Технология изготовления диффузионых резисторов на основе кремния

Диффузия - перенос атомов в результате теплового движения; распределение примеси. Объемные и диффузионные полупроводниковые резисторы. Определение концентрации донорной примеси в исходной пластине кремния; расчет коэффициентов диффузии для бора и фосфора.

Рубрика Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника
Предмет Процессы микро- и нанотехнологии
Вид курсовая работа
Язык русский
Прислал(а) Бэбка
Дата добавления 17.05.2013
Размер файла 698,7 K

Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже

Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.


Подобные документы

  • Технологический процесс изготовления полупроводниковой интегральной схемы ТТЛ. Расчет режимов базовой и эмиттерной диффузии, а также эпитаксии. Уточнение профиля распределения примеси в эмиттерной области. Определение точности изготовления резисторов.

    курсовая работа [2,6 M], добавлен 14.03.2014

  • Выбор материалов для изготовления интегрального усилителя. Расчет режима базовой диффузии, профиля распределения примеси в эмиттерной области, окисления при получении диэлектрических карманов и диэлектрической пленки, для создания защитной маски.

    курсовая работа [900,6 K], добавлен 09.09.2014

  • Физико-топологическая модель как модель расчета электрических параметров. Расчет распределения концентрации акцепторной и донорной примеси, скорости диффузии, расчет остальных параметров биполярного транзистора. Определение напряжения лавинного пробоя.

    реферат [433,1 K], добавлен 12.06.2009

  • Классификация резисторов. Обозначения и типы резисторов. Резисторы, выпускаемые промышленностью. Маркировка резисторов с проволочными выводами и SMD-резисторов. Дополнительные свойства резисторов. Зависимость сопротивления от температуры. Шум резисторов.

    лекция [131,5 K], добавлен 19.11.2008

  • Температурная зависимость концентрации равновесных носителей заряда в полупроводнике. Температуры ионизации донорной примеси и основного вещества в полупроводнике тока методом последовательных приближений. Электропроводность и удельное сопротивление.

    курсовая работа [271,8 K], добавлен 26.11.2009

  • Физико-химические основы процессов микроэлектроники. Распределение примесей после зонной плавки. Расчет распределения примеси в полупроводнике после диффузионного отжига при различных условиях диффузии. Нахождение положения электронно-дырочного перехода.

    курсовая работа [839,1 K], добавлен 30.10.2011

  • Классификация и конструкция светодиодов. Светодиоды на основе карбида кремния, на основе структур AIIIBV. Перспективы применения полупроводниковых светодиодов в качестве источников света для сигнализации, отображения и передачи информации, освещения.

    реферат [1,6 M], добавлен 20.10.2014

  • Основные понятия тонких пленок. Механизм конденсации атомов на подложке. Рост зародышей и формирование сплошных пленок. Расчет удельного сопротивления островка. Определение удельного сопротивления обусловленного рассеянием электронов на атомах примеси.

    курсовая работа [550,5 K], добавлен 31.03.2015

  • Группы полупроводниковых резисторов. Варисторы, нелинейность вольт. Толщина поверхностных потенциальных барьеров. Основные параметры варисторов и терморезисторов. Тензорезисторы и их деформационная характеристика. Измерение давлений и деформаций.

    лекция [68,4 K], добавлен 19.11.2008

  • Изучение температурной зависимости подвижности и проводимости носителей заряда в полупроводниках. Основные электрофизические свойства кремния и германия, мелкие акцепторные и донорные уровни. Спектральный диапазон оптической прозрачности чистого кремния.

    курсовая работа [266,1 K], добавлен 22.12.2014

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу.