Розподіл електричного поля і контактні явища в широкозонних напівпровідниках і вузькозонних діелектриках
Історія назви кремнію, його поширення в природі, хімічні та фізичні властивості. Основні властивості діелектрика. Отримання промислового кремнію. Виробництво напівпровідникової техніки. Розрахунок кількості заряду в залежності від площі та густини заряду.
| Рубрика | Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника |
| Предмет | Електронна техніка. Матеріали |
| Вид | курсовая работа |
| Язык | украинский |
| Прислал(а) | rene.descartes |
| Дата добавления | 13.12.2013 |
| Размер файла | 1,3 M |
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
Подобные документы
Історія та походження назви золота, його хімічні властивості. Поширення в природі золота, його одержання, переваги, використання в промисловості. Розподіл електричного поля і контактні явища в широкозонних напівпровідниках і вузькозонних діелектриках.
курсовая работа [2,1 M], добавлен 30.01.2014Методи вирощування плівок термічного SiO2. Основні властивості диоксиду кремнію та меж розділу з напівпровідником та металом. Дослідження пористості плівок термічного SiO2. Електрофізичні характеристики структур.
дипломная работа [1,9 M], добавлен 08.08.2007Тунельний механізм переходу носіїв заряду. Розрахунок параметрів випрямного діода і біполярного транзистора, статичних характеристик польового транзистора з керуючим переходом. Визначення залежності генераційного струму p-n переходу від зворотної напруги.
курсовая работа [902,9 K], добавлен 23.01.2012Датчик як найважливіший елемент системи автоматичного регулювання, його призначення та основні сфери використання. Різновиди датчиків та їх відмінні властивості, вимоги. Передаточна функція термометра. Визначення початкового електричного опору датчика.
контрольная работа [383,1 K], добавлен 22.02.2011Фізичні властивості електроніки. Електрофізичні властивості напівпровідників. Пасивні елементи електроніки, коливальні контури, їх використання. Кремнієві стабілітрони: будова, принцип дії, галузі використання. Напівпровідникові діоди, схеми з’єднання.
учебное пособие [7,5 M], добавлен 16.10.2009Формування електричного кола із заданою конфігурацією. Проведення аналізу перехідних процесів для отримання дискретного сигналу. Обчислення інтегралу та перехідної від напруги. Визначення математичного очікування, відхилення, дисперсії та потужності.
контрольная работа [2,3 M], добавлен 10.05.2013Проектування керованого трифазного випрямляча електричного струму, його силової частини. Розробка схеми імпульсно-фазового керування: розрахунок вихідного каскаду, фазозсувного ланцюга, генератора напруги, компаратора, диференціюючої ланки, одновібратора.
курсовая работа [166,1 K], добавлен 22.12.2010Історія розвитку і перспективи застосування IP-телебачення, його можливості, проблеми розвитку в Україні. Призначення і властивості стеків протоколів TCP/IP. Порівняльна характеристика методів передачі трафіку. Основні правила роботи протоколу IGMP.
реферат [247,4 K], добавлен 30.01.2010Загальні відомості та принцип дії фототиристора. Зміна електричного опору напівпровідника під дією випромінення. Розрахунок параметрів фототранзистора на гетеропереходах. Спектральний розподіл фотоструму напівпровідників в області власного поглинання.
курсовая работа [2,4 M], добавлен 18.12.2009Розподіл діапазону частот приймача на піддіапазони. Розрахунок смуги пропуску фільтра зосередженої селекції останньої проміжної частоти. Узгодження вхідного пристрою з антеною. Розрахунок кількості перетворень та номіналів проміжних частот тракту.
контрольная работа [169,6 K], добавлен 05.02.2015
