Управление вентиляторами компьютера через порт LPT

Размещено на http://www.allbest.ru/

Министерство образования республики Беларусь

Учреждение образования

«БЕЛОРУССКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ИНФОРМАТИКИ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ»

Институт информационных технологий

Специальность «Экономика и организация производства»

КУРСОВАЯ РАБОТА

По курсу «Основы конструирования радиоэлектронной аппаратуры»

На тему: «Управление вентиляторами компьютера через порт LPT»

Выполнил Студент-заочник 2 курса

Группы №081522

Леонов Сергей Сергеевич

Проверил Ткачук А.М.

Минск, 2012

Содержание

• Введение
• 1. Общая часть
• 1.1 Анализ исходных данных и основных технических требований к разрабатываемой конструкции
• 1.2 Описание схемы электрической принципиальной
• 2. Исследовательская часть
• 2.1 Обоснование выбора элементов схемы
• 2.1.1 Обоснование выбора резисторов
• 2.1.3 Обоснование выбора микросхем
• 2.1.4 Обоснование выбора диодов
• 2.1.5 Обоснование выбора транзисторов
• 3. Расчёт конструктивно-технологических параметров
• 3.1 Расчёт надёжности
• 3.2 Расчет узкого места
• 3.3 Расчет теплового сопротивления
• 3.4 Расчет коэффициента заполнения печатной платы
• 4. Конструкторская часть
• 4.1 Обоснование разработка трассировки печатной платы
• 4.2 Обоснование разработки компоновки печатной платы
• 5. Технологическая часть
• 5.1 Разработка и изготовление печатных плат
• 5.2 Особенности конструкции
• 6. Организационная часть
• 6.1 Организация рабочего места оператора при эксплуатации электронной аппаратуры
• 7. Экономическая часть
• 7.1 Расчет себестоимости на устройство управления вентиляторами компьютера через порт LPT
• Список использованных источников
• Приложение (Перечень элементов)

Введение

Развитие электроники после изобретения радио можно разделить на три этапа: радиотелеграфный, радиотехнический и этап собственно электроники. В первый период (около 30 лет) развивалась радиотелеграфия, и разрабатывались научные основы радиотехники. С целью упрощения устройства радиоприёмника и повышения его чувствительности в разных странах велись интенсивные разработки и исследования различных типов простых и надёжных обнаружителей высокочастотных колебаний детекторов. В 1904 г. была построена первая двухэлектродная лампа (диод), которая до сих пор используется в качестве детектора высокочастотных колебаний и выпрямителя токов технической частоты, а в 1906 г. появился карборундовый детектор.

Трёхэлектродная лампа (триод) была предложена в 1907 г. В 1913 г. была разработана схема лампового регенеративного приёмника и с помощью триода были получены незатухающие электрические колебания. Новые электронные генераторы позволили заменить искровые и дуговые радиостанции ламповыми, что практически решило проблему радиотелефонии. Внедрению электронных ламп в радиотехнику способствовала первая мировая война. С 1913 г. по 1920 г. радиотехника становится ламповой. Первые радиолампы в России были изготовлены Н.Д. Папалекси в 1914 г. в Петербурге. Из-за отсутствия совершенной откачки они были не вакуумными, а газонаполненными (с ртутью). Первые вакуумные приемно-усилительные лампы были изготовлены в 1916 г. М.А. Бонч-Бруевичем. Бонч-Бруевич в 1918 г. возглавил разработку отечественных усилителей и генераторных радиоламп в Нижегородской радиолаборатории. Тогда был создан в стране первый научнорадиотехнический институт с широкой программой действий, привлёкший к работам в области радио многих талантливых учёных, молодых энтузиастов радиотехники. Нижегородская лаборатория стала подлинной кузницей кадров радиоспециалистов, в ней зародились многие направления радиотехники, в дальнейшем ставшие самостоятельными разделами радиоэлектроники.

В марте 1919 г. начался серийный выпуск электронной лампы РП-1. В 1920 г. Бонч-Бруевич закончил разработку первых в мире генераторных ламп с медным анодом и водяным охлаждением мощностью до 1 кВт, а в 1923 г. мощностью до 25 кВт. В Нижегородской радиолаборатории О.В. Лосевым в 1922 г. была открыта возможность генерировать и усиливать радиосигналы с помощью полупроводниковых приборов. Им был создан безламповый приёмник - кристадин. Однако в те годы не были разработаны способы получения полупроводниковых материалов, и его изобретение не получило распространения.

Во второй период (около 20 лет) продолжало развиваться радиотелеграфирование. Одновременно широкое развитие и применение получили радиотелефонирование и радиовещание, были созданы радионавигация и радиолокация. Переход от радиотелефонирования к другим областям применения электромагнитных волн стал возможен благодаря достижениям электровакуумной техники, которая освоила выпуск различных электронных и ионных приборов.

Переход от длинных волн к коротким и средним, а также изобретение схемы супергетеродина потребовали применения ламп более совершенных, чем триод.

В 1924 г. была разработана экранированная лампа с двумя сетками (тетрод), а в 1930 - 1931 г.г. - пентод (лампа с тремя сетками). Электронные лампы стали изготовлять с катодами косвенного подогрева. Развитие специальных методов радиоприёма потребовало создания новых типов многосеточных ламп (смесительных и частотно - преобразовательных в 1934 - 1935 г.г.). Стремление уменьшить число ламп в схеме и повысить экономичность аппаратуры привело к разработке комбинированных ламп. Освоение и использование ультракоротких волн привело к усовершенствованию известных электронных ламп (появились лампы типа "желудь", металлокерамические триоды и маячковые лампы), а также разработке электровакуумных приборов с новым принципом управления электронным потоком - многорезонаторных магнетронов, клистронов, ламп бегущей волны. Эти достижения электровакуумной техники обусловили развитие радиолокации, радионавигации, импульсной многоканальной радиосвязи, телевидения и др.

Одновременно шло развитие ионных приборов, в которых используется электронный разряд в газе. Был значительно усовершенствован изобретённый ещё в 1908 г. ртутный вентиль. Появились газотрон (1928-1929 г.г.), тиратрон (1931 г.), стабилитрон, неоновые лампы и т.д. Развитие способов передачи изображений и измерительной техники сопровождалось разработкой и усовершенствованием различных фотоэлектрических приборов и электронографических приборов для осциллографов, радиолокации и телевидения.

В эти годы радиотехника превратилась в самостоятельную инженерную науку. Интенсивно развивались электровакуумная промышленность и радиопромышленность. Были разработаны инженерные методы расчёта радиотехнических схем, проведены широчайшие научные исследования, теоретические и экспериментальные работы.

И последний период (60-е-70-е годы) составляет эпоху полупроводниковой техники и собственно электроники. Электроника внедряется во все отрасли науки, техники и народного хозяйства. Являясь комплексом наук, электроника тесно связана с радиофизикой, радиолокацией, радионавигацией, радиоастрономией, радиометеорологией, радиоспектроскопией, электронной вычислительной и управляющей техникой, радиоуправлением на расстоянии, телеизмерениями, квантовой радиоэлектроникой и т.д.

В этот период продолжалось дальнейшее усовершенствование электровакуумных приборов. Большое внимание уделяется повышению их прочности, надёжности, долговечности. Разрабатывались бесцокольные (пальчиковые) и сверхминиатюрные лампы, что даёт возможность снизить габариты установок, насчитывающих большое количество радиоламп.

Продолжались интенсивные работы в области физики твёрдого тела и теории полупроводников, разрабатывались способы получения монокристаллов полупроводников, методы их очистки и введения примесей. Большой вклад в развитие физики полупроводников внесла советская школа академика А.Ф. Иоффе.

Полупроводниковые приборы быстро и широко распространились за 50-е-70-е годы во все области народного хозяйства. В 1926 г. был предложен полупроводниковый выпрямитель переменного тока из закиси меди. Позднее появились выпрямители из селена и сернистой меди. Бурное развитие радиотехники (особенно радиолокации) в период второй мировой войны дало новый толчок к исследованиям в области полупроводников. Были разработаны точечные выпрямители переменных токов СВЧ на основе кремния и германия, а позднее появились плоскостные германиевые диоды. В 1948 г. американские учёные Бардин и Браттейн создали германиевый точечный триод (транзистор), пригодный для усиления и генерирования электрических колебаний. Позднее был разработан кремниевый точечный триод. В начале 70-х годов точечные транзисторы практически не применялись, а основным типом транзистора являлся плоскостной, впервые изготовленный в 1951 г. К концу 1952 г. были предложены плоскостной высокочастотный тетрод, полевой транзистор и другие типы полупроводниковых приборов. В 1953 г. был разработан дрейфовый транзистор. В эти годы широко разрабатывались и исследовались новые технологические процессы обработки полупроводниковых материалов, способы изготовления р-п- переходов и самих полупроводниковых приборов. В начале 70-х годов, кроме плоскостных и дрейфовых германиевых и кремниевых транзисторов, находили широкое распространение и другие приборы, использующие свойства полупроводниковых материалов: туннельные диоды, управляемые и неуправляемые четырёхслойные переключающие приборы, фотодиоды и фототранзисторы, варикапы, терморезисторы и т.д.

Развитие и совершенствование полупроводниковых приборов характеризуется повышением рабочих частот и увеличением допустимой мощности. Первые транзисторы обладали ограниченными возможностями (предельные рабочие частоты порядка сотни килогерц и мощности рассеяния порядка 100 - 200 мВт) и могли выполнять лишь некоторые функции электронных ламп. Для того же диапазона частот были созданы транзисторы с мощностью в десятки ватт. Позднее были созданы транзисторы, способные работать на частотах до 5 МГц и рассеивать мощность порядка 5 Вт, а уже в 1972 г. были созданы образцы транзисторов на рабочие частоты 20 - 70 МГц с мощностями рассеивания, достигающими 100 Вт и более. Маломощные же транзисторы (до 0,5 - 0,7 Вт) могут работать на частотах свыше 500 МГц. Позже появились транзисторы, работающие на частотах порядка 1000 МГц. Одновременно велись работы по расширению диапазона рабочих температур. Транзисторы, изготовленные на основе германия, имели первоначально рабочие температуры не выше +55 ч 70 °С, а на основе кремния - не выше +100 ч 120 °С. Созданные позже образцы транзисторов на арсениде галлия оказались работоспособными при температурах до +250 °С, и их рабочие частоты в итоге довились до 1000 МГц. Есть транзисторы на карбиде, работающие при температурах до 350 °С. Транзисторы и полупроводниковые диоды по многим показателям в 70-е годы превосходили электронные лампы и в итоге полностью вытеснили их из областей электроники.

1. Общая часть

1.1 Анализ исходных данных и основных технических требований к разрабатываемой конструкции

Напряжение питания (В) ………....................................…..…12

Число подключаемых вентиляторов ………………………….3

Напряжения подаваемые на вентиляторы (В) ………………min 5

……………………………………………………………….max 11,7

Частота вращения вентиляторов (Гц) …………………….min 10

………………………………………………………………..max 20

Период цикла изменения частоты (с) ……………………………3

1.2 Описание схемы электрической принципиальной

Управлять вентиляторами можно лишь при условии, что материнская плата компьютера оснащена необходимыми для этого электронными регуляторами, а так бывает далеко не всегда. Если встроенных регуляторов нет, поможет блок. По командам формируемым программно на линиях порта LPT компьютера, он обеспечивает разельное шестнадцатиступенное регулирование частоты вращения трёх вентиляторов, изменяя подаваемое на них напряжение от 5…5,5в до 11,7…11,8в, что соответствует изменению частоты вращения от 40 до 100% максимальной.

К розетке LPT системного блока компьютера подключают вилку Х1. Счетверенный транзисторный оптрон U1 предназначен для гальванической развязки цепей порта LPT и цепей управления вентиляторами. Ток через излучающие диоды оптронов ограничен резисторами R1-R4. Три канала управления вентиляторами, подключаемыми к вилкам Х2, Х4 и Х5, построены по одинаковым схемам, однако в одном из них (управляющим вентилятором №1) предусмотрен узел защиты на микросхеме DD1, назначение и работа которого будут рассмотрены позже. Вилку Х3 соединяют с имеющейся в каждом компьютере стандартной кабельной розеткой, предназначенной для питания дисководов.

Работу его каналов рассмотрим на примере первого, построенного на счетчике DD2.1, диодах VD3-VD6 и транзисторах VT1, VT4. Цикл начинается по окончании общего для всех каналов импульса начальной установки, формируемого программно на линии DATA1 порта LPT и поступающего на входы R их счетчиков через оптрон U1.2. Через некоторое время с линии DATA2 через оптрон U1.1 на вход CN счетчика начинают поступать счетные импульсы, с каждым из которых изменяется состояние выходов счетчика. Резисторы R11-R14 и диоды VD3-VD6 образуют преобразователь кода в напряжение, пропорциональное числу импульсов, поступивших на вход счетчика в данном цикле. Оно поступает на вентилятор через усилитель на транзисторах VT1 и VT4. Поскольку циклы регулирования повторяются с периодом приблизительно 3 с, напряжение на вентиляторе большую часть времени остается неизменным, пульсации сглаживает конденсатор С4.

На нулевой ступени регулирования (счетных импульсов нет) вентилятор вращается с минимальной частотой, которую устанавливают подстроечным резистором R37. Максимальную частоту вращения (пришло 16 импульсов) регулируют подстроечным резистором R24.

Узел защиты на микросхеме DD1 представляет собой два реле времени: первое - на элементах R9, C1, VD1, DD1.2, DD1.4, второе - на R10, C2, VD2, DD1.3, DD1.5, DD1.6. Пока на вход элемента DD1.1 регулярно поступают импульсы установки счетчиков в исходное состояние, конденсаторы С1 и С2 периодически подзаряжаются, уровни напряжения на выходах элементов DD1.4 и DD1.6 и в точке соединения диодов VD15, VD17 - низкие. Диод VD16 закрыт, узел защиты не влияет на работу канала управления вентилятором.

Если управляющая программа не запущена, остановлена или в ее работе произошел сбой, вентилятор №1 (как правило он охлаждает процессор) должен вращаться с достаточной для эффективного охлаждения скоростью. В подобной ситуации импульсы начальной установки отсутствуют, и в зависимости от уровня сигнала на линии DATA1 на выходе элемента DD1.1 установлен постоянный высокий или низкий уровень. Приблизительно через 8 с после прекращения импульсов один из конденсаторов С1, С2 разрядится и на выходе подключенной к нему цепочки логических инверторов будет установлен высокий уровень. Через диод VD15 или VD17 он поступил на делитель напряжения из резисторов R36, R43, R44. С подвижного контакта переменного резистора R43 через R35 и открывшийся диод VD16 напряжение поступит на базу транзистора VT1, что приведет к увеличению частоты вращения вентилятора №1. С возобновлением импульсов начальной установки конденсаторы С1 и С2 зарядятся и нормальная работа канала управления восстановится.

Вентиляторы №2 и №3 обычно охлаждают менее ответственные узлы компьютера, поэтому их защита от прекращения компьютерного управления не предусмотрена.

Плата установлена в стандартную заглушку пятидюймового отсека системного блока компьютера. Она закреплена гайкой, навинченной на резьбовую втулку переменного резистора R43. Вилки установлены на достаточно длинных для подключения к вентиляторам и розетке питания жгутах из проводов черного (-, общий) и желтого (+,+12В) цветов.

Для управления вентиляторами разработана программа FanControl, но чтобы она смогла работать в автоматическом режиме, на компьютере нужно предварительно установить и запустить программу SpeedFan.

2. Исследовательская часть

2.1 Обоснование выбора элементов схемы

2.1.1 Обоснование выбора резисторов

Все резисторы выбираются по требуемому номинальному значению и мощности. Иногда в особо точных схемах учитывается допустимое отклонение от номинальной величины сопротивления. Допустимое отклонение от номинальной величины сопротивления зависит от типа резистора: композиционный, проволочный, угольный. Выбирая резисторы по мощности, определяется мощность рассеяния на каждом резисторе отдельно по формуле P=UxI, P=U²/R, P=I^2XR, выведенные из закона Ома. Полученная величина увеличивается вдвое. Исходя из полученных значений, выбирают резисторы эталонных мощностей: 0,125, 0,25, 0,5 ,1, 2 ,5,10 Вт и т.д.

Выбранные мной резисторы: МЛТ-0,125, СП3-38б, СП3-4аМ.

2.1.2 Обоснование выбора конденсаторов

При выборе конденсаторов для радиоэлектронных устройств, приходиться решать одну из противоположных по своему характеру задач. Прямая задача -- по известному стандартному напряжению конденсатора найти максимально допустимые значения переменной и постоянной составляющих рабочего напряжения. Обратная задача заключается нахождения типа и стандартного напряжения конденсаторов по рабочему режиму.

Под номинальным напряжением понимается наибольшее напряжение между обкладкам конденсатора, при котором он способен работать с заданной надёжностью в установленном диапазоне рабочих температур. Номинальное напряжение, оговоренное стандартами, называется стандартным напряжением - оно маркируется на конденсаторах, выпускаемых согласно действующих стандартов. Под рабочим напряжением подразумевается значения постоянного и переменного напряжения, которые действуют на конденсаторе при его работе.

Прямая задача нахождения рабочего напряжения по стандартному решается с помощью условий, оговоренных в действующих стандартах. Однако эти условия справедливы лишь для тех случаев, когда переменная составляющая (пульсация) напряжения на конденсаторе меняется по закону гармонического колебания.

Для решения обратной задачи - нахождения типа и стандартного напряжения конденсатора по рабочему режиму, необходимо вначале найти минимальное напряжение, а затем выбрать ближайшее к нему стандартное значение.

Величина рабочего напряжения конденсатора ограничивается тремя требованиями:

а) конденсатор не должен перегреваться;

б) перенапряжение на нём недопустимо;

в) он должен быть защищен от прохождения обратных токов, если это
полярный оксидный конденсатор.

Для того чтобы конденсатор не перегревался, следует рассчитать выделяемую на нём реактивную мощность. Она не должна превышать номинальную мощность конденсатора.

Чтобы защитить конденсатор от перенапряжения, рабочее напряжение на нём не должно превышать номинальное. Это условие формулируется в стандартах как сумма постоянной составляющей и амплитуды переменной составляющей рабочего напряжения не должна быть больше стандартного напряжения.

Полярные оксидные конденсаторы, помимо перегрева и перенапряжения, должны быть защищены от прохождения разрушающих обратных токов. Чтобы оксидная плёнка была непроводящей, потенциал оксидированного метала (анода) должен всегда превышать потенциал второго электрода (катода). С этой целью в стандартах оговаривается, что амплитуда переменной составляющей напряжения не должна превышать постоянную составляющую.

Конденсаторы подходящие для разрабатываемого мной устройства:

К53-14; К50-35.

2.1.3 Обоснование выбора микросхем

Основу устройства составляют интегральные микросхемы серии 561 (КМОП), построенные на полевых транзисторах. Она отличается малым потреблением электроэнергии, в отличии от других серий. Перечислим параметры некоторых из них.

К561ЛН2

Микросхема представляет собой шесть логических элементов НЕ с буферным выходом. ИС не имеет защитных диодов, подключенных анодами к шине питания, что позволяет подавать на вход микросхемы напряжение, превышающее напряжение питания. Поэтому она может быть использована для согласования выходных уровней КМОП с входами ТТЛ-схем. Содержит 19 интегральных элементов. Корпус типа 201.14-1, масса не более 1 г и 4306.14-А.

Электрические параметры

Напряжение питания ............................3...15 В

Выходное напряжение низкого уровня при воздействии помехи:

при U_п=10 В.........................................<2,9 В

при U_п=5 В..........................................<0,95 В

Выходное напряжение высокого уровня при воздействии помехи:

при U_п=10 В.........................................<7,2 В

при U_п=5 В...........................................<3,6 В

Ток потребления:

при U_п=15 В.........................................<2 мкА

при U_п=18 В........................................<20 мкА

Входной ток низкого (высокого) уровня

при U_п=18 В.......................................<0,3 мкА

Выходной ток низкого уровня:

при U_п=10 В........................................>8 мА

при U_п=5 В..........................................>2,6 мА

Выходной ток высокого уровня.............> 1,25 мА

Ток утечки закрытого ключа при U_п=15 В.......>1 мкА

Время задержки распространения при включении:

при U_п=10 В.........................................<50 нс

при U_п=5 В...........................................<110 нс

Время задержки распространения при выключении:

при U_п=10 В..........................................<90 нс

при U_п=5 В............................................<120 нс

Входная емкость при U_п=10 В..................<30 пФ

К561ИЕ10

Микросхема представляет собой два четырехразрядных счетчика. Содержит 354 интегральных элемента. Корпус типа 238.16-1, 2103.16-с, масса не более 1,5 г и 4307.16-А.

Электрические параметры

Напряжение питания...............................................3...15 В

Выходное напряжение низкого уровня при U_п=5 В;

U_п=10 В...................................................................<0,01 В

Выходное напряжение высокого уровня:

при U_п=5 В.............................................................>4,99В

при U_п=10 В...........................................................>9,99 В

Максимальное выходное напряжение низкого уровня:

при U_п=5 В..............................................................<0,8 В

при U_п=10 В.............................................................<1 В

Минимальное выходное напряжение высокого

уровня:

при U_п=5 В...............................................................>4,2 В

при U_п=10 В..............................................................>9 В

Ток потребления:

при U_п=5 В...............................................................<50 мкА

при U_п=10 В.............................................................<100 мкА

Входной ток низкого уровня при U_n -- 10 В............<0,2 мкА

Входной ток высокого уровня при (7_п = 10 В...........<0,2 мкА

Выходной ток низкого уровня:

при U_п=5 В.................................................................>0,2 мА

при U_п=10 В...............................................................>0,5 мА

Выходной ток высокого уровня при U_п=5 В;

при U_n = 10 В...............................................................>0,2 мА

Время задержки распространения при включении

(выключении):

при U_п=5 В.................................................................<1500 нc

при U_п=10 В...............................................................<500 нc

Предельно допустимые режимы эксплуатации

Напряжение питания.......................................................3...15 В

Напряжение на входах….......................................-0,2...( U_п+0,2) В

Максимальный ток на один (любой) вывод…………..40 мА

Максимальная потребляемая мощность……………..150 мВт

Температура окружающей среды……………………-45...+85 °С

Выбранные микросхемы подходят для разрабатываемого мной устройства по всем характеристикам.

2.1.4 Обоснование выбора диодов

В схеме используется диод КД 521В Выберем наиболее подходящий диод из ниже приведённого списка.

Таблица 2.1.4

Тип диода	Допустимый прямой ток	Максимальный обратный ток
КД522А	0,1А	5мкА
КД521В	0,01А	1мкА
КД805А	0,2А	5мкА

Нашим требованиям удовлетворяют все диоды, но выбираем наиболее дешёвый малогабаритный диод типа КД 521В.

2.1.5 Обоснование выбора транзисторов

Произведём выбор наиболее подходящего полупроводникового прибора из ниже приведённого списка.

Таблица 2.1.5.1

Тип транзистора	Iк max	Pk max	UКБО мах	Я
КТ3102А	100мА	250мВт	5В	100-250
КТ307А	20мА	15мВт	10В	20-100
КТ306В	30мА	150мВт	15В	20

Выбираем транзистор с наибольшим коэффициентом усиления типа КТ3102А.

Таблица 2.1.5.2

Тип транзистора	Статическ. Коэффициент	Постоянная рассеивающая мощность	Постоянное напряжение эмиттер-база	Постоянное напряжение кол.-эммит.
КТ837Ф	50…150	30Вт	45В	40В
КТ837Р	20…80	30Вт	60В	55В
КТ837А	10…40	30Вт	80В	70В

Выбираем транзистор с наибольшим статическим коэффициентом типа КТ837Ф.

3. Расчёт конструктивно-технологических параметров

3.1 Расчёт надёжности

Расчет надежности проводится на этапе проектирования. Для расчета задаются ориентирные данные. В качестве температуры окружающей среды может быть принято среднее значение температуры внутри блока. Для большинства маломощных полупроводниковых устройств она не превышает 40⁰С.

Для различных элементов при расчетах надежности служат различные параметры. Для резисторов и транзисторов это допустимая мощность рассеивания, для конденсаторов допустимое напряжение, для диодов - прямой ток.

Коэффициенты нагрузок для элементов каждого типа по напряжению могут быть определены по величине напряжения источника питания. Так для конденсаторов номинальное напряжение рекомендуется брать в 1,5 -2 раза выше напряжения источника питания. Рекомендуемые коэффициенты приведены в таблице 3.1.1.

Таблица 3.1.1

Наименование элемента	Контрольные параметры	k нагрузки
		импульсный режим	статический режим
Транзисторы	Ркдопkн = Рф / Ркдоп	0,5	0,2
Диоды	Iпрмахkн = Iф / Iпрт	0,5	0,2
Конденсаторы	Uобклkн = Uф / Uобкл	0,7	0,5
Резисторы	Pтрасkн = Рф / Рдоп	0,6	0,5
Трансформаторы	Iнkн = Iф / Iндоп	0,9	0,7
Соединители	Iконтактаkн = Iф / Iкдоп	0,8	0,5
Микросхемы	Iмах вх / Iмах вых	-	-

Допустимую мощность рассеяния следует брать в качестве номинального параметра. Фактическое значение параметра надо брать в половину меньше согласно таблице 3.1.1.

Для конденсаторов номинальным параметром в расчете надёжности считается допустимые напряжения на обкладках конденсатора. В большинстве схем этот параметр не указывается. Его следует выбирать исходя из напряжения источника питания U_н, для конденсатора следует брать в два раза (или в полтора) больше напряжения источника питания. При этом следует учитывать, что согласно ГОСТу конденсаторы выпускают на допустимое напряжение (в вольтах) 1; 1,6; 2,5; 3,2; 4; 6,3; 10; 16; 20; 25; 32; 40; 50; 63; 80; 100; 125; 160; 200; 250; 315; 350.

Конденсаторы на более высокие допустимые напряжения на обкладках, в схемах курсового и дипломного проектирования практически не применяются.

Фактическое значение (U_ф) для конденсаторов расчёте надежности следует брать в половину меньше выбранного.

Для транзисторов номинальный параметр Р_к допустимое

следует брать из справочников.

Для диодов контролируемый параметр величина прямого тока I_ПР . Брать в справочниках.

Фактическое значение параметров этих элементов следует брать исходя из рекомендации таблицы 3.1.1.

При увеличении коэффициента нагрузки интенсивность отказов увеличивается. Она так же возрастает, если элемент эксплуатируется в более жёстких условиях: при повышенной температуре, влажности, при ударах л вибрациях. В стационарной аппаратуре, работающей в отапливаемых помещениях, наибольшее влияние на надёжность аппаратуры имеет температура.

Определяя интенсивность отказов при t° - 20°С приведены в таблице 3.1.2. Интенсивность отказов обозначается л_o. Измеряется л_o в ( 1/час ).

Таблица 3.1.2

Наименование элемента	лo*10-6 1/час
Микросхемы средней степени интеграции	0,013
Большие интегральные схемы	0,01
Транзисторы германиевые: Маломощные	0,7
Средней мощности	0,6
мощностью более 200мВт	1,91
Кремниевые транзисторы: Мощностью до 150мВт	0,84
Мощностью до 1Вт	0,5
Мощностью до 4Вт	0,74
Низкочастотные транзисторы: Малой мощности	0,2
Средней мощности	0,5
Транзисторы полевые	0,1
Конденсаторы: Бумажные	0,05
Керамические	0,15
Слюдяные	0,075
Стеклянные	0,06
Пленочные	0,05
Электролитические (алюминиевые)	0,5
Электролитические (танталовые)	0,035
Воздушные переменные	0,034
Резисторы: Композиционные	0,043
Плёночные	0,03
Угольные	0,047
Проволочные	0,087
Диоды: Кремниевые	0,2
Выпрямительные	0,1
Универсальные	0,05
Импульсные	0,1
Стабилитроны кремниевые	0,157
Трансформаторы Силовые	0,25
Звуковой частоты	0,02
Высокочастотные	0,045
Автотрансформаторные	0,06
Дроссели:	0,34
Катушки индуктивности	0,02
Реле	0,08
Антенны	0,36
Микрофоны	20
Громкоговорители	4
Оптические датчики	4,7
Переключатели, тумблеры, кнопки	0,07n
Соединители	0,06n
Гнезда	0,01n
Пайка навесного монтажа	0,01
Пайка печатного монтажа	0,03
Пайка объемного монтажа	0,02
Предохранители	0,5
Волновые гибкие	1,1
Волновые жесткие	9,6
Электродвигатели: Асинхронные	0,359
Асинхронные вентиляторы	2,25

Порядок расчета.

В таблицу заносятся данные из принципиальной схемы.

Таблица заполняется по колонкам. В 1 колонку заносятся наименования элемента, его тип определяется по схеме. Часто в схемах не указывается тип конденсатора, а дается только его ёмкость. В этом случае следует по емкости, и выбрать подходящий тип конденсатора в справочнике. Тип элемента заносится во вторую колонку.

Однотипные элементы записываются одной строкой, а их число заносится в колонку 4.

Микросхемы вне зависимости от типа объединяются в одну группу и записываются в одну строку. Это связано с тем, что у них независимо от типа одинаковая интенсивность отказов, и они могут работать в достаточно широком диапазоне температур. (Большие интегральные схемы не применяются в курсовых и дипломных проектах).

В колонку 4 заносится температура окружающей среды. Её надо определять, исходя из назначения прибора или устройства. Если устройство работает в отапливаемом помещении и не имеет мощных транзисторов, температуру можно брать 40⁰С.

Далее следует заполнить колонку 6. пользуясь теми рекомендациями, которые были даны выше.

Студенту, как правило, не известны фактические параметры элемента. Выбирать их надо, руководствуясь рекомендациями таблицы 3.1.1.

Коэффициенты нагрузок.

Для транзисторов:

k_н = P_ф / P_кдоп = P_ф / P_н

k_н=12,5/25=0,5

Для диодов:

k_н = I_ф/I_прср= I_ф/I_н

k_н = 0,5/1=0,5

Для резисторов:

k_н = P_ф / P_н

k_н =0,06/0,125=0,5

Для конденсаторов:

k_н = P_ф / P_н

k_н =8/16=0,5

Если k_н в таблице для элемента не указано, то следует ставить прочерк или брать k_н - 0,5.

Колонка 7 заполняется по справочнику.

Далее определяется коэффициент влияния (а), которое показывает, как влияет на интенсивность отказов окружающая элемент температура в связи с коэффициентом нагрузки. Находят (а) по таблице 3.1.3 .

При k = 0,5 и t=40⁰С значение, а будет =

Для полупроводниковых приборов 0,3

Для керамических конденсаторов 0,5

Для бумажных конденсаторов 0,8

Для электролитических конденсаторов 0,9

Для металлодиэлектрических или металооксидных резисторов 0,8

Для силовых трансформаторов 0,6

Таблица 3.1.3

t°C	Значение а при к равном
	0,1	0,3	0,5	0,8	1
Кремневые полупроводниковые приборы
20 40 70	0,02 0,05 0,15	0,05 0,15 0,35	0,15 0,30 0,75	0,5 1 1	1 --- ---
Керамические конденсаторы
20 40 70	0,15 0,30 0,30	0,30 0,30 0,50	0,35 0,50 0,75	0,65 1,00 1,5	1 1,4 2,2
Бумажные конденсаторы
20 40 70	0,35 0,50 0,7	0,55 0,60 1,0	0,70 0,80 1,4	0,85 1,00 1,8	1,0 1,2 2,3
Электролитические конденсаторы
20 40 70	0,55 0,65 1,45	0,65 0,80 1,75	0,75 0,90 2,0	0,90 1,1 2,5	1,0 1,2 2,3
Металлодиэлектрические или металлооксидные резисторы
20 40 70	0,40 0,45 0,50	0,50 0,60 0,75	0,65 0,80 1,00	0,85 1,1 1,5	1,00 1,35 2
Силовые трансформаторы
20 40 70	0,40 0,42 1,5	0,43 0,50 2	0,45 0,60 3,1	0,55 0,90 6,0	1 1,5 10,0

Для германиевых полупроводниковых диодов а брать таким, как у кремниевых. Если в таблице нет тех элементов, которые есть а конкретном схеме, следует спросить у преподавателя, как быть.

Колонка 10 заполняется из соответствующей таблицы 3.1.2.

Колонка 11 лi = а *л0. Если изделие испытывает воздействие ударных нагрузок или реагирует, на влажность, атмосферное давление, следует учесть это влияние. В этом случае лi в колонке 11: лi = л_о *a*a₁ *a₂ *a₃

где а - коэффициент влияния температуры;

a₁ - коэффициент влияния механических воздействий;

а₂ - коэффициент влияния влажности;

a₃ - коэффициент влияния атмосферного давления.

Значения a_1, a₂ и a₃ определяются по нижеследующим таблицам.

Коэффициент влияния механических воздействий.

Таблица 3.1.4

Условия эксплуатации аппаратуры	Вибрация	Ударные нагрузки	Суммарное воздействие
Лабораторные	1,0	1,0	1,0
Стационарные	1,04	1,03	1,07
Корабельные	1,3	1,05	1,37
Автофургонные	1,35	1,08	1,46
Железнодорожные	1,4	1,1	1,54
Самолётные	1,4	1,13	1,65

Коэффициент влияния влажности

Таблица 3.1.5

Температура, °C	Влажность, %	Поправочный коэффициент, a1
20-40	6-70	1,0
20-25	90-98	2,0
30-40	90-98	2,5

Коэффициент влияния атмосферного давления

Таблица 3.1.6

Давление, кПа	Поправочный коэффициент, a1	Давление, кПа	Поправочный коэффициент, a1
0,1-1,3	1,45	32,0-42,0	1,2
1,3-2,4	1,40	42,0-50,0	1,16
2,4-4,4	1,36	50,0-65,0	1,14
4,4-12,0	1,35	65,0-80,0	1,1
12,0-24,0	1,3	80,0-100,0	1,0
24,0-32,0	1,25

Когда колонка 12 заполнена, можно рассчитать среднее время наработки на отказ Тср,

Для этого суммируют все значения колонки 12, получая ? лc.

Тогда Тср=1/?лc(час)

Следует помнить, что ?лc - число, умноженное на 10П⁶, т.е. при делении 10П⁶ перейдет в числитель.

?лc = 9,49*10^-6

Тср = 1/9,49*10^-6

Тср = 10⁶/9,49=105374,08 часов.

Расчет надежности функционального узла

Наименование	Тип	Кол-во n	Температура окр. ср. t, °C	Фактическое значение параметра, определяющего надёжность	Номинальное значение параметра, определяющего надёжность	Конструктивная характеристика	k	б	л0*10П6, 1/час	лi=бл0*10П6	лc=лin*10П6
1	2	3	4	5	6	7	8	9	10	11	12
Резистор	МЛТ-0,125	37	40°C	P=0,0625 Вт	Pн=0,125 Вт	плёночный	0,5	0,8	0,03	0,024	0,89
	СП3-38б	6		Р=0,25 Вт	Pн=0,5 Вт	подстроечный	0,5	0,8	0,03	0,024	0,14
	СП3-4аМ	1		Р=0,25 Вт	Pн=0,5 Вт	переменный	0,5	0,8	0,03	0,024	0,024
Конденсатор	К50-35	5		U=10 В	Uн=20 В	электролитический	0,5	0,9	0,5	0,45	2,25
	К53-14	2		U=10 В	Uн= 20 В	электролитический	0,5	0,9	0,5	0,45	2,25
Транзистор	КТ837Ф	3		P=15 Вт	Pн=30 Вт	кремниевый	0,2	0,3	0,8	0,24	0,72
	КТ3102А	3		P=125 мВт	Pн=250 мВт	кремниевый	0,2	0,3	0,5	0,15	0,45
Микросхема	К561ЛН2	1		Ї	Ї	Ї	Ї	1	0,013	0,013	0,013
	К561ИЕ10	2		Ї	Ї	Ї	Ї	1	0,013	0,013	0,026
Диод	КД521В	17		I=50 мА	Iн=100 мА	кремниевый	0,5	0,3	0,2	0,06	1,02
Оптрон	АОД109	1		Ї	Ї	Ї	Ї	1	0,5	0,5	0,5
Пайка	Ї	241		Ї	Ї	Ї	Ї	1	0,005	0,005	1,21
Всего											9,49

3.2 Расчет узкого места

1. Рассчитаем минимальный диаметр контактной площадки

D _kmin =2Вm + d₀ +1.5h_ф +2?_л+C₁ (3.2.1)

D _kmin = 2 x 0,025 +0,33+1,5 x 0,3+2 x 0,23 + 0,3

D _kmin = 1,59 мм

Где Вm - расстояние от края просверленной линии до края контактной площадки.

d₀ - номинальный диаметр металлизированного отверстия.

h_ф - толщина фольги

?_л =?_м L/100- изменение длинны печатной платы при нестабильности линейных размеров.

Где L - размер большой длинны печатной платы

?_м - изменение контактной площадки при нестабильности линейных размеров (обычно 0,3 мм)

С₁ - поправочный коэффициент

С1 учитывает погрешности при центровке, сверлении, при изготовлении фото шаблона и др.

Толщина фольги - 0,3 - 0,5мм

Печатные платы размером более 240*240мм - 1 класс плотности

Для плат размером меньше 240*240мм больше 170*170мм - 1 и 2 классы плотности, платы меньших размеров 3 класс плотности.



?_л =?_м L/100 (3.2.2)

?_л = 0,2*117/100

?_л = 0,23мм

2. Рассчитываем максимальный диаметр контактной площадки

D _kmах =2Вm + d₀ +1,5h_ф +2?_л+C₂ (3.2.3)

D _kmax = 2 x 0,025 + 0,33+1,5 x 0,3+2 x 0,23+0,35

D _kmax = 1,64 мм

Минимальное расстояние для прокладки n проводников между двумя контактными площадками должно обеспечиваться при максимальном диаметре контактной площадки и максимальной ширине проводника с учетом погрешности ?_ш

3. Минимальное расстояние для прокладки n проводников.

L_min = 0,5(D_k1min + D_k2max) + 2?_ш +(T_max + ?_ш)n + S(n+1) < kh, (3.2.4)

Где T_max = T + ?_ш + 2?_э

k - число клеток координатной сетки

h - шаг координатной сетки

?_э - погрешность при экспонировании.

L_min = 0,5(D_k1min + D_k2max) + 2?_ш +(T_max + ?_ш)n + S(n+1) < kh, (3.2.4)

T _max = T + ?_ш + 2?_э (3.2.5)

T _max = 0,15 + 0,03 + 2 х 0,03 = 0,24 мм

L _min = 0,5(1,59 + 1,64) + 2 x 0,03 + (0,24+0,03) x 2 + 0,25(2 + 1) <

L _min= 2,97 < 3

3.3 Расчет теплового сопротивления

При исследовании тепловых режимов некоторых конструкций возникает задача определения теплового сопротивления от интегральной схемы к корпусу блока. Определим тепловое сопротивление при передаче тепловой энергии от корпуса ИС к блоку по твердым частям конструкции, по которым передаётся тепло: зазор между корпусом ИС и теплопроводящей шиной заполнен теплопроводящим материалом; от шины тепло передаётся через тепловые контакты на каркас субблока и от каркаса субблока к стенке блока.

Полное тепловое сопротивление - Rполн = Rз+Rш1 +Rш2+Rст+Rк1+Rк2, где:

Rз - тепловое сопротивление зазора,

Rш - тепловые сопротивления между шиной и сторонами каркаса,

Rк - тепловые сопротивления контакта шины - каркас субблока,

Rст - тепловое сопротивление стенки каркаса.

Исходные данные:

1. Площадь основания корпуса - Sк = 0,004446 м².

2. Толщина зазора между корпусом ИС и шиной - hз = 0,003 м.

3. Коэффициент теплопроводности материала, заполняющего зазор - Лз = 2,76 Ч 10^-2 Вт/мК.

4. Материал зазора - воздух.

5. Размеры шины: ширина bш - 0,002 м, высота hш - 0,0005 м.

6. Расстояние от ИС до стенок каркаса: ?1 = 0,024 м, ?1 = 0,07 м.

7. Материал шины - медь.

8. Коэффициент теплопроводности шины - Лш = 400 Вт/мК.

9. Удельная тепловая проводимость контакта шина - каркас: бк1 = бк2 = 12 Ч 10⁴ Вт/мК.

10. Длина стенки каркаса - lк = 0.125 м, ширина стенки каркаса - bк = 0,05 м, толщина стенки каркаса - hк = 0,005 м.

11. Материал каркаса - алюминий, коэффициент теплопроводности - Лк = 196 Вт/мК.

Расчет

1. Определяем тепловое сопротивление зазора:



Rз = hз / (Лз Ч Sк) (3.3.1)

Где hз - толщина зазора в метрах,

Лз - коэффициент теплопроводности материала зазора,

Sк - площадь основания корпуса.

Rз = 0,03 м / (400 Вт/мК Ч 0,004446 м²) = 1,69 Ом

Лз берём из таблицы №1

Таблица №1

Материал.	Коэффициент Теплопроводности (Вт/мК).	Материал.	Коэффициент Теплопроводности (Вт/мК).
Серебро	390 - 410	Стеклотексто - лит, текстолит	0,231 - 0,385
Алюминий	196	Стекло	0,74
Дюралюминий	160 - 180	Фарфор	0,854
Бронза	64	Керамика	7,0
Латунь	85,8	Ситалл	1,5
Медь	400	Поликор	30,0
Сталь	45,5	Картон	0,23
Резина	0,15	Пенопласт	0,58
Эбонит, гетинакс	0,156 - 0,175	Воздух	0,0276
Слюда	0,583	Вода	0,635
Полихлорвиниловая пластмасса	0,443

2. Найдём площадь поперечного сечения теплопроводящей шины:

Sш = bш Ч hш (3.3.2)

Sш = 2 Ч 0,5 = 1 м².

3. Определим тепловые сопротивления между шиной и сторонами каркаса:

Rш1 = ?1 / (Лз Ч Sк) (3.3.3)

Rш1 = ?2 / (Лз Ч Sк) (3.3.4)

Rш1 = 0,024 м / (400 Вт/мК Ч 1 мм²) = 0,00006Ом

Rш2 = 0,07 м / (400 Вт/мК Ч 1 мм²) = 0,0000175Ом

4. Определим тепловое сопротивление контакта шины с каркасом:

Площадь контакта:

Sк = bш Ч hк (3.3.5)

Где bш - ширина шины,

hк - толщина стенки корпуса.

Sк = 2 Ч 0,5 = 1 мм²

Rк1 = 1 / (бк1 Ч Sк) (3.3.6)

Rк1 = 1 / (12 Вт/мК Ч 1 мм² ) = 0,83 К/Вт

Коэффициент бк1 находим из таблицы №2.

Таблица №2

Материал.	Коэффициент теплопередачи бк1 Ч 104 Вт/мК.	Материал.	Коэффициент теплопередачи бк1 Ч 104 Вт/мК.
Медь - алюминий	12	Сталь - дюраль	8,4 Ч 103
Медь - медь	10	Сталь - сталь	1,5 Ч 103
Медь - дюраль	4,0	Металл - краска - металл	500,0
Медь - сталь	1,2	Металл - стекло	(0,6 - 2 3) Ч 103
Медь - латунь	5,5	Сталь - сталь (резьба)	1,7 Ч 103

5. Находим тепловое сопротивление стенки каркаса:



Rст = bк / (Лк Ч bк Ч lк) (3.3.7)

Где bк - ширина корпуса.

Rст = 0,105 м / (196 Вт/мК Ч 125 мм ) = 0,000041 К/Вт.

6.Находим тепловое сопротивление контакта

Rк2 = 1 / (бк2 Ч Sк2) (3.3.8)

Где Sк2 = hк Ч lк, где lк - длина стенки корпуса.

Sк2 = 0,5 Ч 125 = 62,5 мм²

Rк2 = 1 / (12 Вт/мК Ч 62,5 мм²) = 0,0013 К/Вт.

7. Рассчитываем полное тепловое сопротивление:

Rполн = Rз + Rш1 + Rш2 + Rст + Rк1 + Rк2 (3.3.9)

Rполн = 1,69 + 0,00006 + 0,0000175 + 0,000041 + 0,0013 = 1,69 К/Вт.

Исходя из произведённого расчёта полное тепловое сопротивление ИС составит 1,69 К/Вт.

Нагрев незначительный, поэтому теплоотвод для схемы не требуется.

3.4 Расчет коэффициента заполнения печатной платы

Расчет коэффициента заполнения печатной платы можно сделать по сборочному чертежу платы. Для этого надо измерить площадь, занимаемую элементом вместе с выступающими за корпус выводами.(Посадочное место). В плане (плоскости) все посадочные места можно рассматривать как прямоугольники и окружности. Как известно, площадь прямоугольника равна произведению длины на ширину прямоугольника, а площадь круга

S = рDІ/4 , где

D - диаметр круга, а р - физическая константа, равная 3,14

Расчет следует вести с использованием таблицы 3.4.1

Таблица 3.4.1

Наименование элемента	Площадь занимаемая элементом	Количество однотипных элементов	Площадь занимаемая всеми элементами
Резистор МЛТ 0,125	13,2 ммІ	37	488,4 ммІ
Резистор СП3-4аМ	78,5 ммІ	6	471 ммІ
Резистор СП3-38б	50,24 ммІ	1	50,24 ммІ
Транзистор КТ3102А	21,23 ммІ	3	63,68 ммІ
Транзистор КТ837Ф	43,77 ммІ	3	131,31 ммІ
Конденсатор К50-35	15,9 ммІ	5	79,5 ммІ
Конденсатор К53-14	40 ммІ	2	80 ммІ
Микросхема К561ЛН2	144,3 ммІ	1	144,3 ммІ
Микросхема К561ИЕ10	162,8 ммІ	2	325,6 ммІ
Диод КД521В	7,22 ммІ	17	122,74 ммІ
Оптрон АОД109	144,3 ммІ	1	144,3 ммІ

Таблица заполняется, после чего надо сложить все цифры последнего столбца. Таким образом будет найдена площадь, занимаемая всеми элементами схемы S элемент.

Площадь печатной платы - S платы равна произведению ее длины на ширину. Коэффициент заполнения печатной платы

S элемент = 2101,1 ммІ

К зап = S элемент / S платы х 100%

К зап = 2101,1 / 4516,2 х 100% = 214,94

4. Конструкторская часть

4.1 Обоснование разработка трассировки печатной платы

Печатные платы - это элементы конструкций предназначенных для соединения элементов электрической цепи при помощи печатных проводников. Печатные платы состоят из диэлектрического основания, на котором расположены плоские проводники. Они обеспечивают соединение элементов. Применение печатных плат позволяет увеличить плотность монтажа. Они дают возможность получить в одном технологическом цикле проводники и экранирующие поверхности. Печатные платы гарантируют повторяемость характеристик, особенно паразитных. Повышается стойкость к механическим и климатическим воздействиям, обеспечивается унификация сложных изделий и повышается надёжность. Платы дают возможность механизировать и автоматизировать монтажно-сборочные, регулировочные и контрольные работы, при этом снижается трудоёмкость работ и стоимость изделия. Недостатком печатных плат является сложность внесения изменений в конструкцию и плохая ремонтопригодность.

К печатным платам предъявляются некоторый ряд технических требований:

Основание должно быть однородным по цвету, монолитным, без внутренних пузырей и раковин, без посторонних включений, сколов, трещин и расслоений. Допускаются одиночные вскрошения металла, царапины, следы от удаления отдельных не вытравленных участков, контурное просветление.

Проводящий рисунок должен быть четкий, с ровными краями, без вздутий, следов инструмента. Отдельные протравы (5 точек на 1 дм²) при условии, что оставшаяся ширина проводника соответствует минимально допустимой по чертежу.

Допускаются риски глубиной менее 25 мкм и длинной до 6 мм.

Допускаются отслоения проводника в одном месте не более 4 мм.

При наличии критических дефектов, печатные проводники могут дублироваться объёмными не более 5 для плат 120х180 мм и не более 10 для плат большего размера.

Связь между сторонами платы осуществляется при помощи монтажных отверстий. При помощи их крепятся элементы. Вокруг монтажного отверстия делается ободок, который называется контактной площадкой. Его ширина не менее 50 мкм. Разрывы не допускаются. Допускаются отдельные отслоения контактных площадок до 2% и их ремонт при помощи эпоксидного клея, после чего они должны выдерживать три пайки.

При воздействии повышенной температуры, контактные площадки должны держать температуру порядка 290 С не менее 10 сек без разрывов и отслоения.

Печатные платы классифицируются по параметрам и применению.

Односторонние печатные платы просты и экономичны. Применяются для монтажа бытовой радиоаппаратуры, техники связи, источников питания и т.д. Обычно они выполняются на слоистом или листовом основании: гетинакс, текстолит, стеклотекстолит. Монтажные отверстия могут быть металлизированными и не металлизированными. На одной стороне расположен печатный монтаж, а на другой объёмные элементы; крепёж, арматура, тепло отводы и т.д.

Двухсторонние печатные платы. У них печатный рисунок располагается с двух сторон, а элементы, как правило, с одной стороны. Связь между сторонами осуществляется при помощи металлизированных сквозных отверстий.

Проводные печатные платы применяются в опытном производстве при макетировании. На плате делают контактные площадки, на которые размещают элементы. Связь между ними осуществляют при помощи проводов.

Печатные проводники желательно располагать параллельно друг к другу. При необходимости угол печатного проводника 45.

Узкие проводники легко отслаиваются. Для их закрепления используют сквозные отверстия через каждые 25 - 30 мм, или расширяются контактные площадки 1х1 мм. Если ширина экрана более 5 мм, то в экране надо делать вырезы, т.к. при нагреве медь расширяется и может покоробиться.

Печатные платы в зависимости от минимальной ширины печатных проводников и минимального зазора между ними делят на три класса. К классу 1 относятся платы с пониженной плотностью монтажа, у которых ширина проводников и зазор между ними должен быть не менее 0,5 мм. Класс 2 образуют платы с повышенной плотностью монтажа, имеющие ширину проводников и зазоры не менее 0,25 мм. Платы с шириной проводников и зазорами до 0,15 мм (класс 3) имеют высокую плотность монтажа. Платы этого класса следует применять только в отдельных, технически обоснованных случаях.

Чертежи печатных плат выполняют на бумаге, имеющей координатную сетку, нанесенную с определенным шагом. Наличие сетки позволяет не ставить на чертеже размеры на все элементы печатного проводника.

Координатную сетку наносят на чертеж с шагом 2,5 или 1,25 мм. Шаг 1,25 мм применяют в том случае, если на плату устанавливают многовыводные элементы с шагом расположения выводов 1,25 мм. Центры монтажных и переходных отверстий должны быть расположены в узлах (точках пересечения линий) координатной сетки. Если устанавливаемый на печатную плату элемент имеет два вывода или более, расстояние между которыми кратно шагу координатной сетки, то отверстия под все такие выводы должны быть расположены в узлах сетки. Если устанавливаемый элемент не имеет выводов, расстояние между которыми кратно шагу координатной сетки, то один вывод следует располагать в узле координатной сетки.

Диаметр отверстия в печатной плате должен быть больше диметра вставляемого в него вывода, что обеспечит возможность свободной установки электрорадиоэлемента. При диаметре вывода до 0.8мм диаметр не металлизированного отверстия делают на 0,2 мм больше диаметра вывода; при диаметре вывода более 0,8 мм - на 0,3 мм больше.

Диаметр металлизированного отверстия зависит от диаметра вставляемого в него вывода и от толщины платы. Связано это с тем, что при гальваническом осаждении металла на стенках отверстия малого диаметра, сделанного в толстой плате, толщина слоя металла получится неравномерной, а при большом отношении длины к диаметру некоторые места могут остаться непокрытыми. Диаметр металлизированного отверстия должен составлять не менее половины толщины платы.