Простой средневолновой синтезатор частоты

Размещено на http://www.allbest.ru/

Введение

Стремительное развитие микропроцессорной и компьютерной техники, микроэлектроники оказывает существенное влияние на развитие радиопередающих устройств как с точки зрения увеличения функциональных возможностей, так и с точки зрения улучшения их эксплуатационных показателей.

Синтезаторы частот служат источниками стабильных (по частоте) колебаний в радиоприемниках, радиопередатчиках, частотомерах, испытательных генераторах сигналов и других устройствах, в которых требуется настройка на разные частоты в широком диапазоне и высокая стабильность выбранной частоты. Стабильность обычно достигается применением фазовой автоподстройки частоты или прямого цифрового синтеза (DDS) с использованием опорного генератора с кварцевой стабилизацией. Синтез частот обеспечивает намного более высокую точность и стабильность, чем традиционные электронные генераторы с перестройкой изменением индуктивности или ёмкости, очень широкий диапазон перестройки без каких-либо коммутаций и практически мгновенное переключение на любую заданную частоту. [1].

Синтезатор частот - устройство для генерации электрических гармонических колебаний с помощью линейных повторений (умножением, суммированием, разностью) на основе одного или нескольких опорных генераторов. Синтезаторы частоты обычно выполняются с применением цифровой техники, то есть необходимая частота задается в цифровом виде, управление осуществляется с помощью микроконтроллера.

Тема дипломной работы - «Простой средневолновой синтезатор частоты». В дипломном проекте представлена актуальная разработка синтезатора построенного по классической схеме с петлёй фазовой автоподстройки частоты (ФАПЧ) на микросхемах структуры КМОП в корпусах, не содержащих золота и с широко распространённым кварцевым резонатором на 1 МГц.

Целью дипломного проекта является разработка простой конструкции синтезатора частоты без ухудшения технических характеристик. Цель предопределила структуру дипломного проекта. Он состоит из введения, восьми частей и заключения.

Введение включает актуальность, цель дипломного проекта, раскрывает его теоретическую и практическую значимость.

Общая часть посвящена разработке и описанию принципа работы схемы электрической принципиальной для устройства «Простой средневолновой синтезатор частоты».

Исследовательская часть включает исследование и выбор элементов схемы.

Расчетная часть посвящена расчету основных параметров схемы электрической принципиальной.

В конструкторской части проводится обоснование разработки трассировки и компоновки печатной платы.

Организационная часть рассматривает вопросы организации рабочего места оператора при эксплуатации электронной аппаратуры.

Экономическая часть посвящена расчету себестоимости устройства «Простой средневолновой синтезатор частоты».

В части охраны труда рассматриваются мероприятия по охране труда при наладке РЭО.

В заключении подводятся итоги исследования, формируются окончательные выводы по рассматриваемой теме.

1. Общая часть

1.1 Анализ технического задания

Диапазон рабочих частот, кГц от 1449 до1800,

Шаг перестройки, кГц 9,

Число фиксированных частот, 40,

Напряжение питания, В от15 до 30,

Точность установки частоты, не хуже Гц от минус 5 до плюс 5,

Температурный уход частоты, °С-1 - 1,5·10-6,

Потребляемый ток, мА - 50.

Целью дипломного проекта является разработка устройства и схемы электрической принципиальной простого средневолнового синтезатора частоты с анализом технических параметров, а также разработка трассировки печатной платы и сборочного чертежа на устройство.

По схеме электрической принципиальной произвести обоснование выбора радиоэлементов по их электрическим параметрам: резисторов, конденсаторов, микросхем, диодов, транзисторов и произвести следующие расчеты:

расчет надежности;

расчет теплового сопротивления корпуса ИС;

расчет коэффициента заполнения печатной платы;

расчёт узкого места;

расчет себестоимости.

В дипломном проекте необходимо провести обзор разделов по технологической, организационной части и по технике безопасности.

1.2 Описание схемы электрической принципиальной простого средневолнового синтезатора частоты

Структурная схема синтезатора представлена на рисунке 1.2.1 Генератор, управляемый напряжением (ГУН), работает на той же частоте, которая поступает на выход. Устойчивость к наводкам обеспечивается тем, что частотозадающие цепи этого генератора не содержат катушек индуктивности, а сам он практически целиком находится внутри одной микросхемы.

Рисунок 1.2.1 - Схема функциональная простого средневолнового синтезатора частоты

Формирователь импульсов (ФИ) имеет однотактный мощный выход с открытым стоком и допустимым напряжением до 200 В. Для оптимального согласования с нагрузкой в формирователе предусмотрена возможность регулировки длительности выходных импульсов.

Образцовый сигнал частоты сравнения 100 Гц получается делением частоты кварцевого генератора (КГ) 1 МГц на 10000. Столь низкой эта частота выбрана по той причине, что в спектре выходного сигнала синтезатора неизбежно присутствуют составляющие, отстоящие на её значение от основной выходной частоты. Если в связной аппаратуре с этим можно мириться, то для вещательного передатчика наличие спектральных составляющих, создающих при амплитудном детектировании сигналы звуковых частот, недопустимо. Поэтому частоту сравнения необходимо выбирать в надтональной или подтональной области. В нашем случае принят второй вариант, поскольку 100 Гц легко подавить последетекторным фильтром приёмника, не ухудшая качества принимаемых речевых и музыкальных сигналов.

Частотно-фазовый детектор (ЧФД) сравнивает образцовый сигнал 100 Гц с сигналом такой же (в режиме захвата) частоты, полученным делением частоты ГУН сначала на 9, а затем с помощью делителя с переменным коэффициентом деления (ДПКД) на 1610-2000 в соответствии с заданным значением выходной частоты. В зависимости от знака рассогласования сравниваемых сигналов по частоте и фазе ЧФД вырабатывает управляющий сигнал, увеличивающий или уменьшающий частоту ГУН. Управляющее напряжение поступает на ГУН через пропорционально-интегрирующий фильтр (ПИФ), оптимизирующий динамические характеристики петли ФАПЧ.

Предварительное деление частоты ГУН на 9 продиктовано двумя причинами. Во-первых, это требуется для получения сетки частот с шагом 9 кГц. Во-вторых, микросхема КА561ИЕ15А, применённая в ДПКД, имеет максимальную рабочую частоту 1,5 МГц.

Принципиальная схема синтезатора приведена на рисунке 1.2.2. Все применённые в нём цифровые микросхемы -- структуры КМОП малой и средней степеней интеграции. Микросхемы серий К561 и КР1561 работоспособны на частотах до 2...3 МГц при напряжении питания 3...15 В. Потребляемый ими в динамическом режиме ток не превышает единиц миллиампер.

КГ выполнен на микросхеме DD1. Подстроечным конденсатором С4 устанавливают частоту генерации 1 МГц с точностью не хуже 1...2 Гц.



Рисунок 1.2.2 - Схема электрическая принципиальная простого средневолнового синтезатора частоты

Для получения образцового сигнала частотой 100 Гц импульсы с выхода КГ поступают на вход С двоичного счётчика DD4. Применённая здесь микросхема К561ИЕ16 представляет собой 14-разрядный двоичный счётчик. Необходимый коэффициент деления 10000 получается с помощью логического узла 5И на диодах VD3--VD7 и резисторе R7. Когда в процессе счёта на всех выходах счётчика, к которым подключены диоды, высокие логические уровни будут присутствовать одновременно, на его входе R уровень также станет высоким, что установит счётчик в исходное нулевое состояние, затем процесс подсчёта импульсов повторится. Коэффициент деления при показанном на схеме подключении диодов получается равным Кд= 16+256+512+1024+8192= 10000..

ГУН и ЧФД находятся в микросхеме DD2 КР1561ГГ1. Крайние значения частоты диапазона перестройки ГУН задают резисторами R1, R2, С1. Перестраивают частоту напряжением на входе IG (выводе 9 микросхемы).

Исходные данные для выбора указанных выше элементов -- диапазон частот синтезатора 1,449...1,8 МГц и разброс параметров ГУН, который от экземпляра к экземпляру микросхем может доходить до 20 %. Таким образом, необходимо иметь запас по перестройке не менее 0,36 МГц. С некоторым запасом будем считать, что ГУН должен перестраиваться в диапазоне 1...2,2 МГц. Нижнюю границу этого диапазона (при нулевом напряжении на входе IG) устанавливают резистором R2, верхнюю границу (при управляющем напряжении, равном напряжению питания) -- суммарным сопротивлением резисторов R1 и R2. Работу ГУН разрешает низкий логический уровень на входе INH (выводе 5).

ЧФД имеет два входа 1С и IS (выводы 3 и 14) и выход Q1 (вывод 13). Сигнал рассогласования с выхода Q1 через ПИФ R4R3C2 поступает на управляющий вход ГУН IG.

ПИФ -- весьма критичная часть петли ФАПЧ. Расчёт этого фильтра в общем виде довольно сложен и требует знания теории автоматического управления [2]. Для радиолюбительской практики вполне удовлетворительные характеристики обеспечиваются расчётом с использованием соотношений, приведённых в справочных материалах по микросхеме МС14046В -- зарубежному аналогу КР1561ГГ1:

R3C2 = 6N/fmax-N/2?f

(R4 + 3000 Ом)С2 =100N?f/f2max - R3C2

?f = f max- f mix

R3? R4/10,

где N -- коэффициент деления рабочей частоты в петле ФАПЧ;

fmax и f mix -- граничные частоты перестройки ГУН; 3000Ом -- выходное сопротивление ЧФД.

С выхода ГУН сигнал рабочей частоты поступает на ФИ и делитель частоты на 9. Последний выполнен на микросхеме DD5 К561ИЕ14 и элементе DD3.1 микросхемы К561ЛН2.

Четырёхразрядный реверсивный счётчик К561ИЕ14 может работать как двоичный (на входе В высокий уровень) или как десятичный (на входе В низкий уровень). Направление счёта задают уровнем на входе U: высокий - увеличение, низкий - уменьшение. На вход С подают счётные импульсы, причём состояние счётчика изменяется по их нарастающим перепадам. Счёт разрешён при низком уровне на входе PI.

Вход S позволяет асинхронно записывать в триггеры счётчика любой восьмиразрядный код с входов D1--D8. Поскольку счётчик отдельного входа начальной установки не имеет, эту функцию выполняет вход S при низких уровнях на входах D1-- D8 (в режиме счёта на увеличение). На выходе переноса появляется низкий уровень, когда в режиме счёта на увеличение накопленное число стало максимальным (или минимальным в режиме счёта на уменьшение).

В нашем случае счётчик работает на увеличение в десятичном режиме. При поступлении десятого импульса сигнал с выхода переноса через инвертор DD3.1 принудительно устанавливает счётчик в нулевое состояние.

С выхода 4 счётчика сигнал поступает на ДПКД -- микросхему DD6 КА561ИЕ15А. У неё имеются вход счётных импульсов С, четыре управляющих входа K1, К2, КЗ, L, шестнадцать входов 1--8000 для установки коэффициента деления и один выход. Коэффициент деления может находиться в интервале 3--21327, причём предусмотрено несколько способов его установки. В синтезаторе использован наиболее простой и удобный способ - коэффициент задают двоично-десятичным кодом, поданным на входы 1--8000. При этом, однако, максимально возможное его значение -- 16659.

Чтобы воспользоваться этим способом, на входах К1 и L должны быть установлены разные логические уровни (низкий и высокий или высокий и

низкий), а на входе КЗ -- низкий уровень. Вход К2 служит для установки счётчика в начальное состояние, которая происходит при низком уровне на этом входе за три периода счётных импульсов. При высоком уровне на нём счётчик работает в режиме делителя частоты.

Нужные уровни на входах 1-8000 задают галетными переключателями SA1 и SA2. Их контактам, соединённым с общим проводом, соответствуют низкие уровни на соответствующих входах микросхемы, а свободным -- высокие (их поддерживают резисторы R8-R15).

ФИ позволяет установить длительность выходных импульсов, оптимальную для подключённой к синтезатору нагрузки, например, выходного контура без промежуточных усилителей.ФИ построен на логических инверторах DD3.2--DD3.6, диоде VD2, подстроечном резисторе R6, транзисторах VT1--VT3. Эмиттерный повторитель на транзисторах VT1 и VT2 уменьшает длительность зарядки и разрядки ёмкости затвора полевого транзистора VT3, увеличивая этим скорость его включения и выключения. Зарядка входной ёмкости элементов DD3.3--DD3.6 происходит быстро через малое динамическое сопротивление диода VD2, а разрядка -- сравнительно медленно через подстроенный резистор R6. Длительность разрядки, а за счёт этого и длительность формируемого импульса зависят от введённого сопротивления резистора R6.

2. Исследовательская часть

2.1 Обоснование выбора элементов схемы

2.1.1 Обоснование выбора резисторов

Все резисторы выбираются по требуемому номинальному значению и мощности. Иногда в особо точных схемах учитывается допустимое отклонение от номинальной величины сопротивления. Допустимое отклонение от номинальной величины сопротивления зависит от типа резистора: композиционный, проволочный, угольный. Выбирая резисторы по мощности, определяется мощность рассеяния на каждом резисторе отдельно по формуле P=U·I, P=U2/R, P=I2·R, выведенные из закона Ома. Полученная величина увеличивается вдвое. Исходя из полученных значений, выбираем резисторы эталонных мощностей: 0,125, 0,25, 0,5,1, 2,5, 10Вт и т.д.

Таблица 2.1.1 - Сравнительная характеристика резисторов

Марка резисторов	Диапазон температур, °С	Номинальное сопротивление	Габариты, мм	Максимальное напряжение, В
МЛТ - 0,125	от минус 60 до плюс 70	1 Ом... 10 МОм	2,2Ч6,0	200
С2-23-0,125	от минус40 до плюс 155	1 Ом - 3,01 МОм	2,2Ч6,0	200

Резисторы МЛТ И С2-23 являются аналогами. Выбираем резисторы МЛТ которые обеспечивают гарантированную стабильность в течение минимальной наработки 25000 ч при номинальной нагрузке (не более): ±5 - ±10%, большим диапазоном номинальных сопротивлений, удобны для использования в нашей схеме, отличаются дешевизной и широтой использования. Импортный аналог - резистор MF.

Керамические резисторы С2-23 использованы в схеме данного устройства благодаря небольшим размерам и низкой цене.

2.1.2 Обоснование выбора конденсаторов

При выборе конденсаторов для радиоэлектронных устройств, приходиться решать одну из противоположных по своему характеру задач. Прямая задача - по известному стандартному напряжению конденсатора найти максимально допустимые значения переменной и постоянной составляющих рабочего напряжения. Обратная задача заключается нахождения типа и стандартного напряжения конденсаторов по рабочему режиму.

Под номинальным напряжением понимается наибольшее напряжение между обкладками конденсатора, при котором он способен работать с заданной надёжностью в установленном диапазоне рабочих температур. Номинальное напряжение, оговоренное стандартами, называется стандартным напряжением - оно маркируется на конденсаторах, выпускаемых согласно действующих стандартов. Под рабочим напряжением подразумевается значения постоянного и переменного напряжения, которые действуют на конденсаторе при его работе.

Прямая задача нахождения рабочего напряжения решается с помощью условий, оговоренных в действующих стандартах. Однако эти условия справедливы лишь для тех случаев, когда переменная составляющая (пульсация) напряжения на конденсаторе меняется по закону гармонического колебания.

Для решения обратной задачи - нахождения типа и стандартного напряжения конденсатора по рабочему режиму, необходимо вначале найти минимальное напряжение, а затем выбрать ближайшее к нему стандартное значение.

Величина рабочего напряжения конденсатора ограничивается тремя требованиями:

а) конденсатор не должен перегреваться;

б) перенапряжение на нём недопустимо;

в) он должен быть защищен от прохождения обратных токов, если это полярный оксидный конденсатор.

Для того чтобы конденсатор не перегревался, следует рассчитать выделяемую на нём реактивную мощность. Она не должна превышать номинальную мощность конденсатора.

Чтобы защитить конденсатор от перенапряжения, рабочее напряжение на нём не должно превышать номинальное. Это условие формулируется в стандартах как сумма постоянной составляющей и амплитуды переменной составляющей рабочего напряжения не должна быть больше стандартного напряжения [3].

Электролитические конденсаторы отличаются большими токами утечки и большими потерями. Проводимость их зависит от полярности приложенного напряжения, поэтому они используются только в цепях постоянного и импульсного токов. Электролитические конденсаторы обладают большими ёмкостями.

Таблица 2.1.2.1 - Сравнительная характеристика конденсаторов

Марка конденсаторов	Габариты, мм	Рабочая температура, °С	Максимальный ток утечки, мкА
К50-35	11 Ч5	от минус 40 до плюс 85	4
К50-29	14Ч6,3	от минус 40 до плюс 85	0,02

В качестве электролитических конденсаторов выбираем К50-35. Он наименьших размеров, имеет большое количество зарубежных аналогов, широкий диапазон рабочих температур, долговечен. Импортные аналоги-конденсаторы серии ERDH.

В качестве керамического конденсатора выбираем К10-17Б применяющийся в цепях постоянного, переменного и импульсного тока. Керамические конденсаторы характеризуются высокими электрическими показателями и сравнительно небольшой стоимостью.

Таблица 2.1.2.2 - Сравнительная характеристика конденсаторов

Марка конденсаторов	Рабочее напряжение, В	Температурный коэффициент ёмкости	Рабочая температура, °С	Габариты, мм
К10-17Б	40	Н90	от минус 60 до плюс 85	6,8Ч5,6
КМ5А	50	Н90	от минус 60 до плюс 85	11Ч10,5

У керамических конденсаторов К10-17Б подходящее рабочее напряжение, они небольшого размера, дешевы и поэтому больше подходят для нашей схемы. Импортный аналог MLCC(многослойный керамический конденсатор).

Таблица 2.1.2.3 - Сравнительная характеристика конденсаторов

Марка конденсаторов	Рабочее напряжение, В	Температурный коэффициент ёмкости	Рабочая температура, °С	Габариты, мм
К73-24	40	Н90	от минус 60 до плюс 125	6,8Ч5,6
КМ5А	50	Н90	от минус 60 до плюс 85	11Ч10,5

Металлопленочные полиэтилентерефталатные конденсаторы серии К73-24 предназначены для работы в цепях постоянного, переменного, пульсирующего токов и в импульсных режимах. Могут применяться взамен К73-17, К73-30, К73-34, К73-5.

Подстроечные защищённые конденсаторы КТ4-21б, КТ4-23, КТ4-24, КТ4-25б предназначены для работы в качестве встроенных элементов внутреннего монтажа аппаратуры, в кожухе комплектного изделия, в электрических цепях постоянного и переменного токов и в импульсных режимах.

Таблица 2.1.2.4 - Технические характеристики конденсатора КТ4-24

Тип	КТ4-24
Рабочее напряжение, В	25
Емкость мин.,пкФ	5
Емкость макс., пФ	25
Рабочая температура, С	от минус 60до плюс 100
Добротность Q мин.	500

Импортный аналог BD680.

2.1.3 Обоснование выбора микросхем

Интегральные микросхемы (ИМС) -- это научно-техническое направление микроэлектроники, которое в результате комплекса физических, химических, схематических, технологических и других методов и приемов решает проблему создания высоконадежных и экономичных микроминиатюрных электронных схем и устройств.

Микросхемы характеризуются следующими параметрами:

- максимальное напряжение на входе,

- максимальный выходной ток,

- мощность потребления микросхемы,

- сопротивление на входе и на выходе,

- напряжение на выходе.

В данном устройстве используются микросхемы: К561ЛА7, КР1561ГГ1, К561ЛН2, К561ИЕ14, К561ИЕ15А, К561ИЕ16, 7812. Основным критерием выбора микросхем является обеспечение заданных параметров работы устройства. Ниже представлены основные характеристики и функциональное назначение этих микросхем.

Стабилизаторы электрического напряжения это устройства, входящие в состав блока питания и позволяющие держать на выходе блока питания стабильное напряжение. Стабилизаторы электрического напряжения бывают рассчитанные на какое-то фиксированное напряжение на выходе (например, 5В, 9В, 12В), а бывают регулируемые стабилизаторы напряжения, у которых есть возможность установить требуемое напряжение в тех пределах, в каких они позволяют.

Все стабилизаторы обязательно рассчитаны на какой-то максимальный ток, который они могут обеспечить. Превышение этого тока грозит выходом стабилизатора из строя. Современные стабилизаторы обязательно оснащаются защитой по току, которая обеспечивает отключение стабилизатора при превышении максимального тока в нагрузке и защитой по перегреву [4]. 7812 - стабилизатор напряжения 12 вольт, размещённый в корпусе типа TO-220 с тремя выводами. Способность стабилизации такого популярного напряжения как 12 вольт делает его полезным в целой массе различных электронных устройств.

Таблица 2.1.3.1 - Технические характеристики микросхемы 7812- стабилизатор напряжения

Номинальный выходной ток, А	1,2
Выходное напряжение, В	12
Максимальное входное напряжения, В	35
Температурный диапазон, C	от минус 45 до плюс 125

Аналоги КР142ЕН8Б, ESG7812P.

КМОП (комплементарная структура металл-оксид-полупроводник; англ. CMOS, complementary metal-oxide-semiconductor) -технология построения электронных схем. В технологии КМОП используются полевые транзисторы с изолированным затвором с каналами разной проводимости. Отличительной особенностью схем КМОП по сравнению с биполярными технологиями (ТТЛ, ЭСЛ и др.) является очень малое энергопотребление в статическом режиме (в большинстве случаев можно считать, что энергия потребляется только во время переключения состояний). Отличительной особенностью структуры КМОП по сравнению с другими МОП-структурами (N-МОП, P-МОП) является наличие как n-, так и p-канальных полевых транзисторов; как следствие, КМОП-схемы обладают более высокой скоростью действия и меньшим энергопотреблением, однако при этом характеризуются более сложным технологическим процессом изготовления и меньшей плотностью упаковки [5]. Стандартные серии КМОП: 176, 561, 564.

Таблица 2.1.3.2 - Технические характеристики микросхемы К561ЛА7

Ток потребления при низком уровне на выходе и напряжении источника питания 18 В, мА	0,15
Время задержки распространения при включении, нс	220
Время задержки распространения при выключении, нс	220
Выходной ток высокого уровня, мА	0,42
Выходной ток низкого уровня, мА	0,42
Температура окружающей среды, оС	от минус 45до плюс85
Ток потребления при низком уровне на выходе и напряжении источника питания 18 В, мА	0,15
Время задержки распространения при включении, нс	220

Логическая КМОП-микросхема отечественного производства К561ЛА7 содержит по четыре двухвходовых базовых элемента И с инверсией выходного сигнала. Зарубежным аналогом микросхем 564ЛА7 и К561ЛА7 является микросхема CD4011A.

Таблица 2.1.3.3 - Технические характеристики микросхемы К561ЛН2-инвертор

Время задержки, нс (типовое)	50
Мощность потребления,мкВт/вентиль	0,4
Напряжение питания,В	3-15

Из многочисленных серий цифровых интегральных схем на полевых транзисторах наибольшее распространение получили микросхемы на комплементарных, т.е. взаимно дополняющих, полевых транзисторах с изолированным затвором. Основой интегральной схемы является инвертор, он состоит из двух полевых транзисторов. Основным его преимуществом является малая статическая мощность, потребляемая от источника питания, что обеспечивается за счет отсутствия сквозного тока в статическом режиме. Эта уникальная способность инвертора положена в основу популярной микросхемы К561ЛН2. Микросхема К561ЛН2 представляет собой шесть логических элементов НЕ с буферным выходом. Микросхема имеет широкий диапазон рабочих напряжений от 3 до 15В. Микросхема не имеет защитных диодов, подключенных к шине питания, это позволяет подавать на ее вход напряжение, превышающее допустимое, поэтому она может быть использована для согласования выходных уровней КМОП со входами ТТЛ-микросхем. В качестве других эксплуатационных характеристик стоит отметить ее высокую нагрузочную способность, высокое входное сопротивление и упрощенное сопряжение со слаботочными источниками входного напряжения. Исключительно малая потребляемая мощность этой микросхемы открыла широкую перспективу применения в технических устройствах с автономным питанием. Не маловажной особенностью микросхемы К561ЛН2 является ее быстродействие, что особенно популярно стало применение различного рода инверторах, генераторах, преобразователях, индикаторах.

Импортный аналог: CD4049.

Таблица 2.1.3.4 - Технические характеристики микросхемы КА561ИЕ15- программируемый счетчик

Время задержки, нс (типовое)	50
Мощность потребления, мкВт/вентиль	0,4
Напряжение питания, В	3-15

Счетчик КА561ИЕ15 имеет разнообразные применения. ИЕ15 представляет вычитающий счетчик - делитель, который может быть запрограммирован, чтобы делить входную частоту на любое число от 3 до 15999. Выходной сигнал является импульсом с шириной равной периоду тактовой частоты, который повторяется с частотой в "N" раз меньше входной. Счетчик предустанавливается 16-ю входными сигналами. Зарубежным аналогом микросхемы К561ИЕ15 является микросхема CD4059A.

Таблица 2.1.3.5 - Технические характеристики микросхемы - К561ИЕ16 - 14-разрядный асинхронный счётчик

Количество разрядов	14
Входы управления	C,R
Управление по входу С
Напряжение питания, В	от 3до 15
Ток потребления при максимальном напряжении питания, мА	0,2
Время задержки распространения, нс	3300
Выходной ток низкого уровня, мА	0,12
Температура окружающей среды, о С	от минус 45до плюс 85

Микросхема К561ИЕ16 содержит 14-разрядный асинхронный счётчик (счётчик пульсаций), дающий на своих выходах Q0-Q13 16384 двоичных отсчетов. Счетчик К561ИЕ16 имеет выходной каскад, формирующий (обостряющий) тактовые импульсы. Входная часть счетчика К561ИЕ16 (формирователь и первый триггер со схемой мастер-помощник). Выходной провод QO получает сигнал от буферного инвертора. Счетчик К561ИЕ16 сбрасывает выходные сигналы в нуль при напряжении высокого уровня на входе сброса R. Содержимое счетчика увеличивается согласно каждому отрицательному перепаду тактового импульса. Максимальная тактовая частота достигает 3 МГц, длительность импульса сброса должна превышать 550 нс [6]. Зарубежным аналогом микросхемы К561ИЕ16 является микросхема CD4020A.

Таблица 2.1.3.6 - Технические характеристики микросхемы КР1561ГГ1 -генератор с фазовой автоматической подстройкой частоты

Потребляемая мощность (Макс.), МВт	70
Напряжение питания, В	5
Температурный диапазон, C	от минус 45 до плюс 85
Максимальная рабочая частота, МГц	от 0,5 до 1,4
Технология	4000(кмоп)

Микросхема КР1561ГГ1 применяется в преобразователях информации и в цифровых системах, для частотной и фазовой модуляции, демодуляции частотно модулированных сигналов, тактовой синхронизации и синтеза частоты, умножения частоты и аналогово-цифрового преобразования. ИС состоит из следующих функциональных блоков: фазового компаратора1 (логического элемента "исключающее или") и фазового компаратора 2 (реагирует на положительные перепады входных сигналов, имеющих общие входы); стабилитрона с Uст.=5,4 В; генератора, линейно управляемого напряжением, выдающего прямоугольные импульсы на выход U со скважностью 2. Частота генерации линейно зависит от напряжения на выводе, её диапазон определяется внешними С1, R1 и R2. Импортный аналог CD4046BE.

2.1.4 Обоснование выбора диодов

В схеме используется диоды КД522А и КД212А. Диод КД212А относится к классу "Выпрямительные диоды малой мощности". Диод КД522А относится к классу "Диоды универсальные и импульсные". Диоды универсальные и импульсные отличаются от выпрямительных малым временем обратного восстановления, или большой величиной импульсного тока. Диоды этой группы могут быть использованы в выпрямителях на высокой частоте, например, в качестве детектора или модуляторах, преобразователях, формирователях импульсов, ограничителях и других импульсных устройствах [7]. Ниже представлены основные характеристики диодов.

Таблица 2.1.4.1 - Технические характеристики диодов КД522А и КД212А

Марка диодов	Макс. постоянное обратное напряжение, В	Максимальный прямой(выпрямленный за полупериод)ток, мA
КД522А	75	200
КД212А	200	1000

Импортный аналог КД522А - 1N4148. Для диода КД212А - импортный аналог 1N1124.

2.1.5 Обоснование выбора транзисторов

Произведём выбор наиболее подходящих полупроводниковых приборов. Транзистор выбирается по максимальному значению тока коллектора IKmax, допустимой мощности рассеяния и максимально допустимым напряжением коллектор-эмиттер, которое должно быть выше напряжения источника питания. При выборе руководствуются также следующим: максимальный ток коллектора, выбирается с запасом ?1,5-2 раза. Не следует выбирать транзисторы со слишком большим запасом по допустимому току [8].

В схеме синтезатора используется три вида транзисторов - КТ209Б, КТ3117А-1, IRFS630A.

Таблица 2.1.5.1 - Технические характеристики биполярного транзистора КТ209Б

Структура	p-n-p
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В	15
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В	15
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)	0,3
Статический коэффициент передачи тока h21э, мин	от 40до120
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр, МГц	5
Максимальная рассеиваемая мощность,Вт	0,2
Корпус	ТО-92

По техническим характеристикам биполярного транзистора малой мощности КТ209Б полностью удовлетворяет предъявляемым требованиям к разрабатываемому устройству. Заменять можно на любые маломощные кремниевые соответствующей структуры.

Таблица 2.1.5.2 - Технические характеристики транзистора КТ3117А-1

Структура	n-p-n
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база, В	60
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер, В	60
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора, мА	400(800)
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом),Вт	0,3
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	от40до200
Обратный ток коллектора, мкА	10
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером, МГц	200

По техническим характеристикам и цене транзистор КТ209Б полностью удовлетворяет предъявляемым требованиям к разрабатываемому устройству. Заменять транзистор его аналогом следует с учетом его конкретной схемы применения и режима работы.

Таблица 2.1.5.3 - Технические характеристики силового полевого транзистора IRFS630A

Тип транзистора	MOSFET
Полярность	N
Максимальная рассеиваемая мощность,Вт	38
Предельно допустимое напряжение сток-исток,В	200
Максимально допустимый постоянный ток стока,А	6,5
Максимальная температура канала, 0С	150
Выходная емкость, пФ	500
Корпус	TO220F

Выбираем IRF630, как наиболее дешёвые и распространённые транзисторы и отличаются хорошими и надёжными показателями. Транзисторы IRF630 предназначены для работы в импульсных схемах (развёртки мониторов компьютеров, импульсные блоки питания) но при выведении их в режим близкий к линейному они дают хорошие показатели.

3. Расчетная часть

3.1 Расчет надежности

Расчет надежности производят на этапе разработки объекта для определения времени наработки на отказ устройства. В результате расчета должны быть определены количественные характеристики надежности объектов. Расчет производится по известным данным об интенсивности отказов элементов, составляющих рассматриваемый объект; в частности, надежность какой-либо сборочной единицы ЭВМ определяется значениями интенсивности отказов ЭРЭ и элементов конструкции, составляющих сборочную единицу. Расчет производится в соответствии с методическими рекомендациями [9]

В настоящее время имеются обширные справочные данные по интенсивности отказов ЭРЭ. Эти данные приводятся для нормальных температурных условий и для определенного электрического режима ЭРЭ.

Для определения среднего времени наработки на отказ произведём расчет надёжности на этапе проектирования. Для расчета задаются ориентировочные данные. В качестве температуры окружающей среды может быть принято среднее значение температуры внутри блока.

Для различных элементов при расчетах надёжности служат различные параметры. Для резисторов и транзисторов это допустимая мощность рассеяния, для конденсаторов допустимое напряжение, для диодов прямой ток.

Коэффициенты нагрузок для элементов каждого типа по напряжению могут быть определены по величине напряжения источника питания. Так для конденсаторов номинальное напряжение рекомендуется брать в 1,5-2 раза выше напряжения источника питания. Допустимую мощность рассеяния резисторов следует брать в качестве номинального параметра. Фактическое значение параметра надо брать на половину меньше.

Для конденсаторов номинальным параметром в расчете надежности считается допустимые значения напряжения на обкладках конденсатора. В большинстве схем этот параметр не указывается. Его следует выбирать исходя напряжения источника питания.

Для транзисторов номинальный параметр Рк берется и справочников.

Для диодов контролируемый параметр - величина прямого тока (из справочников). При увеличении коэффициента нагрузки интенсивность возрастает. Она также возрастает, если элемент эксплуатируется в более жестких условиях: при повышенной температуре, влажности, при ударах и вибрациях. В стационарной аппаратуре, работающей в отапливаемых помещениях, наибольшее влияние на надежность аппаратуры имеет температура.

В таблицу 3.1.4, 3.1.5 заносим данные из принципиальной схемы.

В 1-ую колонку заносится наименование элемента, его тип определяется по схеме. Часто в схемах не указывается тип конденсатора, а даётся только его ёмкость. В этом случае следует по емкости, и выбрать подходящий тип конденсатора в справочнике. Тип элемента заносится во вторую колонку.

В колонку 4 заносится температура окружающей среды.

Далее следует заполнить колонку 6, пользуясь теми рекомендациями, которые были приведены выше. Фактические параметры элемента необходимо выбирать руководствуясь рекомендациями таблицы 3.1.1.

Зная н определяем фактическое значение параметра и заполняем колонки 5 и 8.Если н в таблицу для элемента не указано, то следует ставить прочерк или брать н=0,5.

Колонка 7 заполняется по справочнику.

Таблица 3.1.1

Наименование элемента.	Контролируемые параметры	нагрузки
		Импульсный режим	Статический режим
Транзисторы		0,5	0,2
Диоды		0,5	0,2
Конденсаторы		0,7	0,5
Резисторы		0,6	0,5
Трансформаторы		0,9	0,7
Соединители		0,8	0,5
Микросхемы

Далее определяется коэффициент влияния (), которое показывает как влияние на интенсивность отказов окружающая элемент температура в связи с коэффициентом нагрузки. Находят () по таблице 3.1.2.

Таблица 3.1.2

TC	Значение при равном
	0,1	0,3	0,5	0,8	1
Кремниевые полупроводниковые приборы
20 40 70	0,02 0,05 0,15	0,05 0,15 0,35	0,15 0,30 0,75	0,5 1 1	1
Керамические конденсаторы
20 40 70	0,15 0,30 0,30	0,30 0,30 0,50	0,35 0,50 0,75	0,65 1,00 1,5	1 1,4 2,2
Бумажные конденсаторы
20 40 70	0,35 0,50 0,7	0,55 0,60 1,0	0,70 0,80 1,4	0,85 1,00 1,8	1,0 1,2 2,3
Электролитические конденсаторы
20 40 70	0,55 0,65 1,45	0,65 0,80 1,75	0,75 0,90 2,0	0,90 1,1 2,5	1,0 1,2 2,3
Металлодиэлектрические или металлооксидные резисторы
20 40 70	0,40 0,45 0,50	0,50 0,60 0,75	0,65 0,80 1,00	0,85 1,1 1,5	1,00 1,35 2
Силовые трансформаторы
20 40 70	0,40 0,42 1,5	0,43 0,50 2	0,45 0,60 3,1	0,55 0,90 6,0	1 1,5 10,00

Таблица 3.1.3

Наименование элемента	о •10-61/час
Микросхемы средней степени интеграции Большие интегральные схемы	0,013 0,01
Транзисторы германиевые: Маломощные Средней мощности Мощностью более 200мВт	0,7 0,6 1,91
Кремниевые транзисторы: Мощностью до 150мВт Мощностью до 1Вт Мощностью до 4Вт	0,84 0,5 0,74
Высокочастотные транзисторы: Малой мощности Средней мощности	0,2 0,5
Транзисторы полевые	0,1
Конденсаторы Бумажные Керамические Слюдяные Стеклянные Пленочные Электролитические(алюминиевые) Электролитические(танталовые) Воздушные переменные	0,05 0,15 0,075 0,06 0,05 0,5 0,035 0,034
Резисторы: Композиционные Плёночные Угольные Проволочные	0,043 0,03 0,047 0,087
Диоды: Кремниевые Выпрямительные Универсальные Импульсные	0,2 0,1 0,05 0,1
Стабилитроны Германиевые	0,0157
Трансформаторы: Силовые Высокочастотные	0,25 0,045
Наименование элемента	о •10-61/час
Автотрансформаторные	0,06
Дроссели: Катушки индуктивности Реле	0,34 0,02 0,08
Антенны Микрофоны Громкоговорители Оптические датчики	0,36 20 4 4,7
Переключатели, тумблеры, кнопки Соединители Гнёзда	0,07n 0.06n 0.01n
Пайка навесного монтажа Пайка печатного монтажа Пайка объёмного монтажа	0,01 0,03 0,02
Предохранители	0,5
Волноводы гибкие Волноводы жёсткие	1,1 9,6
Электродвигатели Асинхронные Асинхронные вентиляторы	0,359 2,25

Определим произведение коэффициентов влияний



i = • о, где: (3.1.1)

i - произведение коэффициентов влияний;

- коэффициент влияния температуры;

о - интенсивность отказов.

В двенадцатой колонке определяем:

с = i • n, где: (3.1.2)

i - произведение коэффициентов влияний;

n - количество элементов.

Определим среднее время наработки на отказ:

, где: (3.1.3)

Тср - среднее время наработки на отказ

с - суммарное значение двенадцатой колонки

Следует помнить, что ?лc - число, умноженное на 10-6, т.е. при делении 10-6 перейдет в числитель.

Общая надежность устройства (таблица 3.1.4):

?лc = 9,0735·10-6

Тср = 1/9,0735·10-6

Тср = 106/9,0735= 110211 часов.

3.2 Расчёт теплового сопротивления корпуса ИС микросхемы DD6

При использовании тепловых режимов некоторых конструкций возникает задача определения теплового сопротивления от интегральной схемы к корпусу блока. Определим тепловое сопротивление при передаче тепловой энергии от корпуса ИС к блоку по твёрдым частям конструкции. Элементы конструкции, по которым передаётся тепло : зазор между корпусом ИС и теплопроводящей шиной заполнен теплопроводящим материалом; от шины тепло передаётся через тепловые контакты на каркас субблока и от каркаса субблока к стене блока. Расчет производится в соответствии с методическими рекомендациями [9].

Полное тепловое сопротивление

Rполн. = R3 + Rш1 + Rш2 + Rст + Rк,где

R3 - тепловое сопротивление зазора

Rш - тепловое сопротивление между шиной и сторонами каркаса

Rст - тепловое сопротивление контакта шина - каркас субблока

Rк - тепловое сопротивление стенки каркаса

Рассчитать тепловое сопротивление от корпуса ИС

Исходные данные:

Площадь основания корпуса Sk = 16•14,5•10-6 ( м2) =232,0•10-6 м2

Толщина зазора между корпусом ИС и шиной h3 (м) 0,3 • 10-2

Коэффициент теплопроводности материала, заполняющего зазор Л3 = 1.5 (ВтмК)

Материал зазора - Ситалл

Размер шины: ширина bш =0,02(м), высота hш =0,5 • 10-3 (м)

Расстояние от ИС от стенок каркаса L1 =61 • 10-3 (м), L2 =31 • 10-3 (м)

Материал шины - Медь

Коэффициент теплопроводности шины Лш = 400 (ВтмК)

Удельная тепловая проводимость контакта шина - каркас(медь-алюминий) бк1 = бк2 = 12•104(Втм2К)

Длина стенки каркаса Lk =90 • 10-3 (м)

Толщина стенки каркаса hk =2 • 10-3 (м)

Ширина стенки каркаса bk =70 • 10-3 (м)

Материал каркаса и его коэффициент теплопроводности

Лk = 196 (ВтмК) - Алюминий.

Расчёт:

Определяем тепловое сопротивление зазора

R3 = h3 (Л3 ? Sк) (3.2.1)

R3 = 0,3 • 10-2 (1,5 • 232,0•10-6) = 3000 348= 8,620 ( К/Вт)

Где h3 - толщина зазора в (м)

Л3 - коэффициент теплопроводности материала зазора

Sk - площадь основания корпуса

Л3 - берём из таблицы 3.2.1

Таблица 3.2.1

Материал	Коэффициент теплопроводности (ВтмК)	Материал	Коэффициент теплопроводности (ВтмК)
Серебро	390 - 410	Текстолит, стеклотекстолит	0,231 - 0,385
Алюминий	196	Стекло	0,74
Дюралюминий	160 - 180	Фарфор	0,854
Бронза	64	Керамика	7,0
Латунь	85,8	Ситалл	1,5
Медь	400	Поликор	30,0
Сталь	45,5	Картон плотный	0,230
Резина	0,15	Пенопласт	0,58
Эбонит, гетинакс	0,156 - 0,175	Воздух	2,76•10-2
Слюда	0,583	Вода	0,635
Полихлорвиниловая пластмасса	0,443

Найдём площадь поперечного сечения теплопроводящей шины

Sш = bш•hш (3.2.2)

Sш = 0,02 • (0,5•10-3) = 1•10-4 (м2)

Определим тепловые сопротивления между шиной и сторонами каркаса

Rш1 = L1 ( Лш•Sк) (3.2.3)

Rш1 = 61•10-3 (400 • (232•10-6)) = 610 928= 0,657 (К /Вт)

Rш2 = L2/(Лш•Sк) (3.2.4)

Rш2 = 31•10-3 (400 • (232•10-6)) = 310 928= 0,334 (К/Вт)

Определим тепловое сопротивление контакта шины с каркасом

Площадь контакта:

Sк1 = bш•hк (3.2.5)

Sк1= 0,02 (2 • 10-3) = 4•10-5 (м2), где bш - ширина шины;

hк - толщина стенки корпуса

Rк1 = 1/ ( бк1 • Sк1 ) (3.2.6)

Rк1 = 1/ (12•104) • 4•10-5 = 0,208 (К/Вт)

бк1 находим из таблицы 3.2.2.

Таблица 3.2.2

Материал	Коэффициент теплопроводности бк1•104 ВтмК	Материал	Коэффициент теплопроводности бк1•104 ВтмК
Медь - алюминий	12	Сталь - дюраль	8,4•103
Медь - медь	10	Сталь - сталь	1,5•103
Медь - дюраль	4,0	Сталь - краска-металл	500,0
Медь - сталь	1,2	Сталь - стекло	(0,6 - 2,3) •104
Медь - латунь	5,5	Сталь - сталь (резьба)	1,7•103

Находим тепловое сопротивление стенки каркаса

Rст = bk / (Лk ?bk ? Lk) (3.2.7)

Rст = 70•10-3/ 196(70•10-3•90•10-3) = 100 1764= 0,057(К/Вт)

Где bk - ширина корпуса

Находим тепловое сопротивление контакта

Rк2 = 1/( бк2 • Sk2 ) (3.2.8)

Rк2 = 1/ 12• 10-4• 0.18•10-3 = 1 21,6= 0,0463 К/Вт,

где Sk2 = hк•Lk (3.2.9)

Sk2 = (2 • 10-3) • (90•10-3) = 0,18•10-3 м2

Где Lk - длина стенки корпуса

Полное тепловое сопротивление

Rполн. = R3 + Rш1 + Rш2 + Rст + Rк + Rк К/Вт (3.2.10)

Rполн. = 8,62+ 0,657+ 0,334+ 0,057 + 0,208+ 0,0463= 9,9223 К/Вт

По расчету теплового сопротивления корпуса ИС микросхемы DD1 получены данные, что тепловое сопротивление незначительно, следовательно, введение теплоотводящей шины не нужно.

3.3 Расчет коэффициента заполнения печатной платы

Расчет коэффициента заполнения печатной платы можно сделать по сборочному чертежу платы. Для этого надо измерить площадь, занимаемую элементом вместе с выступающими за корпус выводами (посадочное место). В плане (плоскости) все посадочные места можно рассматривать как прямоугольники и окружности. Как известно, площадь прямоугольника равна произведению длины на ширину прямоугольника, а площадь круга

S = рDІ/4,

где

D - диаметр круга, а р - физическая константа, равная 3,14

Расчет следует вести с использованием таблицы 3.3.1.Расчет производится в соответствии с методическими рекомендациями [9]

Таблица 3.3.1

Наименование элемента	Площадь, занимаемая одним элементом, мм2	Количество однотипных элементов	Площадь, занимаемая всеми однотипными, элементами,мм2
1.Резисторы: МЛТ-0,125 СП3-38А	2,5•6=15 4•9=36	14 1	210,0 36,0
2.Диоды: КД212А КД522А	4•10=40 4,5•2=9	1 6	40,0 54,0
3.Конденсаторы: К10-17 Б К50-35-50 К50-35-25 К73-24 КТ4-24	3,5•5,5=19,25 Ш6,8=36,3 Ш6,2 =30,18 5•11=55,0 Ш4=d2/4=3,14•42/4=12,56	6 1 1 1 1	115,5 36,3 56,7 55,0 12,56
4. Микросхемы: К561ИЕ14 КА561ИЕ15 К561ИЕ16 К561ЛА7 К561ЛН2 КР1561ГГ 7812	17,5•7,5=131,25 16•14,5=232,0 17,5•7,5=131,25 17,5•7,5=131,25 15•7,5=112,5 17,5•7,5=131,25 4,5•10,7=48,15	1 1 1 1 1 1 1	131,25 232,0 131,25 131,25 112,5 131,25 48,15
5.Транзисторы: КТ209Б КТ3117А-1 IRFS630A	Ш5 =19,0 Ш5 =19,0 4,5•10,7=48,15	1 1 1	19,0 19,0 48,15
6.Кварц.резонатор: РГ-0,6	4•5,5=22,0	1	22,0
7.Теплоовод:	1,5•86,0=137,6	1	137,6
Итого	1779,46

Таблица заполняется, после чего надо сложить все цифры последнего столбца. Таким образом, будет найдена площадь, занимаемая всеми элементами схемы S элемент. Площадь печатной платы - S платы равна произведению ее длины на ширину.

S элемент = 1779,46 ммІ

Sплаты= 90 · 70 = 6300 ммІ

Коэффициент заполнения печатной платы:

К зап. = S элемент / S платы • 100% (3.2.1)

К зап. = 1779,46 / 6300 • 100% = 28,25 %

3.4 Расчёт узкого места

Рассчитаем минимальный диаметр контактной площади

Dkmin = 2Bm + d0 + 1,5hф + 2л + C1, (3.4.1)

D kmin = 2•0,025 + 1,2 + 1,5•0,4 + 2•0,27 + 0,3 = 2,69(мм),

где Bm - расстояние от края просверленной линии до края контактной площади (см. табл. 3.4.1);

d0 - номинальный диаметр металлизированного отверстия;

hф - толщина фольги.

л = м L\100, -изменение длины печатной платы при нестабильности линейных размером. л = 0,3•90/100 = 0,27

где L - размер большей длины печатной платы

м - изменение контактной площади при нестабильности линейных размеров (обычно 0,3 мм)

С1 - поправочный коэффициент (см. табл. 3.4.2)

С1 учитывает погрешности при центровке, сверлении, при изготовлении фотошаблона и др.

Толщина фольги - 0,3 - 0,5 (мм)

Печатные платы размером более 240•240мм - 1 класс плотности

Для плат размером менее 240•240 мм и больше 170•170мм - 1 и 2 классы плотности, платы меньших размеров 3 класс плотности. Расчет производится в соответствии с методическими рекомендациями [9].

Таблица 3.4.1

Параметры и их условные обозначения	Размеры (мм) элементов проводящего рисунка для класса плотности
	1-го	2-го	3-го
Ширина проводника Т	0,500	0,250	0,150
Расстояние между проводниками, контактными площадками, и металлизированными отверстиями S	0,500	0,250	0,250
Расстояние от края просверленного отверстия до края контактной площади Bm	0,050	0,035	0,025
Отношение минимального диаметра металлизированного отверстия к толщине платы	0,400	0,330	0,330



Таблица 3.4.2

Класс	1	2	3
Коэффициент С1	0,65	0,3	0,3

Рассчитаем максимальный диаметр контактной площади

Dkmax = 2Bm + d0 + 1.5hф + 2л + C2, (3.4.2)

D kmax = 2• 0,025 + 1,2 + 1,5•0,4 + 2•0,27 + 0,35 = 2,74 (мм)

C2 - поправочный коэффициент (см. табл. 3.4.3)

Таблица 3.4.3

Класс	1	2	3
Коэффициент С2	0,77	0,35	0,35

Минимальное расстояние для прокладки n проводников между двумя контактными площадками должно обеспечиваться при максимальном диаметре контактной площади и максимальной ширине проводника с учётом погрешности ш (см. табл. 3.4.4)

Таблица 3.4.4

Класс	1	2	3
Погрешность ш	0,05	0,03	0,03

Минимальное расстояние для прокладки n проводников

Lmin = 0,5(Dk1min + Dk2max) + 2 ш + (Tmax +ш )n + S(n+1), (3.4.3)

Lmin = 0,5 (2,69+ 2,74) + 2 ·0,03 + (0,24+ 0,03) 3+ 0,250 (3+1)=4,59 (мм)

где Tmax = T + ш + 2э, (3.4.4)

Tmax = 0,150 + 0, 03 + 2•0,03 = 0,24 (мм)

э - погрешность при экспонировании (см. табл. 3.4.4)



Таблица 3.4.5

Класс	1	2	3
Коэффициент э	0,06	0,05	0,03

Из расчета следует, что минимальное расстояние для прокладки 3 проводников равно 4,59 мм.

4. Конструкторская часть

4.1 Обоснование разработки трассировки печатной платы

Синтезатор выполнен на односторонней печатной плате толщиной 1,5 мм (рис. 4.1). Она изготовлена методом термического переноса рисунка проводников на поверхность фольги с его распечатки на лазерном принтере. Номера монтажных отверстий на плате, предназначенных для проводов, идущих к переключателям, совпадают с номерами проводов жгута на схеме. В эти отверстия, а также в те, которые предназначены для проводов питания и нагрузки, желательно установить монтажные штыри[10].

Рисунок 4.1 - Трассировка печатной платы простого средневолнового синтезатора частоты

Трассировка соединений является, как правило, заключительным этапом конструкторского проектирования РЭА и состоит в определении линий, соединяющих контакты элементов, и компонентов, составляющих проектируемое устройство. Задача трассировки - одна из наиболее трудоемких в общей проблеме автоматизации проектирования РЭА. Это связано с несколькими факторами, в частности с многообразием способов конструктивно-технологической реализации соединений, для каждого из которых при алгоритмическом решении задачи применяются специфические критерии оптимизации и ограничения. С математической точки зрения трассировка - наисложнейшая задача выбора из огромного числа вариантов оптимального решения.

Одновременная оптимизации всех соединений при трассировке за счет перебора всех вариантов в настоящее время невозможна. Поэтому разрабатываются в основном локально оптимальные методы трассировки, когда трасса оптимальна лишь на данном шаге при наличии ранее проведенных соединений.

Основная задача трассировки формулируется следующим образом: по заданной схеме соединений проложить необходимые проводники на плоскости, чтобы реализовать заданные технические соединения с учетом заранее заданных ограничений. Основными являются ограничения на ширину проводников и минимальные расстояния между ними.

Исходной информацией для решения задачи трассировки соединений обычно являются список цепей, параметры конструкции элементов и коммутационного поля, а также данные по размещению элементов. Критериями трассировки могут быть процент реализованных соединений, суммарная длина проводников, число пересечений проводников, число монтажных слоев, число межслойных переходов, равномерность распределения проводников, минимальная область трассировки и т.д. Часто эти критерии являются взаимоисключающими, поэтому оценка качества трассировки ведется по доминирующему критерию при выполнении ограничений.

Чертежи печатных плат выполняются на бумаге, имеющей координатную сетку, нанесенную с определенным шагом. Наличие сетки позволяет не ставить на чертеже размеры на все элементы печатного проводника.

Координатную сетку наносят на чертеж с шагом 2,5 или 1,25 мм. Шаг 1,25 мм. применяют в том случае, если на плату устанавливают многовыводные элементы с шагом расположения выводов 1,25 мм. Центры монтажных и переходных отверстий должны быть расположены в узлах координатной сетки. Если устанавливаемый на печатную плату элемент имеет два вывода или более, расстояние между которыми кратно шагу координатной сетки, то отверстие под все такие выводы должны быть расположены в узлах сетки. Если устанавливаемый элемент не имеет выводов, расстояние между которыми кратно шагу координатной сетки, то один вывод следует располагать в узле координатной сетки, а центр отверстия под другой вывод - на вертикальной или горизонтальных линиях координатной сетки.

Диаметр отверстия в печатной плате должен быть больше диаметра вставляемого в него вывода, что обеспечит возможность свободной установки радиоэлемента. При диаметре вывода до 0,8 мм диаметр не металлизированного отверстия делают на 0,2 мм больше диаметра вывода; при диаметре вывода более 0,8 мм - на 0,3 мм больше.

Диаметр не металлизированного отверстия зависит от диаметра вставляемого в него вывода и от толщины платы. Связано это с тем, что при гальваническом осаждении металла на стенках отверстия малого диаметра, сделанного в толстой плате, толщина слоя металла получатся не равномерной, а при большем отношении длины к диаметру некоторые места могут остаться не покрытыми. Диаметр металлизированного отверстия должен составлять не менее половины толщины платы.

Чтобы обеспечить надежное соединение металлизированного отверстия с печатным проводником, вокруг отверстия делают контактную площадку. Контактные площадки отверстий рекомендуется делать в виде кольца. Печатные проводники рекомендуются выполнять прямоугольной конфигурации, располагая их параллельно линиям координатной сетки.

Проводники на всем их протяжении должны иметь одинаковую ширину. Если один или несколько проводников проходит через узкое место, ширина проводников может быть уменьшена. При этом длина участка, на котором уменьшена ширина, должна быть минимальной.

4.2 Обоснование разработки компоновки печатной платы

Наиболее ответственным этапом конструирования радиоаппарата является компоновка. От компоновки зависит, будет ли аппарат отвечать поставленным требованиям, станет ли он удобным в обращении, легким в изготовлении и изящным.

Перед компоновкой радиоаппаратуры надо выбрать тип конструкции, которая может быть следующими:

свободной (плоскостной), когда все детали размещены на одном шасси; эта конструкция наиболее часто применяется как в заводской, так и в радиолюбительской аппаратуре;