Малошумящий интегральный усилитель

Особенности проектирования малошумящего полевого транзистора с затвором Шоттки, определение толщины его обедненной области, значения порогового напряжения перекрытия канала и геометрических размеров. Разработка конструкции и топологии кристалла.

Рубрика Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника
Вид курсовая работа
Язык русский
Дата добавления 22.08.2013
Размер файла 748,2 K

Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже

Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.


Подобные документы

  • Проектирование малошумящего полевого транзистора с затвором Шоттки. Расчет геометрических размеров конденсаторов и резисторов. Разработка технологии изготовления кристалла. Создание защитного слоя диэлектрика, проводящих дорожек и контактных площадок.

    курсовая работа [5,8 M], добавлен 19.01.2016

  • Особенности проектирования и расчета интегрального МОП-транзистора. Структура и граничная частота n-канального транзистора. Расчет порогового напряжения. Определение геометрических размеров канала. Характеристика параметров областей истока и стока.

    курсовая работа [206,7 K], добавлен 16.02.2016

  • Разработка конструкции, топологии и технологического процесса интегральной микросхемы по заданной электрической схеме. Топологический расчет транзистора и полупроводникового кристалла. Расчет геометрических размеров резисторов и конденсаторов.

    курсовая работа [1,3 M], добавлен 18.02.2010

  • Разработка усилителя в однокристальном исполнении. Использование полевых транзисторов в качестве активных элементов. Обеспечение минимизации дифференциального коэффициента шума в полосе рабочих частот. Влияние входного сопротивления на коэффициент шума.

    контрольная работа [472,7 K], добавлен 24.05.2015

  • Характеристики интегрального n-канального МДП-транзистора: технологический маршрут, структура, топология. Расчет и корректировка порогового напряжения транзистора с учетом эффектов короткого и узкого канала. Параметры малосигнальной эквивалентной схемы.

    курсовая работа [696,8 K], добавлен 25.11.2014

  • Определение удельной емкости между затвором и подложкой. Равновесный удельный поверхностный заряд. Напряжение спрямления энергетических зон. Потенциал уровня Ферми. Крутизна МДП-транзистора в области насыщения. Расчет максимальной рабочей частоты.

    контрольная работа [716,5 K], добавлен 13.08.2013

  • Шумовые характеристики СВЧ-устройств. Малошумящий усилитель, применяемый для уменьшения шума и повышения чувствительности конвертора. Основные требования к малошумящему усилителю. Работа усилителей, собранных на арсенид-галиевых полевых транзисторах.

    реферат [25,0 K], добавлен 01.04.2011

  • Методика расчета геометрических размеров элементов схемы широкополосного усилителя, его основные конструктивные и технико-эксплуатационные характеристики. Особенности конструирования и анализ эскиза топологии усилителя с помощью пакета программ AutoCAD.

    курсовая работа [324,3 K], добавлен 01.11.2010

  • Разработка усилителя слабых сигналов в виде интегральной микросхемы (ИМС) в корпусе. Выбор технологии изготовления. Расчет геометрических размеров и топологии элементов интегральной микросхемы. Выбор навесных компонентов, типоразмера платы и корпуса.

    курсовая работа [381,0 K], добавлен 29.10.2013

  • Конструкция интегральной микросхемы на транзисторах. Преобразование и обработка входного сигнала. Технические условия для интегральных микросхем р-канального полевого транзистора с изолированным затвором. Нанесение пленки алюминия и фотолитография.

    контрольная работа [1,8 M], добавлен 07.05.2013

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу.