Применение нанокластеров в оптоэлектронике. Фотоприемники и солнечные элементы
Нанокластеры и их энергетическое состояние. Влияние нанокластеров на свойства полупроводниковых материалов. "Захороненные" барьеры Шоттки. Формирование ансамблей боросиликатных нанокластеров в кремниевой матрице. Применение электронной оже-спектроскопии.
| Рубрика | Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника |
| Вид | дипломная работа |
| Язык | русский |
| Дата добавления | 06.12.2015 |
| Размер файла | 5,2 M |
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
17,59
Таблица 2
Значения интенсивности, падающей на образец, легированный бором и кислородом
|
л, нм |
I0, от.ед. |
IП, от.ед. |
|
|
500 |
616,8 |
24,74 |
|
|
515 |
740,1 |
27,98 |
|
|
529 |
826,5 |
29,61 |
|
|
544 |
863,5 |
29,26 |
|
|
559 |
986,8 |
31,66 |
|
|
574 |
1048,6 |
31,91 |
|
|
588 |
1110,2 |
32,20 |
|
|
603 |
1245,9 |
34,36 |
|
|
618 |
1394,0 |
36,60 |
|
|
632 |
1554,3 |
39,02 |
|
|
647 |
1702,3 |
40,77 |
|
|
662 |
1764,4 |
40,37 |
|
|
676 |
1825,9 |
40,06 |
|
|
691 |
1949,0 |
40,93 |
|
|
695 |
1986,0 |
41,23 |
|
|
706 |
2035,6 |
40,95 |
|
|
721 |
2121,9 |
40,93 |
|
|
735 |
2195,7 |
40,75 |
|
|
750 |
2282,2 |
40,68 |
|
|
765 |
2368,8 |
40,58 |
|
|
779 |
2454,9 |
40,56 |
|
|
790 |
2435,6 |
39,13 |
|
|
л, нм |
I0, от.ед. |
IП, от.ед. |
|
|
803 |
2468,4 |
38,38 |
|
|
814 |
2488,1 |
37,65 |
|
|
824 |
2529,0 |
37,35 |
|
|
842 |
2548,3 |
36,04 |
|
|
851 |
2557,5 |
35,41 |
|
|
868 |
2590,9 |
34,48 |
|
|
884 |
2583,1 |
33,14 |
|
|
893 |
2584,7 |
32,50 |
|
|
904 |
2589,2 |
31,77 |
|
|
913 |
2590,1 |
31,16 |
|
|
917 |
2600,0 |
31,00 |
|
|
926 |
2627,6 |
30,72 |
|
|
943 |
2619,1 |
29,53 |
|
|
965 |
2622,1 |
28,23 |
|
|
985 |
2619,6 |
27,07 |
|
|
1004 |
2602,2 |
25,88 |
|
|
1026 |
2588,4 |
24,65 |
|
|
1044 |
2578,3 |
23,72 |
|
|
1074 |
2528,9 |
21,98 |
|
|
1086 |
2517,5 |
21,40 |
|
|
1097 |
2497,4 |
20,81 |
|
|
1101 |
2477,3 |
20,49 |
|
|
1103 |
2479,6 |
20,44 |
|
|
1132 |
2430,2 |
19,02 |
|
|
1147 |
2393,3 |
18,24 |
|
|
1160 |
2361,0 |
17,59 |
- длина волны;
I0 - интенсивность лампы накаливания;
IП - интенсивность, падающая на образец.
Приложение В
Таблица 3
Значения вентильной фотоэдс для контрольного образца
|
, нм |
Uf, мкВ |
Uf', мкВ |
Uf'', мкВ |
|
|
462 |
38,8 |
38,80 |
66,74 |
|
|
471 |
54,1 |
48,23 |
82,96 |
|
|
485 |
79,8 |
60,70 |
104,41 |
|
|
500 |
111,4 |
73,85 |
127,03 |
|
|
515 |
147,3 |
86,34 |
148,51 |
|
|
529 |
183,7 |
101,74 |
174,98 |
|
|
544 |
239,3 |
134,14 |
230,73 |
|
|
559 |
296,7 |
153,68 |
264,32 |
|
|
574 |
347,9 |
178,80 |
307,53 |
|
|
603 |
454 |
216,72 |
372,76 |
|
|
618 |
500,2 |
224,16 |
385,55 |
|
|
632 |
542,8 |
228,16 |
392,43 |
|
|
647 |
588,9 |
236,87 |
407,41 |
|
|
662 |
631,5 |
256,56 |
441,28 |
|
|
676 |
655,5 |
268,34 |
461,54 |
|
|
691 |
670,1 |
268,52 |
461,85 |
|
|
706 |
676,6 |
270,98 |
466,09 |
|
|
721 |
678 |
271,69 |
467,30 |
|
|
735 |
664,1 |
267,26 |
459,68 |
|
|
750 |
637,3 |
256,92 |
441,91 |
|
|
765 |
608,5 |
245,89 |
422,94 |
|
|
779 |
572,1 |
231,32 |
397,86 |
|
|
803 |
514,2 |
219,70 |
377,89 |
|
|
814 |
492,3 |
214,44 |
368,83 |
|
|
824 |
475,2 |
208,68 |
358,92 |
|
|
842 |
480,1 |
218,47 |
375,77 |
|
|
851 |
512,8 |
237,51 |
408,52 |
|
|
868 |
576,4 |
274,16 |
471,55 |
|
|
884 |
657,6 |
325,40 |
559,69 |
|
|
893 |
711,1 |
358,85 |
617,22 |
|
|
904 |
779,6 |
402,47 |
692,25 |
|
|
913 |
839,2 |
441,75 |
759,82 |
|
|
917 |
870,3 |
460,39 |
791,87 |
|
|
926 |
905,3 |
483,22 |
831,14 |
|
|
943 |
965,6 |
536,24 |
922,33 |
|
|
, нм |
Uf, мкВ |
Uf', мкВ |
Uf'', мкВ |
|
|
965 |
1000 |
580,89 |
999,14 |
|
|
985 |
973,3 |
589,62 |
1014,15 |
|
|
1004 |
877 |
555,67 |
955,75 |
|
|
1026 |
746,2 |
496,37 |
853,76 |
|
|
1044,1 |
586,1 |
405,26 |
697,04 |
|
|
1074 |
315,8 |
235,60 |
405,24 |
|
|
1086 |
248,8 |
190,65 |
327,91 |
|
|
1097 |
201,5 |
158,81 |
273,16 |
|
|
1101 |
183 |
146,47 |
251,92 |
|
|
1103 |
171,5 |
137,63 |
236,73 |
|
|
1132 |
77,8 |
67,10 |
115,41 |
|
|
1147 |
45,1 |
40,55 |
69,75 |
|
|
1160 |
24,6 |
22,93 |
39,44 |
Таблица 4
Значения вентильной фотоэдс для образца, легированного бором и кислородом
|
, нм |
Uf, мкВ |
Uf', мкВ |
Uf'', мкВ |
|
|
500 |
80,2 |
80,21 |
102,67 |
|
|
515 |
132,1 |
116,81 |
149,52 |
|
|
529 |
214,8 |
179,45 |
229,70 |
|
|
544 |
356,9 |
301,81 |
386,32 |
|
|
559 |
497,1 |
388,41 |
497,16 |
|
|
574 |
670,5 |
519,83 |
665,38 |
|
|
588 |
825,2 |
634,11 |
811,66 |
|
|
603 |
973,3 |
700,89 |
897,13 |
|
|
618 |
1125,2 |
760,66 |
973,65 |
|
|
632 |
1263,3 |
801,04 |
1025,33 |
|
|
647 |
1447,3 |
878,17 |
1124,06 |
|
|
662 |
1610,7 |
987,15 |
1263,55 |
|
|
676 |
1728,1 |
1067,17 |
1365,98 |
|
|
691 |
1797,4 |
1086,52 |
1390,74 |
|
|
695 |
1804,9 |
1083,16 |
1386,44 |
|
|
706 |
1772,4 |
1070,84 |
1370,68 |
|
|
721 |
1695,2 |
1024,74 |
1311,67 |
|
|
735 |
1590,1 |
965,33 |
1235,62 |
|
|
750 |
1493,1 |
908,04 |
1162,29 |
|
|
765 |
1318,8 |
803,93 |
1029,04 |
|
|
779 |
1211,9 |
739,19 |
946,16 |
|
|
790 |
1097,2 |
693,72 |
887,96 |
|
|
, нм |
Uf, мкВ |
Uf', мкВ |
Uf'', мкВ |
|
|
803 |
1032,1 |
665,25 |
851,52 |
|
|
814 |
972,1 |
638,76 |
817,62 |
|
|
824 |
902,9 |
598,13 |
765,60 |
|
|
842 |
880,7 |
604,57 |
773,85 |
|
|
851 |
900,5 |
629,18 |
805,35 |
|
|
868 |
960 |
688,82 |
881,69 |
|
|
884 |
1015,4 |
757,96 |
970,19 |
|
|
893 |
1061,3 |
807,94 |
1034,16 |
|
|
904 |
1101,2 |
857,60 |
1097,73 |
|
|
913 |
1097,6 |
871,60 |
1115,64 |
|
|
917 |
1095,3 |
874,07 |
1118,81 |
|
|
926 |
1066,5 |
858,76 |
1099,21 |
|
|
943 |
979,1 |
820,25 |
1049,92 |
|
|
965 |
812,3 |
711,82 |
911,13 |
|
|
985 |
613,2 |
560,38 |
717,29 |
|
|
1004 |
406 |
388,06 |
496,72 |
|
|
1026 |
287,3 |
288,30 |
369,02 |
|
|
1044 |
205,6 |
214,46 |
274,50 |
|
|
1074 |
136,5 |
153,62 |
196,64 |
|
|
1086 |
117,1 |
135,36 |
173,26 |
|
|
1097 |
107,4 |
127,70 |
163,45 |
|
|
1101 |
100,1 |
120,86 |
154,70 |
|
|
1103 |
95,6 |
115,74 |
148,14 |
|
|
1132 |
60,1 |
78,19 |
100,09 |
|
|
1147 |
42,1 |
57,10 |
73,09 |
|
|
1160 |
23,9 |
33,61 |
43,02 |
- длина волны;
Uf - экспериментальное значение вентильной фотоэдс;
Uf' - значение вентильной фотоэдс с учетом спектральной характеристики приборной функции монохроматора;
Uf'' - значение вентильной фотоэдс после амплитудной нормировки.
Размещено на Allbest.ru
Подобные документы
Роль полупроводников в микро- и оптоэлектронике. Классификация полупроводниковых материалов. Диапазон электрических параметров различных полупроводников. Особые физико-химические свойства кремния. Применение германия в полупроводниковых приборах.
контрольная работа [1,0 M], добавлен 15.12.2015Электрофизические свойства полупроводниковых материалов, их применение для изготовления полупроводниковых приборов и устройств микроэлектроники. Основы зонной теории твердого тела. Энергетические зоны полупроводников. Физические основы наноэлектроники.
курсовая работа [3,1 M], добавлен 28.03.2016Топология и элементы МОП-транзистора с диодом Шоттки. Последовательность технологических операций его производства. Разработка технологического процесса изготовления полупроводниковых интегральных схем. Характеристика используемых материалов и реактивов.
курсовая работа [666,0 K], добавлен 06.12.2012Сущность и задачи литографии. Описание процесса создания рисунка с использованием фотолитографии на кремниевой подложке. Исследование режимов технологического процесса ионного легирования в кремниевой технологии при помощи компьютерных программ.
реферат [23,9 K], добавлен 01.02.2016Принцип действия полупроводниковых диодов, свойства p-n перехода, диффузия и образование запирающего слоя. Применение диодов в качестве выпрямителей тока, свойства и применение транзисторов. Классификация и технология изготовления интегральных микросхем.
презентация [352,8 K], добавлен 29.05.2010Преимущества диодов Шоттки по сравнению с обычными p-n-переходами. Основные стадии формирования структуры кремниевого диода. Классификация типов обработки поверхности полупроводниковых пластин. Особенности жидкостного травления функциональных слоев.
реферат [237,4 K], добавлен 20.12.2013Рассмотрение принципов работы полупроводников, биполярных и полевых транзисторов, полупроводниковых и туннельных диодов, стабилитронов, варикапов, варисторов, оптронов, тиристоров, фототиристоров, терморезисторов, полупроводниковых светодиодов.
реферат [72,5 K], добавлен 14.03.2010Виды и обозначение диодов. Основные параметры выпрямительных диодов. Диоды Шоттки в системных блоках питания, характеристики, особенности применения и методы проверки. Проявление неисправностей диодов Шоттки, их достоинства. Оценка возможности отказа.
курсовая работа [52,6 K], добавлен 14.05.2012Главные этапы исторического развития современной радиоэлектроники. Широкое применение электронной вычислительной техники. Интеграция активных и пассивных элементов систем и устройств радиоэлектроники. Примечательные свойства радиоэлектронных средств.
реферат [30,5 K], добавлен 14.02.2016Физические элементы полупроводниковых приборов. Электрический переход. Резкий переход. Плоскостной переход. Диффузионный переход. Планарный переход. Явления в полупроводниковых приборах. Виды полупроводниковых приборов. Элементы конструкции.
реферат [17,9 K], добавлен 14.02.2003
