Полевой эффект и его применение
Эффект поля в Германии при высоких частотах, применение эффекта поля. Дрейфовый и диффузный токи в полупроводниках. Образование обедненных, инверсионных, обогащенных слоев в полупроводнике. Характеристики полевого транзистора, приборы с зарядовой связью.
| Рубрика | Физика и энергетика |
| Вид | курсовая работа |
| Язык | русский |
| Дата добавления | 24.07.2010 |
| Размер файла | 4,4 M |
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
0,07
4,50
3,65
2,65
1,55
1,05
0,45
0,10
4,55
3,85
2,70
1,73
1,15
0,47
0,15
4,54
3,84
2,70
1,75
1,14
0,52
0,14
4,60
3,86
2,71
1,76
1,13
0,49
0,14
4,60
3,86
2,71
1,77
1,15
0,49
0,14
Рисунок 60. График зависимости тока стока IС от напряжения сток-истокUСИ при постоянном напряжении затвор-исток UЗИ при t=35єC.
Таблица 12. Стоковые характеристики полевого транзистора КП303Г при t=59С.
|
Напряжение сток-исток UСИ, В |
1 |
4 |
7 |
8 |
9 |
10 |
||
|
Ток стока IС, мА, при напряжении затвор-исток UЗИ, В. |
00,30,60,91,21,51,8 |
3,473,002,751,940,900,200,05 |
3,573,102,802,001,050,300,05 |
4,273,873,452,691,450,500,07 |
4,544,003,522,701,500,540,10 |
4,534,013,532,721,510,530,10 |
4,554,003,552,751,500,550,09 |
Рисунок 61. График зависимости тока стока IС от напряжения сток-истокUСИ при постоянном напряжении затвор-исток UЗИ при t=27єC.
Для расчета активной выходной проводимости полевого транзистора КП303Г воспользуемся формулой (64)
еg
еg=20%
1.
2.
3.
4.
5
6.
Таблица 13 Активная выходная проводимость транзистора КП303Г.
|
№ ; t,С |
Активная выходная проводимость g, мА/В. |
g±?g, мА/В. |
|
|
1, при t=20є С. |
0,060 |
0,06±0,01 |
|
|
2, при t=59є С. |
0,025 |
0,025±0,005 |
|
|
3, при t=40є С. |
0,030 |
0,030±0,006 |
|
|
4, при t=33є С. |
0,044 |
0,044±0,009 |
|
|
5, при t=27є С. |
0,050 |
0,05±0,01 |
|
|
6, при t=25є С. |
0,057 |
0,057±0,011 |
Вывод
В ходе эксперимента по полученнчм данным была найдена активная выходная проводимость g при различных температурах. Она была определенна по наклону стоковой характеристики в области насыщения. Активная выходная проводимость полевого транзистора КП303Г при температуре t=20єС имеет следующее значение:
, при еg=20%.
Теоретически ожидаемое значение проводимости составляет g теор= 0,07 мА/В.Полученные данные согласуются с теоретически ожидаемыми.
В ходе изучения зависимости стоковых характеристик от температуры было выяснено:с увеличением температуры наблюдалось изменение тока стока Ї ток стока уменьшается с увеличением температуры.
Литература
1. Автоматизация и проектирование матричных КМОП БИС. М.: Радио и связь,1991.-256с.
2. Андреев В.А. Мощный полевой транзистор./Что нового в науке и технике,2005.-34-37стр
3. Ансельм А.И. Введение в теорию полупроводников. М.: Советское радио,1978.-354с.
4. Быков Р.Е. и др. Телевидение- Москва: Высшая школа,1990.-167с.
5. Викулин И.М. Стафеев В.И. Физика полупроводниковых приборов. - М.: Радио и связь,1990.-264с.
6. Воробьев Ю.В. и др. Методы исследования полупроводников - Киев: Высшая школа,1988.-230с.
7. Гергель В.А. Зеленый А.П. Особенности перезарядки поверхностных состояний в МДП-структурах./Микроэлектроника,1998.-93-94стр.
8. Ефимов И. Е. и др. Микроэлектроника: проектирование, виды микросхем, функциональная микроэлектроника. М.: Высшая школа,1987.- 416с.
9. Жеребцов И.П. Основы Электроники. - Л.:Эноргоатомиздат,1990.- 352с.
10. Зи С. Физика полупроводниковых приборов: в 2-х книгах М.:Мир,1984.-456с.
11. Игнатов А.Н. Полевые транзисторы и их применение. - М.: Радио и связь,1984.-217с.
12. Кобболд Р. Теория и применение полевых транзисторов.-Л.:Энергия,1975.-304с.
13. Майоров С.А. Полевые транзисторы, технологии и их применение. - М.: Советское радио,1971.-230с.
14. Митрофанов О.В. и др. Микроэлектроника. - М.: Высшая школа,1987.-212с
15. Неизвестный С.И. И Никулин О.Ю. Приборы с зарядовой связью. Устройство и основные принципы действия./Электротехника,2005.- 14-20стр.
16. Неизвестный С.И. И Никулин О.Ю.Важные свойства, основные характеристики ПЗС и телесистема на их основе ./Электротехника,2005.- 14-20стр.
17. Носов Ю.Р. и др. Полупроводниковые приборы с зарядовой связью. - М.: Советское радио,1976.-144с.
18. Пасынков В.В. и др. Полупроводниковые приборы.- М.: Высшая школа, 1987.-479с.
19. Пикуса Г.Е. Физика поверхности полупроводников. - М.: Издательство иностранной литературы,1959.-432с.
20. Приборы с зарядовой связью.(Сборник статей)-М.:Знание,1983.-63с.
21. Рембеза С.И. Методы исследования основных параметров полупроводников.- Воронеж: Издательство Воронежского университета,1989.-221с.
22. Ричман П. Физические основы полевых транзисторов с изолированным затвором.- М.: Советское радио, 1971.-142с.
23. Севин Л.И. Полевые транзисторы. М.: Советское радио,1968.-184с.
24. Столярский Э. Измерение параметров транзисторов. М.: Советское радио,1989.-234с.
25. Сыноров В.Ф. Чистов Ю.С. Физика МДП-структур. В.: Издательство воронежского университета,1989.-223с.
26. Физическая энциклопедия 4т.Гл. редактор Прохоров А.М. М.: Большая российская энциклопедия,1994.-704с.
27. Шалимова К.В. Физика полупроводников. - М.:Энергия,1971.- 312с.
28. Эндерлайн Р. Микроэлектроника для всех. Введение в мир интегральных микросхем: основы функционирования, технология изготовления и применения. М.: Мир, 1989.-192с.
Подобные документы
Свойства сверхпроводящих материалов. Определение электрического сопротивления и магнитной проницаемости немагнитных зазоров. Падение напряженности магнитного поля по участкам. Условия для работы устройства. Применение эффекта Мейснера и его изобретение.
научная работа [254,2 K], добавлен 20.04.2010Объяснение эффекта Холла с помощью электронной теории. Эффект Холла в ферромагнетиках и полупроводниках. Датчик ЭДС Холла. Угол Холла. Постоянная Холла. Измерение эффекта Холла. Эффект Холла при примесной и собственной проводимости.
курсовая работа [404,9 K], добавлен 06.02.2007Поверхностный эффект, ослабевания электромагнитных волн по мере их проникновения вглубь проводящей среды. Причины скин-эффекта. Комплексное сопротивление на единицу длины проводника. Борьба с эффектом. Применение катушки Тесла для обогрева трубопроводов.
реферат [477,4 K], добавлен 25.12.2012Принцип работы полевого транзистора. Стоковые характеристики транзистора. Причина насыщения в стоковой характеристике полевого транзистора. Устройство полевого транзистора с управляющим p-n-переходом. Инверсия типа проводимости.
лабораторная работа [37,8 K], добавлен 20.03.2007Научная деятельность Йоханнеса Штарка. Эффект, названный именем ученного, - расщепление спектральных линий испускания при воздействии сильного электрического поля на источник излучения. Его техническая реализация, обоснование и количественный анализ.
курсовая работа [662,7 K], добавлен 16.09.2011Геометрия эксперимента по наблюдению эффекта Холла. Идеальный датчик Холла, свойства и технология изготовления. Внутренняя схема линейного датчика Холла и график его характеристики преобразования. Конструкции датчиков тока. Расходомер, принцип действия.
курсовая работа [998,0 K], добавлен 18.05.2012Сущность внутреннего фотоэффекта. Фотопроводимость при наличии поверхностной рекомбинации и диффузии носителей заряда. Эффект Дембера. Измерение фотоэлектромагнитного эффекта. Особенности p-n переходов в полупроводниках, барьер Шоттки для электронов.
курсовая работа [788,8 K], добавлен 27.11.2013Понятие кристаллической (пространственной) решетки. Кристаллическая структура эффекта. Области применения промышленных пьезопленок. Обратный пьезоэлектрический эффект. Использование пьезоэлектрических кристаллов для получения электрической энергии.
курсовая работа [833,1 K], добавлен 14.04.2014Сущность механизма электропроводности. Волновая функция электрона в кристалле. Квазиимпульс и эффективная масса носителей заряда. Статистика электронов и дырок в полупроводнике. Структуры металл-диэлектрик-полупроводник. Энергонезависимые элементы памяти.
курсовая работа [697,7 K], добавлен 14.02.2016Двойное лучепреломление под влиянием внешних воздействий: механических деформациях тел, электрического поля (эффект Керра), магнитного поля (явление Коттон-Мутона). Явление вращения плоскости поляризации в теории Френеля, сущность эффекта Фарадея.
реферат [39,9 K], добавлен 17.04.2013
