контрольная работа  Моделювання станів транзистора 2Т909Б

Дослідження характеру залежності струму колектора від напруги на колекторно-емітерному переході і струму бази для вихідних вольт-амперних характеристик транзистора. Використання досліджуваного транзистора 2Т909Б у широкосмугових підсилювачах потужності.

Нажав на кнопку "Скачать архив", вы скачаете нужный вам файл совершенно бесплатно.
Перед скачиванием данного файла вспомните о тех хороших рефератах, контрольных, курсовых, дипломных работах, статьях и других документах, которые лежат невостребованными в вашем компьютере. Это ваш труд, он должен участвовать в развитии общества и приносить пользу людям. Найдите эти работы и отправьте в базу знаний.
Мы и все студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будем вам очень благодарны.

Чтобы скачать архив с документом, в поле, расположенное ниже, впишите пятизначное число и нажмите кнопку "Скачать архив"

                                             
   ##      ####    ######    ####      ####  
  ###     ##  ##   ##  ##   ##  ##    ## ##  
 ####     ##  ##      ##     ####    ##  ##  
   ##     ##  ##     ##     ##  ##   ####### 
   ##     ##  ##     ##     ##  ##       ##  
 ######    ####      ##      ####        ##  
                                             

Введите число, изображенное выше:

Рубрика Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника
Вид контрольная работа
Язык украинский
Дата добавления 31.07.2010
Размер файла 1,0 M

Подобные документы

  • Тунельний механізм переходу носіїв заряду. Розрахунок параметрів випрямного діода і біполярного транзистора, статичних характеристик польового транзистора з керуючим переходом. Визначення залежності генераційного струму p-n переходу від зворотної напруги.

    курсовая работа [902,9 K], добавлен 23.01.2012

  • Принцип роботи біполярного транзистора, його вхідна та вихідна характеристики. Динамічні характеристики транзистора на прикладі схеми залежності напруги живлення ЕЖ від режиму роботи транзистора. Динамічний режим роботи біполярного транзистора.

    лабораторная работа [263,7 K], добавлен 22.06.2011

  • Огляд схемотехніки електронних ключів на польових транзисторах. Розрахунок підсилювального каскаду із спільним емітером, автоколивального мультивібратора, генератора напруги, синхронного тригера. Знаходження теплового струму колектора. Вибір транзистора.

    курсовая работа [656,0 K], добавлен 10.01.2015

  • Принцип действия и основные физические процессы в транзисторе. Дифференциальные коэффициенты передачи токов транзистора. Вольт-амперные статические характеристики и параметры. Методика снятия семейства статических характеристики биполярного транзистора.

    лабораторная работа [142,9 K], добавлен 08.11.2013

  • Устройство полевого транзистора: схемы включения и параметры. Эквивалентная схема, частотные и шумовые свойства. Устойчивость полевого транзистора при работе в диапазоне температур (тепловые параметры). Вольт-амперные характеристики транзистора.

    реферат [174,3 K], добавлен 27.05.2012

  • Призначення, характеристики, основні вимоги до проектування та вибір режиму роботи резонансного підсилювача потужності. Вибір транзистора та схеми підсилювача, вольт-амперні характеристики транзистора. Схема резонансного підсилювача та його розрахунок.

    курсовая работа [87,2 K], добавлен 30.01.2010

  • Исследование статических характеристик биполярного транзистора, устройство и принцип действия. Схема включения p-n-p транзистора в схеме для снятия статических характеристик. Основные технические характеристики. Коэффициент обратной передачи напряжения.

    лабораторная работа [245,9 K], добавлен 05.05.2014

  • Характеристики интегрального n-канального МДП-транзистора: технологический маршрут, структура, топология. Расчет и корректировка порогового напряжения транзистора с учетом эффектов короткого и узкого канала. Параметры малосигнальной эквивалентной схемы.

    курсовая работа [696,8 K], добавлен 25.11.2014

  • Компоненты вычислительных устройств. Повышение процессов обработки информации. Получение конструкции трехмерного транзистора. Уменьшение размера транзистора. Уменьшение емкости транзистора путем добавления слоя диэлектрика. Использование SOI-транзисторов.

    статья [298,1 K], добавлен 08.05.2014

  • Биполярные транзисторы, режимы работы, схемы включения. Инверсный активный режим, режим отсечки. Расчет h-параметров биполярного транзистора. Расчет стоко-затворных характеристик полевого транзистора. Определение параметров электронно-лучевой трубки.

    курсовая работа [274,4 K], добавлен 17.03.2015

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу.