Оптимізація технологічних процесів росту арсеніду галію зі заданими властивостями
Актуальність застосування напівпровідникових кристалів в сучасній твердотілій електроніці. Метод Чохральського - технологія вирощування монокристалів з тигля витягуванням із розплаву при повільному обертанні. Кристалографічні властивості сполук.
| Рубрика | Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника |
| Предмет | Технологічні основи електроніки |
| Вид | курсовая работа |
| Язык | украинский |
| Прислал(а) | Ховзун Ю.Я. |
| Дата добавления | 08.06.2014 |
| Размер файла | 2,4 M |
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
Подобные документы
Принципи отримання тонких плівок, вирощування кристалів методом Чохральського, обробка кристалів. Огляд технологій, які використовуються на підприємстві НВО "Термоприлад" під час виготовлення різноманітних електронних пристроїв вимірювання температури.
отчет по практике [1,0 M], добавлен 02.10.2014Ідея методу фазового спотворення, її головний зміст та значення. Фокусування випромінювання в умовах турбулентної атмосфери на об'єкт. Формування світлових пучків із заданими властивостями. Метод амплітудного зондування. Багатоканальна фазова модуляція.
реферат [208,4 K], добавлен 09.03.2011Властивості, характеристики та параметри сучасних електронних приладів. Принципи побудови найпростіших електронних пристроїв. Властивості та способи розрахунку схем. Вольтамперні характеристики напівпровідникових діодів, біполярних та польових транзисторі
контрольная работа [282,4 K], добавлен 27.04.2011Поняття про однотактні та багатотактні схеми, різниця між ними і основні відмінності. Карта Карно – один з графічних способів подання логічних функцій. Особливості мінімізації логічних виразів за його допомогою, принципи практичного застосування.
контрольная работа [430,2 K], добавлен 17.07.2013Проект двоканального симісторного регулятора потужності для теплоінерційних навантажень. Забезпечення захисту конструкції. Розрахунок конструктивно-технологічних параметрів плати. Розробка технологічних процесів виготовлення плати та приладу в цілому.
дипломная работа [2,3 M], добавлен 19.08.2012Мікроелектроніка як новий напрям електроніки, її основне питання. Планарна технологія виготовлення транзисторів, послідовність технологічних операцій. Інтегральна мікросхема (ІМС) як цілісний завершений радіоелектронний пристрій, плівкова технологія.
реферат [104,3 K], добавлен 03.05.2009Сутність і властивості напівпровідників, їх види. Основні недоліки напівпровідникових приладів, їх типи. Характеристика двохелектродної лампи-діода, її принцип роботи. Опис тріода, транзистора. Сфера використання фоторезистора, тетрода, світлодіода.
презентация [2,5 M], добавлен 06.06.2013Методи вирощування плівок термічного SiO2. Основні властивості диоксиду кремнію та меж розділу з напівпровідником та металом. Дослідження пористості плівок термічного SiO2. Електрофізичні характеристики структур.
дипломная работа [1,9 M], добавлен 08.08.2007Ефекти в напівпровідникових матеріалах, що виникають у магнітному полі. Геометрія зразків і положення контактів. Методи дослідження ефекту Холла. Магніторезистивний ефект. Універсальна установка для вимірювання параметрів напівмагнітних напівпровідників.
дипломная работа [2,6 M], добавлен 13.05.2012Аналіз конструкції та параметрів рамкових антен, їх класифікація. Особливості антен з покращеними властивостями. Розрахунок діаграми спрямованості, використання програми MMANA-GAL. Оптимізація геометричних розмірів приймальної хвилевої рамкової антени.
курсовая работа [4,2 M], добавлен 16.11.2010
