Полупроводниковый оптрон (оптопара)
Изучение конструкции и принципов работы опто-электрических полупроводниковых преобразователей энергии. Наблюдение специфического отличия статических характеристик приборов от просто полупроводниковых аналогов на примере оптоэлектронной пары (оптронов).
Рубрика | Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника |
Вид | лабораторная работа |
Язык | русский |
Дата добавления | 24.06.2015 |
Размер файла | 636,9 K |
Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже
Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.
Размещено на http://www.allbest.ru
Размещено на http://www.allbest.ru
ОТЧЕТ ПО ЛАБОРАТОРНОЙ РАБОТЕ
Полупроводниковый оптрон (оптопара)
Цель работы и краткая программа измерений
Изучение конструкции и принципов работы опто-электрических полупроводниковых преобразователей энергии. Наблюдение специфического отличия статических характеристик таких приборов от просто полупроводниковых аналогов на примере оптоэлектронной пары (оптронов).
Схема измерительной цепи.
полупроводниковый оптрон преобразователь
G1 - источник питания 1-15 В; R1 - потенциометр 0-100 Ом;
G2 - источник питания 1-50 В; R2 - потенциометр 0-1 кОм;
PA1, PA2 - цифровой амперметр; VU - исследуемый транзистор;
PV1, PV2 - цифровые вольтметры.
Предельно допустимые значения токов, напряжений и мощностей в цепях отдельных электродов прибора.
UСИ МАКС = 10 В; P МАКС = 0.12 Вт;
IС МАКС = 6.6 мА; IЗИ МАКС = 10 мА;
Контрольные вопросы (методическая справка).
В основе работы оптопары лежит двойное опто-электрическое преобразование. Поступающий входной ток проходя через p-n переход входного светодиода (источники преобразования электрического тока в свет могут быть достаточно разнообразны, но нашем случае, как видно из схемы, используется именно светодиод) вызывает появление фотонов. Процесс происхождения фотонов обуславливается выделением излишней энергии носителя при его рекомбинации в базе диода. По большей части эта энергия одинакова для всех проходящих рекомбинаций, так как процесс протекания тока через полупроводниковый диод зависит от ширины запрещенной зоны. Запрещенную зону преодолевают носители с энергией равной близкой к граничным значениям энергии уровней в эмиттере и в базе, следовательно высвобождаемая энергия зависит от ширины контактной разности потенциалов. Цветовой спектр такого излучения узок и меняется только за счет изменения ширины запрещенной зоны подбором различных полупроводников или внедрения примисей в базовую область.
Работо же фотоэлемента обратна световому диоду. При облучении
фотодиода (именно он используется в нашей работе) энергия фотонов передается решетке и происходит генерирование носителей, которые под действием электрического поля перехода перемещаются в соответствующие области. Возникает потенциал на электродах диода.
В оптопарах используются как различные приемники и так и различные излучатели, притом в разнообразном сочетании.
Рисунок 1виды полупроводниковых оптопар
Рисунок 2Резисторная оптопара
Существуют оптопары с лазерными излучателями, люминисцентными и тд.
В качестве элементов гальванической развязки оптроны применяются: для связи блоков аппаратуры, между которыми имеется значительная разность потенциалов; для защиты входных цепей измерительных устройств от помех и наводок и т.д.
Другая важнейшая область применения оптронов - оптическое, бесконтактное управление сильноточными и высоковольтными цепями. Запуск мощных тиристоров, триаков, симисторов, управление электромеханическими релейными устройствами.
Специфическую группу управляющих оптронов составляют резисторные оптроны, предназначенные для слаботочных схем коммутации в сложных устройствах визуального отображения информации, выполненных на электролюминесцентных (порошковых) индикаторах, мнемосхемах, экранах.
Создание "длинных" оптронов (приборов с протяженным гибким волоконно-оптическим световодом) открыло совершенно новое направление применения изделий оптронной техники - связь на коротких расстояниях.
Различные оптроны (диодные, резисторные, транзисторные) находят применение и в чисто радиотехнических схемах модуляции, автоматической регулировки усиления и др. Воздействие по оптическому каналу используется здесь для вывода схемы в оптимальный рабочий режим, для бесконтактной перестройки режима и т. п.
Возможность изменения свойств оптического канала при различных внешних воздействиях на него позволяет создать целую серию оптронных датчиков: таковы датчики влажности и загазованности, датчика наличия в объеме той или иной жидкости, датчики чистоты обработки поверхности предмета, скорости его перемещения и т. п.
Достаточно специфическим является использование оптронов в энергетических целях, т. е. работа диодного оптрона в фотовентильном режиме. В таком режиме фотодиод генерирует электрическую мощность в нагрузку и оптрон до определенной степени подобен маломощному вторичному источнику питания, полностью развязанному от первичной цепи.
Создание оптронов с фоторезисторами, свойства которых при освещении меняются по заданному сложному закону, позволяет моделировать математические функции, является шагом на пути создания функциональной оптоэлектроники.
Универсальность оптронов как элементов гальванической развязки и бесконтактного управления, разнообразие и уникальность многих других функций являются причиной того, что сферами применения этих приборов стали вычислительная техника, автоматика, связная и радиотехническая аппаратура, автоматизированные системы управления, измерительная техника, системы контроля и регулирования, медицинская электроника, устройства визуального отображения информации.
Необходимые расчеты
Снятые данные:
Прямая передача |
выходная характеристика |
|||||||
Uвх[В] |
Iвых[мкА] |
Iвх=4мА |
Iвх=6мА |
Iвх=8мА |
Iвх=12мА |
Iвх=15мА |
||
0,00 |
0,00 |
Uвых[В] |
Iвых[мкА] |
Iвых[мкА] |
Iвых[мкА] |
Iвых[мкА] |
Iвых[мкА] |
|
1,00 |
0,30 |
0,00 |
120,00 |
157,00 |
250,00 |
373,00 |
447,00 |
|
1,10 |
0,60 |
2,00 |
124,00 |
165,00 |
254,00 |
376,00 |
457,00 |
|
1,20 |
3,60 |
6,00 |
377,00 |
|||||
1,30 |
6,70 |
10,00 |
378,00 |
|||||
1,40 |
10,10 |
Выходная ВАХ:
Входная ВАХ
Передаточная характеристика по току при неизменном выходном напряжении:
Коэффициент передачи тока, учитывая явную линейную зависимость, в результате гальванической развязки входной и выходной цепи, можно посчитать (исходя из графика) по конечным точкам измерения:
Х1(4мА;124мкА), Х2(15мА;457мкА)
Выводы
В результате проведения работы было установлено, что характеристики входной цепи оптрона носят экспоненциальный характер и совпадают с характеристиками обычного выпрямительного диода. Выходная характеристика аналогична характеристики транзистора при включении с общей базой.
Выходные характеристики представляют собой почти идеальные горизонтальные прямые расположенные под незначительным углов в сторону роста выходного тока. Вероятнее всего незначительный рост выходного тока при увеличении обратного напряжения на фотодиоде, связан с увеличением ширины запрещенной зоны и, как следствие, увеличению выталкивающего поля, т.е. уменьшению количества рекомбинаций внутри самой зоны.
Был рассчитан коэффициент передачи по току, составивший 3% от входного, что является не самым лучшим показателем среди аналогичных приборов. Надо заметить, что снятые показания не соответствуют заводским электрическим параметрам (коэффициент передачи по току при Iвх=10мА не менее 1,5% для А0Д101Г). При 10мА входного тока, коэффициент передачи составил 1.1%, что скорее всего говорит о старении оптического материала и, как следствие, спектральном рассогласование приемника и передатчика.
Размещено на Allbest.ru
Подобные документы
Рассмотрение принципов работы полупроводников, биполярных и полевых транзисторов, полупроводниковых и туннельных диодов, стабилитронов, варикапов, варисторов, оптронов, тиристоров, фототиристоров, терморезисторов, полупроводниковых светодиодов.
реферат [72,5 K], добавлен 14.03.2010Технологический маршрут производства полупроводниковых компонентов. Изготовление полупроводниковых пластин. Установка кристаллов в кристаллодержатели. Сборка и герметизация полупроводниковых приборов. Проверка качества и электрических характеристик.
курсовая работа [3,0 M], добавлен 24.11.2013Применение компьютерных программ моделирования для изучения полупроводниковых приборов и структур. Оценка влияния режимов работы и внешних факторов на их основные электрические характеристики. Изучение особенностей основных полупроводниковых приборов.
дипломная работа [4,8 M], добавлен 16.05.2013Эксплуатация полупроводниковых преобразователей и устройств: недостатки полупроводниковых приборов, виды защит. Статические преобразователи электроэнергии: трансформаторы. Назначение, классификация, виды, конструкция. Работа трансформатора под нагрузкой.
лекция [190,2 K], добавлен 20.01.2010Электрофизические свойства полупроводниковых материалов, их применение для изготовления полупроводниковых приборов и устройств микроэлектроники. Основы зонной теории твердого тела. Энергетические зоны полупроводников. Физические основы наноэлектроники.
курсовая работа [3,1 M], добавлен 28.03.2016Физические элементы полупроводниковых приборов. Электрический переход. Резкий переход. Плоскостной переход. Диффузионный переход. Планарный переход. Явления в полупроводниковых приборах. Виды полупроводниковых приборов. Элементы конструкции.
реферат [17,9 K], добавлен 14.02.2003Полупроводниковые материалы, изготовление полупроводниковых приборов. Переход электрона из валентной зоны в зону проводимости. Незаполненная электронная связь в кристаллической решетке полупроводника. Носители зарядов, внешнее электрическое поле.
лекция [297,5 K], добавлен 19.11.2008Классификация и условные обозначения полупроводниковых диодов. Назначение, область применения и общий принцип их действия. Вольтамперная характеристика и основные параметры полупроводниковых диодов. Диод Есаки (туннельный диод) и его модификации.
курсовая работа [1,8 M], добавлен 19.10.2009Возможности применения компьютерного моделирования для изучения характеристик традиционных полупроводниковых приборов. Схемы исследования биполярного транзистора методом характериографа, а также моделирование характеристик однопереходного транзистора.
дипломная работа [2,3 M], добавлен 28.04.2013Разработка прибора, предназначенного для изучения полупроводниковых диодов. Классификация полупроводниковых диодов, характеристика их видов. Принципиальная схема лабораторного стенда по изучению вольтамперных характеристик полупроводниковых диодов.
курсовая работа [1,2 M], добавлен 20.11.2013