Обучающая подсистема для лабораторного исследования характеристик замкнутых САУ в среде интернет

Описание предметной области по основным характеристикам и частотным показателям качества системы автоматического управления, разработка структуры Интернет-подсистемы для исследования ее устойчивости. Изготовление эпитаксиально-планарного транзистора.

Рубрика Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника
Вид дипломная работа
Язык русский
Дата добавления 27.05.2013
Размер файла 2,6 M

Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже

Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.

Эксплуатационным требованиям достаточно полно отвечает окись кремния, получаемая при нагревании его поверхности в присутствии кислорода (термическое окисление). Термически выращенный окисел кремния обладает наилучшими маскирующими свойствами и высокими электрическими параметрами. Склонность окиси кремния к стеклообразованию способствует получению безпористой пленки. Хорошая растворимость окиси в плавиковой кислоте позволяет эффективно использовать ее в качестве маски при селективном травлении кремния.

Процесс окисления выполняют в эпитаксиальных установках или в однозонных диффузионных печах со специальными газорапределительными устройствами. На практике разгонку примеси при диффузии совмещают с окислением поверхности подложек. Окисление поверхности после эпитаксии также выполняется на одной установке в едином цикле.

Различают несколько типов термического окисления:

Термическое окисление в сухом кислороде - обладает наименьшей скоростью окисления. Преимущество - высокое качество пленки и ее высокая плотность

Термическое окисление в атмосфере водяного пара - окисление кремния существенно ускоряется. Более высокая скорость роста пленки объясняется меньшим диаметром молекулы окислителя. Недостатком является необходимость использования герметичных и высокопрочных реакторов вместо технологичных проточных систем.

Термическое окисление в атмосфере влажного кислорода - компромисное решение, обеспечивающее комбинированный процесс.

Заключение

В данном дипломном проекте рассмотрена обучающая Интернет - подсистемы для лабораторного исследования характеристик устойчивости разомкнутой и замкнутой САУ с помощью частотных критериев устойчивости. Приведены основные вопросы создания данной подсистемы:

Ш структура;

Ш структура меню;

Ш методики обучения;

Ш методика допуска;

Ш методика лабораторного исследования;

Ш алгоритмическое обеспечение;

Ш программное обеспечение.

При проектировании данной подсистемы и оформлении дипломного проекта было использовано следующее техническое и программное обеспечение:

Ш персональный компьютер семейства x86;

Ш операционная система Windows XP;

Ш сервер Apache Server 2.2.4 for Windows;

Ш язык программирования PHP 5.2.4;

Ш графический редактор Adobe Photoshop CS3;

Ш html-редактор Macromedia Dreamweaver 4.0;

Ш текстовый редактор MS Word for Windows v. 9.0.

В проекте так же рассмотрены технологические процессы фотолитографии и производства приборов (ИМС) по КМДП - технологии.

Список литературы

частотный эпитексиальный планарный транзистор

1. В.А. Бесекерский, Е.П. Попов. Теория систем автоматического регулирования. М. Наука. 1975.

2. М.П. Туманов. Теория управления. Теория линейных систем автоматического управления. Учебное пособие. - М.: МИЭМ, 2005.

3. В.В. Солодовников, В.Н. Плотников, А.В. Яковлев. Основы теории и элементы систем автоматического регулирования. - М.:Машиностроение, 1985.

4. А.А. Воронов, Д.П. Ким и др. Теория автоматического управления. Часть 1. Теория линейных систем автоматического управления. - М.: Высшая школа, 1986.

5. Д.П. Ким, Теория автоматического управления. Том 1, Линейные системы. - М.:ФИЗМАТЛИТ, 2007.

6. Е.П. Попов. Теория линейных систем автоматического регулирования и управления. - М.: Наука, 1978.

7. Р. Дорф, Р. Бишон. Современные системы управления. - М.: Юнимедиастайл, 2002.

8. Гигиенические требования к видеотерминам и персональным ЭВМ и организация работы с ними. (Сан ПиН 2.2.2.542-96).

9. ГОСТ 12.0.003-86. Опасные и вредные производственные факторы. Классификация.

10. ГОСТ 12.1.006-82. Электромагнитные поля радиочастот. Общие требования безопасности.

11. ГОСТ ССБТ 12.1.045-84. Электростатические поля. Допустимые условия на рабочем месте.

12. ГОСТ 27013-86. Дисплеи на ЭЛТ. Общие технические условия.

13. ГОСТ 12.1.030-81. Электробезопасность. Защитное заземление, зануление. Правила устройства электроустановок ПУЭ-76.

14. ГОСТ ССБТ 12.4.124-83. Средства защиты от статического электричества.

15. В.Н. Гриднев, А.Н. Малов, А.А. Яншин Технология элементов ЭВА, М., Высшая школа, 1978.

16. Н.Г. Гусев Защита от ионизирующих излучений. М., 1990.

17. П.А. Домин Справочник по технике безопасности. М., Энергоиздат, 1992.

18. А.В. Егунов, Б.Л. Жоржолиани, В.Г. Журавский, В.В. Жуков Автоматизация и механизация сборки и монтажа узлов на печатных платах. М., Радио и связь, 1988.

19. А.В. Ильин и др. Биологическая опасность и нормирование излучений персональных компьютеров. М., 1997.

20. Б.А. Князевский Охрана труда в электроустановках. М., Энергия, 1977.

21. В.А. Крылов, Т.В. Юченкова Защита от электромагнитных излучений. М., Советское радио, 1972.

22. Ч.Г. Мэнгин, С. Макклелланд Технология поверхностного монтажа. М. Мир, 1990.

23. Д.В. Николенко Практические занятия по JavaScript, СПБ. Наука и Техника, 2000.

24. Нормы радиоционной безопасности НРБ-76/8. М., Энергия, 1981.

25. Ю.Г. Сибаров и др. Охрана труда на ВЦ. М., Машиностроение, 1985.

26. Н.Н. Ушаков Технология производства ЭВМ. М., Высшая школа, 1991.

27. Х.И. Ханке, Х. Фабиан Технология производства радиоэлектронной аппаратуры. М., Энергия, 1980.

28. А. Хоумер К. Улмен Dynamic HTML Справочник СПБ, Питер, 2000.

29. Б. Хеслоп Л. Бадник HTML с самого начала СПБ, Питер, 1997.

Размещено на Allbest.ru


Подобные документы

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу.