы во всех измерениях.
Размещено на Allbest.ru
Подобные документы
Методы изготовления квантовых точек. Перспективы их использования в устройствах и приборах. Однофотонное поглощение света. Сравнительный анализ энергетического спектра и плотности электронных состояний в массивном полупроводнике, проволоке и точке.
курсовая работа [548,5 K], добавлен 29.04.2014Характеристики полупроводниковых двумерных структур. Прямоугольная потенциальная яма конечной глубины. Параболическая и треугольная квантовые ямы. Квантовые проволоки и точки. Влияние напряжений на валентную зону. Экситонные эффекты в квантовых ямах.
контрольная работа [4,6 M], добавлен 24.08.2015Электронное строение атомов переходных элементов. Физические свойства редкоземельных металлов, их применение. Решение уравнения Шредингера для кристалла. Современные методы расчета зонной структуры. Расчет электрона энергетического спектра неодима.
дипломная работа [1000,2 K], добавлен 27.08.2012Понятие фононов в физике. Фононы как истинные степени свободы в кристаллическом твердом теле. Основы теории динамики кристаллической решетки. Статистика, описывающая фононы, – статистика Бозе-Эйнштейна. Фононный спектр и плотность фононных состояний.
курсовая работа [295,4 K], добавлен 15.08.2011Правило интервалов Ланде. Кратность вырождения энергетических состояний. Нахождение термов электронных конфигураций. Возможные наборы состояний эквивалентных p-электронов. Правила отбора в приближении LS-связи. Степень вырождения состояний электрона.
презентация [108,0 K], добавлен 19.02.2014Основные свойства полупроводников. Строение кристаллов. Представления электронной теории кристаллов. Статистика электронов в полупроводниках. Теория явлений переноса. Гальваномагнитные и термомагнитные явления. Оптический свойства полупроводников.
книга [3,8 M], добавлен 21.02.2009Описание полупроводников, характеристика их основных свойств. Физические основы электронной проводимости. Строение кристалла кремния. Направленное движение электронов и дырок под действием электрического поля, p-n переход. Устройство транзисторов.
презентация [2,4 M], добавлен 20.04.2016Получение уравнения Шрёдингера. Изучение условий, налагаемых на волновые функции, собственные функции и собственный значения. Движение частицы в потенциальной яме; скачек потенциала. Бесконечно глубокая потенциальная яма. Дискретный спектр и резонансы.
контрольная работа [228,0 K], добавлен 18.04.2015Зависимость показателя преломления от частоты падающего света. Разложение сложного излучения в спектр. Уравнение движения электронов атомов вещества под действием поля световой волны. Скорости ее распространения. Суммарный дипольный момент атомов.
презентация [229,6 K], добавлен 17.01.2014Понятие и общая характеристика, физическое обоснование динамики блоховского электрона. Его эффективная масса, зонная структура типичных полупроводников и плотность состояний. Принципы и описание главных этапов процесса заполнения электронных состояний.
презентация [271,4 K], добавлен 25.10.2015