Полупроводниковый оптрон (оптопара)

Изучение конструкции и принципов работы опто-электрических полупроводниковых преобразователей энергии. Наблюдение специфического отличия статических характеристик приборов от просто полупроводниковых аналогов на примере оптоэлектронной пары (оптронов).

Рубрика Коммуникации, связь, цифровые приборы и радиоэлектроника
Вид лабораторная работа
Язык русский
Дата добавления 24.06.2015
Размер файла 636,9 K

Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже

Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.

Размещено на http://www.allbest.ru

Размещено на http://www.allbest.ru

ОТЧЕТ ПО ЛАБОРАТОРНОЙ РАБОТЕ

Полупроводниковый оптрон (оптопара)

Цель работы и краткая программа измерений

Изучение конструкции и принципов работы опто-электрических полупроводниковых преобразователей энергии. Наблюдение специфического отличия статических характеристик таких приборов от просто полупроводниковых аналогов на примере оптоэлектронной пары (оптронов).

Схема измерительной цепи.

полупроводниковый оптрон преобразователь

G1 - источник питания 1-15 В; R1 - потенциометр 0-100 Ом;

G2 - источник питания 1-50 В; R2 - потенциометр 0-1 кОм;

PA1, PA2 - цифровой амперметр; VU - исследуемый транзистор;

PV1, PV2 - цифровые вольтметры.

Предельно допустимые значения токов, напряжений и мощностей в цепях отдельных электродов прибора.

UСИ МАКС = 10 В; P МАКС = 0.12 Вт;

IС МАКС = 6.6 мА; IЗИ МАКС = 10 мА;

Контрольные вопросы (методическая справка).

В основе работы оптопары лежит двойное опто-электрическое преобразование. Поступающий входной ток проходя через p-n переход входного светодиода (источники преобразования электрического тока в свет могут быть достаточно разнообразны, но нашем случае, как видно из схемы, используется именно светодиод) вызывает появление фотонов. Процесс происхождения фотонов обуславливается выделением излишней энергии носителя при его рекомбинации в базе диода. По большей части эта энергия одинакова для всех проходящих рекомбинаций, так как процесс протекания тока через полупроводниковый диод зависит от ширины запрещенной зоны. Запрещенную зону преодолевают носители с энергией равной близкой к граничным значениям энергии уровней в эмиттере и в базе, следовательно высвобождаемая энергия зависит от ширины контактной разности потенциалов. Цветовой спектр такого излучения узок и меняется только за счет изменения ширины запрещенной зоны подбором различных полупроводников или внедрения примисей в базовую область.

Работо же фотоэлемента обратна световому диоду. При облучении

фотодиода (именно он используется в нашей работе) энергия фотонов передается решетке и происходит генерирование носителей, которые под действием электрического поля перехода перемещаются в соответствующие области. Возникает потенциал на электродах диода.

В оптопарах используются как различные приемники и так и различные излучатели, притом в разнообразном сочетании.

Рисунок 1виды полупроводниковых оптопар

Рисунок 2Резисторная оптопара

Существуют оптопары с лазерными излучателями, люминисцентными и тд.

В качестве элементов гальванической развязки оптроны применяются: для связи блоков аппаратуры, между которыми имеется значительная разность потенциалов; для защиты входных цепей измерительных устройств от помех и наводок и т.д.

Другая важнейшая область применения оптронов - оптическое, бесконтактное управление сильноточными и высоковольтными цепями. Запуск мощных тиристоров, триаков, симисторов, управление электромеханическими релейными устройствами.

Специфическую группу управляющих оптронов составляют резисторные оптроны, предназначенные для слаботочных схем коммутации в сложных устройствах визуального отображения информации, выполненных на электролюминесцентных (порошковых) индикаторах, мнемосхемах, экранах.

Создание "длинных" оптронов (приборов с протяженным гибким волоконно-оптическим световодом) открыло совершенно новое направление применения изделий оптронной техники - связь на коротких расстояниях.

Различные оптроны (диодные, резисторные, транзисторные) находят применение и в чисто радиотехнических схемах модуляции, автоматической регулировки усиления и др. Воздействие по оптическому каналу используется здесь для вывода схемы в оптимальный рабочий режим, для бесконтактной перестройки режима и т. п.

Возможность изменения свойств оптического канала при различных внешних воздействиях на него позволяет создать целую серию оптронных датчиков: таковы датчики влажности и загазованности, датчика наличия в объеме той или иной жидкости, датчики чистоты обработки поверхности предмета, скорости его перемещения и т. п.

Достаточно специфическим является использование оптронов в энергетических целях, т. е. работа диодного оптрона в фотовентильном режиме. В таком режиме фотодиод генерирует электрическую мощность в нагрузку и оптрон до определенной степени подобен маломощному вторичному источнику питания, полностью развязанному от первичной цепи.

Создание оптронов с фоторезисторами, свойства которых при освещении меняются по заданному сложному закону, позволяет моделировать математические функции, является шагом на пути создания функциональной оптоэлектроники.

Универсальность оптронов как элементов гальванической развязки и бесконтактного управления, разнообразие и уникальность многих других функций являются причиной того, что сферами применения этих приборов стали вычислительная техника, автоматика, связная и радиотехническая аппаратура, автоматизированные системы управления, измерительная техника, системы контроля и регулирования, медицинская электроника, устройства визуального отображения информации.

Необходимые расчеты

Снятые данные:

Прямая передача

выходная характеристика

Uвх[В]

Iвых[мкА]

Iвх=4мА

Iвх=6мА

Iвх=8мА

Iвх=12мА

Iвх=15мА

0,00

0,00

Uвых[В]

Iвых[мкА]

Iвых[мкА]

Iвых[мкА]

Iвых[мкА]

Iвых[мкА]

1,00

0,30

0,00

120,00

157,00

250,00

373,00

447,00

1,10

0,60

2,00

124,00

165,00

254,00

376,00

457,00

1,20

3,60

6,00

377,00

1,30

6,70

10,00

378,00

1,40

10,10

Выходная ВАХ:

Входная ВАХ

Передаточная характеристика по току при неизменном выходном напряжении:

Коэффициент передачи тока, учитывая явную линейную зависимость, в результате гальванической развязки входной и выходной цепи, можно посчитать (исходя из графика) по конечным точкам измерения:

Х1(4мА;124мкА), Х2(15мА;457мкА)

Выводы

В результате проведения работы было установлено, что характеристики входной цепи оптрона носят экспоненциальный характер и совпадают с характеристиками обычного выпрямительного диода. Выходная характеристика аналогична характеристики транзистора при включении с общей базой.

Выходные характеристики представляют собой почти идеальные горизонтальные прямые расположенные под незначительным углов в сторону роста выходного тока. Вероятнее всего незначительный рост выходного тока при увеличении обратного напряжения на фотодиоде, связан с увеличением ширины запрещенной зоны и, как следствие, увеличению выталкивающего поля, т.е. уменьшению количества рекомбинаций внутри самой зоны.

Был рассчитан коэффициент передачи по току, составивший 3% от входного, что является не самым лучшим показателем среди аналогичных приборов. Надо заметить, что снятые показания не соответствуют заводским электрическим параметрам (коэффициент передачи по току при Iвх=10мА не менее 1,5% для А0Д101Г). При 10мА входного тока, коэффициент передачи составил 1.1%, что скорее всего говорит о старении оптического материала и, как следствие, спектральном рассогласование приемника и передатчика.

Размещено на Allbest.ru


Подобные документы

  • Рассмотрение принципов работы полупроводников, биполярных и полевых транзисторов, полупроводниковых и туннельных диодов, стабилитронов, варикапов, варисторов, оптронов, тиристоров, фототиристоров, терморезисторов, полупроводниковых светодиодов.

    реферат [72,5 K], добавлен 14.03.2010

  • Технологический маршрут производства полупроводниковых компонентов. Изготовление полупроводниковых пластин. Установка кристаллов в кристаллодержатели. Сборка и герметизация полупроводниковых приборов. Проверка качества и электрических характеристик.

    курсовая работа [3,0 M], добавлен 24.11.2013

  • Применение компьютерных программ моделирования для изучения полупроводниковых приборов и структур. Оценка влияния режимов работы и внешних факторов на их основные электрические характеристики. Изучение особенностей основных полупроводниковых приборов.

    дипломная работа [4,8 M], добавлен 16.05.2013

  • Эксплуатация полупроводниковых преобразователей и устройств: недостатки полупроводниковых приборов, виды защит. Статические преобразователи электроэнергии: трансформаторы. Назначение, классификация, виды, конструкция. Работа трансформатора под нагрузкой.

    лекция [190,2 K], добавлен 20.01.2010

  • Электрофизические свойства полупроводниковых материалов, их применение для изготовления полупроводниковых приборов и устройств микроэлектроники. Основы зонной теории твердого тела. Энергетические зоны полупроводников. Физические основы наноэлектроники.

    курсовая работа [3,1 M], добавлен 28.03.2016

  • Физические элементы полупроводниковых приборов. Электрический переход. Резкий переход. Плоскостной переход. Диффузионный переход. Планарный переход. Явления в полупроводниковых приборах. Виды полупроводниковых приборов. Элементы конструкции.

    реферат [17,9 K], добавлен 14.02.2003

  • Полупроводниковые материалы, изготовление полупроводниковых приборов. Переход электрона из валентной зоны в зону проводимости. Незаполненная электронная связь в кристаллической решетке полупроводника. Носители зарядов, внешнее электрическое поле.

    лекция [297,5 K], добавлен 19.11.2008

  • Классификация и условные обозначения полупроводниковых диодов. Назначение, область применения и общий принцип их действия. Вольтамперная характеристика и основные параметры полупроводниковых диодов. Диод Есаки (туннельный диод) и его модификации.

    курсовая работа [1,8 M], добавлен 19.10.2009

  • Возможности применения компьютерного моделирования для изучения характеристик традиционных полупроводниковых приборов. Схемы исследования биполярного транзистора методом характериографа, а также моделирование характеристик однопереходного транзистора.

    дипломная работа [2,3 M], добавлен 28.04.2013

  • Разработка прибора, предназначенного для изучения полупроводниковых диодов. Классификация полупроводниковых диодов, характеристика их видов. Принципиальная схема лабораторного стенда по изучению вольтамперных характеристик полупроводниковых диодов.

    курсовая работа [1,2 M], добавлен 20.11.2013

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу.