Схемные функции и частотные характеристики линейных электрических цепей
Изучение транзистора с обобщенной и избирательной нагрузкой. Эквивалентная схема замещения биполярного транзистора. Расчет параметров нагрузки на резонансной частоте, резонансных сопротивлений. Определение полосы пропускания цепи по карте нулей и полюсов.
Рубрика | Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника |
Вид | контрольная работа |
Язык | русский |
Дата добавления | 06.01.2015 |
Размер файла | 181,3 K |
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
1
Размещено на http://www.allbest.ru/
1
Контрольная работа
по дисциплине «Основы теории цепей»
СХЕМНЫЕ ФУНКЦИИ И ЧАСТОТНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ЛИНЕЙНЫХ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ЦЕПЕЙ
Аннотация
В данной работе необходимо исследовать входные и передаточные операторные функции.
Произвести расчет частотных характеристик по выражениям амплитудно-частотных и фазово-частотных характеристик на основе карты нулей и полюсов и с использованием автоматизированных методов анализа цепей.
Содержание
Введение
Исходные данные
Анализ исходных данных
Исследование нагрузки
Исследование транзистора с обобщенной нагрузкой
Исследование транзистора с избирательной нагрузкой
Заключение
Список использованных источников
Введение
Основой метода анализа цепей в данной работе служат схемные функции этих цепей. Схемная функция - это реакция цепи на входное воздействие. Любая цепь, содержащая R, L, C элементы, может быть описана системой дифференциальных уравнений, а для одной переменной дифференциальным уравнением n-го порядка:
где : x - воздействие; y - отклик;
ai и bi - коэффициенты, определяемы параметрами элементов и топологией схемы.
Если данную функцию представить в комплексном виде, то она упрощается и в топологическом виде выглядит:
, где
- нормировочный коэффициент.
и - коэффициенты при степенях.
Комплексный метод не применим, если хоть один элемент нелинейный.
Комплексные функции определяются аналитическим способом - применение методов контурных токов, узловых напряжений. Полученные функции используются для исследования частотных характеристик цепи. По полученным комплексным функциям можно построить карту нулей и полюсов, которая дает полную характеристику цепи. На основе кары нулей и полюсов можно рассчитать приближенные значения сопротивления и фазы по формулам:
где (P-Poi) - расстояние от текущей частоты до i-го нуля.
(P-Pok) - расстояние то текущей частоты до k-го полюса
где oi - угол между вещественной осью и прямой, соединяющей текущую частоту и нуль.
пk - угол между вещественной осью и прямой, соединяющей текущую частоту и полюс.
1. Исходные данные
Дана эквивалентная схема замещения биполярного транзистора с общей базой (рисунок 2.1) и его параметры.
ОмОмпФ
Рисунок 2.1 - Эквивалентная схема замещения биполярного транзистора.
где : Cэ - емкость эмиттерной цепи
rэ - сопротивление эмиттерной цепи
rб - сопротивление базы
Jк = Jr - ток, зависящий от тока на сопротивлении эмиттера
Схема нагрузки изображена на рисунке 2.2
Рисунок 2.2 - Схема нагрузки.
где : - шунтирующее сопротивление
- сопротивление
C - емкость
L - индуктивность
Ом
2. Анализ исходных данных
Расчет резонансной частоты
; ; ;
Нормировка значений производится по формулам:
; ; ; ;
; ; ;
Таблица 3.1 - Нормированные значения элементов.
Элементы |
Параметры элементов |
Нормированные значения |
|
rэ |
150 Ом |
1.5 |
|
rб |
35 |
0.35 |
|
Сэ |
35 пФ |
0.027211 |
|
R |
10 Ом |
0.1 |
|
Rш |
1000 Ом |
10 |
|
gэ |
0.006667 |
0.6667 |
|
gб |
0.028571 |
2.8571 |
|
g |
0.1 |
10 |
|
gш |
0.001 |
0.1 |
|
0.98 |
|||
S |
0.006533 |
0.6533 |
|
L |
1 |
||
C |
1 |
||
w |
7774540 |
1 |
3. Исследование нагрузки
Рассчитаем параметры нагрузки на резонансной частоте
; ;
для вычисления добротности, нужно схему преобразовать в эквивалентную схему, где сопротивление шунта и емкость соединены последовательно.
0=100; Rш=1000; rвн=9,901;
добротность (R=10):
=5,025
Вывод операторных выражений входной и передаточной функций.
; ;
составим матрицу проводимости нагрузки:
;
вычислим определитель матрицы проводимости нагрузки:
вычислим алгебраическое дополнение:
11=(g+gш+PC)
Входная функция
проверка на размерность:
Исследование модели на крайних частотах
При w0 :
z(0)=j0; (0)=90;
При w :
z()=0,1; ()=-0;
Нормировка входной функции.
Подставив нормированные значения в операторную функцию C=1; L=1; g=10; g=0,1; получим:
;
Решив нормированное уравнение входной функции, получим нули и полюсы операторной функции:
P01=0; P02=-10,1; - нули
Pп1=-0,1-j; Pп2=-0,1+j; - полюсы
Карта нулей и полюсов для нагрузки:
z(0)=0
z(1)=5,068
z()=0,1
(0)=90
(1)=8,52
()=-0
Амплитудно-частотная характеристика нагрузки.
1
Размещено на http://www.allbest.ru/
1
Фазово-частотная характеристика нагрузки.
1
Размещено на http://www.allbest.ru/
1
Расчет резонансных сопротивлений.
P=j - в нормированном, С=1; L=1; g=10; gш=0,1
В разнормированном виде:
Ом
Определение полосы пропускания цепи (в нормированных единицах).
транзистор биполярный нагрузка резонансный
=0,199
Определение полосы пропускания цепи по карте нулей и полюсов.
Нужно вычислить частоты при:
.
Составим уравнение на основании карты нулей и полюсов
Найдем из последнего равенства w
w1=0,9098; w2=-0,9098; w3=1,1105; w4=-1,1105; т.к. w2 и w4 отрицательны и не имеют смысла, их можно отбросить, то получается что граничные частоты это w1 и w3 . И следовательно полоса пропускания цепи равна (w3 - w1) . в нормированных частотах: П=0,2007 в ненормированных частотах: П=1 560 350 (рад/с)
4. Исследование транзистора с обобщенной нагрузкой
Операторное выражение передаточной функции.
;
Передаточная функция:
;
Матрица проводимости для транзистора с обобщенной нагрузкой.
;
алгебраические дополнения:
;
;
подставив алгебраические дополнения в передаточную функцию, получим:
, т.к. , то
;
Нормировка передаточной функции: S0=0,6533; gб=2,8571; gэ=0,6667;
5. Исследование транзистора с избирательной нагрузкой
Схема транзистора с избирательной нагрузкой.
Выражение передаточной функции
проверка по размерности
Нормированное выражение передаточной функции транзистора
Подставив нормированные значения в операторную функцию C=1; L=1; g=10; g=0,1; S0=0,6533; gб=2,8571; gэ=0,6667; получим:
Решив нормированное уравнение передаточной функции транзистора, получим нули и полюсы операторной функции:
P01=0; P02=-10,1; - нули
Pп1=-0,1-j; Pп2=-0,1+j; Pп3=-2,8705; - полюсы
Карта нулей и полюсов для транзистора с избирательной нагрузкой:
z(0)=
z(1)=3,1124
z()=0
(0)=90
(1)=-10,7
()=-90
Амплитудно-частотная характеристика.
1
Размещено на http://www.allbest.ru/
1
Фазово-частотная характеристика.
1
Размещено на http://www.allbest.ru/
1
Заключение
В результате проделанной работы, исследовал нагрузку, транзистор с обобщенной нагрузкой, полную цепь и получил для них входные и передаточные функции.
Построил карты нулей и полюсов для нагрузки и полной цепи, а на основе карт нулей и полюсов исследовал частотные характеристики, построил АЧХ и ФЧХ с использованием автоматизированных методов.
Список использованных источников
Лосев А.К. Теория линейных электрических цепей. - М.: Высшая школа 2007. - 511с.
Попов В.П. Основы теории цепей. - М.: Высшая школа 2010. - 496с.
Основы теории цепей: Учебник для вузов/ Г.В.Зевеке, П.А.Ионкин, А.В.Нетушил, С.В.Страхов. - М.:Энергоатомиздат, 2009. - 528с.
Размещено на Allbest.ru
Подобные документы
Исследование нагрузки линейной электрической цепи. Предполагаемый характер частотных характеристик на основе анализа схемы. Расчет резонансных частот и резонансных сопротивлений. Исследование параметров транзисторов с обобщенной и избирательной нагрузкой.
курсовая работа [2,5 M], добавлен 17.11.2014Анализ характера АЧХ и ФЧХ входной функции, выведение ее операторного выражения. Вычисление резонансных частот и сопротивлений. Исследование модели транзистора с обобщенной нагрузкой. Автоматизированный расчет цепи транзистора с избирательной нагрузкой.
курсовая работа [376,6 K], добавлен 14.10.2012Устройство полевого транзистора: схемы включения и параметры. Эквивалентная схема, частотные и шумовые свойства. Устойчивость полевого транзистора при работе в диапазоне температур (тепловые параметры). Вольт-амперные характеристики транзистора.
реферат [174,3 K], добавлен 27.05.2012Биполярные транзисторы, режимы работы, схемы включения. Инверсный активный режим, режим отсечки. Расчет h-параметров биполярного транзистора. Расчет стоко-затворных характеристик полевого транзистора. Определение параметров электронно-лучевой трубки.
курсовая работа [274,4 K], добавлен 17.03.2015Физико-топологическая модель как модель расчета электрических параметров. Расчет распределения концентрации акцепторной и донорной примеси, скорости диффузии, расчет остальных параметров биполярного транзистора. Определение напряжения лавинного пробоя.
реферат [433,1 K], добавлен 12.06.2009Определение значений производных в электрических цепях. Составление операторных схем замещения в переходных процессах. Входные и выходные характеристики транзистора. Графический расчет простейшего усилительного каскада транзистора с общим эмиттером.
курсовая работа [1,4 M], добавлен 07.08.2013Режим работы биполярного транзистора и основные физические процессы. Устройство и способы включения бипролярного транзистора. Определение напряжения источников питания. Расчёт коллекторной цепи транзисторов оконечного каскада и параметров цепей смещения.
курсовая работа [418,8 K], добавлен 09.08.2010Исследование статических характеристик биполярного транзистора, устройство и принцип действия. Схема включения p-n-p транзистора в схеме для снятия статических характеристик. Основные технические характеристики. Коэффициент обратной передачи напряжения.
лабораторная работа [245,9 K], добавлен 05.05.2014Электрическая схема фильтра, нахождение комплексной функции передачи. Нахождение полюсов и нулей функции передачи, карта полюсов и нулей. Построение АЧХ, ЛАЧХ, ФЧХ, определение крутизны среза и времени задержки, функции импульсной характеристики.
реферат [7,8 M], добавлен 25.10.2009Принцип действия и основные физические процессы в транзисторе. Дифференциальные коэффициенты передачи токов транзистора. Вольт-амперные статические характеристики и параметры. Методика снятия семейства статических характеристики биполярного транзистора.
лабораторная работа [142,9 K], добавлен 08.11.2013