Елементна база електронних апаратів

4.3 Розрахунки параметрів і характеристик діода

Напруга проколу (U_прок, В) визначається по формулі:

(4.7)

Напруга лавинного пробою (U_Л, В) визначається по формулі:

(4.8)

Робоча зворотна напруга (U_обр, В) визначається по формулі:

(4.9)

де k_зап - коефіцієнт запасу, k_зап=(0,67…0,78);

U_min - мінімальне значення напруги при порівнянні напруг проколу й лавинного пробою.

Товщина збідненого шару (l, см) визначається по формулі:

(4.10)

Генераційний струм переходу (I_Г, А) визначається по формулі:

(4.11)

Коефіцієнт лавинного множення М визначається по формулі:

(4.12)

де n - емпірична константа, для кремнію n=5.

Зворотний струм діода (I_обр, А) визначається по формулі:



(4.13)

Дифузійна довжина нерівновагих носіїв (L_б, cм) визначається по формулі:

(4.14)

Знаходимо b і :

(4.15)

(4.16)

По графіках (рисунок 4.2, а, б) визначаємо рухливості електронів і дірок: м_n і м_pвідповідно.

Максимальний прямий струм діода й максимальне пряме спадання напруги знаходять із умови рівності потужності, що виділяється при протіканні струму через діод, і теплової потужності, що віддається в навколишнє середовище: Р_эл=Р_тепл.

Електрична потужність, що виділяється при протіканні струму описується залежністю: Р_эл=I_д·U_д(I).

Теплова потужність, що віддається в навколишнє середовище, визначається перепадом температур між p-n переходом і зовнішньою поверхнею корпуса й тепловим опором корпуса діода (Т_К=Т=300К):

.



Температуру p-n переходу ухвалюємо з діапазону від Т+ДT до T+7ДT.

Рівність величин Р_эл і Р_теплдає рівняння

(4.17)

Визначаємо теплову потужність (Р_тепл, Вт):

(4.18)

Вольтамперная характеристика (ВАХ) діода описується наступним співвідношенням:

(4.19)

де у -- поправочний коефіцієнт у=2 для кремнієвих р-n переходів.

Застосувавши дану залежність, будуємо ВАХ діода (рисунок 4.4). За графіком знаходимо добуток, тобто визначаємо крапку з координатами I (I_max); U (U_max), якої буде відповідати значення розрахованої теплової потужності Р_тепл.

Рисунок 4.4 - Загальний вид вольтамперної характеристики p-n переходу

Спадання напруги діода для струму I:

(4.20)

Знаходимо I_n, A:

(4.21)

Визначаємо коефіцієнт k:

(4.22)

Залежність R_б(I) описується співвідношенням, Ом:

(4.23)

Максимальна щільність струму p-n переходу (, мА/см²) визначається по формулі:

(4.24)

Пряма галузі ВАХ діода визначається за допомогою співвідношення:

(4.25)

де (4.26)

(4.27)

(4.28)

Будуємо графік залежності U_д=f(I_д) для прямої напруги на діоді, загальний вид якого представлено на рисунку 4.5, при побудові якого треба враховувати діапазон зміни струму I_ду межах від нуля до I_max (який визначили вже раніше за графіком ВАХ p-n переходу діода) і діапазон зміна напруги U_ду межах від нуля до U (яке визначили вже раніше за графіком ВАХ p-n переходу діода).

Рисунок 4.5 - Графік залежності U_д=f(I_д) для прямої напруги на діоді

Зворотну галузі ВАХ розрахуємо за допомогою співвідношення:

(4.29)



де (4.30)

(4.31)

(4.32)

Рисунок 4.6 - Графік зворотної галузей ВАХ діода I_обр=f(U_обр)

Залежність I_Г=f(U_обр) описується формулою й представлено на рисунку 4.7:

(4.33)

Рисунок 4.7 - Графік залежності I_Г=f(U_обр)



Залежність коефіцієнта лавинного множення від зворотної напруги на діоді описується формулою:

(4.34)

Загальний вид даної залежності представлено на рисунку 4.8.

Рисунок 4.8 - Графік залежності М=f(U_обр)

Залежність теплового струму діода від зміни температури I_0д=f(T) представлено на рисунку 4.9 і описується формулою:

(4.35)

де I_0д(T₀) - тепловий струм діода при температурі Т=300К (визначено по формулі 4.3); б=0,16 К^-1 для кремнію.

Таблиця 4.2

Залежність I_0д=f(T)

T, K	T+ДT	T+2ДT	T+3ДT	T+4ДT	T+5ДT	T+6ДT	T+7ДT
I0д, A	I0д1	I0д2	I0д3	I0д4	I0д5	I0д6	I0д7



Рисунок 4.9 - Графік залежності I_0д=f(T)

Температурну залежність зворотного струму розраховуємо по формулі:

(4.36)

I_обр(Т₀) - зворотний струм діода при температурі Т=300К (визначено по формулі 3.13); де Т*=10К.

Таблиця 4.3

Залежність I_обр=f(T)

T, K	T+ДT	T+2ДT	T+3ДT	T+4ДT	T+5ДT	T+6ДT	T+7ДT
Iобр, A	Iобр1	Iобр2	Iобр3	Iобр4	Iобр5	Iобр6	Iобр7

Рисунок 4.10 - Графік залежності I_обр=f(T)



Контрольні питання

1. Що називається напівпровідниковим діодом? Класифікація напівпровідникових діодів.

2. Перелічите основні характеристики й параметри напівпровідникових діодів.

3. Охарактеризуйте вольтамперну характеристику напівпровідникових діодів.

4. Перелічите основні типи напівпровідникових діодів і коротко охарактеризуйте їх.

5. Що таке бар'єрна й дифузійна ємності діода? Як вони визначаються.

6. Що таке пробій діода? Внаслідок чого він виникає? Охарактеризуйте основні види пробоїв.

РОЗРАХУНКОВО-ГРАФІЧНЕ ЗАВДАННЯ №5

Тема роботи: Розрахунки параметрів і характеристик біполярного транзистора

Біполярним транзистором називається електроперетворювальний напівпровідниковий прилад, що має у своїй структурі два взаємодіючі p-n-переходу й три зовнішні виводи, і призначений, зокрема, для посилення електричних сигналів.

5.1 Вихідні дані

Розрахунки параметрів і характеристик біполярного транзистора базується на застосуванні передатної моделі Еберса-Молла, яка може уточнюватися (вплив об'ємних опорів, генераційно-рекомбінаційних струмів переходів, ефект Ерлі і т.д.).

Основними вхідними параметрами для розрахунків є: заряд електрона, q=1,6·10-¹⁹Кл; концентрація, при температурі Т=300К, n_i·10¹⁰, см-³; площа p-n переходу, А·10^-6, см²; коефіцієнт дифузії електронів в колекторній області, Д_nк, см²/с; коефіцієнт дифузії дірок в базовій області, Д_рб, см²/с; дифузійна довжина електрона, L_n·10^-4, м; температурний потенціал при температурі Т=300К, U_Т, мВ; донорна концентрація в базовій області, N_дб·10¹⁶, см-³; акцепторна концентрація в коллкторній області, N_ак·10¹⁷, см-³; акцепторна концентрація в емітерній області, N_аЭ·10¹⁷, см-³; ширина емітерної області, W_Э, мм; ширина базової області, W_Б, мм; ширина колекторної області, W_К, мм; Х, мм; час життя носіїв заряду, ф_р·10^-9, с.

Таблиця 5.1

Вихідні дані щодо розрахунків

Вар.	ni	А	Дnк	Дрб	Ln	UТ	Nдб	Nак	NаЭ	WЭ	WБ	WК	Х	фр
1	1,5	1	34	13	4,1	25,8	1,1	3	3	3	4,9	5,1	10	1
2	1,6	0,85	32	12	3,8	24,5	0,8	2,6	2,6	2,8	4,4	4,7	9	0,84
3	1,75	1,2	36	16	4,6	28,1	1,4	3,2	3,2	4	5,2	6	14	1,21
4	0,85	0,74	24	8	2,8	18,8	0,6	1,4	1,4	1,6	2,8	3,4	6	0,89
5	1,24	0,91	30	11	3	20,3	0,96	2,8	2,8	3,2	3,8	4,1	8	0,92
6	1,43	0,97	31	12	3,6	22,6	1,03	2,84	2,84	2,96	3,47	4	8	0,95
7	1,33	0,94	29	11	3,7	24,4	1,05	2,88	2,88	3,11	3,68	4,5	9	0,86
8	1,39	0,96	30	12	3,8	24,1	1,07	2,93	2,93	3,22	3,94	4,71	10	1,03
9	1,23	0,82	28	11	3,3	20,7	1,02	2,65	2,65	3,37	3,87	4,63	9	1,08
10	1,44	1,03	33	12	3,2	22,4	1,09	2,9	2,9	3,5	4,05	4,88	10	1,01
11	1,32	1,05	34	13	4,07	23,6	1,12	3,06	3,06	3,2	4,1	5	8	0,85
12	1,52	0,93	29	11	2,98	24,2	0,92	2,73	2,73	3,6	4,43	5,21	10	0,93
13	1,41	0,92	26	10	2,77	23,1	0,79	2,48	2,48	2,93	3,48	4,06	8	0,96
14	1,29	0,88	28	10	2,83	21,9	0,81	2,54	2,54	3,06	3,61	4,11	8	0,81
15	1,31	0,8	24	6	2,32	22,5	0,72	2,12	2,33	2,33	2,81	3,63	9	0,79
16	1,23	0,9	32	12	3,84	23,3	0,99	2,91	2,91	3,64	4,42	4,98	9	0,94
17	1,3	1,01	30	11	3,79	20,9	0,96	2,86	2,86	3,59	4,23	5	9	0,99
18	1,54	1,03	32	12	3,88	21,6	1,04	2,98	2,98	3,67	4,19	4,96	8	1,04
19	1,27	0,96	34	13	4,06	24,7	1,08	3,04	3,04	3,87	4,71	5,23	10	0,87
20	1,35	0,89	26	10	2,71	25,2	0,95	2,93	2,93	3,64	4,28	4,79	7	0,8
21	1,42	0,81	22	5	2,21	23,8	0,68	1,97	1,97	2,56	3,22	3,96	7	0,92
22	1,48	0,85	32	12	3,9	24,4	1,05	2,87	2,87	3,74	4,15	5,03	9	0,9
23	1,29	1,02	36	14	4,21	22,9	1,15	3,51	3,51	4,32	5,12	5,86	10	1,06
24	1,2	1,09	28	11	3,25	20,5	0,94	2,92	3,64	4,27	4,82	5,35	8	1,02
25	1,14	0,87	27	10	2,83	21,1	0,89	2,83	2,83	3,44	4,11	4,78	7	0,78



5.2 Розрахунки вхідної й вихідної характеристики транзистора з використанням моделі Молла - Еберса

Вихідна характеристика транзистора описується наступною залежністю:

(5.1)

де U_K - напруга на колекторі;

U_Э - напруга на емітері;

I_K - струм, що протікає через колектор.

Знаходимо значення I_К при певному значенні U_Э й U_К, потім, міняючи U_Э, при тих же значеннях U_К знаходимо значення струму.

Рекомендовані значення напруг U_Э й U_К:

U_Э = 0; 0,005; 0,01; 0,015; 0,02В;

U_К = 0; 0,01; 0,05; 0,1; 1; 1,5; 2; 3; 4; 5В.

Таблиця 5.2

Значення I_К при різних значеннях U_Э

UК	IК при UЭ=0	IК при UЭ =0,005В	IК при UЭ=0,01В	IК при UЭ=0,015В	IК при UЭ=0,02В
0	0	0	0	0	0
0,01	IК11	IК21	IК31	IК41	IК51
0,05	IК12	IК22	IК32	IК42	IК52
0,1	IК13	IК23	IК33	IК43	IК53
1	IК14	IК24	IК34	IК44	IК54
1,5	IК15	IК25	IК35	IК45	IК55
2	IК16	IК26	IК36	IК46	IК56
3	IК17	IК27	IК37	IК47	IК57
4	IК18	IК28	IК38	IК48	IК58
5	IК19	IК29	IК39	IК49	IК59

За отриманим даними побудуємо графік залежності представлений на рисунку 5.1.

Рисунок 5.1 - Вихідна характеристика транзистора

Вхідна характеристика транзистора описується наступною залежністю:

(5.2)

Знаходимо значення I_Э при певному значенні U_К і U_Э, потім, міняючи U_К, при тих же значеннях U_Э знаходимо значення струму.

Рекомендовані значення напруг U_Э й U_К:

U_Э= 0; 0,01; 0,02; 0,03; 0,04; 0,05; 0,06; 0,07; 0,08; 0,09В;

U_К= 0; -; 0,03В.

Таблиця 5.3

Значення I_Э при різних значеннях U_К

UЭ	IЭ при UК=0	IЭ при UК= -	IЭ при UК=0,03В
0	IЭ10	IЭ20	IЭ30
0,01	IЭ11	IЭ21	IЭ31
0,02	IЭ12	IЭ22	IЭ32
0,03	IЭ13	IЭ23	IЭ33
0,04	IЭ14	IЭ24	IЭ34
0,05	IЭ15	IЭ25	IЭ35
0,06	IЭ16	IЭ26	IЭ36
0,07	IЭ17	IЭ27	IЭ37
0,08	IЭ18	IЭ28	IЭ38
0,09	IЭ19	IЭ29	IЭ39

Для побудови вхідної характеристики потрібні значення струму бази, який визначається з наступного співвідношення:

I_Б = -(I_Э + I_К). (5.3)

За значеннями струмів і напруг побудуємо залежність струму бази I_Б від напруги U_Б представлену на рисунку 5.2.

Рисунок 5.2 - Вхідна характеристика транзистора

5.3 Розрахунки концентрації не основних носіїв

В емітерній області концентрація не основних носіїв заряду описується наступним виразом:



(5.4)

де напругу на емітері приймаємо U_Э =(0,002…0,005)B.

(5.5)

По формулі 5.4 будуємо графік розподілу концентрації від координат в емітерній області, який представлено на рисунку 5.3.

Рисунок 5.3 - Графік розподілу концентрації від координат в емітерній області

У базовій області концентрація не основних носіїв заряду описується наступним виразом:

(5.5)

(5.6)

(5.7)

Для розрахунків ухвалюємо значення напруг на емітері й колекторі U_Э=(0,002…0,008)У и U_К =(1,2…1,6)У відповідно.

По формулі 5.5 будуємо графік розподілу концентрації від координат у базовій області, який представлено на рисунку 5.4.

Рисунок 5.4 - Графік розподілу концентрації від координат у базовій області

У колекторній області концентрація не основних носіїв заряду описується наступним виразом:

(5.8)

(5.9)

Для розрахунків ухвалюємо значення напруги на колекторі U_К=1,4В.

По формулі 5.8 будуємо графік розподілу концентрації від координат у колекторній області, який представлено на рисунку 5.5.

Рисунок 5.5 - Графік розподілу концентрації від координат у колекторній області

5.4 Розрахунки ефективності емітера

(5.10)

(5.11)

(5.12)

Для розрахунків ухвалюємо значення напруг на емітері й колекторі U_Э=(0,05…0,4)В и U_К = (0,02…0,2)В відповідно.

5.5 Коефіцієнт переносу струму через базу

(5.13)

(5.14)

5.6 Статичний коефіцієнт передачі струму в схемі із загальною базою

(5.15)

де М - коефіцієнт множення струму колектора, який визначається за формулою:

(5.16)

(4.17)

(4.18)

5.7 Статичний коефіцієнт передачі струму в схемі із загальним емітером

(4.19)

5.8 Розрахунки бар'єрної ємності колекторного переходу

(5.20)

(5.21)

де U₀ - гранична напруга переходу, яка визначається по формулі:

(5.22)

Для розрахунків ухвалюємо значення напруг на колекторі U_К=(0,02…0,2)В.

5.9 Розрахунки h - параметрів

Для обчислення h - параметрів використовуємо характеристики транзистора отримані з використанням моделі Мола - Еберса.

U_КЭ =E_K - I_K·R_H; (5.23)

E_K = I_K·R_H + U_КЭ. (5.24)



Рисунок 5.6 - Вихідні характеристики транзистора

Рисунок 5.7 - Вхідні характеристики транзистора

(5.25)

(5.26)

(5.27)

(5.28)

Скористаємося формулами зв'язку між параметрами транзистора при різних включеннях.

(5.29)

(5.30)

(5.31)

(5.32)

(5.33)

h_12К=1; (5.34)

(5.35)

(5.36)

5.10 Диференціальний опір емітерного переходу

(5.37)

(5.38)

5.11 Розрахунки диференціальної ємності эмиттерного переходу

(5.39)

5.12 Розрахунки ефекту Ерлі

При U_Э=const, концентрація носіїв у базовій області стає функцією колекторної напруги:

U_К=0; 0,2; 0,4; 0,8; 1,2; 1,4В.

Рисунок 5.8 - Залежності концентрацій у базовій області: 1 - залежно від ширини бази, 2 - як функція від прикладеного UK

5.13 Побудова частотних характеристик транзистора

Для побудови фазо-частотної характеристики (ФЧХ) застосовуємо наступну залежність:

(5.40)

Для побудови амплітудно-частотної характеристики (АЧХ) застосовуємо наступну залежність:

(5.41)

Контрольні питання

1. Що таке біполярний транзистор? Його основні режими роботи.

2. Дайте коротку характеристику основним схемам включення транзистора.

3. У чому полягає принцип роботи біполярного транзистора.

4. Охарактеризуйте фізичні процеси в біполярному транзисторі.

5. Охарактеризуйте класичну модель Еберса - Молла.

6. Яким образом здійснюється перенос електронів з емітера в колектор? Що таке струм зв'язку?

7. Як обумовлений вплив зворотної напруги на колекторному переході на струми транзистора? Що таке ефект Ерлі?

8. Як впливає температура на роботу біполярного транзистора?



ВИСНОВОК

Метою й завданням розрахунково-графічної роботи є вивчення побудови конденсатора, котушки індуктивності, трансформатора, напівпровідникового діода та біполярного транзистора, які є невід'ємними складовими при побудові електронних пристроїв, а також: елемент,принцип побудови, принцип дії й методи проектування конденсатора, котушки індуктивності, трансформатора, напівпровідникового діода та біполярного транзистора; принцип розрахунків цих елементів, визначати по умовних позначках і довідникам параметри електронних елементів, уміти проектувати й розраховувати ці елементи пристроїв; грамотно робити вибір елементної бази електронної апаратури залежно від конкретних вимог.



СПИСОК ЛІТЕРАТУРИ

1. Гитцевич А.Б., Зайцев А.А., Мокряков В.В. и др. Полупроводниковые приборы. - М.: - 1989. - 528 с.

2. Готра З.Ю., Лопатинський І.Є., Лук'янець Б.А. та ін. Фізичніосновиелектронноїтехніки: Підручник. - Львів: Видавництво «БескидБіт», 2004. - 880 с.

3. Григорьев О.П., Замятин В.Я., Кондратьев Б.В., Пожидаев С.Л. Транзисторы. Справочник: - М.: Радио и связь, 1990. - 272 с.

4. Зайцев А.А., Миркин А.И., Мокряков В.В. Полупроводниковые приборы. Транзисторы средней и большой мощности / Под ред. А.В. Голомедова. - М.: Радио и связь, 1989. - 640 с.

5. Свитенко В.Н. Электрорадиоэлементы: Курсовое проектирование: Учебное пособие для вузов. - М.: Высшая школа, 1987. - 207 с.

6. Харинский А.Л. Основы конструирования элементов радиоаппаратуры. - Л.: Энергия, 1971. - 464 с.

7. Чебовсекий О.Г. Силовые полупроводниковые приборы. Справочник. - М.: Энергия, 1975. - 512 с.

8. Тихомиров П.М. Расчет трансформаторов: Учеб. пособие для вузов/П.М.Тихомиров - 5-е изд., перераб. И доп. - М.: Энергоатомиздат, 1986. - 528с.

9. Гончарук А.И. Расчет и конструирование трансформаторов: Учеб. пособие для техникумов/ А.И.Гончарук. - М.: Энергоатомиздат, 1990.-256 с.

10. Волгов В. А. Детали и узлы РЭА - М. Энергия. 1977.- 656 с.

11. Устройства функциональной радиоэлектроники электрорадиоэлементы: Конспект лекций. Часть 1/ М.Н. Мальков, В.Н. Свитенко. - Харьков: ХИРЭ 1992. - 140 с.

12. Савельев О.Ю. Конденсаторы. Конструкция и устройство - Москва. ЕлАтомИздат.1983



ДОДАТОК А

Таблиця А.1

Характеристики обмоткових проводів

Марка проводу	Назва проводу	Вид ізоляції	Діаметр, мм
ПЭЛ	Провід мідний, емальований	Масляно-смолена емаль	0,02...0,44
ПЭВ-1	Провід мідний, ізольований високоміцною емаллю	Вініфлекс одношаровий	0,02...2,5
ПЭВ-2	Провід мідний, ізольований високоміцною емаллю	Вініфлекс двошаровий	0,02...2,5
ПЭЛР	Провід мідний, ізольований емаллю	Поліамідна емаль одношарова	0,1...2,44
ПЭВТЛ- 1	Провід мідний, ізольований високоміцною емаллю	Поліуретан одношаровий	0,06... 1,0
ПЭТВ	Провід мідний, емальований, нагрівостійкий	Політетраф торстиленовий	0,06...2,44
ПСДК	Провід мідний із скляною ізоляцією	Два шари скловолокна з просоченням кремнійорганічним лаком	0,31...5,2



ДОДАТОК Б

Таблиця Б.1

Основні параметри проводів

Діаметр проводу, dпр, мм	Площа перерізу, g, мм2	Довжина, l, м	Опір на 1км, Ом	Діаметр проводу, dпр, мм	Площа перерізу, g, мм2	Довжина, l, м	Опір на 1км, Ом
0,05	0,00196	0,112	8920	(0,77)	0,466	26,6	37,7
0,06	0,00283	0,182	6180	0,8	0,503	28,6	34,9
0,07	0,00385	0,220	4540	(0,83)	0,541	30,9	32,4
0,08	0,00503	0,287	3475	0,86	0,581	33,1	30,2
0,09	0,00636	0,364	2750	(0,9)	0.636	36,2	27,8
0,10	0,00785	0,448	2230	0,93	0,679	38,6	25,9
0,11	0,00950	0,541	1850	(0,96)	0,724	41,2	24,3
0,12	0,01131	0,645	1550	1	0,785	44,6	22,4
0,13	0,01327	0,757	1320	(1,04)	0,849	48,2	20,7
0,14	0,01539	0,877	1140	1,08	0,916	52,1	19,2
0,15	0,01767	1,01	993	(1,12)	0,985	56,1	17,82
0,16	0,02011	1,15	873	1,16	1,057	60,2	16,61
0.17	0,0227	1,3	773	(1,2)	1,13	64,4	15,52
0,18	0,0255	1,45	686	1,25	1,23	69,8	14,33
0,19	0,0284	1,62	616	(1,30)	1,33	75,7	13,22
0,20	0,0314	1,79	557	1,35	1,43	81,4	12,27
0.21	0,0346	1,98	507	(1,40)	1,54	87,6	11,4
0.23	0,0416	2,36	423	1,45	1,65	94,2	10,62
0,25	0,0491	2,81	356	(1,5)	1,77	101	9,93
0,27	0,0573	3,22	307	1,56	1,91	109	9,18
0,29	0,0661	3,77	265	(1,62)	2,06	117	8,52
0.31	0,0755	4,3	233	1,68	2,22	127	7,9
0,33	0,0855	4,88	205	(1,74)	2,38	136	7,37
0,35	0,0962	5,49	182	1,81	2,57	146	6,83
0,38	0,113	6,45	155	(1,88)	2,78	158	6,31
0,41	0,132	7,52	133	1,95	2,99	170	5,88
0,44	0,152	8,7	115	(2,02)	3,20	182	5,49
0,47	0,174	9,9	101	2,1	2,46	197	5,07
0,49	0,189	10,7	93,1	2,26	4,01	205	4,88
0,51	0,204	11,6	86	2,44	4,68	266	3,75
(0,53)	0,221	12,6	79,4	2,63	5,43	310	3,23
0,55	0,238	13,5	73,7	2,68	6,20	358	2,79
(0,57)	0,255	14,5	68,8	3,05	7,31	416	2,4
0,59	0,273	15,5	64,3	3,28	8,45	480	2,08
(0,62)	0,302	17,2	58,1	3,53	9,79	558	1,79
0,64	0,322	18,3	54,5	3,80	11,34	645	1,55
0,69	0,374	21,3	46,9	4,10	13,20	764	1,31
0,74	0,430	24,5	40,8	4,50	15,90	905	1,10



ДОДАТОК В

Провід марки ПБ може бути з ізоляцією на 2 сторони 2·д=0,45(0,5), 0,55(0,62), 0,72(0,82), 0,96(1,06), 1,20(1,35), 1,35(1,5), 1,68(1,83) и 1,92(2,07)мм.

Провід марки ПБУ випускається з розмірами перетину меншим від 1,8 до 5,6мм і більшим від 6,7 до 19,5мм. Цей провід має ізоляцію на дві сторони 2·д=2(2,1), 2,48(2,63), 3,96(3,11), 3,6(3,8), 4,08(4,28) и 4,4(4,65)мм.

Поза дужками зазначена номінальна товщина ізоляції. Розміри котушок уважати за товщиною ізоляції, зазначеної дужках.

Размещено на Allbest.ru