Люминесценция

Уровни свободного иона. Мощность поглощения планковской радиации. Универсальное соотношение между спектрами поглощения и люминесценции. Параметры экситонов в различных полупроводниковых материалах. Образование центров люминесценции в результате прогрева.

Рубрика Физика и энергетика
Вид курсовая работа
Язык русский
Дата добавления 10.06.2011
Размер файла 1,3 M

Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже

Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.

В чистых щелочно-галоидных кристаллах при их прогреве, независимо от того, происходит ли он при выращивании из расплава или же при термической обработке готового кристалла, образуются высокостабильные центры люминесценции. Многокомпонентность реакции их образования свидетельствует о том, что данные дефекты не элементарны.

Список литературы

С. И. В а в и л о в. Вступительное слово на совещании по вопросам люминесценции, созванном физико-математическим отделением АН СССР 5--10 октября 1944 г. Собр. соч., 2, 186, 1952.

Б. И.Степанов, П. а. А п а н а с е в и ч. О классификации вторичного свечения. ДАН СССР, 116, 772, 1957.

Б. И. Степанов, А. П. А п а н а с е в и ч. О понятиях фотолюминесценции и рассеяния. Изв. АН СССР, сер. физич., 22, 1380, 1958.

Б. И. Степанов, П. А. А п а н а с е в и ч. Классификация вторичного свечения. Опт. и спектр., 7, 437, 1959.

К- К- Ребане. Элементарная теория колебательной структуры спектров примесных центров кристаллов. М., «наука», 1968.

Е. Ф. Г р о с с, С. А. П е р м о г о р о в, в. в. т р а в н и к о в, А. В. Селькин. Вторичное свечение экситонов в кристаллах CdS. Сб. «Физика примесных центров в кристаллах». Таллин, Изд-во АН ЭССР, 1972, стр. 627.

М. н. Аленцев, В. В. Антонов-Романовский, Б. И. Степанов, М. В. Фок. О выходе резонансной флуоресценции атомов. ЖЭТФ, 28, 253, 1955.

Б. И. Степанов. Универсальное соотношение между спектрами поглощения и люминесценции сложных молекул. ДАН СССР, 112, 839, 1957.

Н. А. Б о р и с е в и ч. Возбужденное состояние сложных молекул в газовой фазе. Минск, «Наука и техника», 1967.

Б. И. Степанов. О границах применимости универсального соотношения между спектрами поглощения и люминесценции сложных молекул. ЖПС, 17, 245, 1972.

Б. И. Степанов, В. П. Грибковский. Об аналогии оптических свойств сложных молекул и полупроводников. Опт. и спектр., 27, 583, 1969.

Б. И. Степанов, В. П. Грибковский. Применение понятия химического потенциала для описания оптических свойств сложных молекул. Изв. АН СССР, сер. физич., 34, 513, 1970.

В. П. Грибковский, Б. И. Степанов. Универсальное соотношение между спектрами поглощения и люминесценции в полупроводниках при больших интенсивностях возбуждения. ДАН СССР, 183, 67,

- 1968.

W. Van Roosbroeck, W. Shoe lev. Photon-radiative recombination of electrons and holes in germanium. Phys. Rev., 94, 1558, 1954; Проблемы физики полупроводников. M., ИЛ, 1957, стр. 122.

Y. P. Varshni. Band-to-band radiative recombination in groups IV, VI, and III-- V semiconductors. I. Phys. Status. Solidi, 19, 459, 1967. Band-to-band radiative recombination in groups IV, VI and III--V semiconductors. II. Phys. Status. Solidi, 20, 9, 1967. Излучательная рекомбинация в полупроводниках. М., «Наука», 1972, стр. 9--124.

В. В. Антонов-Романовский, Б. И. Степанов, М. В. Фок, А. П. X а п а н ю к. Выход люминесценции системы частиц с тремя уровнями энергии. ДАН СССР, 105, 50, 1955.

Б. И. Степанов. Отрицательная люминесценция н отрицательный фотоэффект. Опт. и спектр., 1, 125, 1956.

Б. И. Степанов. Отрицательная люминесценция. Тр. Ин-та физики и матем. АН БССР, вып. 1, Минск, 1956, стр. 46.

Б. И. Степанов. Основы спектроскопии отрицательных световых потоков. Минск, Изд-во Б ГУ, 1961.

Б. И. С т е п а н о в, Я- С. X в а щ е в с к а я. Получение спектров поглощения с помощью холодных источников света. ДАН СССР, 116, 588, 1957.

Б. И. Степанов, Я- М. Хващевская. Спектроскопия отрицательных потоков лучистой энергии. Изв. АН СССР, сер. физич., 22, 1089, 1958.

С. М. Рывкин. Фотоэлектрические явления в полупроводниках. М., Физматгиз, 1963.

С И. Вавилов. Выход флуоресценции растворов красителей. Собр. соч., i. М., Изд-во АН СССР, 1954, стр. 150.

С. И. Вавилов. Выход люминесценции растворов красителей в зависимости от длины волны возбуждающего света. Собр. соч., I. М., Изд-во АН СССР, 1954, стр. 222.

СИ. Вавилов. Выход и длительность флуоресценции. Собр. соч., i. М., Изд-во АН СССР, 1954, стр. 424.

В. Л. Левшин. Фотолюминесценция жидких и твердых веществ. М., ГИТТЛ, 1951.

Б. И. Степанов. Люминесценция сложных молекул. Минск, Изд-во АН БССР, 1955.

В. Л. Левшин. Замечания о понятиях «выход», «средняя длительность» и «закон затухания» люминесценции и их применение. Опт. и спектр., 11, 362, 1961.

G. С. Dousmanis, С. W. Mueller, Н. Nelson, К. G. Petrin-g е г. Evidence of refrigerating action by means of photon emission in semiconductor diodes. Phys. Rev., 133A, 316, 1964.

M. A. We in stein. Thermodynamic Limitation on the conversion of heat into light. JOSA, 50, 594, 1960.

Ю. H. Николаев, M. В. Фок. Принципы преобразования электрической энергии в световую. Тр. Физич. института АН СССР, 50, 106, 1970.

С. И. Вавилов. Люминесценция и ее длительность. Собр. соч., 2. М., Изд-во АН СССР, 1952, стр. 293.

Ф. А. Бута ев а, В. А. Фабрикант. Влияние параметров разряда на интенсивность линий 1850 и 2537 А в люминесцентных лампах. Изв. АН СССР, сер. физич., 13, 271, 1949.

Ф. А. Бутаева, В. А. Фабрикант. Чувствительность люминофоров для люминесцентных ламп в коротковолновом ультрафиолетовом излучении. Изв. АН СССР, сер. физич., 21, 541, 1957.

Методы расчета оптических квантовых генераторов под ред. Б. И. Степанова, т. i. Минск, «Наука и техника», 1966.

К- И. Б р и ц ы н, В. С. Вавилов. О процессе фотоионизации в кремнии. Опт. и спектр., 8, 851, i960.

И. Н. Б р о н ш т е й н, К. А. С е м е н д я е в. Справочник по математике. М., «Наука», 1964.

В. П. Г р и б к о в с к и й, П. А. А п а н а с е в и ч, Б. И. С те па но в. Оптические свойства гармонического осциллятора. Тр. Ин-та физики и матем. АН БССР, вып. 3, 131, 1959.

Р. Бью б. Фотопроводимость твердых тел. М., ИЛ, 1962.

A. Many, R. Bray. Life time of excess carriers in semiconductors. Prog. Semicond., 3, 117, 1958.

А. Э. Ю н о в и ч. Излучательная рекомбинация в р--re-переходах в полупроводниках. Сб. «Инжекционная электролюминесценция». Тарту, Изд-во ТГУ, 1968.

w. P. Dumke. Spontaneous radiative recombination in semiconductors. Phys. Rev., 105, 139, 1957.

w. P. Dumke. Optical transitions involving impurities in semiconductors. Phys. Rev., 132, 1998, 1963.

P. E. Landsberg. A contribution to the recombination statistics of excess carriers in semiconductors. Proc. Phys. Soc, B70, 282, 1957.

Г. С. Л а н д с б e p г. Оптика. M., ГИТТЛ, 1952.

P. Дитиберн. Физическая оптика. M., «Наука», 1965.

П. П. Феофилов. Поляризованная люминесценция атомов, молекул и кристаллов. М., Физматгиз, 1959.

A. Yablonskii. Zur Theorie der Polarisation der photolumineszenz von Forbstofflosungen. Ztschr. f. Physik, 96, 236, 1936.

С. И. Вавилов. Природа элементарных осцилляторов н поляризация фотолюминесценции. Собр. соч., 2. М., Изд-во АН СССР, 1952.

Б. И. Степанов, В. П. Г р и б к о в с к и й. Введение в теорию люминесценции. Минск, Изд-во АН БССР, 1963

Грибковский В.П., Теория испускания и поглощения света в полупроводниках, Минск, 1975

Кочубей В. И., «Формирование и свойства центров люминесценции в щелочно-галоидных кристаллах», М. : Физматлит, 2006. - 188 с

Размещено на Allbest.ru


Подобные документы

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу.