Создание лазера на кристалле YAlO3 с диодной накачкой и исследование генерационных характеристик
Схема накачки редкоземельных элементов Tm3+, находящегося в диэлектрическом кристалле, сравнительные характеристики матриц. Характеристики кристалла. Спектры пропускания и люминесценции. Экспериментальное исследование генерационных характеристик лазера.
| Рубрика | Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника |
| Предмет | Квантовая электроника |
| Вид | контрольная работа |
| Язык | русский |
| Прислал(а) | Julija-zaharchuk |
| Дата добавления | 13.06.2012 |
| Размер файла | 750,7 K |
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
Подобные документы
Определение возможности генерации на кристалле Tm:CaF2 в области 2 мкм в схемах лазеров с продольной диодной накачкой. Физические свойства кристалла. Спектры пропускания образцов кристалла CaF2. Расчет квантового генератора на лазерном кристалле.
курсовая работа [4,9 M], добавлен 14.07.2012Эрбиевые усилители оптического сигнала. Параметры волоконных усилителей. Выходная мощность сигнала и энергетическая эффективность накачки. Ширина и равномерность полосы усиления. Полупроводниковый лазер накачки "ЛАТУС-К". Конструкция лазера накачки.
дипломная работа [3,4 M], добавлен 24.12.2015Два подхода к процессу фотопотемнения. Световод легированный Yb2O3. Спектры люминесценции, полученные при возбуждении лазера. Обработка данных с синхротрона Desy. Функция Гаусса. Зависимость интегральной люминесценции от длины волны накачки образца.
контрольная работа [2,5 M], добавлен 06.01.2016Инжекционный механизм накачки. Величина смещающего напряжения. Основные характеристики полупроводниковых лазеров и их группы. Типичный спектр излучения полупроводникового лазера. Величины пороговых токов. Мощность излучения лазера в импульсном режиме.
презентация [103,2 K], добавлен 19.02.2014Этапы разработки компонентов инфраструктуры сервисного обслуживания кристалла памяти ГАС. Общие представления системы на кристалле. Характеристика номенклатуры выпускаемой памяти на кристалле. Принципы создания сервисного обслуживания систем на кристалле.
дипломная работа [2,3 M], добавлен 06.06.2010Исследование статических характеристик биполярного транзистора, устройство и принцип действия. Схема включения p-n-p транзистора в схеме для снятия статических характеристик. Основные технические характеристики. Коэффициент обратной передачи напряжения.
лабораторная работа [245,9 K], добавлен 05.05.2014Изучение частотных характеристик (АЧХ и ФЧХ) и параметров последовательного и параллельного колебательных контуров. Уменьшение нагрузочного сопротивления. Исследование характеристик системы двух связанных колебательных контуров. Полоса пропускания.
лабораторная работа [267,5 K], добавлен 20.11.2008Основные характеристики и применение аргонового лазера. Вынужденное испускание фотонов возбужденными атомами. Процесс поглощения фотонов. Активная среда ионных лазеров. Уровни энергии для лазера на ионах аргона. Характерные значения выходной мощности.
реферат [1,6 M], добавлен 12.06.2011Экспериментальное исследование свойств и характеристик линейных динамических звеньев первого порядка во временной и частотной области. Исследование переходной функции h(t). Исследование частотных характеристик устойчивого апериодического звена.
лабораторная работа [111,7 K], добавлен 21.04.2012Этапы разработки и перспективы внедрения проекта по созданию бюджетного лазерного комплекса на базе полупроводникового лазера, предназначенного для обработки органических материалов. Исследование основных параметров и характеристик фотоприемника.
курсовая работа [883,0 K], добавлен 15.07.2015
