Тепломассообмен в радиоэлектронной аппаратуре
Интенсивность отказов в электронно-выпрямительных приборах, резисторах, полупроводниках, конденсаторах и микросхемах при повышении температуры. Значения коэффициента теплопроводности для различных веществ и материалов. Тепловой режим плоской пластины.
Рубрика | Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника |
Вид | лекция |
Язык | русский |
Дата добавления | 27.12.2013 |
Размер файла | 286,0 K |
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
HTML-версии работы пока нет.
Cкачать архив работы можно перейдя по ссылке, которая находятся ниже.
Подобные документы
Моделирование тепловых и механических процессов, протекающих в радиоэлектронной аппаратуре, их влияние на обеспечение аппаратурой штатных функций. Расчет показателей надежности приемно-вычислительного блока, анализ его конструктивных особенностей.
дипломная работа [5,5 M], добавлен 30.09.2016Выбор типа аналого-цифрового преобразователя на переключаемых конденсаторах. Структурная схема сигма-дельта модулятора. Генератор прямоугольных импульсов. Действующие значения напряжений и токов вторичных обмоток трансформатора, его параметры и значения.
курсовая работа [1,2 M], добавлен 08.03.2016Маркетинговый подход к разработке радиоэлектронной аппаратуре. Этапы разработки, испытания и вывода изделия на рынок. Отбор и оценка проектов научно-исследовательских и опытно-конструкторских работ. Особенности финансового анализа в процессе НИОКР.
презентация [268,5 K], добавлен 31.10.2016Определение интенсивности, частоты и вероятности отказов, времени безотказной работы, гарантийного срока службы радиоэлектронной аппаратуры с учетом ее режимов работы и условий эксплуатации. Расчет необходимого количества прилагаемых запасных элементов.
контрольная работа [76,0 K], добавлен 20.01.2016Изучение свойств германиевого и кремниевого выпрямительных полупроводниковых диодов при изменении температуры окружающей среды. Измерение их вольт-амперных характеристик и определение основных параметров. Расчет дифференциального сопротивления диода.
лабораторная работа [29,7 K], добавлен 13.03.2013Климатические и другие факторы внешней среды, влияющие на работу радиоэлектронной аппаратуры. Стойкость материалов, применяемых в аппаратуре, к действию вредных факторов. Воздействие на электронную аппаратуру радиации, пониженного давления, влаги, пыли.
реферат [505,1 K], добавлен 13.09.2010Экранирование электромагнитных полей. Процесс экранирования электромагнитного поля при падении плоской волны на бесконечно протяженую металлическую пластину. Экранирование узлов радиоэлектронной аппаратуры. Экранирование высокочастотных катушек, контуров.
реферат [120,2 K], добавлен 19.11.2008Изменение концентрации носителей и проводимости в приповерхностном слое полупроводника под действием электрического поля. Эффект поля в собственном и примесном полупроводниках. Механизмы рекомбинации носителей. Законы движения носителей в полупроводниках.
презентация [206,2 K], добавлен 27.11.2015Конструкционные проблемы теплового режима металлических пленок бескорпусных полупроводниковых интегральных микросхем: диаграмма нагрева и расчет надежности эскизного проекта. Интенсивность отказов конструкции и структуры проводника металлизации.
реферат [1,2 M], добавлен 13.06.2009Однокристальные микро-ЭВМ, предназначенные для использования в бытовой радиоэлектронной аппаратуре. Обоснование технических требований к устройству. Разработка структурной и принципиальной электрической схем устройства. Алгоритм управляющей программы.
курсовая работа [159,9 K], добавлен 19.06.2010