Электромагнитные и тепловые методы контроля РЭСИ
Электромагнитные методы неразрушающего контроля. Особенности вихретокового метода неразрушающего контроля. Основные методы возбуждения вихревых токов в объекте. Дефектоскопы многоцелевого назначения. Использование тепловых метода неразрушающего контроля.
Рубрика | Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника |
Вид | реферат |
Язык | русский |
Дата добавления | 03.02.2009 |
Размер файла | 782,1 K |
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
Министерство образования Республики Беларусь
Белорусский государственный университет информатики и
радиоэлектроники
кафедра РЭС
РЕФЕРАТ
на тему:
«Электромагнитные и тепловые методы контроля РЭСИ»
МИНСК, 2008
Электромагнитные методы
Электромагнитные методы неразрушающего контроля основаны на анализе взаимодействия электромагнитного поля вихретокового преобразователя с электромагнитным полем вихревых токов, наводимых в контролируемом объекте. К особенностям вихретокового метода неразрушающего кон-троля относят:
- электрическую природу сигнала и быстродействие, что позволяет легко ав-томатизировать контроль;
- значительную скорость и простоту контроля;
- отсутствие необходимости электрического и даже механического контакта преобразователя с контролируемым объектом;
- возможность контроля слоев металла небольшой толщины, а также быстро движущихся изделий.
Существуют три основных метода возбуждения вихревых токов в объекте:
- помещение изделия в катушку (метод проходной катушки);
- накладывание катушки на изделие (метод накладной катушки);
-помещение изделия между первичной и вторичной катушками (экранный метод).
При пропускании через катушку переменного тока определенной частоты магнитное поле этой катушки изменяет свой знак с той же частотой. Если поме-стить изделие в поле этой катушки, то в нем возбуждаются вихревые токи, поле которых оказывает действие на поле возбуждающей катушки.
Существует несколько методов вихретокового контроля (ГОСТ 18353-79): амплитудный, фазовый, частотный, многочастотный.
Наибольшее применение нашли амплитудный и частотный методы.
Амплитудный метод применяют при наличии двух изменяющихся факторов, например, одновременном изменении зазора и электрической проводимости, один из которых нужно исключить. Такое исключение осуществляется фазовой настройкой.
Частотный метод часто используют, например, при измерении толщины сте-нок труб, когда необходимо отстроишься от измерения наружного диамера или электрической проводимости.
По чувствительности к трещинам вихретоковая дефектоскопия уступает маг-нитной. Выпускаемые отечественные электроиндуктивные дефектоскопы типа ДНМ-500, ДНМ-2000 с динамическим модуляционным методом регистрации, в которых накладная катушка вращается вокруг контролируемого изделия, позво-ляют получить сигнал большой амплитуды и выявить дефект с наименьшим полем рассеяния.
Указанные приборы применяют для выявления трещин протяженностью до 0,8 мм и глубиной > 0,1 мм в поверхностных слоях деталей под слоем краски и эмали, а также изделий из жаропрочных и коррозионностойких сталей.
Широкое распространение получили дефектоскопы многоцелевого назначе-ния типа ЭМИД. Эти приборы комплектуются набором проходных катушек - датчиков с внутренним диаметром от 5 до 100 мм, что позволяет контролировать многие изделия.
Например, для контроля труб, прутков, проволоки на наличие трещин, рако-вин, успешно применяется прибор ЭМИР-2М, в котором дефекты регистриру-ются визуально по изменениям фазы или амплитуды кривой на экране осцил-лографа, а также автоматически при наличии автоматической приставки. Ши-роко используют также дефектоскопы типа АСК-10(12), ИОС-1, ВК-ЗОС, ВД-20П, ИПП-1М, «Магнитоскоп» и др.
Тепловые методы
Тепловые методы неразрушающего контроля используют при исследовании теп-ловых процессов в РЭС, причем в большинстве случаев регистрируют поверхнос-тное тепловое или температурное поле объекта контроля, в пространственно-вре-менной структуре которого содержатся «отпечатки» внутренних геометрических или теплофизических аномалий Согласно ГОСТ 23483-79 методы тепло-вого контроля (ТК) основаны на взаимодействии теплового поля объекта с термо-метрическими чувствительными элементами (термопарой, фотоприемником, жид-кокристаллическим термоиндикатором и т.д.), преобразовании параметров поля (интенсивности, температурного градиента, контраста, лучистости и др.) в элект-рический или другой сигнал и передаче его на регистрирующий прибор.
Необходимое условие применения ТК - отличие интегральной или локальной температуры изделий от температуры окружающей среды, которое создается либо искусственно с помощью внешних источников теплового нагружения (ИТН), либо в силу естественных причин при изготовлении или функционировании изделий.
Таблица 1
Основные объекты ТК в радиоэлектронике.
Объекты ТК |
Дефекты |
Примечание |
|
Полупроводниковые изделия (транзисто-ры, диоды, тиристо-ры) |
Дефекты p-n-перехода (по-верхностная деградация, электромиграция, межме-таллические соединения); неравномерная плотность тока; трещины, газовые пузыри между кристаллом и основанием, неоднород-ность состава исходного материала; дефекты тепло-отвода, диффузионной сварки; повреждения кри-сталла; обрыв проводов и короткие замыкания. |
При интегральном спосо-бе ТК измеряют тепловое сопротивление. Наиболее перспективно импульсное питание, при котором определяют время тепло-вой устойчивости и пере-ходную тепловую харак-теристику. Исследование температурных рельефов и двухмерных теплограмм позволяет локализовать дефекты. |
|
Интегральные схемы |
Дефект теплоотвода; обрыв выводов; короткие замыка-ния; некачественная метал-лизация; сколы резистив-ной пленки; плохие адгезия и термокомпрессия; про-бой конденсаторов; объем-ные дефекты полупровод-ника. |
Разрешение по площади составляет 20..50 мкм. Контроль проводят с по-мощью автоматизирован-ных систем, измеряя температуру в 50.. 10 точ-ках интегральной схемы при снятой крышке. |
|
Многослойные пе-чатные платы |
Утонение и коррозионный износ проводников; нека-чественная металлизация; отслоение проводников. |
Используют импульсный нагрев электрическим током. Температурное поле имеет сложный вид и требует наличие этало-нов. |
|
Резисторы |
Локальное уплотнение; непроводящие включения; трещины. |
Размер обнаруживаемого дефекта 15x15 мкм. |
|
Конденсаторы |
Пробой электролитических конденсаторов; замыкание слоев конденсаторов в микросхемах. |
ТК осложнен небольшим излучением энергии и низким коэффициентом излучения. |
|
Сборочные единицы и блоки радиоэлек-тронных средств |
Неправильное включение элемента в схему; некаче-ствен-ный монтаж; неудач-ное размещение элементов на плате. |
ТК рекомендуется при проектировании, изго-товлении и функциони-ровании узлов. Наиболее эффективен ТК при мас-совом производстве од-нотипных узлов. Разре-шение по площади - от долей миллиметра до не-скольких сантиметров. В основе отбраковки операторное или автома-тическое сравнение те-кущей термограммы с эталонной. Оптимизацию проводят путем выбора контрольных точек и тес-тового воздействия. |
|
Проволока |
Утонение; трещины |
Используют контактный электронагрев и бескон-тактный СВЧ-нагрев. Скорость контроля до 4 м/мин. Способ чувстви-тельности к изменению проволоки от 20 до 30 мкм. |
|
Катодные узлы |
Неравномерность покрытия |
Повышение температуры на 50..60 К уменьшает долговечность катода на порядок. Используют градуированные кривые. |
|
Высокотемпературные и пленочные покры-тия |
Отслоение от подложки, неравномерность покрытия |
Наиболее чувствителен нестационарный ТК. |
|
Контроль сварки вы-водов интегральной схемы с контактными площадками микро-плат. |
Непроваривание выводов. |
При стандартном точеч-ном воздействии темпе-ратурный отклик безде-фектного соединения лежит в определенном интервале. |
С помощью методов ТК можно проводить анализ теплового режима элект-ронных схем, контроль измерения параметров цепей, качества элементов, авто-матический поиск неисправностей в РЭС.
Терминология ТК определена ГОСТ 18353-79, а классификация методов ус-тановлена ГОСТ 23483-79. Для ТК применяют пассивные и активные методы.
При пассивном ТК объекты испытаний не подвергают воздействию от внеш-него источника, и в местах потенциальных дефектов механических соединений токоведущих элементов путем опрессовки, скрутки, пайки и сварки возникает дополнительное электрическое сопротивление, которое обуславливает нагрев этого участка в соответствии с законом Джоуля - Ленца (рис. 1,а). Пассив-ным способом ТК объекта испытаний, характеризующимся аномальным выде-лением теплоты в месте потенциального дефекта, контролируют сборочные еди-ницы и компоненты радиоэлектронных средств (рис. 1,б).
При активном контроле объект подвергают воздействию от внешнего источ-ника энергии (1) (рис. 1, в). До проведения контроля температура изделия во всех точках одинакова (чаще всего равна температуре окружающей среды). При нагреве изделия, тепловой поток распространяется в глубь изделия, в месте га-зового дефекта испытывает дополнительное тепловое сопротивление. В резуль-тате этого наблюдается локальное повышение температуры на нагреваемой по-верхности, а на противоположной поверхности изделия, в силу закона сохране-ния энергии, знак температурного сигнала инвертируется.
Рисунок 1 - Пассивные (а,б) и активные (в) ТК.
1 - ИТН; 2 - изделие; 3 - дефект.
Пассивный контроль в общем случае предназначен:
- для контроля теплового режима объектов контроля;
- для обнаружения отклонений от заданной формы и геометрических разме- ров объектов контроля.
Активный контроль в общем случае предназначен:
- для обнаружения дефектов типа нарушения сплошности в объектах конт- роля (трещин, пористости, расслоений, инородных включений);
- для обнаружения изменений в структуре и физико-химических свойствах объектов контроля (неоднородность, теплопроводность структуры, теплоемкость и коэффициент излучения).
Схемы основных методов теплового контроля приведены в таблице 2.
Основные методы пассивного теплового контроля и области их применения приведены в таблице 3.
Основные методы активного теплового контроля и области их применения приведены в таблице 4.
Таблица 2
Основные методы ТК.
Метод контроля |
Схема контроля |
||
Активного Пассивного |
|||
Односторонний |
|||
Двухсторонний |
|||
Комбинированный |
|||
Синхронный |
|||
Несинхронный |
Обозначения: 1 - источникнагрева; 2 - объект контроля; 3 - термочувствительный элемент.
Дефекты вызывают значительные перегревы отдельных областей ИМС или всего изделия в целом, что приводит к последующему его отказу. Поэтому контроль реальной картины теплового поля в изделии необходим для успеш-ного конструирования высоконадежных изделий. По времени действия разли-чают непрерывные и импульсные ИТН. Температурные поля регистрируют с помощью контактных (индикаторы на жидких кристаллах, термолюминофо-ры, термометры, термосопротивления и т. д.) и бесконтактных дистанционных ИК( радиометры, тепловизоры).
Критерии дефектности (КД), т.е. измеряемые или рассчитываемые физиче-ские величины, по которым оценивают качество изделий, подразделяют на амплитудные и временные (табл.3.14). В течении долгого времени на практике использовали абсолютную температуру изделия, разность температур дефект-ного и бездефектного участка или эталонного и контролируемого изделий, названную температурным перепадом AT, а также температурный контраст А=ДТ/Т. Ввиду того, что указанные амплитудные критерии существенно зави-сят от специфических для ТК помех, в последние годы интенсивно разраба-тывают временные критерии, которые представляют собой некоторое харак-терное время процесса теплопередачи.
Таблица 3 - Методы пассивного ТК.
Название метода |
Область применения |
Контролируемые параметры |
Факторы, ограничивающие область применения |
Чувст-витель-ность |
Диапазоны контролируе-мых параметров |
Быс-тродей-ствие, с |
Отно-си-тель-ная пог-реш-ность, % |
Примечание |
|
Контакт-ные |
Контроль температуры твердых, жидких |
Температура |
Температура объекта, превышающая |
0,001 С |
От - 270 до 1500 °С |
0,1 - 1,0 |
0,1 |
Для термоэлектри-ческих датчиков |
|
и газообразных сред, размеров тепловыделяю-щих элементов объектов, дефектов нарушения сплошности |
Геометрические размеры и форма объектов |
допустимую температуру нагрева датчика; сложная конфигурация изделия; плохой контакт датчика с объектом |
0,02 °С |
От-40 до 400 °С |
0,1-1,0 |
1,0 - 5,0 |
Для термоиндикаторов |
||
Величина и форма дефектов |
0,01 мм |
0,1 - 500,0 мм |
0,1-1,0 |
0,1-1,0 |
|||||
0,01 мм |
От 0,1 до 100,0 мм и более |
0,1-1,0 |
|||||||
Собст-венного |
Контроль температуры, |
Коэффициент излучения; |
Нестабильность коэффициента |
0,01 °С |
-260 °С - 4000 °С |
10-6 |
1,0 - 5,0 |
Для фотоэлектрических датчиков |
|
излуче-ния |
измерение излучательной способности, размерный контроль тепловыделяю-щих элементов, контроль |
лучистый поток |
излучения во времени и пространстве и наличие подсветки объекта посторонними источниками |
10-6 |
5,0 |
Для тепловых датчиков |
Продолжение таблицы 3.12
Название метода |
Область применения |
Контролируемые параметры |
Факторы, ограничивающие область применения |
Чувст-витель-ность |
Диапазоны контролируе-мых параметров |
Быс-тродей-ствие, с |
Отно-си-тель-ная пог-реш-ность, % |
Примечание |
|
Геометрические размеры и формы объекта |
0,01 мм |
От 0,01 мм |
10-6 |
0,01 - 1,0 |
Для фотоэлектрических датчиков |
||||
10-2 |
Для тепловых датчиков |
||||||||
дефектов типа нарушения |
Величина и форма дефектов |
0,01 мм |
От 0,1 мм до 100,0 мм и более |
10-6 |
1,0 - 5,0 |
Для фотоэлектрических датчиков |
Таблица 4 -
Методы активного ТК.
Название метода |
Область применения |
Контролируемые параметры |
Факторы, ограничивающие область применения |
Чувстви-тельность |
Быстродействие (с) |
Погреш-ность, (%) |
Примечание |
|
Стационарный |
Контроль теплофизических свойств изделий с анизотропией теплопроводно-сти; |
Теплопроводность теплоемкость |
Допустимая температура нагрева объекта, |
+ 5% |
0,1 - 1,0 |
5,0- 10,0 |
Для контактных датчиков |
|
10 - 106 |
Для неконтактных датчиков |
|||||||
контроль пористости, излучательной |
Коэффициент |
временная и пространственная |
Amin = 0,02 |
0,1 - 1,0 |
Для контактных датчиков |
|||
способности объектов |
излучения |
нестабильность излучения объекта |
10-4 - 10-6 |
Для неконтактных датчиков |
||||
Нестационарный |
Контроль теплофизических |
Теплопроводность |
(при неконтактных методах контроля) |
0,1 - 1,0 |
Для контактных датчиков |
|||
свойств материалов |
104 -106 |
Для неконтактных датчиков |
||||||
с большой теплопроводностью, динамики нагрева (охлаждения) объектов; контроль дефектов типа нарушения сполшности |
Тепловая постоянная времени |
0,1 - 1,0 |
5,0- 10,0 |
Для контактных датчиков |
||||
в сотовых и композитных материалах, полимерах; контроль тепловых деформаций |
Размер дефектов |
Порядка М=1-3 |
Время задержки 0,1 - 1,0 ДЛЯ металлов и 10-100 для неметаллов |
При несинхронном контроле |
||||
Температурная деформация |
Порядка ОДА, |
При интерферрационном голографическом методе регистрации |
Примечание: h - глубина залегания; / - раскрыв дефекта; Amin - минимальное изменение коэффициента излучения.
Можно отметить следующие основные преимущества теплового контроля:
- дистанционность (для ИК систем);
- высокая скорость обработки информации;
- высокая производительность испытаний, ограниченная скоростью нагре- ва в активном режиме и скоростью сканирования в пассивном режиме;
- высокое линейное разрешение (до 10 мкм в ИК микроскопии);
- возможность контроля при одно- и двухстороннем подходе к изделию;
- теоретическая возможность контроля практически любых материалов, если теплофизические или спектральные свойства дефектов и материалов раз-личаются;
- практическая целесообразность методов контроля материалов с высокой и низкой теплопроводностью, а также контроля при обилии внешних тепло-вых помех;
- многопараметрический характер испытаний;
- малая зависимость результатов контроля от шероховатости поверхности по сравнению с некоторыми другими видами МНК;
- возможность взаимодополняющего сочетания ТК с другими методиками МНК, особенно радиационными, капиллярными и ультразвуковыми;
- возможность исследования динамических и статистических тепловых процессов, процессов производства, преобразования, передачи, потребления и консервации энергии различных видов;
- возможность прогнозирования тепловой деградации изделий; исследова-ния усталостных и коррозионных процессов;
- совместимость со стандартными системами обработки информации;
- возможность поточного контроля и создания автоматизированных систем контроля и управления технологическими процессами.
Таблица 5
Критерии дефектности и их зависимость от различных факторов.
Критерии дефектности |
Влияние темпера-туры нагре-ва (мощно-сти ИТН) |
Влияние помехи |
||
Аддитивной |
Мультипликативной |
|||
Амплитудные |
+ |
+ |
||
1. Абсолютная температура Т или температурный перепад AT |
+ |
|||
2. Температурный контраст АТ/Т |
_ |
+ |
||
Критерии дефектности |
Влияние температуры |
Влияние помехи |
||
Аддитивной |
Мультипликативной |
|||
3. Первая производная от температуры на поверхности по толщине изделия |
+ |
+ |
+ |
|
4. Положение экстремумов первой производной от тем-пературы по поверхностной координате |
+ |
|||
5.Форма температурных пе-репадов |
- |
+ |
+ |
|
Временные |
- |
- |
- |
|
6.Время достижения относи-тельных уровней температуры |
||||
7. Наличие и время достиже-ния экстремумов первой производной от температур-ного контраста по времени |
- |
- |
- |
|
8. Время распространения поверхностной изотермы |
- |
- |
- |
Примечание:
Знак + (-) означает, что помеха оказывает (не оказывает) существенное влияние на КД; принято, что локальное изменение оптических свойств не влияет на темпе-ратуру.
Знак * свидетельствует об отсутствии исследований.
ЛИТЕРАТУРА
1. Глудкин О.П. Методы и устройства испытания РЭС и ЭВС. - М.: Высш. школа., 2001 - 335 с
2. Испытания радиоэлектронной, электронно-вычислительной аппаратуры и испытательное оборудование/ под ред. А.И.Коробова М.: Радио и связь, 2002 - 272 с.
3. Млицкий В.Д., Беглария В.Х., Дубицкий Л.Г. Испытание аппаратуры и средства измерений на воздействие внешних факторов. М.: Машиностроение, 2003 - 567 с
4. Национальная система сертификации Республики Беларусь. Мн.: Госстандарт, 200
5. Федоров В., Сергеев Н., Кондрашин А. Контроль и испытания в проектировании и производстве радиоэлектронных средств - Техносфера, 2005. - 504с.
Подобные документы
Определения в области испытаний и контроля качества продукции, понятие и контроль. Проверка показателей качества технических устройств. Цель технического контроля. Классификация видов и методов неразрушающего контроля. Электромагнитные излучения.
реферат [552,7 K], добавлен 03.02.2009Электрические методы неразрушающего контроля. Диэлектрическая проницаемость и тангенс угла диэлектрических потерь электроизоляционных материалов. Работа электропотенциальных приборов. Электропотенциальный метод с использованием четырех электродов.
реферат [1,7 M], добавлен 03.02.2009Разработка автоматизированного дефектоскопа для сдаточного ультразвукового контроля бесшовных стальных труб. Методы и аппаратура контроля. Способ ввода ультразвука в изделие. Тип преобразователя и материала пьезоэлемента. Функциональная схема устройства.
курсовая работа [1,3 M], добавлен 14.01.2015Необходимое условие применения СВЧ-методов. Варианты схем расположения антенн преобразователя по отношению к объекту контроля. Три группы методов радиоволновой дефектоскопии: на прохождение, отражение и на рассеяние. Аппаратура радиоволнового метода.
реферат [2,8 M], добавлен 03.02.2009Радиационные и радиоактивные методы НК (РНК). Схема рентгеновской трубки. Разновидности ионизирующих излучений, используемых в РНК. Электронная дефектоскопия. Характер взаимодействия заряженных частиц с материалами. Рентгеновский проекционный микроскоп.
реферат [695,9 K], добавлен 24.12.2008Аккустические методы, основанные на применении колебаний звукового, ультразвукового диапазонов. Резонансный метод ультразвукового контроля. Метод капиллярного проникания индикаторных жидкостей. Стадии процесса электролиза. Условие определения дефектности.
реферат [2,0 M], добавлен 03.02.2009Признаки статистического приемочного контроля – количественный, качественный и альтернативный. Приемочное и браковочное числа. Понятие уровня дефектности – доля дефектных единиц продукции. Одноступенчатый и двухступенчатый план выборочного контроля.
реферат [634,2 K], добавлен 03.02.2009Выявление деталей с поверхностными и подповерхностными трещинами по вихретоковому методу контроля деталей. Приборы (дефектоскопы) для выявления поверхностных дефектов, их технические данные, устройство и работа, составные части, порог чувствительности.
лабораторная работа [1,9 M], добавлен 09.01.2011Варианты устройства дистанционного контроля микроклимата. Методы оценки экономического эффекта от него. Организация производства устройства дистанционного контроля микроклимата. Оценка затрат на разработку, экономическое обоснование целесообразности.
курсовая работа [1,0 M], добавлен 19.12.2013Разработка радиотехнического метода и аппаратуры высокоточного контроля геометрической формы плотин гидроэлектростанций. Обоснование радиотехнического метода измерений точных расстояний. Узлы точного дальномера. Определение абсолютного значения дальности.
дипломная работа [3,8 M], добавлен 25.07.2012