Разработка конструкции передатчика частотно-модулированных колебаний
Выбор оптимального варианта структурной схемы передатчика, синтез его функциональной схемы. Характеристика транзисторного автогенератора, фазового детектора, усилителей постоянного тока и мощности, опорного генератора. Расчет автогенератора и модулятора.
Рубрика | Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника |
Вид | курсовая работа |
Язык | русский |
Дата добавления | 16.01.2013 |
Размер файла | 133,3 K |
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
Размещено на http://www.allbest.ru/
Техническое задание
1. Разработать конструкцию передающего устройства со следующими характеристиками:
Рабочая частота: 66.5 МГц
Допустимая нестабильность частоты: 30 Гц
Вид передаваемой информации: аналоговый
Полоса передаваемых частот: 40…15000 Гц
Допустимый уровень нелинейных искажений: 1%
Вид модуляции: ЧМ
Максимальная девиация частоты: ±50 кГц
Уровень побочных излучений: - 41 дБ
Выходная мощность: 1 Вт
Тип аппаратуры: группа 1 по ГОСТ 16019-78
Содержание
Введение
1. Выбор структурной схемы устройства. Синтез функциональной схемы
2. Выбор функциональных блоков
3. Расчетная часть
3.1 Расчет автогенератора и модулятора
3.2 Расчет усилителя мощности
Заключение
Список используемой литературы
Приложение
Введение
Радиопередающими называют устройства, предназначенные для выполнения двух основных функций - генерации электромагнитных колебаний высокой или сверхвысокой частоты и их модуляции в соответствии с передаваемым сообщением. Радиопередающие устройства входят в состав радиокомплексов, содержащих, кроме того, антенны, радиоприемные и различные вспомогательные устройства.
Радиопередатчики классифицируют по назначению, условиям эксплуатации, выходной мощности, частоте, виду модуляции и т.д. По выходной мощности передатчики могут быть разделены на маломощные (выходная мощность - десятки милливатт), средней мощности (сотни милливатт - десятки ватт) и мощные (сотни ватт - единицы киловатт); по частоте - на высокочастотные (частота менее 300 МГц) и сверхвысокочастотные(частота более 300 МГц).
В связи с быстрым ростом сети радиопередающих станций, резким ужесточением требований электромагнитной совместимости (ЭМС) радиоэлектронных устройств, повышением требований к качеству и надежности их работы особое внимание необходимо уделить использованию новейших достижений отечественной и зарубежной техники в области радиопередатчиков.
1. Выбор структурной схемы устройства. Синтез функциональной схемы
Передатчик частотно-модулированных колебаний можно реализовать по нескольким типовым схемам. Схема, изображенная на рис.1, предполагает модуляцию частоты задающего генератора и умножение частоты (УЧ) в последующих каскадах передатчика. Управляя частотой кварцевого генератора можно получить долговременную нестабильность частоты 10-5 …10-6, однако относительный диапазон управления частотой невелик и составляет 10-3…10-4.
Размещено на http://www.allbest.ru/
Рис 1
От этого недостатка свободна схема изображенная на рис. 2.
Размещено на http://www.allbest.ru/
Рис.2
Схема представляет собой передатчик, для стабилизации средней частоты которого используется система фазовой автоподстройки частоты (ФАПЧ). Здесь модуляция осуществляется в модулируемом генераторе(МГ), частота которого стабилизируется при помощи опорной частотой высокостабильного кварцевого генератора (ЗГ). Для того чтобы ФАПЧ не ослабляла полезной модуляции, обратную связь в системе на частотах Fmin<F<Fmax исключают с помощью фильтра нижних частот (ФНЧ).
На основе второй схемы построим функциональную схему передатчика, изображенную на рис.3.
Размещено на http://www.allbest.ru/
Рис. 3
Частота среза ФНЧ выбирается меньше минимальной частоты спектра модулирующего сигнала. Изменение частоты модулируемого генератора осуществляется с помощью варикапов.
2. Выбор функциональных блоков
1. Модулируемый генератор (рис.4)
В качестве генератора используется транзисторный автогенератор с емкостной ОС и дополнительной емкостью С3 в индуктивной ветви (схема Клаппа). Резонатор в схеме образован элементами L, С1, С2, С3. Rсм - сопротивление автосмещения.
Модуляция генератора осуществляется с помощью варикапа VD.
Рис.4
2. Фазовый детектор и ФНЧ
Наибольшее практическое применение находит схема балансного фазового детектора (рис.5)
Рис.5
3. Усилитель постоянного тока (рис.6).
В качестве УПТ применяется схема дифференциального усилителя. Достоинство схемы в том, что она позволяет установить на выходе некоторое значение напряжения обеспечивающее начальное смещение корректирующего варикапа.
Рис.6
4. Опорный генератор (рис.7)
Представленная схема предназначена для возбуждения колебаний на механической гармонике кварца. Точная настройка на требуемую частоту осуществляется с помощью подстроечного конденсатора С3.
Рис.7
5. Усилитель мощности (рис.8)
На рис.8 приведена одна из возможных схем усилителя мощности на биполярном транзисторе с общим эмиттером.
Здесь С1, L1 - входная ЦС; С2, L2, С3, С4 - выходная.
Рис.8
3. Расчетная часть
3.1 Расчет автогенератора и модулятора
передатчик транзисторный автогенератор усилитель
1. Выберем транзистор малой мощности КТ331 с граничной частотой ft = 250 МГц. Его паспортные данные: Ск = 5 пФ, Сэ = 8 пФ; фос = 120 пс; uотс = 0,6 В; uкдоп = 10 В; iкдоп = 20 мА; uбдоп = 4В; Рдоп = 15 мВт; Sгр = 10 мА/В. Считаем, что средний коэффициент усиления тока В = 20.
Граничные частоты
fв = ft/В = 12,5 МГц,
fб = ft +fв = 262 МГц.
Активная часть коллекторной емкости
Ска = Ск/2 = 2,5 пФ
и сопротивления потерь в базе
rб = фос / Ска = 480 Ом.
Так как fmax = 66,5 МГц, что больше 0,5fв, то ля ослабления влияния инерционности транзистора на энергетические параметры УМ применим цепь коррекции вида:
Рис. 9
2. Расчет корректирующей цепочки:
? 39 Ом; R3 = = 79 Ом;
Скор = ? 15,5 пФ; R'кор = =26 Ом.
Принимаем R'кор = 27 Ом в соответствии со стандартным рядом сопротивлений. Крутизна переходной характеристики транзистора с коррекцией Sк 1/ R'кор = 0,038 А/В.
3. Расчет электрического режима. Выбираем iк max = 0,5iк доп = 16 мА; Uк0=0,4, uкдоп = 4,5 В; Кос = 0,5; и = 60°; тогда б0 = 0,218; б1 = 0,391; г0 = 0,109; cosи=0,5.
Рассчитаем основные параметры генератора:
Iк1 = б1 iк max ? 6,3 мА; Iк0 = б0 iк max ? 3,5 мА
= = 0,8 В; Uк1= =1,6 В;
Rк = Uк1/Iк1 = 264 Ом; Р1 = 0,5Uк1Iк1 = 4 мВт;
Р0 = Uк0Iк0 = 15 мВт; Ррас = Р0 - Р1 =13 мВт < Рдоп = 15 мВт;
з=Р1/Р0 = 17%; Eсм = uотс -cosи = 0,2 В;
|Eсм -| < uбдоп = 3В; о = Uк1/Uк0 =0,2;
огр = 1-iк max/(SгрUк0) = 0,82; о < 0,5огр.
4. Расчет резонатора. В диапазоне частот 10 … 30 МГц оптимальные значения индуктивности контура L = 1… 10 мкГн. Выбираем L = 1 мкГн с добротностью QL = 125. Считаем, что Q0 ? QL. Вычислим параметры элементов резонатора:
с=щрL = 417 Ом; С? = = 5,8 пФ;
Rр = сQ0 = 42 кОм; р == 0,056;
= C?/p = 103 пФ; С1 = /Кос = 206 пФ;
С3=(1/С?-1/C1-1/)-1 = 7 пФ.
5. Расчет емкостей Ссв и С2. Чтобы сопротивление нагрузки , пересчитанное к выходным электродам транзистора, не снижало заметно добротность контура, примем ?3Rк?396 Ом. Добротность последовательной цепочки
СсвRн Q = = 2,07,
отсюда емкость связи
Ссв=1/(щRнQ)= 15,4 пФ,
емкость, пересчитанная параллельно емкости С2:
= = 12,5 пФ; С2= - = 91,1пФ.
6. Расчет цепи смещения:
Uб = Есм + = 1,7 В; Rист = = 2265 Ом;
проверка: (С?/С1)2 Rр = 130 Ом « Rист;
Rсм= = 330 Ом; R3= RистЕп/Uб =5800Ом;
R4 = R1Uб/(Еп - Uб) = 3480 Ом; Сбл2 = 10/(щRсм) = 72 пФ.
7. Расчет цепи питания: Rбл = 5Rк = 660 Ом; выбираем 1/щрСбл1 = 0,1 Ом, тогда Сбл1 = 59 нФ;
Lбл1 = (5…10)Rн /щр = 50 мкГн.
Еп = Uк0 + Iк0Rбл = 9В.
8. Расчет модулятора.
Выбираем схему модулятора, изображенную на рис. 6. Схема замещения выглядит следующим образом:
Размещено на http://www.allbest.ru/
Рис.10
Из расчета автогенератора известны следующие параметры: Uб1 = 0,8 В; Еп = 9В; Uк1=1,6 В; р = 0,056; = 104 пФ; С2 = 91 пФ; С3 = 7 пФ; С? = 5,8 пФ.
Выбираем варикап КВ121Б, емкость которого Св0 = 100пФ при uв = 4В и добротность Q = 150 на частоте 50 МГц. Предельные параметры варикапа: Uдоп = 45 В; Рдоп = 100 мВт. Степень нелинейности вольт-фарадной характеристики н = 0,5.
Смещение на варикап будем подавать от источника коллекторного питания транзистора Еп = 9В, выбираем постоянное смещение на варикапе Uв0 = 4В, тогда:
U= = 0,13В; ?Св/Св0 = = 0,067;
кв = = 0,015 ; рв = = 0,116;
Uв1 = рв Uк1/р = 0,2 В; Ссв = Св0 = 100 пФ;
UЩ = U/Uв0 = 0,6 В; С1 = -(Св-1 + Ссв-1)-1 = 360 пФ.
Рассчитаем резистивный делитель R1R2 в цепи смещения варикапа, учитывая следующие условия:
Еп= 4В; « = 470 кОм.
Второе условие вводится для того, чтобы нагрузка источника модулирующего сигнала была постоянной в полосе частот Fmin…Fmax.
Пусть = 5 кОм; тогда R1= 5600 Ом; R2 = 45500 Ом.
3.2 Расчет усилителя мощности
Рассчитаем параметры схемы, изображенной на рис.10.
Исходными данными для расчета усилителя мощности являются рабочая частота fр = 66,5 МГц, мощность в антенне РА = 1 Вт, напряжение питания коллектора Еп = 5,6 В, угол отсечки и = 90о. В качестве активного элемента выбираем транзистор КТ928А с параметрами: ft = 250 МГц; Ск = 10 пФ; Сэ = 100 пФ; фос = 100 пс; uотс = 1В; uкдоп = 60 В; uкбдоп = 60В; iкдоп = 0,8А; uбдоп = 3В; Рдоп = 2 Вт; Sгр = 15 мА/В. Средний коэффициент усиления тока В=20.
Граничные частоты
fв = ft/В = 12,5 МГц;
fб = ft +fв = 262,5 МГц.
Так как fmax = 66,5 МГц, что больше 0,5fв, то ля ослабления влияния инерционности транзистора на энергетические параметры УМ применим цепь коррекции изображенную на рис. 11.
Активная часть коллекторной емкости
Ска = Ск/2 = 5 пФ
и сопротивления потерь в базе
rб = фос / Ска = 200 Ом.
1. Расчет корректирующей цепочки:
? 42 Ом; Rз = = 76 Ом;
Скор = ? 4,53 пФ; R'кор = =27 Ом.
Крутизна переходной характеристики транзистора с коррекцией Sк 1/R'кор = 0,037 А/В.
2. Расчет режима.
Выберем полезную выходную мощность по РА: Р1 = (1,1…2)РА. Выберем Р1 = 1.5РА = 1,5 Вт. Напряжение питания коллектора выберем 5,6 В. Расчет начинаем с определения коэффициента использования коллекторного напряжения в критическом режиме:
окр = = 0,74.
Затем вычисляем напряжение в нагрузке:
Uн = окр Еп = 4,1 В
и проверяем выполнение неравенства
(1+ окр)Еп = 9,75 В< uкбдоп.
Далее находим
Iк1 = 2Р1/Uн = 7,3 мА
и по выбранному ранее и определяем максимальную амплитуду тока
iк max = Iк1/б1(и) = 15 мА,
и постоянную составляющую
Iк0 = б1(и)iк max = 4,6 мА.
Рассчитаем потребляемую мощность
Р0 = ЕпIк0 = 2,2 Вт,
мощность рассеиваемую коллектором
Ррас = Р0 - Р1 = 1,1 Вт,
и электронный КПД выходной цепи
зэ = Р1/Р0 = 58%.
Для реализации расчетного критического режима необходимо следующее сопротивление нагрузки
Rн кр = Uн / Iк0 = 562 Ом.
Входное напряжение определяется
Uвх = Iк1/Sкрб1(и) = 0,4 В.
3. Расчет входной цепи согласования
В качестве входной ЦС используется П-образная ЦС, образованная элементами С3, С4, С5, L.
Сопротивление на входе транзистора определяется
rб+(В+1)= 699 Ом.
Требуемое сопротивление = 276 Ом.
Характеристическое сопротивление цепи
с= = 439 Ом.
Емкости согласующей цепи
С1 = С2 = 1/(щс) = 84,5 пФ,
Индуктивность
L = = 16 мкГн.
4. Расчет выходной цепи согласования
Выходная ЦС представляет собой П-образную ЦС с улучшенной фильтрацией. Ее характеристическое сопротивление
с= = 168 Ом.
Емкости согласующей цепи
С3 = С5 = 1/(щс) = 35 пФ.
Зададим коэффициент улучшения фильтрации h = 10, тогда
С4 = с/hщ = 100 нФ;
а L = = 1 мкГн.
Коэффициент фильтрации определяется выражением:
Fn = n-2{[(n2-1)(h+1)-1]2 + (Gп/Gн кр)(h+1)2(n2-1)2}-1
Для второй гармоники F2 = -94 дБ, для третьей F3 = -120 дБ. Требуемое значение -41 дБ.
5. Расчет цепи питания и смещения
Lбл = (5…10) Rн/щр = 20 мкГн
Рассчитаем резистивный делитель R1R2 в цепи смещения транзистора, учитывая следующие условия:
Rист = = 405 Ом;
Rсм= = 62 Ом;
Сбл = 10/(щRсм) = 942 пФ;
Еп= uотс = 0,6 В;
= Rист.
Откуда R1= 3830 Ом; R2 = 464 Ом.
Rбл = (Еп-Uк0)/Iк0 = 750 Ом.
4. Выбор элементной базы
В качестве активных элементов в разрабатываемом устройстве применим полупроводниковые приборы, так как энергетические характеристики устройства низкие. В качестве полупроводниковых транзисторов можно применить элементы типа КТ331: КТ928А:
ft = 250 МГц; 250МГц;
Ск = 5 пФ; 10пф;
Сэ = 8 пФ; 100пф;
фос = 120 пс; 0.1нс;
uотс = 0,6 В; 1В;
uкдоп = 15 В; 60В;
uкбдоп = 10В; 60В;
iкдоп = 20 мА; 0.8А;
|uбдоп| = 3В; 5В;
Рдоп = 1,5 Вт; 2Вт;
Sгр = 10 мА/В; 15мА/В;
В = 20…70. 20…100;
Модуляция осуществляется с помощью полупроводникового варикапа КВ121Б с параметрами:
Св0 = 100пФ (uв = 4В);
Q = 150 (на частоте 50 МГц);
Uдоп = 45 В;
Рдоп = 100 мВт;
н = 0,5.
Резисторы используются марки С2-29-0,25.
Резисторы данной марки имеют погрешность ±1, ±2%; ТКС(·10-6) = 250…1000.
Номиналы сопротивлений лежат в пределах 1…106 Ом.
Конденсаторы с постоянной емкостью марок:
К10-43а с номиналами 21,5п…0,0442; погрешность ±1, ±2, ±5%; группа по ТКЕ МП0.
К21-9б с номиналами 2,2 …5100п; погрешность ±2, ±5, ±10%; группа по ТКЕ МП0.
Конденсаторы с переменной емкостью марки:
КТ4-28 с номиналами 4…40п; погрешность ±10%; группа по ТКЕ М75.
Заключение
Нельзя стать квалифицированным инженером, не испытав на себе все тяжести проектирования радиопередающих устройств. Хотя, если с любовью подойти к выполнению данной работы, оказывается, проектировать радиопередатчики увлекательное занятие.
Устройство (радиопередатчик), спроектированное в работе - это уже готовый к применению узел, выполняющий заданные требования при заданных климатических параметрах.
Если полностью пересмотреть все расчеты и пересмотреть схемотехнические решения, то при более тщательном выборе и разработке схем можно получить либо относительно дешевый передатчик, либо достаточно компактный, либо, наконец, с малым потреблением энергии.
Список используемой литературы
1. Устройства генерирования и формирования радиосигналов: Методические указания к курсовому проектированию для студентов специальностей 200700, 201100, 201500 / Сост. А.Ю. Чернышев, М.И. Бастракова. - Йошкар-Ола: МарГТУ, 2002. - 26 с.
2. Б.Е. Петров, В.А. Романюк Радиопередающие устройства на полупроводниковых приборах М.: Высш. шк., 1989 г.
3. Проектирование радиопередающих устройств: учебное пособие для высших учебных заведений /под ред. В.В. Шахгильдяна, М.: Радио и связь, 1993г.
4. Радиопередающие устройства /под ред. М.В. Благовещенского, Г.М. Уткина, М.: Радио и связь, 1982 г.
5. Радиопередающие устройства /под ред. В.В. Шахгильдяна, М.: Радио и связь, 1996 г.
6. В.И. Каганов Радиопередатчики малой и средней мощности М.-Л.: Энергия, 1964 г.
7. Радиопередающие устройства /под ред. Б.П. Терентьева, М.: Связь, 1972 г.
8. Радиоприемные устройства /под ред. Н.Н. Фомина, М.: Радио и связь, 1996 г.
Приложение
Задание конструктору.
Характеристики радиопередающего устройства:
Рабочая частота: 66,5 МГц
Допустимая нестабильность частоты: 30 Гц
Вид передаваемой информации: аналоговый
Полоса передаваемых частот: 40…15000 Гц
Допустимый уровень нелинейных искажений: 1%
Вид модуляции: ЧМ
Максимальная девиация частоты: ±50 кГц
Уровень побочных излучений: - 41 дБ
Выходная мощность: 1 Вт
Аппаратура должна отвечать следующим требованиям по ГОСТ 16019-78 для носимой аппаратуры:
Прочность при синусоидальных вибрациях:частота, Гцлинейное ускорение, м/с2время выдержки, час, не менее |
2019,60,5 |
|
Обнаружение резонансов в конструкции:диапазон частот, Гцамплитуда, ммвремя выдержки, мин, не менее |
10..300,5..0,80,4 |
|
Устойчивость к синусоидальным вибрациям:диапазон частот, Гцлинейное ускорение, м/с2время выдержки, мин, не менее |
----- |
|
Устойчивость к механическим ударам:длительность действия ударного ускорения, мсчастота, мин-1максимальное линейное ускорение, м/c2суммарное число ударов, не менее |
------ |
|
Устойчивость к цикл. изменениям температуры:диапазон температур, Квремя выдержки, мин |
------ |
|
Воздействие повышенной влажности: влажность, %температура, Квремя выдержки, час |
8029848 |
|
Воздействие пониженной температуры:температура предельная, Ктемпература рабочая, Квремя выдержки, час |
2332782..6 |
|
Воздействие инея и росы: температура, Квремя выдержки, час |
------ |
|
Воздействие повышенной температуры:температура предельная, Ктемпература рабочая, Квремя выдержки, час |
3283132..6 |
|
Воздействие пониженного атм. давления: температура, Кдавление, кПавремя выдержки, час |
263612..6 |
|
Прочность при транспортировании:длительность ударного ускорения, мсчастота, мин-1максимальное линейное ускорение, м/с2суммарное число ударов, не менее |
5..1040..8049..24513000 |
|
Прочность при воздействии синусоидальной вибрации:диапазон частот, Гцвремя выдержки, часлинейное ускорение, м/с2 |
------- |
|
Прочность при воздействии многократных ударов:длительность ударного ускорения, мсчастота, мин-1максимальное линейное ускорение, м/с2суммарное число ударов, не менее |
-------- |
|
Воздействие соляного (морского) тумана (95% капель):температура, Кдисперсность, мкмводность, г/м3время выдержки, час |
3001..102..324 |
|
Воздействие дождя: интенсивность, мм/минвремя выдержки, мин, не менее |
----- |
|
Воздействие воздушно-пылевого потока:скорость, м/с, не менеевремя выдержки, мин, не менее |
------ |
Устройство состоит из 3-х блоков: входной усилитель с модулятором и усилителем мощности, эталонный кварцевый генератор, система ФАПЧ.
Нужно разработать схему РПУ, рассчитать элементы схемы и выбрать аналоги.
Все испытания должны проводиться только в специально оборудованных помещениях и на специальном оборудовании.
Данное устройство размещается на одной печатной плате в соответствии с электрической принципиальной схемой.
Выбор типа и класса точности печатной платы
Исходя из того, что печатные платы 1-го и 2-го классов точности наиболее просты в исполнении, надежны в эксплуатации и имеют минимальную стоимость, выбор пал на 2-й класс точности, как самый оптимальный для установочной серии.
Минимальная ширина проводника t и зазора s, мм 0,45
Предельное отклонение проводника
с металлическим покрытием, мм +0,15.. -0,1
Гарантийный поясок контактной площадки, мм 0,2
Допуск на отверстие диаметром до 1 мм
с металлизацией d, мм +0,1.. -0,15
- // - без металлизации +0,1
Допуск на отверстие диаметром свыше 1 мм
с металлизацией d, мм +0,15.. -0,2
- // - без металлизации ±0,15
Отношение диаметра металлизированного
Отверстия к толщине платы, у 0,4
Выбор внешних соединителей
Внешняя коммутация обеспечивается с помощью непосредственного сочленения с использованием проводников, соединенных в жгут. Для исключения влияний выходных цепей на входные, в разъеме их следует разнести.
Для 2-го класса точности при расстоянии между отверстиями 3.54мм их диаметр составляет 1.3 мм.
Выбор вариантов установки навесных элементов на печатную плату
В соответствии с ОСТом и требованиями, предъявляемыми к ФУ в качестве варианта для установки сопротивлений рекомендуется выбрать вариант 1а, который обеспечивает достаточную жесткость крепления. Для повышения устойчивости транзисторов к вибрации их дополнительно закрепить на радиаторах стандартным креплением.
Выбор материала печатной платы
Повышенные требования к функциональному узлу, в связи с жесткими условиями эксплуатации, вынуждают использовать в качестве основания печатной платы стеклотекстолит фольгированный. Данный материал по сравнению с гетинаксом обладает более высокими электроизоляционными свойствами, лучшей механической прочностью, обрабатываемостью, стабильностью параметров при воздействии агрессивных сред и изменяющихся климатических условий. Длительно допустимая рабочая температура +160С0 (гетинакс +85С°), допустимая влажность окружающей среды для платы без дополнительной влагозащиты до 98% при t<40C° (45% при t=15..32 C°), стеклотекстолит имеет меньший тангенс угла потерь 0.035 (0,07) и меньшую диэлектрическую проницаемость 5,5 (7,0), что уменьшает паразитную емкость; влагопоглощение при толщине 1.5мм 20мг против 80мг для гетинакса, прочность на отслаивание фольги после кондиционирования в гальваническом растворе 3,6Н (1,8Н), прочность на отрыв контактной площадки 6011 (50ЕГ). Для наземной РЛС стоимость не является решающим фактором и им можно пренебречь. Наиболее полно отвечает требованиям стеклотекстолит марки СФ-1-35 (односторонний, толщина фольги 35 мкм.). Необходимая и достаточная толщина материала 1мм. (ГОСТ 10316-78).
Так как данное устройство маломощное помещаем плату в единый корпус, для естественного охлаждения в корпусе должны быть отверстия.
Рекомендуется установить регулятор и индикатор уровня сигнала, разъем для подключения антенны и элемента питания на задней стенке.
Отчётная документация должна содержать:
-схема структурная;
-схема функциональная;
-схема электрическая - принципиальная;
-спецификация структурной и электрической - принципиальной схемы;
-чертёж внешнего вида устройства.
Размещено на Allbest.ru
Подобные документы
Разработка варианта структурной схемы передатчика низовой радиосвязи и его отдельных принципиальных узлов. Электрический расчет выходного каскада, согласующей цепи, умножителя частоты, опорного генератора, частотного модулятора и штыревой антенны.
курсовая работа [981,1 K], добавлен 16.11.2011Разработка приемного устройства системы связи с подвижными объектами, выбор и обоснование структурной схемы. Расчет базового блока радиотелефона, функциональной и принципиальной схемы приемника и передатчика, частотно-модулированного автогенератора.
дипломная работа [1,6 M], добавлен 25.10.2011Выбор способа получения частотной модуляцией. Расчет транзисторного автогенератора на основе трехточки. Выбор структурной схемы возбудителя. Электрический расчет режимов каскадов тракта передатчика. Проектирование широкодиапазонной выходной цепи связи.
курсовая работа [691,1 K], добавлен 29.03.2014Разработка структурной схемы передатчика с базовой модуляцией, числа каскадов усиления мощности, оконечного каскада, входной цепи транзистора, кварцевого автогенератора, эмиттерного повторителя. Эквивалентное входное сопротивление и емкость транзистора.
курсовая работа [691,9 K], добавлен 17.07.2010Разработка структурной схемы передатчика. Расчёт усилителя мощности, цепи согласования, амплитудного модулятора, частотного модулятора, возбудителя частоты (автогенератора), колебательной системы, цепи питания и смещения, ёмкости связи с нагрузкой.
курсовая работа [1,8 M], добавлен 03.07.2015Составление и расчет структурной схемы передающего устройства. Требования, к нему предъявляемые согласно стандарту. Специфика расчета генератора с внешним возбуждением. Оценка параметров кварцевого автогенератора. Расчет общих характеристик передатчика.
курсовая работа [2,3 M], добавлен 18.03.2011Этапы развития радиопередающих устройств. Характеристика автогенератора, умножителя частоты, промежуточного усилителя, их параметры. Описание прохождения сигнала в радиопередающем устройстве. Моделирование режима работы транзисторного ВЧ генератора.
курсовая работа [137,7 K], добавлен 10.03.2012Тип схемы передатчика. Расчет параметров структурной схемы. Расчет генератора СВЧ, импульсного модулятора и блокинг-генератора. Мощность на выходе передатчика. Напряжение на аноде модуляторной лампы во время паузы. Прямое затухание ферритового вентиля.
курсовая работа [212,7 K], добавлен 14.01.2011Структурная схема передатчика. Краткое описание структурной схемы. Трактовка схемных решений для автогенератора. Подробное обоснование роли элементов схемы. Расчет режима оконечного каскада РПУ и коллекторной цепи выходного каскада. Параметры антенны.
курсовая работа [104,4 K], добавлен 24.04.2009Расчет оконечного каскада передатчика и цепи согласования с антенной. Составление структурной схемы РПУ. Выбор структурной схемы передатчика и транзистора для выходной ступени передатчика. Расчет коллекторной и базовой цепи, антенны, параметров катушек.
курсовая работа [92,6 K], добавлен 24.04.2009