Оптимізація технологічних процесів росту арсеніду галію зі заданими властивостями

Актуальність застосування напівпровідникових кристалів в сучасній твердотілій електроніці. Метод Чохральського - технологія вирощування монокристалів з тигля витягуванням із розплаву при повільному обертанні. Кристалографічні властивості сполук.

Рубрика Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника
Предмет Технологічні основи електроніки
Вид курсовая работа
Язык украинский
Прислал(а) Ховзун Ю.Я.
Дата добавления 08.06.2014
Размер файла 2,4 M

Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже

Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.


Подобные документы

  • Принципи отримання тонких плівок, вирощування кристалів методом Чохральського, обробка кристалів. Огляд технологій, які використовуються на підприємстві НВО "Термоприлад" під час виготовлення різноманітних електронних пристроїв вимірювання температури.

    отчет по практике [1,0 M], добавлен 02.10.2014

  • Ідея методу фазового спотворення, її головний зміст та значення. Фокусування випромінювання в умовах турбулентної атмосфери на об'єкт. Формування світлових пучків із заданими властивостями. Метод амплітудного зондування. Багатоканальна фазова модуляція.

    реферат [208,4 K], добавлен 09.03.2011

  • Властивості, характеристики та параметри сучасних електронних приладів. Принципи побудови найпростіших електронних пристроїв. Властивості та способи розрахунку схем. Вольтамперні характеристики напівпровідникових діодів, біполярних та польових транзисторі

    контрольная работа [282,4 K], добавлен 27.04.2011

  • Поняття про однотактні та багатотактні схеми, різниця між ними і основні відмінності. Карта Карно – один з графічних способів подання логічних функцій. Особливості мінімізації логічних виразів за його допомогою, принципи практичного застосування.

    контрольная работа [430,2 K], добавлен 17.07.2013

  • Проект двоканального симісторного регулятора потужності для теплоінерційних навантажень. Забезпечення захисту конструкції. Розрахунок конструктивно-технологічних параметрів плати. Розробка технологічних процесів виготовлення плати та приладу в цілому.

    дипломная работа [2,3 M], добавлен 19.08.2012

  • Мікроелектроніка як новий напрям електроніки, її основне питання. Планарна технологія виготовлення транзисторів, послідовність технологічних операцій. Інтегральна мікросхема (ІМС) як цілісний завершений радіоелектронний пристрій, плівкова технологія.

    реферат [104,3 K], добавлен 03.05.2009

  • Сутність і властивості напівпровідників, їх види. Основні недоліки напівпровідникових приладів, їх типи. Характеристика двохелектродної лампи-діода, її принцип роботи. Опис тріода, транзистора. Сфера використання фоторезистора, тетрода, світлодіода.

    презентация [2,5 M], добавлен 06.06.2013

  • Методи вирощування плівок термічного SiO2. Основні властивості диоксиду кремнію та меж розділу з напівпровідником та металом. Дослідження пористості плівок термічного SiO2. Електрофізичні характеристики структур.

    дипломная работа [1,9 M], добавлен 08.08.2007

  • Ефекти в напівпровідникових матеріалах, що виникають у магнітному полі. Геометрія зразків і положення контактів. Методи дослідження ефекту Холла. Магніторезистивний ефект. Універсальна установка для вимірювання параметрів напівмагнітних напівпровідників.

    дипломная работа [2,6 M], добавлен 13.05.2012

  • Аналіз конструкції та параметрів рамкових антен, їх класифікація. Особливості антен з покращеними властивостями. Розрахунок діаграми спрямованості, використання програми MMANA-GAL. Оптимізація геометричних розмірів приймальної хвилевої рамкової антени.

    курсовая работа [4,2 M], добавлен 16.11.2010

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу.