Зависимость ширины запрещенной зоны в кремнии от температуры

Полупроводниковый кремний как один из важнейших полупроводниковых материалов, используемых в настоящее время. Ширина энергетического зазора между дном зоны проводимости и потолком валентной зоны, в котором отсутствуют разрешённые состояния для электрона.

Рубрика Физика и энергетика
Вид контрольная работа
Язык русский
Дата добавления 25.11.2012
Размер файла 417,4 K

Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже

Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.


Подобные документы

  • Применение полупроводникового кремния. Характерные значения и методы определения ширины запрещенной зоны в полупроводниках, ее зависимость от температуры в кремнии. Экспериментальные и теоретические методы исследования зонной структуры твердых тел.

    контрольная работа [301,6 K], добавлен 11.02.2014

  • Энергетическая зонная структура и абсолютный минимум зоны проводимости у кремния. Измерение спектра собственного поглощения образца кремния с помощью электронно-вычислительного комплекса СДЛ-2. Оценка ширины запрещенной зоны исследуемого полупроводника.

    курсовая работа [376,2 K], добавлен 08.06.2011

  • Энергетические зоны в полупроводниках. Энергетическая диаграмма процесса переноса электрона с энергетического уровня в зону проводимости. Пример внедрения трехвалентного атома в решетку кремния. Эффективная плотность состояний в зоне проводимости.

    реферат [730,0 K], добавлен 26.08.2015

  • Импульсные лазеры как источник высокоэнергетического излучения. Исследование концентрационной зависимости параметра кристаллической решетки и ширины запрещенной зоны твердого раствора методами рентгеновской дифрактометрии и оптической спектроскопии.

    реферат [1,9 M], добавлен 26.06.2010

  • Сечение провода обмотки статора. Расчет размеров зубцовой зоны статора и воздушного зазора; магнитной цепи и намагничивающего тока. Требуемый расход воздуха для охлаждения. Превышение температуры наружной поверхности изоляции лобовых частей обмотки.

    курсовая работа [174,5 K], добавлен 17.12.2013

  • Определение зоны рассеяния центра электрических нагрузок для статического состояния системы. Учёт развития предприятия при определении местоположения подстанции. Увеличение годовых затрат при смещении подстанции из зоны рассеяния центра нагрузок.

    контрольная работа [543,3 K], добавлен 13.07.2013

  • Определение внутреннего диаметра статора и длины магнитопровода, предварительного числа эффективных проводников в пазу. Плотность тока в обмотке статора. Расчет размеров зубцовой зоны статора и воздушного зазора. Магнитное напряжение воздушного зазора.

    курсовая работа [1,6 M], добавлен 25.01.2015

  • Создание технических средств метрологического обеспечения контроля качества полупроводниковых материалов. Анализ установки по измерению удельного электрического сопротивления четырехзондовым методом. Измерение сопротивления кремния монокристаллического.

    дипломная работа [1,2 M], добавлен 24.07.2012

  • Традиционные термоэлектрические материалы, теллуриды висмута и свинца. Улучшение термоэлектрической добротности однородных материалов. Термовольтаический эффект в поликристаллическом SmS. Выбор оптимальной концентрации носителей и ширины запрещённой зоны.

    дипломная работа [1,3 M], добавлен 11.07.2015

  • Механизмы заполнения и расчетов электронных уровней для атомных остовов и для зоны проводимости должны быть различными. Расчеты свойств материалов можно вести сразу для химического элемента, а не для пустого куба Борна-Кармана.

    статья [5,4 K], добавлен 22.03.2004

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу.